JPH02275414A - 液晶電気光学素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、液晶電気光学素子、特に強誘電性液晶を用い
た液晶電気光学素子に関する。

〔従来の技術１ 従来の強誘電性液晶を用いた液晶素子としてはＣ１ａｒ
ｋ及びＬａｇｅｒｗａｌ　ｌにより提案されたもの（特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号）がある、ここで強誘電性液晶を用いた液晶素子
の動作について簡単に説明する。第５図が液晶分子の配
向状態を示している。２６は強誘電性液晶相において出
現する液晶分子の動作しつる軌跡（コーン）である０通
常液晶分子２８は上下の電極付基板２５により挟まれて
いるため、図中の状態２３あるいは状態２４にある時が
最も安定である。状態２１と状態２２が不安定であるの
は、液晶分子と配向膜の相互作用によるものと考えられ
る。次に電界を印加すると、自発分極２７が電界の方向
を向く、すなわち図中の状態２２である０次に逆向きの
電界を印加すると自発分極が反転し、図中の状態２１を
占める。この様子をクロスニコル下で観測すると、偏光
板の合わせ方により、たとえば状態２２では暗く、状態
２１では明るく見えるのである。そしてこの場合の最良
の表示状態、すなわち暗い状態ではほとんど光が透過せ
ず、明るい状態では２枚の偏光板の偏光方向を平行にし
て液晶素子を除いた場合の透過率とほぼ等しくなる状態
を実現するには状態２１と状態２２の分子の成す角が４
５°であればよい１通常の液晶はこの条件をみたしてい
る。電界を除いた後、液晶は電界印加時の状態を保持す
る。これをメモリー性という。

従来の強誘電性液晶を用いた液晶電気光学素子の配自制
（卸方法は、基板表面にポリイミド等の何機高分子層を
設け、ラビング処理を行う方法、スペーサエツジから温
度勾配法を用いて液晶層を成長させる方法、Ｎｆｉ場配
向法、直流電界を印加しなから徐冷を行う方法等がある
。しかし、通常の配向処理（例えば布などでこするラビ
ング法）を行った場合、液晶分子は第５図の状態２１及
び状態２２にはとどまらず、状態２３及び状態２４で安
定となる。状態２３と状態２４間の角度は通常２０’以
下であり、このためメモリー状態を表示に利用する場合
十分な明るさは得られない、またメモリー状態ではコー
ン内における液晶分子の位置が上基板から下基板まで同
一の位置を占めるとは限らないため、暗い状態で光が漏
れる。そのためコントラストが低下する０強誘電性液晶
を用いたデイスプレィなどではメモリー性を用いたマル
チプレックス駆動法が不可欠であるためこれらの課題は
克服されなければならない。そこでコントラスト、透過
率を向上させる方法として斜方蒸着法、通電配向法が考
えられている。

液晶配同法として、ＳｉＯの斜方蒸着法を用いる場合（
第１２回液晶討論会予稿集１連Ｆ１２（ｐ、３２）ある
いはＪａｐａｎ　　Ｄｉｓｐｌａｙ　　８６予稿集１２
．３　（ｐ、４６４））、ポリイミド等の樹脂を布でこ
する配向性（ラビング法）の場合に得られる光学特性と
比較して、数１０倍のコントラスト比及び数（ｇの光透
過率が得られる、また、この方法を用いれば液晶を配向
させる際の徐冷処理も簡単である。他の方法として特開
昭６２−９２９１８号及び特開昭６２−７９４２７号の
各公報に示される通電配同法がある。この方法によれば
、メモリー状態においても液晶分子の位置は第５図の状
態２１及び状態２２であり、明るくコントラストの高い
表示が得られる。

［発明が解決しようとする課題］ 強誘電性液晶の電界による応答特性、特に記憶効果は、
液晶分子と基板表面の化学的相互作用に大きく影響され
ると考えられる。カイラルスメクティックＣ相（以下、
ＳｍＣ＊相と略記する）のスイッチング原理によれば、
良好な記憶効果を得るためには液晶分子は、基板表面に
平行かつ一方向に揃っている事が望ましい、しかしなが
ら従来の高分子膜表面にラビング処理を施す等の配向制
御を用いると、ＳｍＣ＊相における配向はツイスト状態
すなわち液晶分子ダイレクタが片側の基板表面から対向
基板表面において円錐の側面上を回転しており、自発分
極が上下両界面で内側あるいは外側を向いた状態を呈し
やすく、従って良好な記憶効果を得るのは困難であった
。

上記のラビング法、温度勾配法等の従来技術で作成した
液晶電気光学素子は’Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ、
１９８４、Ｖｏｌ、５９、ｐ６９〜１１６”に示されて
いるようにジグザグ壁δ−φ欠陥が発生し易い、この欠
陥は、基板表面と液晶分子の分極の相互作用により発生
するとされている。さらに我々の実験からは、前記以外
に液晶層にストレスが印加された場合にも多数発生する
事が認められている。素子中にこの欠陥が生ずると、光
もれにより大巾なコントラスト低下をしたらす。

また、前述の斜方蒸着法の従来技術では表示ムラ、信頼
性に問題があり、大画面化も難しい欠点を有する。高い
コントラスト比を得るための強いメモリー状態はセル厚
に依存せざるを得ない、液晶の種類によって値は異なる
が、素子のセル厚がある値以下の場合に限り、２つのユ
ニフォーム状態の双安定性を示し、セル厚がある値（以
下、臨界セル厚と称す）以上の場合はツイスト状態（ベ
ント状態）が安定となってしまう。ツイスト状態は高い
コントラスト比を得るためにはあまり好ましくない（Ｎ
ａｔｉｏｎａｌ　　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　　Ｒｅｐｏｒ
ｔ　　Ｖｏｌ、３３　　Ｎｏ、　　ｌ。

１９８７）。

ここでユニフォーム状態とは、液晶分子のグイレフター
が一様に層法線に対しで傾き、上下基鈑界面における自
発分極が同一方向を向いている状態をいい、また、ツイ
スト状態とは、ダイレクタが上面から下面へ円錐の側面
上を回転しており、自発分極は上下両界面で内側あるい
は、外側を向いており、内部ではスプレー変形している
状態をいう。

また、光透過率を充分に得るための液晶光学素子の最適
セル厚は、用いる液晶材料の、複屈折率△ｎに依存する
ので、素子に必要とされる透過率と、ｎ１１述の双安定
なユニフォーム状態の、両立は難しい。

また、上記従来の通電配同法は、液晶素子の基板に形成
された表示用電極を用いて交流電界を印加し通電配向処
理を行うため、画素間は電界が印加されず通電配向され
ない、そのため、メモリー状態において、画素と画素間
で液晶分子の向きに第５図での状態２２と状態２４のな
す角だけ差が生じ、画素のコントラストが最大になるよ
うに偏光板を合わせると画素間で光が１届れるという問
題があった。そして、通電配向の効果も数日で消滅する
ため表示装置の動作開始時、ないしは、動作！！続中に
おいても通電配向をしなおす必要があり、そのための特
別な電極や回路を必要とする欠点がある。

本発明は、基板表面の改質と電界処理による配向制御に
よって、上記問題点を解決するもので、その目的とする
ところは、前記臨界セル厚以上のセル厚をもってしても
双安定なユニフオーム配向を示し１画素外での光漏れを
解消するとともに良好な記１意効果を持ち、配向欠陥に
よるコントラス１−低下の少ない優れた光学特性を有す
る液晶電気光学素子及びその製造方法を提供する事であ
る。

（課題を解決するための手段１ 本発明は、透明電極を有する一対の基板間に強誘電性液
晶を挟持して成る液晶電気光学素子において、少なくと
も一方の基板に配向処理が施され、該強誘電性液晶は封
入復電圧を印加されて配向状態が規制されていることを
特徴とする液晶電気光学素子である。配向処理は斜方蒸
着又は基板上に塗布されたカップリング剤にラビング法
によってなされる。基板表面の改質は、少なくとも一方
の基板が配向処理され、その上にカップリング剤が塗布
されているものや、一方の基板は配向処理され、他方の
基板はカップリング剤が塗布されているものであっても
よい、カップリング剤はアミノ基、エポキシ基、メルカ
プト基の少なくとも１つを官能基として有するもの、ま
たはそれらの混合物が用いられる。特にアミノ基を２級
〜４級化したものや、アミノ基と珪素間の炭素数が４個
以上のものでは記憶効果が大きい。通電配向処理におい
て、電圧を印加する場合は、一対の基板を配向処理し、
１〜１０μｍの距離を隔てて組み立て、液晶を封入した
後、±５，０００Ｖ／ｍｍ〜±１００，０００Ｖ／ｍｍ
、ｌＨｚ〜２００Ｈｚなる交流電界を液晶素子の外側か
ら印加して行う。

〔実　施　例〕

実施例１ 第１図は斜方蒸着によって配向処理がなされた実施例に
おける電気光学素子の断面図である。

１１は基板、１２は透明電極で、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
　　Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等によって構成される。１
５はＳｉＯ□等によって構成される絶縁層、１３Ａは斜
方蒸着層、１４は強誘電性液晶、１７は偏光板である。

斜方蒸着層１３Ａは基板１１の表面に対し５°傾いた方
位よりＳｉＯを斜方蒸着したもので、配向膜を形成し、
層厚は約１０００人である。絶縁層１５は一対の基板１
１のどちらか一方のみでもよい、また、蒸着する物質は
絶縁体であればＳｉＯでなくとも良い、このようにして
得られた基板を第１図に示す如く上下基板１１で蒸着方
位が１８０°を成すように組み立てた。セル厚は２．８
μｍとした。その基板間に強誘電性液晶１４を加熱封入
し、等方性相から１℃／ｍｉｎの速度で室温まで徐冷し
た。

強誘電性液晶１４にはチッソ社製ＣＳ−１０１１を用い
た。このｃｓ−ｔｏｔｉの場合、ユニフォーム／ツイス
ト臨界セル厚は２．２〜２．４μｍであった。従って本
実施例の素子において液晶は徐冷後ツイスト状態を呈し
ていた。この素子の電極間に±１５Ｖ、２００　Ｈｚの
交番波形を約３０秒間印加したところ、液晶は−様なユ
ニフォーム状態を呈した。ここで、ユニフォーム配向を
得るため印加する電界は方形波、三角波、サイン波等の
交番波形で、その周波数は、用いる液晶の応答速度に応
じて、液晶分子が充分に反転する周波数以下であれば有
効である。上記の液晶電気光学素子を、偏光軸の互いに
直交する偏光板１７の間に挟持し、第２図に示す駆動波
形３０を電極１２に印加して、その際の光学特性を評価
した。第２図３１は対応する光学応答の一例である。記
憶効果の良否は電界印加時の透過光量（第２図（Ｂ）の
Ｉ、）と電界除去後の光量（第２図（Ｂ）のＩ２）の比
１２　／　Ｉ　＋が大きいほど良好であると考えられる
１本実施例では１．／Ｉ、＝０．９９、コントラスト比
はｌ・３０以上と良好であり、透過光量も９０％あり充
分であった。ここで透過光量とは液晶を封入していない
セルを互いに偏光軸を平行にした２枚の偏光板間に挟持
した際の透過光量を１００％として換算したものである
。

実施例２ 第１図の強誘電性液晶１４にメルク社製ＺＬＩ−３７７
４を用いた。この場合、ユニフォーム／ツイスト臨界セ
ル厚は、１．８μｍであった。また、透過光量を考慮し
た場合、 透過光量Ｉ　（％） Ｓ１口２（πｄ・△ｎ／ん） ｙ（え）：視感度 Ｃ（え）、光源 Ｐ（ん）：偏光板の波長特性 θ　　：　ＳｍＣ”のチルト角 ん３、λ２　：可視領域の上限と下限 より、最大透過光量を得るためのセル厚ｄは、ＺＬＩ−
３７７４について計算するとｄ＝２．４μｍとなる。最
大透過光量を得るためにセル厚を２．４μｍとし、実施
例１と同様な電気光学素子を構成した。

液晶を加熱封入、徐冷後±ＩＯＶ、５００Ｈｚの交番波
形を３０秒印加し、ユニフォーム配向とした。このよう
にして、得られた素子を実施例１と同様に第２図の駆動
波形で評価したところ、コントラスト比１：４０、透過
光量９０〜９５％を得た。

実施例３ 第３図は、基板上に塗布されたカップリング剤をラビン
グ処理した電気光学素子の断面図である。第１図と同番
号は第１図で説明したものと同じである０強誘電性液晶
１４はメルク社製ＺＬＩ−３７７５を用いた。絶縁層１
５を設けた基板上に、シランカップリング剤の膜１３Ｂ
を形成し、その表面にラビング処理を施した。ここで用
いたシランカップリング剤としては、アミノ基を有する
化合物であるところのγ−アミノプロピルメチルジェト
キシシラン （Ｃａ　Ｈｓ　Ｏ）　ｔ　Ｓ　ｉ　（ＣＨｓ　）　Ｃｓ
　Ｈｌｌ　ＮＨ２である。膜１３Ｂの形成にあたっては
、上記化合物の０．２％エタノール溶液を基板上にスピ
ンコードし、８０℃で約６０分焼成した。このようにし
て得られた基板を上下基板でラビング方向が１８０”　
となるように組み立てた。セル厚は約２μｍとした０本
実施例においては上下両基板１１上にＳｉＯヨ絶縁層１
５を設けであるが、これは、どちらか一方のみでもよい
、また、ラビング処理についても片側基板のみ施しても
よい。

上記基板間に強誘電性液晶を加熱封入し、室温（約２５
℃）まで冷却した０次に、この素子の電極間に±２５Ｖ
、１５Ｈｚの交番波形を約３０秒間印加したところ、液
晶の配向状態は１層方向に対してほぼ垂直方向に緻密な
スジ状ディスロケーションを伴ったユニフォーム状態を
呈した。上記電界処理により、封入冷却時に形成された
ジグザグ壁及びδ−φ欠陥は除去される６以上の方法で
得られた液晶電気光学素子を、偏光軸の互いに直交する
偏光板間に挟持し、第２図（Ａ）に示す駆動波形を印加
して、その際の同図（Ｂ）に示される光学応答を評価し
た０本実施例の液晶電気光学素子では、Ｖ＝ｌＯＶとし
て測定したところ１、／Ｉ、＝０．９７と良好であり、
コントラスト比１：３８を得た。

なお、カップリング剤は液晶分子と基板表面との相互作
用を変化させる作用を有すると考えられ、本実施例にお
いてはカップリング剤としてγ−アミノプロピルトリエ
トキシシランＣＣ２Ｈｓ　Ｏ）３　Ｓ　ｉ　Ｃａ　Ｈｅ
　ＮＨ２Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルト
ノメトキシシラン Ｈｘ　ＮＣ２Ｈ４ＮＨ２Ｃｓ　Ｈａ　Ｓ　１（ＯＣＨ３
）。

Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン Ｈｚ　ＮＣｘ　Ｈ４ＮＨＣｓ　Ｈａ （ＣＨ−）Ｓ　ｉ　（ＯＣＲ，）　２ などによっても同様な結果を得る事ができた。

実施例４ 第３図において強誘電性液晶１４にチッソ社製Ｃ５−１
０１８を用い、配向膜１３Ｂにエポキシ系シランカップ
リング剤のγ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラ
ン の５％エタノール溶液をスピンコードし、１２０°Ｃ６
０分間熱処理したものを使用した場合の実施例を示す。

実施例３と同一な方法で素子を構成し、液晶を加熱封入
、冷却後±３０Ｖ、１５Ｈｚの交番波形を印加した。こ
のようにして得られた素子を実施例３と同様に第２図の
駆動波形で評価したところ、１．／Ｉ、＝０．９５、コ
ントラスト比ｌ：４３を得た。また、エポキシ系シラン
カップリング剤としては γ−グリシドキシプロピルメチルジェトキシシラン を用いた場合も同様な効果が得られた。

実施例５ 実施例３．４においてカップリング剤としてイソプロピ
ルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート
などのチタネート系カップリング剤、及びアセトアルコ
キシアルミニウムジイソプロピレートなどのアルミニウ
ム系カップリング剤を用い同様の液晶電気光学素子を構
成し評価したところＩ２／Ｉ、＝０．９５、コントラス
ト比１．３５、透過光量９０％であった。

実施例６ 基板上にラビング処理が施され更にその上にカップリン
グ剤が塗布された強誘電性液晶電気光学素子である。そ
の構造の断面図は第３図に示されるものと同じである１
強誘電性液晶１４はメルク社製ＺＬＩ−３７７５を用い
た。ＩＴＯ透明電極１２及び５ｉＯｚ絶縁層１５を設け
た基板ＩＩ上に、ラビング処理を施し、その上にシラン
カップリング剤の膜１’３Ｂを形成した。ここで用いた
シランカップリング剤としては、アミノ基を有する化合
物であるところのγ−アミノプロピルメチルジェトキシ
シラン （Ｃ２Ｈ８Ｏ）ｚ　Ｓ　ｉ　（ＣＨａ　）Ｃ３Ｈａ　Ｎ
Ｈｚである。膜形成にあたっては実施例３と同様に処理
した。このようにして得られた基板を上下基板でラビン
グ方向が１８０°となるように組み立てた。セル厚は約
２μｍとした。ＳｉＯ，絶縁層は上下両基板のどちらか
一方のみでもよい、また、ラビング処理についても片側
基板のみ施してもよい。

上記基板間に強誘電性液晶を加熱封入し、室温（約２５
°Ｃ）まで冷却した。次に、この素子の電極間に±２５
Ｖ、１５Ｈｚの交番波形を約３０秒間印加したところ、
液晶の配向状態は、層方向に対してほぼ垂直方向に緻密
なスジ状構造を伴ったユニフォーム状態を呈した。上記
電界処理により、封入冷却時に形成されたジグザグ壁及
びδ−φ欠陥は除去される６以上の方法で得られた液晶
電気光学素子を、偏光軸の互いに直交する偏光板間に挟
持し、第２図に示す駆動波形を印加して、その際の光学
応答を評価した１本実施例の液晶電気光学素子では、Ｖ
＝１０Ｖとして測定したところＩ２／Ｉ、＝０．９７と
良好であり、コントラスト比ｌ：３８を得た。

なお、本実施例においてはアミノ系シランカップリング
剤としてγ−アミツブａビルメチルジェトキシシランを
用いたが、 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（Ｃ２）（Ｓ　
　Ｏ）　　３　　Ｓ　　ｉ　　Ｃ３Ｈａ　　ＮＨａＮ−
β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトノメトキシシ
ラン ｔ（−ＮＣｚ　Ｈ４ＮＨ２Ｃｓ　Ｈａ　Ｓ　１（ＯＣＲ
−）ｓ Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン Ｈｚ　　ＮＣｇ　　Ｈ４ＮＨＣ−Ｈ− （ＣＨ＝　　）Ｓ　ｉ　　（ＯＣＨ３）ｔなどによって
も同様な結果を得る事ができた。

実施例７ 強誘電性液晶に、チッソ社製Ｃ５−１０１８を用い、配
向膜にエポキシ系シランカップリング剤のγ−グリシド
キシプロビルトリメトキシシランの５％エクノールン容
液をスピンコードし、１２０°Ｃ６０分間熱処理したも
のを使用した場合の実施例を示す。実施例６と同一な方
法で素子を構成し、液晶を加熱封入、冷却後±３０Ｖ１
５Ｈｚの交番波形を印加した。このようにして得られた
素子を実施例６と同様に第２図の駆動波形で評価したと
ころ、１．／１．＝０．９５、コントラスト比ｌ・４３
を得た。

また、エポキシ系シランカップリング剤とじては γ−グリシドキシブ口ビルメチルジエトキシシラン を用いた場合も同様な効果が得られた。

実施例８ 強誘電性液晶に大日本インキ社製ＤＯＦＯＯＯ４を用い
、配向膜にメルカプト基を含むシランカップリング剤 γメルカプトプロピルトリメトキシシランＨＳ　（ＣＨ
ａ　）　＝　Ｓ　ｉ　　（ＯＣＨｓ　）　ｓの０．２％
エタノール溶液をスピンコードし、８０℃６０分間熱処
理したものを使用した場合の実施例を示す、実施例６と
同一の方法で素子を構成し、液晶を封入し、配向させた
後±３０Ｖ１５Ｈｚの交流波形を印加した。このように
して得られた素子を実施例６と同様に評価したところ、
Ｉ友／Ｉ、＝Ｑ、９１、コントラスト比ｌ：４０を得た
。

他のメルカプト基系のシランカップリング剤でも同様の
効果を有する。

カップリング剤の処理方法はここに示したものに限らな
い。

実施例９ 実施例６．７．８において、カップリング剤として イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）
チタネート を用いて液晶電気光学素子を構成した。いずれも１、／
１．＝０．９９．コントラスト比１４５、透過光量９０
％であった。

実施例１０ 実施例６．７．８において、カップリング剤として アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート を用いて液晶電気光学素子を構成した。いずれも１、／
Ｉ、＝０．９０、コントラスト比ｌ：３０、透過光量８
０％であった。

実施例１１ 基板上に斜方蒸着による配向処理が施され、更にその上
にカップリング剤が塗布された強誘電性液晶電気光学素
子である。その断面図は第４図に示す、同図において符
合は第１図、第３図と共通である。１３Ｃは蒸着配向層
、１６はカップリング剤膜、１７は偏光板である０強誘
電性液晶１４はメルク社製ＺＬ、ｌ−３７７５を用いた
。ＩＴ。

透明電極１２及び５ｉＯ−絶縁層１５を設けた基板上に
、基板法線に対して６０°の方向からＳｉＯを約１００
０人蒸着し蒸着配向層１３Ｃとし、更にその表面にシラ
ンカップリング剤のｌｌ！　１６を形成した。ここで用
いたシランカップリング剤としては、アミノ基を有する
化合物であるところのγ−アミノプロピルメチルジェト
キシシラン（Ｃ−Ｈ，Ｏ）−Ｓ　ｉ　　（ＣＨ−）Ｃ，
Ｈ，ＮＨ□である。膜形成にあたっては、上記化合物の
０．２％エタノール溶液を基板上にスピンコードし、８
０°Ｃで約６０分焼成した。このようにして得られた基
板を、上下基板で蒸着方向が１８０゜となるように組み
立てた。セル厚は約２μｍとした。絶縁層１５は上下両
基板のどちらか一方のみでもよい、また、蒸着処理につ
いても片側基板のみ施してもよい。

上記基板間に強誘電性液晶１４を加熱封入し、室温（約
２５°Ｃ）まで冷却した０次に、この素子の電極間に±
２５Ｖ、１５Ｈｚの交番波形を約３０秒間印加したとこ
ろ、液晶の配向状態は、層方向に対してほぼ垂直方向に
緻密なスジ状ディスロケーションを伴ったユニフォーム
状態を呈した。上記電界処理により、封入冷却時に形成
されたジグザグ壁及びδ−φ欠陥は除去される０以上の
方法で得られた液晶電気光学素子を、偏光軸の互いに直
交する偏光板１７の間に挟持し、第２図に示す駆動波形
を印加して、その際の光学応答を評価した０本実施例の
液晶電気光学素子では、Ｖ＝１０Ｖとして測定したとこ
ろ、１．　／１０９８と良好であり、コントラスト比１
：４８を得た。

なお、本実施例においてはアミノ系シランカップリング
剤としてγ−アミノプロピルメチルジェトキシシランを
用いたが、 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（Ｃ２Ｈｓ　Ｏ
）　ｓ　Ｓ　ｉ　Ｃｘ　Ｈａ　ＮＨｓＮ−β（アミノエ
チル）γ−アミノプロピルトノメトキシシラン １１□ＮＣ２Ｈ＜　ＮＨｚ　Ｃ，ｓ　Ｈａ　Ｓ　１（Ｏ
ＣＨｓ　　）ｘ Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン １４□ＮＣ，Ｈ，ＮＨＣ，Ｈ。

（ＣＨ−）Ｓ　ｉ　（ＯＣＲ−）− などによっても同様な結果を得る事ができた。

実施例１２ 強誘電性液晶にチッソ社製Ｃ５−１０１８を用い、配向
膜にエポキシ系シランカップリング剤のγ−グリシドキ
シプロビルトリメトキシシランの５％エタノール溶液を
スピンコードし、１２０°Ｃ６０分間熱処理したものを
使用した場合の実施例を示す、実施例１１と同一な方法
で素子を構成し、液晶を加熱封入、冷却後±３０Ｖ、１
５Ｈｚの交番波形を印加した。このようにして得られた
素子を実施例１１と同様に第２図の駆動波形で評価した
ところ、１．／１．〜０．９３、コントラスト比１：３
５を得た。また、エポキシ系シランカップリング剤とし
ては γ−グリシドキシプロビルメチルジェトキシシラン を用いた場合も同様な効果が得られた。

実施例１３ 液晶組成物に大日本インキ社製ＤＯＦ−０００４を用い
、配向膜にメルカプト基を含むシランカップリング剤の
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン Ｈ５（ＣＨ−）、Ｓ　ｉ　　（ＯＣＨ−）−の０．２％
エタノール溶液をスピンコードし、８０℃６０分間熱処
理したものを使用した場合の実施例を示す、実施例１１
と同様な方法で素子を構成し、液晶を封入、徐冷後、±
３０Ｖ、１５１（ｚの交番波形を印加した。この素子を
実施例１１と同様に評価したところ、１．／１．〜０．
９０、コントラスト比に３８を得た。メルカプト基を有
する他のシランカップリング剤でも同様の効果を有する
。また、カップリング剤の処理方法はここに示したもの
に限らない。

実施例１４ 第３図に於て強誘電性液晶１４に大日本インキ（株）製
ＤＯＦＯＯＯ４を用い、配向膜１３Ｂに〜２ないし４級
アミノ基を有するシランカップリング剤を用いた例を示
す、カップリング剤として、 Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン ＣＨａ　　ＮＨ（ＣＨａ　）　３ −５　ｉ　　（ＯＣＨ３）− の０２％エタノールｌ容γ夜をスピンコードし、１００
″Ｃ３０分間熱処理し、実施例３と同一な方法で素子を
構成し、液晶を加熱封入、伶却後士３０Ｖ、１５Ｈｚの
交番波形を印加した。このようにして得られた素子を実
施例３と同様に第２図の駆動波形で評価したところ、１
．／Ｉ、〜０．９５、コントラスト比１：４０を得た。

また、アミノ基に置換基を導入したカップリング剤とし
て、 Ｎ、Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン （ＣＨ−）ｚ　　Ｎ−（ＣＨ２）ｓ −５ｉ　　（ＯＣＲ，）。

Ｎ、Ｎ、Ｎ−１−ジメチル　３−（トリメトキシシリル
）プロピル　クロロアンモニュウム塩（ＣＨ，）　３Ｎ
”　ＣＩ−−（ＣＨ２）。

−Ｓ　ｉ　　（ＯＣＨ−）＝ 等のメチル基を置換したものやエチル基、プロピル基な
どのアルキル基を置換したもの、あるいはＮ、Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン （ＨＯ−Ｃ，Ｈ，）、Ｎ−（ＣＨ，）。

−５Ｌ　　（ＯＣｚ　Ｈｓ　）　ｓ などのような修飾された置換基をアミノ基に導入しても
同様の効果が得られた。珪素に置換しているアルコキシ
基はここに示したものでなくてもよく、また１個以上置
換していればよい。

実施例１５ 第３図に於て強誘電性液晶１４に大日本インキ（株）製
ＤＯＦＯＯＯ４を用い、配向膜１３Ｂにカルボニル基に
結合したアミノ基を有するシランカップリング剤を用い
た例を示す、カップリング剤として、 Ｎ−（トリエトキシシリルプロビル）尿素ＮＨ，Ｃ０Ｎ
Ｈ−（ＣＨＩ　）。

−Ｓ　ｉ　（ＱＣｓ　Ｈａ　）　３ の０．２％エタノール溶液をスピンコードし、１００°
Ｃ３０分間熱処理し、実施例３と同一な方法で素子を構
成し、液晶を加熱封入、冷却後上３０Ｖ、２０Ｈｚの交
番波形を印加した。このようにして得られた素子を実施
例３と同様に第２図の駆動波形で評価したところ、Ｉ　
ｘ　／　Ｉ　＋　＝０．９０、コントラスト比１：３５
を得た。また、アミノ基に置換基を導入したカップリン
グ剤として、 Ｎ、Ｎ−ジメチル−Ｎ−（トリエトキシシリルプロビル
）尿素 （ＣＨｓ　）、ＮＣ０ＮＨ，−（ＣＨ，）１−　ｓ　ｉ
　（ｏ　ｃｍ　Ｈｓ　）　ｓ等のメチル基を置換したも
のやエチル基、プロピル基などのアルキル基を置換した
もの、あるいはＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
−Ｎ−トリエトキシシリルプロビル）尿素 （ＨＯＣ＊　Ｈ４）＊　ＮＣ０ＮＨ−（ＣＨｔ　）ｓ−
５ｉ　（ＯＣｔ　Ｈｓ　）　ｓ などのような修飾された置換基をアミノ基に導入しても
同様の効果が得られた。珪素に置換しているアルコキシ
基はここに示したものでなくてもよく、また１個以上置
換していればよい。

実施例１６ 第３図に於て強誘電性液晶１４に大日本インキ（株）製
ＤＯＦＯＯＯ４を用い、配向膜１３Ｂに１ないし４級ア
ミノ基を有し、しかも珪素と窒素が長鎖のアルキル基で
結合しているシランカップリング剤を用いた例を示す、
カップリング剤として、 ３−アミノウンデシルトリメトキシシランＮＨ２−（Ｃ
ＨＩ　）　、−５１（ＱＣ：Ｈｓ　）ｓの０．２％エタ
ノール溶液をスピンコードし、１００°Ｃ３０分間熱処
理し、実施例３と同一な方法で素子を構成し、液晶を加
熱封入、冷却後上３０Ｖ、１５Ｈｚの交番波形を印加し
た。このようにして得られた素子を実施例３と同様に第
２図の駆動波形で評価したところ、Ｉ　ｌ　／　Ｉ　ｌ
　”０．９７、コントラスト比１：４５を得た。また、
アミノ基に置換基を導入したカップリング剤として、 Ｎ−メチル−３−アミノウンデシルトリメトキシシラン ＣＨ，−ＮＨ−（ＣＨ，）。

−５ｉ　　（ＯＣＨ−）　　ｓ Ｎ、Ｎ−ジメチル−３−アミノウンデシルトリメトキシ
シラン （ＣＨ，）Ｉ　　Ｎ−（ＣＨ，） −ｓ　ｉ　（ｏｃＨｓ　　）ｓ Ｎ、Ｎ、Ｎ−１−ジメチル　３−（トリメトキシシリル
）ウンデシル　りロロアンモニュウム塩（ＣＨ＝　）−
Ｎ”　Ｃ１−−（ＣＨｓ　）　、＋−５ｉ　（ＯＣＨｓ
　）　ｓ 等のメチル基を置換したものやエチル基、プロピル基な
どのアルキル基を置換したもの、あるいはＮ、Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノウンデシルトリ
エトキシシラン （ＨＯ−Ｃｚ　Ｈ４）＊　Ｎ−（ＣＨａ　）　、＋−Ｓ
　ｉ　　（ＱＣｓ　Ｈｓ　）　ｓ などのような修飾された置換基なアミノ基に導入しても
同様の効果が得られた。窒素珪素間の炭素数は１１個で
なくとも４個以上であれば記憶状態に対する安定化効果
は大きい、珪素に置換しているアルコキシ基はここに示
したものでなくてもよく、また１個以上置換していれば
よい。

実施例１７ 第一３図に於て強誘電性液晶１４に大日本インキ（株）
製ＤＯＦＯＯＯ４を用い、基板をラビング処理した後に
配向膜１３Ｂに２ないし４級アミノ基を有するシランカ
ップリング剤を用いた例を示す、カップリング剤として
、 Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン ＣＨ−−ＮＨ−（ＣＨａ　　）ｓ −Ｓ　１　　（ＯＣＨ−）　　＊ の０．２％エタノール溶液をスピンコードし、１００℃
３０分間熱処理し、実施例６と同一な方法で素子を構成
し、液晶を加熱封入、冷却後出３０Ｖ、３０Ｈｚの交番
波形を印加した。このようにして得られた素子を実施例
３と同様に第２図の駆動波形で評価したところ、Ｉ　＊
　／　Ｉ　ｌ＝０．９４、コントラスト比１：４０を得
た。また、アミノ基に置換基を導入したカップリング剤
として、 Ｎ、Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン （ＣＨ，）　　２　Ｎ−（ＣＨ，）　　。

−Ｓ　ｉ　　（ＯＣＨ−）　　ａ Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチル　３−（トリメトキシシリル）
プロピル　クロロアンモニュウム塩（ＣＨａ　）、Ｎ”
　Ｃｌ−、−（ＣＨ，）。

−３ｉ　（ＯＣＨ−）　ａ 等のメチル基を置換したものやエチル基、プロピル基な
どのアルキル基を置換したもの、あるいはＮ、Ｎ−ビス
（２−とドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン （ＨＯＣａ　Ｈ４）＊　Ｎ−（ＣＨｔ　）−−５ｉ　　
（ＱＣ２８ｓ　）　ｓ などのような修飾された置換基をアミノ基に導入しても
同様の効果が得られた。珪素に置換しているアルコキシ
基はここに示したものでなくてもよ（、また１個以上置
換していればよい。

実施例１８ 第３図に於て強誘電性液晶１４に大日本インキ（株）製
ＤＯＦＯＯＯ４を用い、基板にラビング処理を施した後
配向膜１３Ｂにカルボニル基に結合したアミノ基を有す
るシランカップリング剤を用いた例を示す、カップリン
グ剤として、Ｎ−（トリエトキシシリルプロビル）尿素
ＮＨａ　Ｃ０ＮＨ−（ＣＨ−）ｓ Ｓ　ｌ　（ＯＣｘ　Ｈｓ　）　ｓ の０．２％エタノール溶液をスピンコードし、１００℃
３０分間熱処理し、実施例６と同一な方法で素子を構成
し、液晶を加熱封入、冷却後出３０Ｖ、２０Ｈｚの交番
波形を印加した。このようにして得られた素子を実施例
３と同様に第２図の駆動波形で評価したところ、Ｉｔ／
Ｉ＋＝０．９３、コントラスト比１：３８を得た。また
、アミノ基に置換基を導入したカップリング剤として。

Ｎ、Ｎ−ジメチル−Ｎ−（トリエトキシシリルプロビル
）尿素 （ＣＨ，）、ＮＣ０ＮＨ−（ＣＨ，）　。

−Ｓ　ｉ　（ＯＣｘ　Ｈｓ　）　ｓ 等のメチル基を置換したものやエチル基、プロピル基な
どのアルキル基を置換したもの、あるいはＮ、Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−（トリエトキシシリル
プロビル）尿素 （ＨＯＣ，Ｈ４）、ＮＣ０ＮＨ （ＣＨ，）　　、　　−Ｓ　　ｉ　　　（ＱＣ，！４．
）。

などのような修飾された置換基をアミノ基に導入しても
同様の効果が得られた。珪素に置換しているアルコキシ
基はここに示したものでなくてもよく、また１個以上置
換していればよい。

実施例１９ 第３図に於て強誘電性液晶１４に大日本インキ（株）製
ＤＯＦＯＯＯ４を用い、基板にラビング処理を施した後
配向ＩＩＩ　１３　Ｂに１ないし４級アミノ基を有し、
しかも珪素と窒素が長鎖のアルキル基で結合しているシ
ランカップリング剤を用いた例を示す、カップリング剤
として、 ３−アミノウンデシルトリメトキシシランＮＨ２−（Ｃ
Ｈｚ　）　１１−Ｓ　ｌ　　（ＯＣＨ−）−の０．２％
エタノール溶液をスピンコードし、１００℃３０分間熱
処理し、実施例６と同一な方法で素子を構成し、液晶を
加熱封入、冷却後±３０Ｖ、１５Ｈｚの交番波形を印加
した。このようにして得られた素子を実施例３と同様に
第２図の駆動波形で評価したところ、１．／Ｉ、＝０．
９５、コントラスト比ｌ：４５を得た。また、アミノ基
に置換基を導入したカップリング剤として、 Ｎ−メチル−３−アミノウンデシルトリメトキシシラン ＣＨａ　　−ＮＨ−ＣＣＨｘ　　）ｚ −３ｉ　　（ＯＣＨ−）　　ｓ Ｎ、Ｎ−ジメチル−３−アミノウンデシルトリメトキシ
シラン （ＣＨ３）２　　Ｎ−（ｃＨａ　　）。

−Ｓ　ｉ　　（ＯＣＨｓ　　）　　ｓ Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチル　３−（トリメトキシシリル）
ウンデシル　りロロアンモニュウム塩（ＣＨ，）、Ｎ”
　ＣＩ−−（ＣＨ，）−５ｉ　　（ＯＣＨ３）　− 等のメチル基を置換したものやエチル基、プロピル基な
どのアルキル基を置換したもの、あるいはＮ、Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノウンデシルトリ
エトキシシラン （ＨＯ−Ｃ−Ｈ４）−Ｎ−（ＣＨａ　）　１＋−Ｓ　ｉ
　　（ＯＣｍ　　Ｈｓ　）　　ｓなどのような修飾され
た置換基をアミノ基に導入しても同様の効果が得られた
。窒素珪素間の炭素数は１１個でなくとも４個以上であ
れば記憶状態に対する安定化効果は大きい、珪素に置換
しているアルコキシ基はここに示したものでなくてもよ
く、また１個以上置換していればよい。

実施例２０ 第１図に於て強誘電性液晶１４にメルク（株）製ＺＬＩ
−３７７５を用い、基板に斜方蒸着後配向膜１３Ｂに２
ないし４級アミノ基を有するシランカップリング剤を処
理した例を示す、カップリング剤として、 Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン ＣＨｓ　−ＮＨ−（ＣＨａ　）ｓ −５ｉ　　（ＯＣＨ，）− の０．２％エタノール溶液をスピンコードし、１００℃
３０分間熱処理し、実施例１１と同一な方法で素子を構
成し、液晶を加熱封入、冷却後上３０Ｖ、３０Ｈｚの交
番波形を印加した。このようにして得られた素子を実施
例３と同様に第２図の駆動波形で評価したところ、１．
／ＩＩ＝０．９０、コントラスト比１：３５を得た。ま
た、アミノ基に置換基を導入したカップリング剤として
、 Ｎ、Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピ・ルトリメトキシ
シラン （ＣＨ，）２　Ｎ−（ｃＨｔ　）。

−Ｓｉ　　（ＯＣＨ，）。

Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリメチル　３−（トリメトキシシリル）
プロピル　クロロアンモニュウム塩（ＣＨ，）、Ｎ”　
ＣＩ−−（ＣＨ，）。

Ｓ　ｉ　　（ＯＣＨｚ　）　− 等のメチル基を置換したものやエチル基、プロピル基な
どのアルキル基を置換したもの、あるいはＮ、Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン （ＨＯ−Ｃ−Ｈ−）−Ｎ　　（ＣＨｉ　）ｓ−Ｓ　ｉ　
　（ＯＣ２Ｈ−）　３ などのような修飾された置換基をアミノ基に導入しても
同様の効果が得られた。珪素に置換しているアルコキシ
基はここに示したものでなくてもよく、また１個以上置
換していればよい。

実施例２１ 第１図に於て強誘電性液晶１４に大日本インキ（株）製
ＤＯＦＯＯＯ４を用い、基板に斜方蒸着処理を施した後
配向膜１３Ｂにカルボニル基に結合したアミノ基を有す
るシランカップリング剤を用いた例を示す、カップリン
グ剤として、Ｎ−（トリエトキシシリルプロビル）尿素
ＮＨ，Ｃ０ＮＨ−（ＣＨ２）。

Ｓ　ｉ　（ＯＣＲＨｓ　）　− の０．２％エタノール溶液をスピンコードし、１００°
Ｃ３０分間熱処理し、実施例１１と同一な方法で素子を
構成し、液晶を加熱封入、冷却後士３０Ｖ、１５Ｈｚの
交番波形を印加した。このようにして得られた素子を実
施例３と同様に第２図の駆動波形で評価したところ、Ｉ
ｔ／Ｉ＋＝０．９５、コントラスト比１：４０を得た。

また、アミノ基に置換基を導入したカップリング剤とし
て、 Ｎ、Ｎ−ジメチル−Ｎ−（）リエトキシシリルプロビル
）尿素 （ＣＨｍ　）ｓ　ＮＣ０ＮＨ−（ＣＨｓ　）ｓ−Ｓ　ｔ
　（ＯＣｔ　Ｈ＋＋　）　ｘ 等のメチル基を置換したものやエチル基、プロピル基な
どのアルキル基を置換したもの、あるいはＮ、Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−（トリエトキシシリル
プロビル）尿素 （ＨＯＣ，Ｈ，）Ｉ　ＮＧＯＮＨ−（ｃＨａ　）。

−８ｉ　（ＯＣ−Ｈ−）− などのような修飾された置換基なアミノ基に導入しても
同様の効果が得られた。珪素に置換しているアルコキシ
基はここに示したものでなくてもよく、また１個以上置
換していればよい。

実施例２２ 第１図に於て強誘電性液晶１４にメルク（株）製ＺＬＩ
−３７７５を用い、基板に斜方蒸着処理を施した後配向
膜１３Ｂに１ないし４級アミノ基を有し、しかも珪素と
窒素が長鎖のアルキル基で結合しているシランカップリ
ング剤を用いた例を示す、カップリング剤として、 ３−アミノウンデシルトリメトキシシランＮＨ２−（Ｃ
Ｈ−）＋、−５　ｉ　（ＯＣＨ−）’−の０．２％エタ
ノール溶液をスピンコードし、１００℃３０分間熱処理
し、実施例１１と同一な方法で素子を構成し、液晶を加
熱封入、冷却±３０Ｖ、１５Ｈｚの交番波形を印加した
。このようにして得られた素子を実施例３と同様に第２
図の駆動波形で評価したところ、Ｉ　−／　Ｉ　＋　＝
０．９０、コントラスト比１；４０を得た。また、アミ
ノ基に置換基を導入したカップリング剤として、 Ｎ−メチル−３−アミノウンデシルトリメトキシシラン ＣＨ−−ＮＨ−（ＣＨｓ　　）　　。

−３ｉ　　（ＯＣＲ，）。

Ｎ、Ｎ−ジメチル−３−アミノウンデシルトリメトキシ
シラン （ＣＨ−）Ｉ　　Ｎ−（ＣＨｔ　　）　　１＋Ｓ　ｉ　
　（ＯＣＨ−）　　ｓ Ｎ、Ｎ、Ｎ−１−ジメチル　３−（トリメトキシシリル
）ウンデシル　りロロアンモニュウム塩（ｃＨｓ　）Ｉ
　Ｎ”　Ｃｌ−−（ＣＨ，）−Ｓ　ｉ　（ＯＣＲ−）− 等のメチル基を置換したものやエチル基、プロピル基な
どのアルキル基を置換したもの、あるいはＮ、Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノウンデシルトリ
エトキシシラン （ＨＯ−ＣＩ　Ｆ（、）Ｉ　Ｎ−（ＣＨＩ　）−８ｉ　
　（ＯＣｚ　Ｈｓ　）　ｓ などのような修飾された置換基をアミノ基に導入しても
同様の効果が得られた。窒素珪素間の炭素数は１１個で
なくとも４個以上であれば記憶状態に対する安定化効果
は大きい、珪素に置換しているアルコキシ基はここに示
したものでなくてもよく、また１個以上置換していれば
よい。

実施例２３ 通電配向処理による液晶電気光学素子の実施例を示す。

第６図は本実施例によって製造された液晶素子の断面図
である。第１図と同じ符合は同図のものと同じものを示
す、２枚の基板１１にはそれぞれマルチブレクス駆動を
するためのくし状電極１２が設けられ、電極１２上に絶
縁層１５が、更にその上に配向膜１３を設ける。配向Ｉ
ＩＩ　Ｌ　３としてγ−アミノプロピルトリエトキシシ
ランを用いている。配向膜１３を塗布し、乾燥した後に
ラビング処理を行った。ラビング処理は片側基板のみで
もよい、またラビング処理は、配向膜１３を形成する前
に行ってもよい、絶縁層１５は片側だけでもよい。

以上の処理を施した２枚の基板をくし状電極１２が直交
するように組み合わせた。基板間距離は２μｍである。

この間隙に液晶ＺＬＩ−３７７５（メルク社製）を封入
し、封止する。１８はスペーサーである。この素子を、
１００℃から徐冷して５０℃として、その後、この素子
を２枚の電極１で挟んで±５０００Ｖ／ｍｍ〜１００，
０００Ｖ／ｍｍ、　　Ｉ　Ｈｚ〜２００　Ｈｚなる交番
電界を印加し通電配向処理を行った。この時、電界が±
５．０００Ｖ／ｉｎ以下であったり周波数が２００Ｈｚ
以上であったりすると通電配向しない、また電界が±ｔ
ｏｏ、０００Ｖ／ｍｍ以上であったり、周波数がＩＨｚ
以下であったりすると、液晶が分解する。

こうして得られた液晶素子は透明電極１２の間に電圧を
印加する場合と異なり、画素間も画素も同様に通電配向
することができるので画素間で光が漏れることがない。

ここで用いる液晶は動作温度範囲で強誘導電相であるも
のであればよい、配向膜１３はポリイミド、ポリビニル
アルコール、ポリメタクリル酸メチル、ポリエステルな
どの有機高分子の他、シラン系カップリング剤、チタン
系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ク
ロム系力ップノング剤が利用できる。

〔発明の効果１ 本発明は上記の構成によって基板表面の改質と配電制御
を行い、上記従来技術の欠点を解消し、強誘電性液晶の
配向状態を安定した状態にすることが可能となり、良好
な記憶効果を持ち、かつ透過光量も優れ、配向欠陥や画
素、非画素間の色部によって生ずるコントラスト低下の
少ない優れた液晶電気光学素子を得ることができる。又
、配向状態、コントラスト比、透過光量は電圧印加後２
ヶ月以上経過しても変化せず安定した素子である。

従って本発明は、高マルチプレツクスデイスプレィ、液
晶ライトバルブ、各種電子シャッター及び偏光器等への
応用が可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図、第３図、第４図は本発明の電気光学素子の断面
図、第２図は本発明の電気に学素子を評価する際に用い
た駆動波形と対応する光学応答の一例を示す図、第５図
は強誘電性液晶素子の動作原理を示す概念図、第６図は
本発明の液晶素子の製造方法を説明した図である。 ■　・　・ １１　・　・ １２　・　・ １３　・　・ １３Ａ、 １３Ｂ、 １４　・　・ １５　・　・ １７　・　・ ｌ　８　・　・ ２１　・　・ ２２　・　・ ２３　・　・ 電極 基板 透明電極 配向膜 ３Ｃ・・・斜方蒸着層 ６・・・カップリング剤の膜 強誘電性液晶 絶縁層 偏光板 スペーサー ・電界印加時の液晶分子の最安定状態 ・逆電界印加時の液晶分子の最安定状 態 ・電界印加後電界をゼロとした時の最 安定状態 ２４・・・逆電界印加後電界をゼロとした時の最安定状
態 ２５・・・電極付き基板 ２６・・・強誘電性液晶相において出現する液晶分子の
動作しつる軌跡（コーン） ２７・・・自発分極 ２８・・・液晶分子 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明電極を有する一対の基板間に強誘電性液晶を
   挟持して成る液晶電気光学素子において、少なくとも一
   方の基板に配向処理が施され、該強誘電性液晶は封入後
   電圧を印加されて配向状態が規制されていることを特徴
   とする液晶電気光学素子。
2. （２）配向処理は斜方蒸着によってなされている請求項
   （１）記載の液晶電気光学素子。
3. （３）配向処理は、基板上に塗布されたカップリング剤
   にラビング法によってなされている請求項（１）記載の
   液晶電気光学素子。
4. （４）透明電極を有する一対の基板間に強誘電性液晶を
   挟持して成る液晶電気光学素子において、少なくとも一
   方の基板に、配向処理が施され、更にその上にカップリ
   ング剤が塗布され、該強誘電性液晶は封入後電圧を印加
   されて配向状態が規制されていることを特徴とする液晶
   電気光学素子。
5. （５）透明電極を有する一対の基板間に強誘電性液晶を
   挟持して成る液晶電気光学素子において、一方の基板に
   配向処理が施され、他の基板にカップリング剤が塗布さ
   れ、該強誘電性液晶は封入後電圧を印加されて配向状態
   が規制されていることを特徴とする液晶電気光学素子。
6. （６）配向処理は斜方蒸着によってなされている請求項
   （４）又は（５）記載の液晶電気光学素子。
7. （７）配向処理はラビング法によってなされている請求
   項（４）又は（５）記載の液晶電気光学素子。
8. （８）カップリング剤は、アミノ基、エポキシ基、メル
   カプト基の少なくとも１つを官能基として有するカップ
   リング剤、又はそれらの混合物である請求項（３）、（
   ４）、（５）、（６）又は（７）記載の液晶電気光学素
   子。
9. （９）アミノ基を有するカップリング剤においてアミノ
   基が２級〜４級であることを特徴とする請求項（８）記
   載の液晶電気光学素子。
10. （１０）アミノ基を有するカップリング剤においてアミ
    ノ基がカルボニル基に隣接していることを特徴とする請
    求項（８）及び請求項（９）記載の液晶電気光学素子。
11. （１１）アミノ基を有するカップリング剤においてアミ
    ノ基と珪素の間の炭素数が４個以上であることを特徴と
    する請求項（８）又は（９）記載の液晶電気光学素子。
12. （１２）透明電極を有する一対の基板間に強誘電性液晶
    を挟持した液晶素子の製造方法において、２枚の基板の
    少なくとも一方の基板を配向処理し、１〜１０μｍの距
    離を隔てて組み立て、液晶を封入した後、±５，０００
    Ｖ／ｍｍ〜±１００，０００Ｖ／ｍｍ、１Ｈｚ〜２００
    Ｈｚなる交流電界を液晶素子の外側から印加し通電配向
    処理することを特徴とする液晶電気光学素子。