JPH03126226A - 半導体素子のベベル形成方法 - Google Patents
半導体素子のベベル形成方法Info
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- JPH03126226A JPH03126226A JP26430189A JP26430189A JPH03126226A JP H03126226 A JPH03126226 A JP H03126226A JP 26430189 A JP26430189 A JP 26430189A JP 26430189 A JP26430189 A JP 26430189A JP H03126226 A JPH03126226 A JP H03126226A
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- semiconductor substrate
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- cutting
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 17
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体素子、特にサイリスタにおける半導体
基板にベベルを形成する方法に関する。
基板にベベルを形成する方法に関する。
サイリスタの順耐圧を確保するために従来第３図に示す
ネガベベルが用いられている。１は半導体基板（Ｓｔ）
、２は支持板（Ｍｏ）、３は電極（Ａりでベベル角をθ
で表わす、しかしながらこのようなベベル構造では順耐
圧が４０００ Ｖを超える高耐圧を確保するためには限
界がある。そこで第４図に示すようなポジベベルが採用
される。１は半導体基板（Ｓｉ）、２は支持板（Ｍｏ）
、３はｉｔ極（Ａｎりでベベル角をθで表わす、このポ
ジベベルは円柱状の半導体基板１の外周付近に傾斜した
溝４を加工して形成したものである。この溝４を加工す
るには第１の方法としては、第５図に示すサンドブラス
トがある。すなわち、半導体基板１を支持板２□電極３
とともに数１Ｏｒ、ｐ、ａ＋、で回転させながら半導体
基板工の表面（外周に近い位置）に斜め方向から金剛砂
などの研磨砂を高圧力で噴射して溝４を穿孔する。第２
の方法としては砥石による切削がある。この場合第６図
に示すように半導体基板１を支持板２．［１３とともに
数１０ｒ、ｐ、ｍ、で回転させながら半導体基板１の表
面（外周に近い位置）に斜め方向から小径の偏平な砥石
６を高速回転させて切削し溝４を形成する。
ネガベベルが用いられている。１は半導体基板（Ｓｔ）
、２は支持板（Ｍｏ）、３は電極（Ａりでベベル角をθ
で表わす、しかしながらこのようなベベル構造では順耐
圧が４０００ Ｖを超える高耐圧を確保するためには限
界がある。そこで第４図に示すようなポジベベルが採用
される。１は半導体基板（Ｓｉ）、２は支持板（Ｍｏ）
、３はｉｔ極（Ａｎりでベベル角をθで表わす、このポ
ジベベルは円柱状の半導体基板１の外周付近に傾斜した
溝４を加工して形成したものである。この溝４を加工す
るには第１の方法としては、第５図に示すサンドブラス
トがある。すなわち、半導体基板１を支持板２□電極３
とともに数１Ｏｒ、ｐ、ａ＋、で回転させながら半導体
基板工の表面（外周に近い位置）に斜め方向から金剛砂
などの研磨砂を高圧力で噴射して溝４を穿孔する。第２
の方法としては砥石による切削がある。この場合第６図
に示すように半導体基板１を支持板２．［１３とともに
数１０ｒ、ｐ、ｍ、で回転させながら半導体基板１の表
面（外周に近い位置）に斜め方向から小径の偏平な砥石
６を高速回転させて切削し溝４を形成する。
（発明が解決しようとする課題）
上述した半導体基板１の溝４の加工にはそれぞれ次のよ
うな問題点がある。すなわち第１の方法。
うな問題点がある。すなわち第１の方法。
すなわちサンドブラストは噴射する研磨砂５の高圧力の
調整が難しく安定した溝形状を形成することが困難であ
る。また第２の方法、すなわち砥石による切削では小径
で偏平な砥石（２０〜３０ｍａ＋Φ−ご厚さ２〜３ｍ＋
＊、刃角１０〜２０度のダイヤモンドホイール）を高速
回転させ乍ら切削するが、切削方向が半導体基板１の表
面に対し７傾斜した方向であるため第６図に示す偏平な
砥石６のＡ面とＢ面の両面で切削しているので砥石６が
欠は易（１とし１う問題がある。また砥石６のＡ面、Ｂ
面に振れがあると半導体基板１の方が欠は易いという問
題もある。
調整が難しく安定した溝形状を形成することが困難であ
る。また第２の方法、すなわち砥石による切削では小径
で偏平な砥石（２０〜３０ｍａ＋Φ−ご厚さ２〜３ｍ＋
＊、刃角１０〜２０度のダイヤモンドホイール）を高速
回転させ乍ら切削するが、切削方向が半導体基板１の表
面に対し７傾斜した方向であるため第６図に示す偏平な
砥石６のＡ面とＢ面の両面で切削しているので砥石６が
欠は易（１とし１う問題がある。また砥石６のＡ面、Ｂ
面に振れがあると半導体基板１の方が欠は易いという問
題もある。
この発明の目的は上述した問題点に鑑み、ポジベベル形
成に際し切削工具を破損することなくしかも安定したポ
ジベベルを形成する方法を提供することにある。
成に際し切削工具を破損することなくしかも安定したポ
ジベベルを形成する方法を提供することにある。
この発明によれば、支持板にｐｎ接合部を含む半導体基
板が固着され、この半導体基板の上面に電極を設けてな
る半導体素子を低速回転させ、この半導体素子の回転軸
と平行な回転軸に軸方向断面が台形状なる砥石を取付け
、この砥石を前記半導体素子の回転軸の回転方向と逆回
転方向に回転させながら前記半導体基板の側面に対して
近づけこの側面を前記支持板側の一部を残して前記ｐｎ
接合部に対してポジベベルになるよう切削する。
板が固着され、この半導体基板の上面に電極を設けてな
る半導体素子を低速回転させ、この半導体素子の回転軸
と平行な回転軸に軸方向断面が台形状なる砥石を取付け
、この砥石を前記半導体素子の回転軸の回転方向と逆回
転方向に回転させながら前記半導体基板の側面に対して
近づけこの側面を前記支持板側の一部を残して前記ｐｎ
接合部に対してポジベベルになるよう切削する。
半導体素子を低速回転させ、その半導体基板の側面を軸
方向断面が台形状の砥石を高速回転させて切削するので
、半導体基板は砥石の底角θに合致したベベル角を存す
るポジベベルに容易にしかも安定して形成される。
方向断面が台形状の砥石を高速回転させて切削するので
、半導体基板は砥石の底角θに合致したベベル角を存す
るポジベベルに容易にしかも安定して形成される。
第１図はこの発明の一実施例である半導体素子のベベル
形成方法を説明するための概略図で、１は半導体基板、
２は支持板、３は電極、６は砥石である。まず支持板（
Ｍｏ板）に合金接着された半導体基板（Ｓｉ ）１を数
１Ｏｒ、ｐ、ａ＋、で低速回転させる０次にこの回転し
ている半導体基板（Ｓｌ ）ｌの回転軸７と平行な位置
にある回転軸８に砥石６を取付ける。この砥石６は軸方
向断面が台形状でポジベベル角度θを底角とする円板で
ある。この砥石６は約１０．００Ｏｒ、ｐ、ｍ、の高速
で半導体基板（Ｓｔ ）１の回転方向と逆方向に回転さ
せ、回転軸８を平行移動して、高速回転している砥石６
を低速回転している半導体基板（Ｓｉ ）１の側面に近
付は切込を行なう、この場合切削送り速度は約０．１ｍ
ｍ ／ｓｉｎの低速とし、半導体基板（５１） １をポ
ジベベル加工後支持板（Ｍｏ板）上に１０〜１１００ｕ
の半導体基板（Ｓｔ ）１が残るように半導体基板（Ｓ
ｔ ）１と砥石６の位置を決めて切削を行なう、このよ
うに半導体基板の一部を残して切削する理由は、半導体
基板（Ｓｔ ）Ｌと支持板（Ｍ ｏ板）２の合金接着個
所は硬くて脆いのでこの個所を切削すると砥石６が破損
したり切削個所が欠損してしまうからである。上述のよ
うな方法でポジベベルに形成された断面を第２図に示す
。
形成方法を説明するための概略図で、１は半導体基板、
２は支持板、３は電極、６は砥石である。まず支持板（
Ｍｏ板）に合金接着された半導体基板（Ｓｉ ）１を数
１Ｏｒ、ｐ、ａ＋、で低速回転させる０次にこの回転し
ている半導体基板（Ｓｌ ）ｌの回転軸７と平行な位置
にある回転軸８に砥石６を取付ける。この砥石６は軸方
向断面が台形状でポジベベル角度θを底角とする円板で
ある。この砥石６は約１０．００Ｏｒ、ｐ、ｍ、の高速
で半導体基板（Ｓｔ ）１の回転方向と逆方向に回転さ
せ、回転軸８を平行移動して、高速回転している砥石６
を低速回転している半導体基板（Ｓｉ ）１の側面に近
付は切込を行なう、この場合切削送り速度は約０．１ｍ
ｍ ／ｓｉｎの低速とし、半導体基板（５１） １をポ
ジベベル加工後支持板（Ｍｏ板）上に１０〜１１００ｕ
の半導体基板（Ｓｔ ）１が残るように半導体基板（Ｓ
ｔ ）１と砥石６の位置を決めて切削を行なう、このよ
うに半導体基板の一部を残して切削する理由は、半導体
基板（Ｓｔ ）Ｌと支持板（Ｍ ｏ板）２の合金接着個
所は硬くて脆いのでこの個所を切削すると砥石６が破損
したり切削個所が欠損してしまうからである。上述のよ
うな方法でポジベベルに形成された断面を第２図に示す
。
この発明によれば低速回転している円柱形の半導体基板
の側面に高速回転している軸方向断面が台形状でポジベ
ベル角度θを底角とする円板形状の砥石を近付は切削す
ることにより従来の溝状のポジベベルと同じポジベベル
形状を容易に形成することができる。この発明によるベ
ベル形成方法では目視により切削量が確認できるため精
度の高い切削が容易である。しかもこの切削に使用する
砥石はその直径、厚さに寸法上の制約はなく、従来溝切
削に使用していた破損し易い偏平薄形の砥石に比べ頑丈
な形状にでき砥石の破損は起こり難い。
の側面に高速回転している軸方向断面が台形状でポジベ
ベル角度θを底角とする円板形状の砥石を近付は切削す
ることにより従来の溝状のポジベベルと同じポジベベル
形状を容易に形成することができる。この発明によるベ
ベル形成方法では目視により切削量が確認できるため精
度の高い切削が容易である。しかもこの切削に使用する
砥石はその直径、厚さに寸法上の制約はなく、従来溝切
削に使用していた破損し易い偏平薄形の砥石に比べ頑丈
な形状にでき砥石の破損は起こり難い。
第１図はこの発明の一実施例である半導体素子のベベル
形成方法を説明するための概略図、第２図は第１図に示
す方法でポジベベルに形成されたサイリスタの縦断面図
、第３図はネガベベルを有するサイリスタの縦断面図、
第４図は従来のポジベベルを有するサイリスタの縦断面
図、第５図は第４図に示すサイリスタの半導体基板の溝
加工にサンドブラストを用いた場合の縦断面図、第６図
は同上溝加工に偏平円板状の砥石を用いた場合の縦断面
図である。 ｌ二手導体基板、２：支持板、３：電極、６：砥石、７
：半導体素子の回転軸、８：回転軸。 第３図 第５図 第１図 第２図 第４図 第６図
形成方法を説明するための概略図、第２図は第１図に示
す方法でポジベベルに形成されたサイリスタの縦断面図
、第３図はネガベベルを有するサイリスタの縦断面図、
第４図は従来のポジベベルを有するサイリスタの縦断面
図、第５図は第４図に示すサイリスタの半導体基板の溝
加工にサンドブラストを用いた場合の縦断面図、第６図
は同上溝加工に偏平円板状の砥石を用いた場合の縦断面
図である。 ｌ二手導体基板、２：支持板、３：電極、６：砥石、７
：半導体素子の回転軸、８：回転軸。 第３図 第５図 第１図 第２図 第４図 第６図
Claims (1)
- １）支持板にｐｎ接合部を含む半導体基板が固着され、
この半導体基板の上面に電極を設けてなる半導体素子を
低速回転させ、この半導体素子の回転軸と平行な回転軸
に軸方向断面が台形状の砥石を取付け、この砥石を前記
半導体素子の回転軸の回転方向と逆回転方向に高速回転
させながら前記半導体基板の側面に近づけてこの側面を
前記支持板側の一部を残して前記ｐｎ接合部に対しポジ
ベベルになるよう切削することを特徴とする半導体素子
のベベル形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26430189A JPH03126226A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 半導体素子のベベル形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26430189A JPH03126226A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 半導体素子のベベル形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126226A true JPH03126226A (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=17401274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26430189A Pending JPH03126226A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 半導体素子のベベル形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03126226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007045285A1 (de) | 2007-01-29 | 2008-08-07 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP26430189A patent/JPH03126226A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007045285A1 (de) | 2007-01-29 | 2008-08-07 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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