JPH0312448A - 樹脂組成物 - Google Patents

樹脂組成物

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JPH0312448A
JPH0312448A JP14529789A JP14529789A JPH0312448A JP H0312448 A JPH0312448 A JP H0312448A JP 14529789 A JP14529789 A JP 14529789A JP 14529789 A JP14529789 A JP 14529789A JP H0312448 A JPH0312448 A JP H0312448A
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JP
Japan
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resin
opening polymer
ring opening
norbornene
hydrogenated
Prior art date
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Pending
Application number
JP14529789A
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English (en)
Inventor
Giichi Nishi
西 義一
Masayoshi Oshima
正義 大島
Yoshio Natsuume
伊男 夏梅
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Zeon Corp
Original Assignee
Nippon Zeon Co Ltd
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Publication date
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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、精密成形性に優れた樹脂組成物に関し、さら
に詳しくは、特に、射出成形によって光学用透明基板を
成形した場合に、良好な転写性を示す樹脂組成物に関す
る。
〔従来の技術] 合成樹脂の成形方法として、注型、プレス成形、切削加
工、シートからの打ち抜き加工、射出成形等多数の方法
が知られている。それらの中でも、射出成形法は、生産
性の高い方法として工業的に広く用いられている。
光ディスクなどの光学用透明基板も一般に射出成形機に
より賦形されているが、その厚みは、通常、1.2mm
と比較的薄いのに対して、その直径が120〜300m
mと大きいのが特徴であり、いわゆる薄肉精密成形が必
要である。しかも、数μmと極めて微少のビットや溝を
正確に転写することが重要である。そこで、樹脂材料の
成形性が特に重要となる。
ところで、光学用透明基板のように投影面積が大きく、
厚みの薄いものは、溶融破断(メルトフラクチャー)を
低減するために、射出時の樹脂温度を高め、樹脂粘度を
十分に低下させな(ではならない。また、厚みが薄いた
め、−枚の透明基板に使用する樹脂量が少なく、シリン
ダー内の滞留時間が長くなるために、過度の熱履歴を受
けやすい。したがって、樹脂の分解や劣化を生じ、得ら
れる製品の機械強度の低下を招き、さらには着色、焼は
焦げが混入する等の問題を生じ易い。また、しばしば、
射出成形で得られた基板中に微小なボイドが発生したり
、基板表面にフラッシュといわれる曇りを生じる現象や
シルバーストリークといわれる銀色の条痕が発生すると
いう問題があった。
最近、エチレンと環状オレフィンとの共重合体などの透
明熱可塑性樹脂に、分子量200〜300oの常温で液
状の炭化水素化合物を配合することにより、樹脂を可塑
化させ、光デイスク基板を射出成形しても、機械的性質
の劣化がな(、ボイドやフラッシュの発生のない製品を
得る方法が提案されている(特開昭63−23102号
公報)。しかし、この方法では、低分子量で液状の炭化
水素化合物を使用しているため、樹脂の強度やTgを低
下させ易(、その使用割合も樹脂100重量部に対し1
重量部までと限定され、コストダウン効果が少なく、し
かも樹脂の表面にブリードするという問題がある。
[発明が解決しようとする課題1 本発明の目的は、精密成形性に優れた樹脂組成物を提供
することにある。
また、本発明の目的は、投影面積が太き(、厚みの薄い
光学用透明基板を射出成形により成形した場合に、機械
的強度の劣化がなく、ボイドやシルバーストリーク、フ
ラッシュなどの発生がなく、良好な転写性を示す樹脂組
成物を提供することにある。
本発明者らは、上記問題点解決のために鋭意研究した結
果、ノルボルネン系モノマーの開環重合体の水素添加物
に特定の炭化水素樹脂を配合した樹脂組成物を用いるこ
とにより、上記目的を達成できることを見出した。しか
も、この炭化水素樹脂は、比較的多量配合しても該水素
添加物のTgをそれほど低下させることがな(、また、
溶融粘度が小さいため、成形加工性を改善することがで
き、かつ、樹脂表面にブリードすることがないことを見
出した。
本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったも
のである。
〔課題を解決するための手段〕
か(して5本発明によれば、ノルボルネン系モノマーの
開環重合体の水素添加物100重量部に、軟化点80℃
以上、ガードナー法による色相1以下、臭素価10以下
の炭化水素樹脂を0.01〜15重量部配合してなる樹
脂組成物が提供される。
以下、本発明について詳述する。
(炭化水素樹脂) 本発明で使用する炭化水素樹脂は、軟化点(1球法)8
0℃以上、好ましくは100℃以上、ガードナー法(J
IS  K−6901)による色相1以下、臭素価10
以下、好ましくはS以下のものであり、具体例としては
、カチオン重合による0%系、C,系、C%系/C,系
混合樹脂、熱重合によるジシクロペンタジェン系樹脂な
どの水素添加物、オレフィン/スチレン共重合体系樹脂
(ウォーターホワイト樹脂)等が使用できる。
軟化点が低過ぎると、ノルボルネン系モノマーの開環重
合体の水素添加物に配合した場合に、Tgの低下が大き
くなるので好ましくな(、また、臭素価が大きく、した
がって炭化水素樹脂の不飽和度が大きいと、耐熱劣化性
および耐候性が低下する。さらに、色相の悪い炭化水素
樹脂を用いると、透明導電性フィルムや光デイスク基板
、レンズ、ガラス等の透明性を要求される樹脂材料には
使用できなくなる。また、本発明で使用する炭化水素樹
脂は、分子量が、通常、200〜6000、好ましくは
250〜6000である。
炭化水素樹脂の配合割合は、ノルボルネン系モノマーの
開環重合体の水素添加物100重1部に対して、0.0
1〜15重量部、好ましくは0.1〜lO重量部である
。炭化水素樹脂の配合割合が少な過ぎると、精密成形性
の改善効果が少なく、逆に、多過ぎると、耐熱性や機械
強度を低下させる傾向が見られる。
(ノルボルネン系モノマーの開環重合体の水素添加物) 本発明のベースポリマーは、ノルボルネン系モノマーの
開環重合体の水素添加物である。
ノルボルネン系モノマーとしては1例えば、ノルボルネ
ン、ジメタノオクタヒドロナフタレン、トリメタノドデ
カヒドロアントラセン、およびそれらのアルキル置換体
、アルキリデン置換体;ジシクロペンタジェン、2.3
−ジヒドロジシクロペンタジェン、ジメタノオクタヒド
ロベンゾインデン、ジメタノデカヒドロベンゾインデン
、ジメタノデカヒドロフルオレン、およびそれらのアル
キル置換体等を挙げることができる。
これらのノルボルネン系モノマーは、それぞれ単独で使
用してもよいが、2種以上組合わせて使用することもで
きる。目的とする開環重合体および素の水素添加物のT
gを100℃以上とするためには、これらのノルボルネ
ン系モノマーの中でも4環体またはSyJ体のものを使
用するか、あるいはこれらを主成分とし、2環体や3環
体のモノマーと併用することが好ましい。
また、共重合成分として、他のシクロオレフィン類、例
λば、シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン
、シクロヘプテン、シクロオクテン、56−ジヒドロジ
シクロペンタジェン等を本発明の目的を損なわない範囲
、通常、30重量%以下の範囲で用いることができる。
また、分子量調節剤として、非環式オレフィンを少量(
通常、10モル%まで)用いてもよく、その中でも、特
に、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン等のα−
オレフィンが好ましい。
ノルボルネン系モノマーの開環重合体は、通常のノルボ
ルネン類の重合法により製造されるが、重合触媒として
は、周知のメタセシス触媒を使用することが好ましい。
メタセシス触媒としては、例えば、■族〜■族の遷移金
属化合物と工族〜I11族の有機金属化合物を組み合わ
せた触媒系や■族金属ハロゲン化物とアルコールの組合
わせたもの、また、それら金属の様々な錯体、金属カル
ベン等を挙げることができる。このように、重合触媒は
、前記モノマーの開環重合が可能な金属化合物であれば
特に制限されないが、好ましくは、四ハロゲン化チタン
などの遷移金属化合物と有機アルミニウム化合物などの
有機金属を含む触媒系あるいは、これに脂肪族または芳
香族第三級アミンなどの第三成分を組合わせた触媒系で
ある。
開環重合は、温媒を用いなくても可能であるが、通常は
、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素
、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘ
キサンなどの脂環族炭化水素、ジクロルエタンなどのハ
ロゲン化炭化水素等の不活性有機溶媒中で実施される。
また、通常、重合温度は、−20℃〜100℃、重合圧
力は、0〜50 k g / c rr?以下の範囲か
ら選択される。
ノルボルネン系モノマーの開環重合体は、その水素添加
物を光学用透明基板の材料とするためには、Tgがio
o℃以上、好ましくは120〜200℃、さらに好まし
くは130〜180℃であり、分子量は1万以上、好ま
しくは2〜20万であることが望ましい。
ノルボルネン系モノマーの開環重合体の水素添加物は、
周知の水素添加触媒を使用することにより製造される。
水添触媒としては、オレフィン化合物の水素化に際して
一般に使用されているものであれば使用可能であり、例
えば、ウィルキンソン錯体、酢酸コバルト/トリエチル
アルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート/トリイ
ソブチルアルミニウム、パラジウム−カーボン、ルテニ
ウム−カーボン、ニッケルーけいそう土等を挙げること
ができる。
水素化反応は、触媒の種類により均一系または不均一系
で、1〜200気圧の水素圧下、0〜250℃で行なわ
れる。
水素添加率は、耐熱劣化性、耐光劣化性などの観点から
、90%以上、好ましくは95%以上、特に好ましくは
99%以上とする。
これらの方法によって製造されたポリマー(水素添加物
)は、実質的に非品性であり、透明性、寸法安定性、耐
熱性、吸水性に優れ、透湿性−がほとんど認められない
(混合・成形) 水素添加物と炭化水素樹脂との混合には、溶融混線、溶
液からの共沈や乾固等通常の方法を用いることができる
本発明の樹脂組成物は、プレス成形、押出成形、回転成
形など熱可塑性樹脂加工において、表面平滑性や転写性
に優れた特性を示すが、特に重要な加工方法である射出
成形に適している。
(用途) 本発明の樹脂組成物は、光デイスク基材(基板、ハブ、
スペーサー等)レンズ、光ファイバー、発光ダイオード
用封止材、各種カバー用ガラス、窓ガラス、アイロンの
水タンク、電子レンジ用品、液晶表示用基板、プリント
基板、透明導電性シートおよびフィルム、注射器、ピペ
ット、アニマルゲージ、ハウジング類、フィルム、ヘル
メット等に用いることができる。
(以下余白) 〔実施例1 以下、本発明について、実施例および比較例を挙げて具
体的に説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限
定されるものではない。また、以下の実施例および比較
例において、特に断りのない限り、部および%は重量基
準である。
〔実施例1〕 (開環重合体の製造) 窒素雰囲気下、乾燥した200!2反応器中に、脱水し
たトルエン70℃と脱水したメチルテトラシクロドデセ
ン(MTD)30f2.1−ヘキセン0.2I2を入れ
、トリエチルアルミニウム4.5モル、トリエチルアミ
ン13.5モル、四塩化チタン0.9モルを入れ、室温
で1時間反応を行なった脅 イソプロピルアルコール/アンモニア水混合溶液で反応
を停止し、酸化防止剤(IrganoxlOlo )を
溶かした大量のイソプロピルアルコールで凝固し、60
℃で1昼夜乾燥を行なった。
なお、I、rganoxloloは、チバガイギー社製
の酸化防止剤、ペンタエリスリチル−テトラキス[3−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオネートjである。
(水素添加物の製造) 得られた開環重合体をシクロヘキサンに溶解して濃度1
0%の溶液とし、5%パラジウム/カーボン触媒を開環
重合体100重量部に対し、5重量部加え、水素圧60
 kg/cイ、温度180℃で4時間水素添加反応を行
なった。
水素化触媒を濾過して除去した後、攪拌機の付いた20
0!2の容器に、イソプロピルアルコール100I2を
張り込み、回転数200 rpmで攪拌しながら、50
2のセメントを30分かけて滴下しながらポリマー凝固
を数回行ない、それぞれを60℃で1昼夜真空乾燥を行
なった。
得られた水素添加物の水素添加率は、 ’H−NMRス
ペクトルを解析した結果、はぼ100%であった。
また、高速液体クロマトグラフィーから水素添加物の分
子量は28000、分子量分布は(Mw/Mn)2.3
であった。また、DSCからガラス転移温度(Tg)は
152℃、低揮発分についてはDTAで350℃までの
加熱減量で1%であったe (ベレットの製造) 上記で得られた開環重合体の水素添加物100部に対し
、酸化防止剤(IRGANOXIOIOl 1部、およ
び水添石油樹脂を0〜20部の範囲で配合割合を第1表
のとおりに変えて混合した。これらの混合物をヘンシェ
ルミキサーで充分撹拌した後に、二軸押出機で230℃
にてペレット化した。
水添石油樹脂として、エクソン社製のジシクロペンタジ
ェン(DCPD)系石油樹脂水素添加物エスコレッッ5
300を使用した。この水添石油樹脂の分子量は290
、臭素価は3、軟化点は105℃、ガードナー法(JI
S  K−6901)による色相は1以下であった。
(光デイスク基板の製造) 前記各ベレットを用い、樹脂)温度300℃、金型温度
110℃の条件で射出成形を行ない、直径130mm、
厚さ1.2mmの透明光ディスク基板を成形した。
この光デイスク基板について、各種特性を測定し、その
結果を第1表に一括して示す。
射出成形時のポリマーの分解の程度(分解性)について
は、高速液体カラムクロマトグラフィーによって射出成
形前後の分子量変化率を求めて表示した。
機械強度は、1mの高さから光デイスク基板の落下試験
を行ない、割れや欠けの有無を観察した。
また、ビット形状(転写性)およびフラッシュの有無は
、光デイスク基板の表面を目視で判定した。結果を第1
表に示す。
この結果から、炭化水素樹脂(水添石油樹脂)を配合す
ることにより、フラッシュが防止され、かつ、転写性が
改善されることがわかる。ただし、炭化水素樹脂を多量
に配合すると、機械強度が低下する。
[実施例2] 実施例1で得た開環重合体の水素添加物100部に対し
て、三井石油化学社製ウォーターホワイト樹脂(分子量
800、臭素価5、軟化点100℃、ガードナー法によ
る色相1)5部を配合した以外は実施例1と同様にして
光デイスク基板を作成し、同様に評価した。その結果、
Tgは142℃、分解性1%以下、光線透過率91%で
あって、ビット形状に歪みがなく、機械的強度の変化の
ない、しかもボイド、シルバーストリークおよびフラッ
シュの無い光デイスク基板が得られた。
[実施例3コ 実施例1で得た開環重合体の水素添加物100部に対し
て、荒用化学社製氷添石油樹脂(アルコンP100、分
子量700、臭素価l、軟化点100℃、ガードナー法
による色相1以下)5部を配合した以外は実施例1と同
様にして光デイスク基板を作成し、同様に評価した。そ
の結果、Tgは144℃、分解性1%以下、光線透過率
92%であって、ビット形状に歪がなく、機械的強度の
変化のない、しかもボイド、シルバーストリークおよび
フラッシュの無い光デイスク基板が得られた。
〔実施例4〕 ノルボルネン系モノマーとして、MT、Dの代わりに、
■MTDとジシクロペンタジェン(DCP ) (D 
a 合モ/ マー(M T D / D CP = 7
0 /30)、■MTDとノルボルネン(NB)の〆昆
合モノマー(MTD/NB=90/10)および■シク
ロペンタジェン三量体(3C:オクタヒドロジメタノベ
ンゾインデン)とDCPの混合モノマー(3C/DCP
=50/’50)を用いた以外は、実施例1と同様にし
て開環重合体および水素添加物(水素添加率はぼ100
・%)を得た。
各水素添加物に、炭化水素樹脂として、前記エスコレッ
ツ5300 (分子量290、臭素価3、軟化点105
℃、ガードナーA法による色相1以下)5部を配合した
以外は、実施例1と同様にして光デイスク基板を射出成
形し、同様に評価した。その結果を第2表に示す。
〔発明の効果1 本発明により、精密成形性に(憂れた樹脂組成物が提供
される。特に、本発明の組成物は、光学用透明基板を射
出成形により成形した場合に、機械的強度の劣化がなく
、ボイドやシルバーストリーク、フラッシエなどの発生
がなく、良好な転写性を示す成形品を与える。また、安
価な炭化水素樹脂を多量に配合することができ、経済的
にも良好である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ノルボルネン系モノマーの開環重合体の水素添加
    物100重量部に、軟化点80℃以上、ガードナー法に
    よる色相1以下、臭素価10以下の炭化水素樹脂を0.
    01〜15重量部配合してなる樹脂組成物。
JP14529789A 1989-06-09 1989-06-09 樹脂組成物 Pending JPH0312448A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0600086A1 (en) * 1991-08-12 1994-06-08 Nippon Zeon Co., Ltd. Injection-molded thermoplastic saturated norbornene resin, substrate of information medium element made therefrom, and information medium element
US8039932B2 (en) 2007-08-15 2011-10-18 Panasonic Corporation Lead frame, semiconductor device, method of manufacturing the lead frame, and method of manufacturing the semiconductor device

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