JPH03122526U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案におけるチツプコンデンサ説明
図、第２図は本考案におけるチツプコンデンサ取
付け説明図、第３図本考案における他のチツプコ
ンデンサ説明図、第４図イおよびロは本考案にお
ける他のチツプコンデンサ取付け説明図、第５図
は本考案におけるチツプコンデンサ斜視図、第６
図は回路基板斜視図、第７図は従来例におけるチ
ツプコンデンサ取付け説明図である。 １…磁器素体、２…上面、３…内側容量電極、
４…貫通孔、５…下面、６…外側容量電極、７…
間隙、８…端面、９…間隙、１０…チツプコンデ
ンサ、１１…回路基板、１２…スルーホール、１
３…配線パターン、１４…配線パターン、１５…
電子部品、１６…リード線、１７…はんだ。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 貫通孔４が形成されている誘電体材料から
   なる磁器素体１と、 当該磁器素体１の上面２に形成された内側上部
   容量電極３−１と、当該内側上部容量電極３−１
   から貫通孔４を通して下面５の一部にかけて連続
   して形成された貫通孔電極３−２とからなる内側
   容量電極３と、 前記磁器素体１の下面５に、当該内側容量電極
   ３の貫通孔電極３−２に対して間隙７を設けて形
   成された外側容量電極６と、 から構成されることを特徴とするチツプコンデン
   サ。 (2) 前記外側容量電極６は、前記貫通孔電極３
   −２と間隙７を介した外側下部容量電極６−２と
   、当該外側下部容量電極６−２から前記磁器素体
   １の端面８を介して上面２の一部にかけて連続し
   て形成され、前記内側上部容量電極３−１と間隙
   ９を介して形成された外側上部容量電極６−１と
   、 から構成されることを特徴とする請求項(1)記載
   のチツプコンデンサ。 (3) 配線パターン１３とスルーホール１２とが
   形成されている回路基板１１と、 前記スルーホール１２と同心的位置に貫通孔４
   を配置した請求項(1)または(2)記載のチツプコン
   デンサ１０とからなり、 前記スルーホール１２に形成されているスルー
   ホール電極１２−１と前記チツプコンデンサ１０
   の内側容量電極３の貫通孔電極３−２、また前記
   チツプコンデンサ１０の外側下部容量電極６，６
   −２と前記回路基板１１の配線パターン１３、 をそれぞれ接続したことを特徴とするチツプコン
   デンサの取付け構造。