JPH0311803A - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品の製造方法Info
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- JPH0311803A JPH0311803A JP14776889A JP14776889A JPH0311803A JP H0311803 A JPH0311803 A JP H0311803A JP 14776889 A JP14776889 A JP 14776889A JP 14776889 A JP14776889 A JP 14776889A JP H0311803 A JPH0311803 A JP H0311803A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はセラミック基板の上に所定のパターンを有する
電極が形成されたたとえばストリップラインフィルタの
ようなセラミック電子部品の製造方法に関する。
電極が形成されたたとえばストリップラインフィルタの
ようなセラミック電子部品の製造方法に関する。
[従来の技術]
セラミック電子部品の一例として、ストリップラインフ
ィルタの電極構造の一例を第2図に示す。
ィルタの電極構造の一例を第2図に示す。
上記ストリップラインフィルタlは、セラミック基板2
の一方の主面3に形成された各々がたとえば三段のコム
ライン型の共振電極パターン4゜5と、上記セラミック
基板2の他方の主面6に形成されたアース電極7とを含
む。アース電極7はセラミック基板2の上記他方の主面
6からさらにその側表面8を経て上記一方の主面3にま
で延びて形成される。そして、上記共振電極パターン4
゜5の共振電極9:l lはその各一端側がこのアース
電極7の延長端12に共通接続され、−枚のセラミック
基板2上に2組のストリップラインフィルタla、lb
が形成される。上記共振電極9および共振電極11はl
/4波長のものとして構成され、上記共振電極9および
共振電極11のアース電極7側の端部は、短絡端、すな
わち、電圧定在波が零となっている。従って、共振電極
9の寸法Aは通過マイクロ波波長の1/4に、また、共
振電極11の寸法Bは通過マイクロ波波長の1/4に設
定される。
の一方の主面3に形成された各々がたとえば三段のコム
ライン型の共振電極パターン4゜5と、上記セラミック
基板2の他方の主面6に形成されたアース電極7とを含
む。アース電極7はセラミック基板2の上記他方の主面
6からさらにその側表面8を経て上記一方の主面3にま
で延びて形成される。そして、上記共振電極パターン4
゜5の共振電極9:l lはその各一端側がこのアース
電極7の延長端12に共通接続され、−枚のセラミック
基板2上に2組のストリップラインフィルタla、lb
が形成される。上記共振電極9および共振電極11はl
/4波長のものとして構成され、上記共振電極9および
共振電極11のアース電極7側の端部は、短絡端、すな
わち、電圧定在波が零となっている。従って、共振電極
9の寸法Aは通過マイクロ波波長の1/4に、また、共
振電極11の寸法Bは通過マイクロ波波長の1/4に設
定される。
これら2組のストリップラインフィルタlは、接続電極
13により互いに接続され、外部引出電極14およびア
ース電極7の延長端12等には、リード端子15が接続
される。
13により互いに接続され、外部引出電極14およびア
ース電極7の延長端12等には、リード端子15が接続
される。
ところで、上記のような電極パターン構造を有するスト
リップラインフィルタlのエレメント16は、従来、第
3図(a)ないし第3図(d)に示すようにして形成し
ていた。
リップラインフィルタlのエレメント16は、従来、第
3図(a)ないし第3図(d)に示すようにして形成し
ていた。
まず、第3図(a)に示すように、高い誘電率を有する
セラミック基板2を用意し、このセラミック基板2の一
方の主面3に、第3図(b)に示すように、各々がたと
えば三段のコムライン型の共振電極パターン4.5およ
び接続電極13をスクリーン印刷等の手法で形成する。
セラミック基板2を用意し、このセラミック基板2の一
方の主面3に、第3図(b)に示すように、各々がたと
えば三段のコムライン型の共振電極パターン4.5およ
び接続電極13をスクリーン印刷等の手法で形成する。
そして、この共振電極パターン4.5および接続電極1
3を乾燥したのち、第3図(C)に示すように、上記セ
ラミック基板2の他方の主面6全体にアース電極7を塗
布する。このアース電極7が乾燥すると、第3図(d)
に示すように、上記セラミック基板2の側表面8に上記
共振電極パターン4.5とアース電極7とを接続する側
面電極17を塗布し、乾燥させる。その後、セラミック
基板2にこれら共振電極パターン4.5、接続電極13
、アース電極7および側面電極17が焼き付けられる。
3を乾燥したのち、第3図(C)に示すように、上記セ
ラミック基板2の他方の主面6全体にアース電極7を塗
布する。このアース電極7が乾燥すると、第3図(d)
に示すように、上記セラミック基板2の側表面8に上記
共振電極パターン4.5とアース電極7とを接続する側
面電極17を塗布し、乾燥させる。その後、セラミック
基板2にこれら共振電極パターン4.5、接続電極13
、アース電極7および側面電極17が焼き付けられる。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、上記従来のストリップラインフィルタ1の製
造方法では、セラミック基板2の2つの主面3,6と1
つの側表面8に電極を形成する毎に、印刷もしくは塗布
された電極の乾燥が必要であり、ストリップラインフィ
ルタlの製造に時間がかかるという問題があった。
造方法では、セラミック基板2の2つの主面3,6と1
つの側表面8に電極を形成する毎に、印刷もしくは塗布
された電極の乾燥が必要であり、ストリップラインフィ
ルタlの製造に時間がかかるという問題があった。
また、上記側面電極17の塗布の効率をあげるために、
セラミック基板2を何枚か重ねて電極材料を塗布もしく
は印刷することも行なわれているが、このようにすると
、セラミック基板2のエツジ部18で共振電極パターン
4.5とアース電極7との接続が切れることがあり、ま
た、セラミンク基板2の一枚毎に側面電極17を塗布す
ると、側面電極17の形成に時間がかかるという問題が
あった。
セラミック基板2を何枚か重ねて電極材料を塗布もしく
は印刷することも行なわれているが、このようにすると
、セラミック基板2のエツジ部18で共振電極パターン
4.5とアース電極7との接続が切れることがあり、ま
た、セラミンク基板2の一枚毎に側面電極17を塗布す
ると、側面電極17の形成に時間がかかるという問題が
あった。
本発明の目的は、セラミック基板への電極形成の効率が
高く、かつ、電極の形成精度および信頼性が高いセラミ
ック電子部品の製造方法を提供することである。
高く、かつ、電極の形成精度および信頼性が高いセラミ
ック電子部品の製造方法を提供することである。
[課題を解決するための手段1
このため、本発明は、セラミック基板の2つの主面に形
成された電極膜をこれら2つの主面の間の側表面に形成
された電極膜によって互いに接続された電極構造を有す
るセラミック電子部品の製造方法であって、 上記セラミック基板の全面に導電膜を形成する工程と、
このセラミック基板の上記主面の上の導電膜上にフォト
レジスト材料膜を形成する工程と、このフォトレジスト
材料膜を露光してセラミック基板の」−記主面に形成す
る電極パターンに対応するパターンを有するレジスト膜
を形成する工程と、セラミック基板の側表面上の上記電
極膜の形成位置にフレキシブルテープを貼り付ける工程
と、全体をエツチング液に浸漬して上記レジスト膜およ
びフレキシブルテープに覆われた部分を残して上記導電
膜を除去する工程とからなることを特徴としている。
成された電極膜をこれら2つの主面の間の側表面に形成
された電極膜によって互いに接続された電極構造を有す
るセラミック電子部品の製造方法であって、 上記セラミック基板の全面に導電膜を形成する工程と、
このセラミック基板の上記主面の上の導電膜上にフォト
レジスト材料膜を形成する工程と、このフォトレジスト
材料膜を露光してセラミック基板の」−記主面に形成す
る電極パターンに対応するパターンを有するレジスト膜
を形成する工程と、セラミック基板の側表面上の上記電
極膜の形成位置にフレキシブルテープを貼り付ける工程
と、全体をエツチング液に浸漬して上記レジスト膜およ
びフレキシブルテープに覆われた部分を残して上記導電
膜を除去する工程とからなることを特徴としている。
[作用]
上記セラミック基板の全面に形成された導電膜は、エツ
チング液中では、上記レジスト膜およびフレキシブルテ
ープにより保護される。そして、上記レジスト膜および
フレキシブルテープにより保護されていない部分の導電
膜は、エツチング液によって除去される。
チング液中では、上記レジスト膜およびフレキシブルテ
ープにより保護される。そして、上記レジスト膜および
フレキシブルテープにより保護されていない部分の導電
膜は、エツチング液によって除去される。
[発明の効果1
本発明によれば、フォトマスクは比較的短時間で形成す
ることができ、しかも、レジスト膜およびフレキシブル
テープにより保護されていない部分の導電膜をエツチン
グにより除去すれば、セラミック基板に必要な電極膜が
一度で形成されるので、所定のパターンを有するセラミ
ック電子部品の電極膜を効率よく形成することかでさ、
しかも、電極膜はセラミック基板の全面に一体的に形成
された導電膜の一部分であるから、電極膜がセラミック
基板のエツジで切断されるといったことがなく、信頼性
の高いセラミック電子部品を得ることができる。
ることができ、しかも、レジスト膜およびフレキシブル
テープにより保護されていない部分の導電膜をエツチン
グにより除去すれば、セラミック基板に必要な電極膜が
一度で形成されるので、所定のパターンを有するセラミ
ック電子部品の電極膜を効率よく形成することかでさ、
しかも、電極膜はセラミック基板の全面に一体的に形成
された導電膜の一部分であるから、電極膜がセラミック
基板のエツジで切断されるといったことがなく、信頼性
の高いセラミック電子部品を得ることができる。
[実施例]
以下、添付の図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第2図において電極構造を説明し、たストリフプライン
フィルタ1の製造Jこ本発明を適用した実施例を、第r
w<a>ないし第1図(r−)により説明する。
フィルタ1の製造Jこ本発明を適用した実施例を、第r
w<a>ないし第1図(r−)により説明する。
まず、第1図(a)に示すように、たとえばストリップ
ラインフィルタ等用として従来公知の高誘電率材料から
なるセラミック基板2を用意する。
ラインフィルタ等用として従来公知の高誘電率材料から
なるセラミック基板2を用意する。
このセラき、ツタ基板2の全面1こ、第11N(h)i
こ示すように、メツキや塗布等の手法により、銀(Ag
)もしくは銅(Cu)等の導電膜21を形成する。
こ示すように、メツキや塗布等の手法により、銀(Ag
)もしくは銅(Cu)等の導電膜21を形成する。
そして、全面に導電膜21が形成された上記セラミンク
基板2の対向する2つの主面3,6に、第1図(C)に
示すように、夫々フォトレジスト材料膜22.23を形
成し、上記セラミック基板2の一方の主面3側のフォト
レジスト材料膜を7オトマスク(図示せず。)を通して
、第1図(c)に矢印Aで示すように露光し、第1図(
d)に示すように、各々がたとえば三段のコムライン型
の共振電極9.11および接続電極13のパターンを有
するレジスト膜24を形成する。また、上記セラミック
基板2の他方の主面6上のフォトレジスト材料膜23は
その全面を露光し、レジスト膜24を形成する。
基板2の対向する2つの主面3,6に、第1図(C)に
示すように、夫々フォトレジスト材料膜22.23を形
成し、上記セラミック基板2の一方の主面3側のフォト
レジスト材料膜を7オトマスク(図示せず。)を通して
、第1図(c)に矢印Aで示すように露光し、第1図(
d)に示すように、各々がたとえば三段のコムライン型
の共振電極9.11および接続電極13のパターンを有
するレジスト膜24を形成する。また、上記セラミック
基板2の他方の主面6上のフォトレジスト材料膜23は
その全面を露光し、レジスト膜24を形成する。
次いで、セラミック基板2の側表面18上に、第1図(
d)に示すように、たとえばストリップラインフィルタ
等用として従来公知のフレキシブルテープ25を貼り付
ける。
d)に示すように、たとえばストリップラインフィルタ
等用として従来公知のフレキシブルテープ25を貼り付
ける。
上記のようにして、2つの主面3.6にレジスト膜24
.24を形成し、か゛つ、側表面8をフレキシブルテー
プ25で保護したセラミック基板2をエツチング液に浸
漬し、第1図(e)に示すように、−F記しジスト膜2
4.2’4およびフレキシブルテープ25に覆われた部
分を残しでと記導電膜21を除去した後、上記レジスト
膜24.24およびフレキシブルテープ25を除去し、
ストリンブラインフィルりlのニレメンN6t=?Iる
。
.24を形成し、か゛つ、側表面8をフレキシブルテー
プ25で保護したセラミック基板2をエツチング液に浸
漬し、第1図(e)に示すように、−F記しジスト膜2
4.2’4およびフレキシブルテープ25に覆われた部
分を残しでと記導電膜21を除去した後、上記レジスト
膜24.24およびフレキシブルテープ25を除去し、
ストリンブラインフィルりlのニレメンN6t=?Iる
。
このようにして、ストリップラインフィルタlのエレメ
ント16の電極を形成するようにすれば、セラミック基
板2の2つの主面3.6および側表面8の電極膜がエツ
チングによって、−度に形成される。
ント16の電極を形成するようにすれば、セラミック基
板2の2つの主面3.6および側表面8の電極膜がエツ
チングによって、−度に形成される。
上記実施例の説明からも分かるように、全面に導電膜を
形成しt;セラミック基板2を予め多数枚製作して保存
しておけば、ストリップラインフィルりlのエレメント
16は、はぼフォトマスクの製作とエツチングの時間だ
けで、非常に短時間でパターンをかえて試作することが
でき、試作にも自由に応用できる。すなわち、従来のよ
うに、スクリーン印刷によって電極パターンを形成する
と、スクリーン印刷のマスクを作成するだけで3日以上
もかかるが、7オトマスクであれば、簡単なものならば
数時間で作成することができ、ストリップラインフィル
タ1のエレメント16の試作を短時間で効率よく行なう
ことができる。
形成しt;セラミック基板2を予め多数枚製作して保存
しておけば、ストリップラインフィルりlのエレメント
16は、はぼフォトマスクの製作とエツチングの時間だ
けで、非常に短時間でパターンをかえて試作することが
でき、試作にも自由に応用できる。すなわち、従来のよ
うに、スクリーン印刷によって電極パターンを形成する
と、スクリーン印刷のマスクを作成するだけで3日以上
もかかるが、7オトマスクであれば、簡単なものならば
数時間で作成することができ、ストリップラインフィル
タ1のエレメント16の試作を短時間で効率よく行なう
ことができる。
上記実施例において、フレキシブルテープ25は、フォ
トレジスト材料膜22.23の塗布前にセラミック基板
2に接着するようにしてもよい。
トレジスト材料膜22.23の塗布前にセラミック基板
2に接着するようにしてもよい。
また、セラミック基板2のいま一つの主面6側には、フ
ォトレジスト材料膜23に代えて、単なる樹脂膜を、レ
ジスト膜として形成するようにしてもよい。
ォトレジスト材料膜23に代えて、単なる樹脂膜を、レ
ジスト膜として形成するようにしてもよい。
本発明は、上記のような電極パターンを有するストリッ
プラインフィルタlのエレメント16の製造に限らず、
圧電共振子やセラミックコンデンサ等のセラミック電子
部品にも適用することができる。
プラインフィルタlのエレメント16の製造に限らず、
圧電共振子やセラミックコンデンサ等のセラミック電子
部品にも適用することができる。
第1図(a)、第1図(b)、第1図(C)、第1図(
d)および第1図(e)は夫々本発明に係るセラミック
電子部品の製造方法の一実施例の工程説明図、第2図は
ストリップラインフィルタのエレメントの電極構造を示
す斜視図、 第3図(a)、第3図(b)、第3図(C)、および第
3図(d)は夫々従来のセラミック電子部品の製造方法
の説明図である。 ■・・・ストリップラインフィルタ。 2・・・セラミック基板、3・・・一方の主面。 4.5・・・共振電極パターン、6・・・他方の主面。 7・・・アース電極、8・・・側表面。 13・・・接続電極、17・・・側面電極、18・・・
エツジ部。 21・・・導電膜、22.23・・・フォトレジスト材
料膜。 24・・・レジスト膜、25・・・フレキシブルテープ
。
d)および第1図(e)は夫々本発明に係るセラミック
電子部品の製造方法の一実施例の工程説明図、第2図は
ストリップラインフィルタのエレメントの電極構造を示
す斜視図、 第3図(a)、第3図(b)、第3図(C)、および第
3図(d)は夫々従来のセラミック電子部品の製造方法
の説明図である。 ■・・・ストリップラインフィルタ。 2・・・セラミック基板、3・・・一方の主面。 4.5・・・共振電極パターン、6・・・他方の主面。 7・・・アース電極、8・・・側表面。 13・・・接続電極、17・・・側面電極、18・・・
エツジ部。 21・・・導電膜、22.23・・・フォトレジスト材
料膜。 24・・・レジスト膜、25・・・フレキシブルテープ
。
Claims (1)
- (1)セラミック基板の2つの主面に形成された電極膜
をこれら2つの主面の間の側表面に形成された電極膜に
よって互いに接続された電極構造を有するセラミック電
子部品の製造方法であって、上記セラミック基板の全面
に導電膜を形成する工程と、このセラミック基板の上記
主面の上の導電膜上にフォトレジスト材料膜を形成する
工程と、このフォトレジスト材料膜を露光してセラミッ
ク基板の上記主面に形成する電極パターンに対応するパ
ターンを有するレジスト膜を形成する工程と、セラミッ
ク基板の側表面上の上記電極膜の形成位置にフレキシブ
ルテープを貼り付ける工程と、全体をエッチング液に浸
漬して上記レジスト膜およびフレキシブルテープに覆わ
れた部分を残して上記導電膜を除去する工程とからなる
ことを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14776889A JPH0311803A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | セラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14776889A JPH0311803A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0311803A true JPH0311803A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15437738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14776889A Pending JPH0311803A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | セラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0311803A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0685895A1 (en) | 1994-06-03 | 1995-12-06 | Furukawa Denchi Kabushiki Kaisha | Sealed storage battery and manufacturing method therefor |
US7006657B2 (en) | 2000-12-21 | 2006-02-28 | L'oreal S.A. | Methods for enabling evaluation of typological characteristics of external body portion, and related devices |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14776889A patent/JPH0311803A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0685895A1 (en) | 1994-06-03 | 1995-12-06 | Furukawa Denchi Kabushiki Kaisha | Sealed storage battery and manufacturing method therefor |
US5586993A (en) * | 1994-06-03 | 1996-12-24 | Furukawa Denchi Kabushiki Kaisha | Sealed storage battery and manufacturing method thereof |
US5665483A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Furukawa Denchi Kabushiki Kaisha | Sealed storage battery |
US7006657B2 (en) | 2000-12-21 | 2006-02-28 | L'oreal S.A. | Methods for enabling evaluation of typological characteristics of external body portion, and related devices |
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