JPH03116000U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH03116000U JPH03116000U JP2577490U JP2577490U JPH03116000U JP H03116000 U JPH03116000 U JP H03116000U JP 2577490 U JP2577490 U JP 2577490U JP 2577490 U JP2577490 U JP 2577490U JP H03116000 U JPH03116000 U JP H03116000U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- module
- semiconductor memory
- dram
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dram (AREA)
Description
第１図は、この考案に係るメモリーモジユルの
ブロツク図である。 １，２，３……半導体メモリーＩＣ、４……抵
抗、５……ダイオード、６……電池、７……電源
配線、８……グランド配線、９……リフレツシユ
信号発生回路、１０……アドレスバス、１１……
コントロールバス、１２……データーバス、１３
……リフレツシユバス、１４，１５，１６，１７
，１８……外部接続端子。
ブロツク図である。 １，２，３……半導体メモリーＩＣ、４……抵
抗、５……ダイオード、６……電池、７……電源
配線、８……グランド配線、９……リフレツシユ
信号発生回路、１０……アドレスバス、１１……
コントロールバス、１２……データーバス、１３
……リフレツシユバス、１４，１５，１６，１７
，１８……外部接続端子。
Claims (1)
- 少なくとも二個以上の半導体メモリーＩＣを結
合してなり、その半導体メモリーＩＣがＤＲＡＭ
又は疑似ＳＲＡＭであり、且つそのモジユル内に
リフレツシユ回路と記憶保持用のバツクアツプ電
池を内蔵する事を特徴とするメモリーモジユル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2577490U JPH03116000U (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2577490U JPH03116000U (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116000U true JPH03116000U (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=31528696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2577490U Pending JPH03116000U (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116000U (ja) |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP2577490U patent/JPH03116000U/ja active Pending
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