JPH03115573A - 非晶質炭化珪素を含むコーティングの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、構造体上に非晶質炭化珪素を含む連続コーテ
ィングを形成するための珪素含有シクロブタンのプラズ
マ誘導分解に関する。このコーティングは耐蝕性及び耐
磨耗性の如く有効な特性を有し、電気的にかなり絶縁性
である。

多くの薬品蒸気はプラズマ誘導反応及び基材への対応す
る付着によるフィルムもしくはコーティングの形成に有
効であることが公知である。例えば、シラン（ＳｉＨ４
）及び炭化水素、例えばメタンもしくはエタンの混合物
のプラズマ誘導反応により珪素及び炭素を含むフィルム
を形成することは公知である。そのような方法により形
成されたフィルムはしばしば残留水素並びに珪素及び炭
素を含み、「水素化炭化珪素」と呼ばれる。またそのよ
うなフィルムは通常「非晶質炭化珪素」とも呼ばれ、理
論量比に関し炭素もしくは珪素のいずれかを過剰に含む
。

水素化炭化珪素フィルムは光起電力装置においてその基
本的用途が見い出されており、太陽電池の上部において
比較的大きなバンドギャップ「窓」として提供されてい
る。この使用の利点は比較的低い及び調節可能な可視光
の吸収並びにドープした物質が集合電極と良好なオーム
接触する能力を含む。

そのような方法による水素化炭化珪素フィルムの形成に
関する１つの問題はプラズマ内でシラン及び炭化水素の
分解速度が異なることより生ずる。

例えば、Ｋ、ＴａｃｈｉｂａｎａらのＳｙｍｐ、Ｐｒｏ
ｃ、７ｔｈ　Ｉｎｔ。

Ｓｙｍｐ、Ｐｌａｓｍａ　Ｃｈｅｓ＋、、　５８８〜９
３　（１９８５）はシランに対する炭化水素の反応性の
不均衡を克服するため大過剰の炭化水素の使用を教示し
ている。また、シランはその使用の間最大限の注意及び
安全性の考慮を必要とするとても危険な化学物質である
。

シラシクロブタン及びジシラシクロブタン並びに多くの
それらの誘導体は公知の物質である。これらの物質の熱
分解及び反応は、これらの物質の熱分解の際形成するシ
レン（ＨｚＳｉ＝ＣＨｚ）及びシリレン（Ｈ３ＣＳｉＨ
）の理論的興味のため広く研究されてきた０例えば、Ｔ
、Ｂａｒｔｏｎ及びＮ、Ｔｉｌｌｍａｎ　らはＪ、へ麟
。

Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、　１０９．６７１１　（１９８７）
において１，１−ジジュウテリオシラシクロブタンのフ
ラッシュ真空熱分解の研究を記載しており、熱分解の気
体生成物が同定されている。Ｒ，Ｃｏｎ１ｉｎ及びＲ，
Ｇ１１ｌらはＪ。

Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、　１０５．６１８　（１９８
３）におし１て、シラシクロブタンが４００℃以上の温
度においてエチレン、シレン及び数種のシリレンに分解
することを報告している。

Ｐｏ１ａらはＪ、Ｏｒｇａｎｏａ＋ｅｔ、Ｃｈｅｍ、　
３４１．　Ｃ１３（１９８Ｂ）において二酸化炭素レー
ザーからの赤外線により開始される１−メチル−１−シ
ラシクロブタンの気相反応を記載している。これらの研
究者は冷表面への透明な「有機珪素ポリマー」の付着を
観察し、気相重合がおこったことを提案した。Ｐｏ１ａ
らにより記載された「有機珪素ポリマー」の特性は、シ
ランと炭化水素の混合物のプラズマ誘導反応により得ら
れる水素化炭化珪素コーティングと実質的に異なるよう
このポリマーが多少の有機基（特にメチル基）を有する
ことを示唆している。

本発明の１つの目的は構造体の表面に非晶質炭化珪素を
含むコーティングを付着する有効な及び安全な方法を提
供することである。本発明は構造体上に連続コーティン
グを形成する方法であり、この方法は構造体を含む排気
したチャンバーに蒸気を入れる第一の工程を含んでなる
。チャンバー内に０．００１〜３００トールの蒸気圧を
与えるため十分な量の蒸気が入れられる。蒸気は本質的
に下式、で表わされるシラシクロブタン及び下式、（上
式中、両方において各Ｒは独立に水素、弗素、及び１〜
４個の炭素原子を有する炭化水素基からなる群より選ば
れ、各Ｒ′は独立に水素、及び１〜４個の炭素原子を有
する炭化水素基からなる群より選ばれる） で表わされる１、３−ジシラシクロブタンからなる群よ
り選ばれる珪素含有シクロブタンを含んでなる。

第二の工程において、チャンバー内でプラズマ放電を行
なうことにより珪素含有シクロブタンの分解が誘導され
る。プラズマ放電は珪素含有シクロブタンの分解反応を
開始し、チャンバー内に入れた構造体の表面に非晶質炭
化珪素含有コーティングを付着させる。

本発明は製品の表面に連続コーティングを形成する方法
である。このコーティングは薬品蒸気の反応がプラズマ
放電により誘導される薬品蒸気付着法において製品上に
形成される。さらに特に、プラズマ放電は反応がおこる
部位の近くに配置された製品の表面に分解生成物が付着
する薬品蒸気の分解反応をひきおこす。

本発明の方法で用いられる薬品蒸気及び源ガスは珪素含
有シクロブタンである。特に源ガスは環の炭素原子の１
個以上が珪素原子と置換したシクロブタンである。１個
の珪素原子を有するシクロブタンは下式、 （上式中、各Ｒは独立に水素、弗素及び１〜４個の炭素
原子を有する炭化水素基からなる群より選ばれ、各Ｒ′
は独立に水素及び１〜４個の炭素原子を有する炭化水素
基からなる群より選ばれる）で表わされるシラシクロブ
タンを含む０例えば、有効なシラシクロブタンは粗化合
物シラシクロブタン（ＨｚＳｉＣＪａ）及び誘導体、例
えば１．１−ジフルオロシラシクロブタン、１−メチル
シラシクロブタン、１．１−ジメチルシラシクロブタン
、１゜ｌ−エチルメチルシラシクロブタン、１−ブチル
シラシクロブタン、２．４−ジメチルシラシクロブタン
、３．３−ジエチルシラシクロブタン及び３．３−エチ
ルプロピルシラシクロブタンを含む。

２個の珪素原子を有するシクロブタンは下式、（上式中
、各Ｒ及びＲ′は上記と同じ意味を有する） で表わされる１、３−ジシラシクロブタンを含む。

例えば、有効な１．３−ジシラシクロブタンは鋭化合物
１．３−ジシラシクロブタン及び誘導体、例えば１，１
，３．３−テトラフルオロ−１，３−ジシラシクロブタ
ン、１−メチル−１，３−ジシラシクロブタン、１．３
−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、１．１−エ
チルメチル−１゜３−ジシラシクロブタン、１−ブチル
−１，３−ジシラシクロブタン、２．４−ジメチル−１
，３−ジシラシクロブタン、２．２−ジエチル−１゜３
−ジシラシクロブタン、及び２．４−エチルプロピル−
１，３−ジシラシクロブタンを含む。

他の揮発性珪素含有シクロブタンも本発明の方法におい
て源ガスとして同様に機能することは当業者に明らかで
あるが、シラシクロブタン及び１゜３−ジシラシクロブ
タンは取扱いが容易であり入手が容易であるため好まし
い。本発明用に最も好ましい源ガスは所望の塗料及びコ
ーティングの用途により異なる。例えば、珪素−炭素マ
トリックスに弗素を含むコーティングを有することが好
ましい場合、１．１−ジフルオロシラシクロブタンもし
くは１，１．３．３−テトラフルオロ−１゜３−ジシラ
シクロブタンの如く薬品蒸気が選ばれる。他の成分を本
質的に排除し珪素及び炭素を含む塗料を望む場合、シラ
シクロブタン及び１，３−ジシラシクロブタンの如く源
ガスを用いることが好ましい。

上記のように、シラシクロブタン及び１．３−ジシラシ
クロブタン並びにその誘導体は公知の物質である。例え
ば、水素化アルミニウムリチウム還元による１、１−ジ
クロロシラシクロブタンからのシラシクロブタンの製造
はＪ、ＬａａｎｅのＪ、Ａｎ＋。

Ｃｈｅｗ、Ｓａｃ、　８９．１１４４　（１９６７）に
記載されている。

プラズマ放電に導入される薬品蒸気は、珪素含有シクロ
ブタンのみからなるか又は珪素含有シクロブタンの他の
ガスとの混合物であってよい、もちろん、珪素含有シク
ロブタンの２種以上の混合物も用いてよい、また、珪素
含有シクロブタンを不活性担体ガス、例えばアルゴン及
びヘリウムと混合してよい。本発明の方法により付着さ
れる塗料の組成を変えるため珪素含有シクロブタンを他
のガスと混合してよい０例えば、付着される塗料に存在
する水素の量を低下させるため水素の珪素含有シクロブ
タンと混合してよい、水素ガスはプラズマ内で反応し塗
料を付着した際塗料成分から水素を除去する物質を形成
すると考えられている。

プラズマ放電が行なわれるチャンバー内のガスの圧力は
、プラズマ放電を促進し及び適正な塗料付着速度を与え
るレベルに調節されるべきである。

圧力は用いた特定のプラズマ周波数により大きく異なる
０通常、０．００１〜約３００トールの総圧力が付着に
好ましい条件を与える。０．０１〜２０トールの総圧力
が好ましく　、０．０１〜１トールが最も好ましい。

プラズマ放電を含むチャンバーに導入される薬品蒸気の
量は上記の好適な圧力を与えるに十分であるべきである
。従って、導入される蒸気の量は０．００１〜３００ト
ールのチャンバー内の総圧力壱与えるよう調節されるべ
きである。この工程は静的条件下で行なわれるが、チャ
ンバーの一部に調節した量の集気を連続的に入れ、同時
にプラズマ放電の部位に蒸気の流れがおこるようチャン
バーの他の部分から真空吸引することが好ましい。再び
十分な量の蒸気を連続的に入れ、約０．００１〜約３０
０トールのチャンバー内の蒸気圧を与え、同時にキャリ
アガス、気体生成物又は他の改質ガスを相当する速度で
チャンバーから連続的に吸引する。

この圧力範囲に好適なあらゆるタイプのプラズマ放電を
本発明において用いてよい。プラズマ放電は直流もしく
は交流により形成される。通常、交流を用いる場合、約
２５ｋＨｚ〜約３　ＧＨｚの周波数が好ましい、従って
、有効なプラズマは可聴、ラジオ及びマイクロ波周波数
プラズマを含む。

本発明の方法により付着されたコーティングの特性は塗
布される製品の温度により異なる。コーティングは塗布
される表面の温度が約２０’Ｃ〜約６００℃である場合
塗布される。しかし、低温において形成されるコーティ
ングは耐蝕性が劣る傾向にある。

従って、本発明により形成されるコーティングを腐蝕か
ら基材を守るため用いようとする場合、コーティング付
着の間基材の表面を約２００℃・以上に加熱することが
好ましい。一方、感温性製品に塗布する場合、製品にダ
メージを与えない温度で基材に有効なコーティングを付
着できることが重要である。環境腐蝕から保護するため
感温性電子装置を塗布する場合、基材の表面を約２０’
Ｃ〜約３５０℃の温度に加熱することが好ましい、基材
の表面を加熱する方法は問題ではなく、対流又は放射法
により加熱してよい。

塗布される製品の正確な位置は本発明の塗布法に対し重
要ではない、製品はチャンバー内にあることのみが必要
であり、好ましくはプラズマ放電がおこる部分に近い、
塗布される表面は実際のプラズマ放電内でも外であって
もよい。反応チャンバーがプラズマに薬品蒸気の流れを
与えるような形状である場合、構造体はプラズマ放電に
おいて直接塗布される位置又はプラズマ放電から下の位
置でプラズマ放電に近い位置であることが好ましい、い
ずれの位置でも有効な及び速いコーティングの付着を与
える。

かし、粉末形成と共に核形成がおこった場合、塗布され
る表面とのそのような粉末の接触又は衝突が最小となる
よう塗布される表面の位置を調節することが好ましい。

例えば、表面はあらゆる粉末が表面に衝突せず表面から
はなれて落下するよう倒立して並べる。

本発明のコーティングは多くのタイプの物体上への塗布
もしくは付着に有効である。例えば、この方法により付
着された多くの非晶質炭化珪素フィルムは電気抵抗性が
高く、太陽電池の加工用に好適にする１、８〜２．５ｅ
Ｖの範囲内で光学バンドギャップを示す、そのような多
層電子装置は金属被覆層に生ずる電子機能を隔離する中
間層及び金属被覆層の多層を含む。そのような装置は金
属被覆層上に非晶質炭化珪素コーティングを塗布し、次
いで非晶質炭化珪素層に他の金属被覆パターンを塗布す
ることにより製造される。この順を繰り返し多くの電気
的に絶縁された金属被覆層を有する電子装置を形成する
。

またコーティングは酸性もしくは塩化物塩を含む物質に
よる腐蝕から製品を保護するのに有効である。従って、
このコーティングは鋭感な電子装置の保護に有効であり
、装置の表面に直接塗布してよく又はすでに存在する他
の保護層上に塗布してもよい。電子装置を保護する好ま
しい方法の１つは、本発明の方法によりあらかじめ塗布
したシリカの平坦な層に非晶質炭化珪素を塗布すること
である。２つの層の組み合せは環境汚染に対する改良し
た保護を与える。

電子装置の温度が比較的低い間、この装置にコーティン
グを塗布することが本発明の利点の１つである。例えば
、砒化ガリウム成分を含む新しい電子装置はかなり熱に
敏感であり、３５０℃の最大温度に耐えるのみである。

従って、本発明により得られる低基材温度及び高コーテ
ィング付着速度はそのような電子装置の塗布において特
に有利である。このコーティングは例えばポリイミド、
エポキシド、ポリテトラフルオロエチレン及びそれらの
コポリマー、ポリカーボネート、アクリル及びポリエス
テルを含むプラスチック物質のような他の感熱性基材に
塗布してよい。

本発明の方法により形成されるコーティングは耐磨耗性
であり、製品の表面を磨耗から保護するため用いてよい
。例えば、プラスチック表面の磨耗を防ぐためプラスチ
ック製品に塗布してよい。

磨耗保護は表面の磨耗により製品の透明度を失う透明な
プラスチック製品に特に重要である。

以下の例は本発明をより容易に理解するため示す。この
例は本発明の説明であって、その範囲を限定するもので
はない。

塗布する前に通常ガラス製品の表面をアルカリ性洗剤溶
液中で洗浄し、脱イオン水で洗い、Ｆｒｅｏｎ”　１２
で乾燥する。アルミニウム金属被覆を有する珪素ウェハ
ー及び電子装置を塗布直前にアルゴンプラズマを用いて
被覆した０部及びパーセントはすべて特に示す以外重量
基準である。

貫Ｌ−１ この例は、反応器の壁及び塗布される製品が本質的に均
一な温度にあるよう外部加熱した反応器内の製品にコー
ティングを形成する本発明の実施態様を説明する。硼珪
酸ガラスチューブの内部に向い合った長方形の金属電極
を取り付けた。チューブの一端に多くの蒸気の流速を独
立に調節できるよう質量流量計を含む蒸気供給システム
を取り付けた。またこのチューブに反応器内の圧力をモ
ニターするためセンサーを取り付けた。チューブの他の
端は２００　Ｌ　／　Ｓの能力を有する拡散ポンプを用
いる真空システムに接続した。このガラスチューブをチ
ューブ炉により外部加熱した。

Ｃｏｒｎｉｎｇ　７０５９ガラススライドをチューブ内
の電極の間に配置した。チューブを３５０℃に加熱し、
３０分間排気しＩ　Ｘｌ０−’　トールの真空レベルに
した。

５スタンダードＣＣ／■ｉｎの流速のシラシクロブタン
及びアルゴンを０．１トールの圧力で１５分間チューブ
に通し、その間０．３４Ｗ／ｄｌの出力密度で１２５ｋ
Ｈｚにおいて電極の間にプラズマ放電を接続した。

付着工程の終了時にチューブを大気圧に窒素でみたした
。

チューブから取り出したガラススライドは連続黄色フィ
ルムの接着したフィルムを含んでいた。

このコーティングは楕円偏光測定により測定したところ
厚さ１０８０ｎｓ＋、及び屈折率２．３５を有していた
。

このコーティングの暗導電率は１０”　３７ｃｍもしく
はそれ以下であった。

この例は、腐蝕性物質に対し保護するためのコーティン
グとして本発明により付着されたフィルムの有効性を説
明する。

その表面にアルミニウムグリッドを有する珪素ウェハー
を例１に記載の装置内でコートした。このチューブを２
５０℃に加熱し、約３０分排気し、１ＸＩＯ−’トール
の真空レベルにした。５スタンダ一ドｃｃ／ｍｉｎのシ
ラシクロブタンの流れを０．１）−ルの圧力で７．５分
間チューブに通し、同時に０．２５Ｗ／ｃｔｊの出力密
度で１２５ｋ）Ｉｚでプラズマ放電を電極の間に保った
。ウェハー上に形成したコーティングは厚さ６５０ｎｍ
であった。

次いでコートされたウェハーを燐酸、硝酸及び酢酸の腐
蝕性混合物に暴露した（方法２０２１．３、方法Ｂ）。

３０分暴露後、コーティングもしくはアルミニウム金属
被覆層にはピンホールを全く示さず、接着もしくは他の
目につく効果は全（みられなかった、コートしていない
ウェハーを同様に暴露すると、酸混合物によりアルミニ
ウムをすばやく攻撃した。

コーティングの元素組成はＥＳＣＡ　（化学分析用の電
子分光）及びフーリエ変換赤外分光により調べた。この
コーティングは珪素及び炭素をそれぞれ１．０６の比で
含み、この両方の方法はコーティング内の約１％の酸素
を示した。赤外スペクトルはＳｔ　−Ｈ及びＣ−Ｈ吸収
が検出されたようにフィルム内の水素の存在と一致した
。

■−１ この例は、塗布される製品が反応器の他の部分と本質的
に独立に加熱されるよう製品を取り付けたヒーターウェ
ルもしくは内部突起「フィンガー」を含む反応器内の製
品上にコーティングを形成する本発明の実施態様を説明
する。

６路交差（ウェイクロス）、向い合った口を含むステン
レススチールチューブに中心から約１ｆｆｉＩ１６路交
差に突出している加熱ウェルを取り付けた。

電極、ステンレススチールディスクを加熱ウェルと反対
に直接配置した。ステンレススチールスクリーンを２つ
の向い合った口の間におき、操作の間プラズマの内部体
積を制限した。円筒形銅ブロツク内に取り付けた円筒形
５００Ｗカートリツジヒーターを加熱ウェルに挿入した
。塗布される製品をチューブ内の加熱ウェルの底面に取
り付けた。

加熱ウェル及び接続した製品はプラズマカウンタ電極と
して作用し、操作の間基底電位に保たれる。

反応器は塗布される製品がこの製品の表面の粉末付着を
最小にするため倒置配列で塗布されるよう配列される。

チューブの一端には、多くの蒸気流の流速を独立に調節
できるよう質量流量計を含む蒸気供給システムを取り付
けた。またチューブには反応器内の圧力をモニターする
ためセンサーを取り付けた。

チューブの他の一端には１５０　Ｌ　／　Ｓの能力を有
するターボ分子ポンプを用いる真空システムに接続した
。

Ｃｏｒｎｉｎｇ　７０５９ガラススライドを反応器内に
入れ、３５０℃に加熱した。約ｌＸｌ０−Ｊ−−ルの圧
力レベルまで真空にした。１０スタンダードＣＣ／請ｉ
ｎの流速のシラシクロブタンをチューブに１時間０．２
トールの圧力で通し、その間０．２５Ｗ／ｃｄの出力密
度で１２５ｋＨｚでプラズマ放電を行った。付着終了後
、反応器を窒素でみたし、コートされたスライドを取り
出した。

このスライドは厚さ２１８０ｎｍのよく接着したコーテ
ィングを含んでいた。このコーティングの電導性は２．
　ＯＸｌ０−”　Ｓ　７ｃｍであり、その光学バンドギ
ャップは２．１３ｅＶであった。

側御」エ プラズマ周波数が１３．５６ＭＨｚであり及びシラシク
ロブタンの流速が各々１０スタンダードｃｃ／ａ＋ｉｎ
であることを除き例１の方法を用い、コーティングをそ
の表面にアルミナグリッドを含む珪素ウェハー上に付着
させた。厚さ？０ｎｓのコーティング層がウェハー上に
形成された。次いでコートされたウェハーを例１のよう
にして腐蝕性物質に対する耐性についてテストし、コー
ティング又はアルミニウム金属被覆層上にピンホール、
接着の損失もしくは他の目に見える影響は示さなかった
。

刺−ｊ− 反応器の温度が２５０℃であり、アルゴン流を排除する
ことを除き例１の方法を用い、コーティングをその表面
にアルミニウムグリッドを含む珪素ウェハー上に付着さ
せた。厚さ７０ｎｏ＋のコーティング層がウェハー上に
形成された。次いでコートされたウェハーを例１のよう
にして腐蝕性物質に対する耐性についてテストし、コー
ティング又はアルミニウム金属被覆層上にピンホール、
接着の損失もしくは他の目に見える影響は示さなかった
。

このフィルムの導電性は１．２　ｘｉｏ−”　Ｓ　７ｃ
ｍであった。　ＥＳＣＡによりこのフィルムについて４
６１５３／ｌのＳｔ／Ｃ１０比（原子％）が測定された
。

刺−」− この例は、付着の温度が本発明の方法により形成される
コーティングの耐蝕性及び組成物に有する効果を説明す
る。反応器を外部加熱しないことを除き例１の方法を用
い、コーティングをその表面にアルミニウムグリッドを
含む珪素ウェハー上に付着させた。ウェハーの温度は操
作の間約４０℃であると推定された。厚さ７５００ｎｍ
のコーティング層がウェハー上に形成した。フィルムの
赤外スペクトルは２５０及び３５０℃の温度で付着した
フィルムと比較して、比較的多量のＳｉ　−０、Ｓｔ　
−Ｈ及びＣ−Ｈ結合の存在を示した。次いでコートした
ウェハーを例１のようにして腐蝕性物質に対する耐性を
テストした。このコーティングはテスト混合物に対し保
護を与えなかった。

■−１ 反応器に通す薬品１気が１．１−ジフルオロシラシクロ
ブタンであることを除き例３の方法を用いてコーティン
グを珪素ウェハー上に付着させた。

厚さ４００ｎｍのコーティング層がウェハー上に形成し
た。付着したフィルムのＩＲスペクトル（フーリエ変換
）は、粗化合物の環構造の多くが破壊されたが、Ｓｉ　
−Ｈ、Ｓｉ　−Ｆ並びにジ及びトリアルキルシリル基が
フィルム内に存在していることを示した。

劃−」− 反応器に通す薬品蒸気が１．３−ジシラシクロブタンで
あり、付着を３０分間行なうことを除き例３の方法を用
い、コーティングを珪素ウェハー上に付着させた。厚さ
１３７０ｎｎ＋のコーティング層がウェハー上に形成し
た。このフィルムは３Ｘ１０−′３Ｓ／ＣＩ＋もしくは
それ以下のダーク導電性を有し、２．２５ｅＶと推定さ
れる光学バンドギャップを有していた。

開−−Ｗ 反応器に通す薬品蒸気が１．１．３．３−テトラメチル
シラシクロブタンであることを除き例３の方法を用い、
コーティングを珪素ウェハー上に付着させた。厚さ６０
０ｎｍのコーティング層がウェハー上に形成した。この
コーティングは１．７×１０””　Ｓ／ｅ１１のダーク
導電性を有し、可視光の吸収はとても低かった。

■−刊 この例は、耐蝕性をさらに高めるため他の保護コーティ
ング上に本発明のコーティングを塗布することを説明す
る。６個のＣＭＯ３４０１１集積回路装置を、ますへブ
タン溶媒中１０％樹脂溶液のスピンコーティングにより
装置上に付着した白金触媒化（樹脂をベースとしてｐｔ
（ＩＩ）アセチルアセトネートとして１３１ｐｐｍ　Ｐ
ｔ）水素ジルセスキノオキシ樹脂コーティングの大気中
４００″Ｃでの１時間の熱分解により形成された厚さ１
５０ｎｍのシリカコーティングでコートした。水素シル
セスキオキサン樹脂の製造は米国特許第３，６１５，２
７２号に記載されている。

次いで装置を３つさらに例１に記載の方法によりコート
した。６つの装置についてＭＩＬ−ＳＴｏ　８８３ｃ方
法１００９．３に記載された塩味付腐蝕テストを行った
。典型的には、コートしていないＣＭＯ５装置はこのテ
ストにおいて１０分以内で故障した。

６つの装置を断続的に取り出し、まだ機能するか調べた
。シリカコーティングのみ包む３つのサンプルは塩吹付
テストの最初の２時間で故障した。

本発明の方法により形成された追加コーティングを含む
３つのサンプルはそれぞれ６．１２及び２０時間機能し
た。

貰」Ｌ この例は、本発明の方法用に好適なプラズマ放電を形成
するためのマイクロ波の使用を説明する。

未改質珪素ウェハー及びその表面にアルミニウム内突起
パターンを含む珪素ウェハーの両方をチャンバー内に入
れ、加熱装置に接続した。このチャンバーは珪素ウェハ
ーの上約３ｃｍにプラズマを発生するよう配置された電
子サイクロトロン共鳴源を含んでいた。珪素ウェハーを
約２００℃に加熱し、チャンバーを排気した。２０スタ
ンダードｃｃ／＠ｉｎのシラシクロブタンをチャンバー
内に１０分間０　、０１トールの圧力で通し、その間約
０．４Ｗ／ｃ４の出力密度で２．４５ＧＨｚでプラズマ
放電を保った。

チャンバーから取り出したウェハーは厚さ３８００ｎ１
ｌｌのコーティングを含んでいた。アルミニウム内部突
起パターンを有するコートしたウェハーを例１のように
して腐蝕性混合物内でテストした。コーティング又はア
ルミニウム金属被覆層のいずれにもピンホール、接着の
損失及び他の目にみえる効果を示さなかった。

、［ｆｆ この例は、本発明の方法により付着されたコーティング
の組成を改良するためのシラシクロブタン源ガスと組み
合せた水素の使用を説明する。

チャンバー内に入れる蒸気が２％シラシクロブタン及び
９８％水素からなることを除き例１１の方法を用いて珪
素ウェハーをコートした。この蒸気混合物の流れを３０
分間続は珪素ウェハー上に厚さ１４０ｒｖのコーティン
グを形成した。付着したフィルムのフーリエ変換赤外ス
ペクトルはＳｔ　−Ｈ及びＣ−Ｈに関する領域の十分な
吸収を示さず、水素がこのフィルムに実質的に存在しな
いことを示している。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. １．構造体上に連続コーティングを形成する方法であっ
   て、構造体を含む排気したチャンバーに十分な量の蒸気
   を入れチャンバー内に０．００１〜３００トールの蒸気
   圧を与えることを含んでなり、蒸気が下式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされるシラシクロブタン及び下式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる１，３−ジシラシクロブタン（上式中、各
   Ｒは独立に水素、弗素及び１〜４個の炭素原子を有する
   炭化水素基からなる群より選ばれ、各Ｒ’は独立に水素
   及び１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基からなる群
   より選ばれる） から本質的になる群より選ばれる珪素含有シクロブタン
   を含んでなり、構造体を含むチャンバー内でプラズマ放
   電を行なうことによりチャンバー内で珪素含有シクロブ
   タンの分解をおこす方法。
2. ２．チャンバーを通る蒸気の流れを得るため蒸気をチャ
   ンバーに連続的に導入しそして吸引し、プラズマ放電を
   交流もしくは直流により発生させる、請求項１記載の方
   法。
3. ３．チャンバーを通る蒸気の流れを得るため蒸気をチャ
   ンバーに連続的に流しそして吸引し、プラズマ放電の周
   波数が約２５ｋＨｚ〜３ＧＨｚである、請求項１記載の
   方法。
4. ４．構造体の温度が２０〜約６００℃である、請求項２
   記載の方法。
5. ５．蒸気が珪素含有シクロブタン及びこの珪素含有シク
   ロブタンの分解の条件下で不活性である稀釈ガスを含ん
   でなる、請求項４記載の方法。
6. ６．請求項１記載の方法により形成されたコーティング
   を有する構造体を含んでなる製品。
7. ７．金属被覆層に生ずる電子機能を隔離する中間層（こ
   の層は請求項１記載の方法により形成された）及び金属
   被覆層の多くの層を含む電子装置を含んでなる製品。