JPH0311483B2 - - Google Patents
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- JPH0311483B2 JPH0311483B2 JP59145382A JP14538284A JPH0311483B2 JP H0311483 B2 JPH0311483 B2 JP H0311483B2 JP 59145382 A JP59145382 A JP 59145382A JP 14538284 A JP14538284 A JP 14538284A JP H0311483 B2 JPH0311483 B2 JP H0311483B2
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-
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-
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐摩耗性、耐酸性に優れた厚膜導電ペ
ーストに関する。 〔従来の技術〕 家庭用電化製品の制御装置は、通常ツマミの回
転、スライド等により電源の入切、音量の大小、
出力の強弱などの動作状態の設定、制御を行なう
ようになつている。ところが該製品が調理器具の
場合、ツマミの軸が挿通している器体部分の開口
部に水、油等が侵入するのを有効に防止すること
ができず、機器の故障や誤動作を生じることがあ
つた。 このような制御装置は構造的にも洗浄に適して
いない。このため特に調理器具においては、制御
装置を平板化し、器体に開口部を作らない構造と
する試みが為されている。このような平板状制御
装置は一般にタツチパネルと呼ばれ、近年調理用
電気器具に採用されるようになつてきた。 〔本発明が解決しようとする問題点〕 タツチパネルには種々の形式があるが、ガラス
を基板に用い、該ガラス表面に酸化錫や酸化イン
ジウム等の透明導電膜の電極及び回路を形成した
ものが一般的である。ところが、このタツチパネ
ルの表面をみがき砂を含んだ酸性洗剤でこすると
次第に導電膜が磨滅する。調理台に近接してタツ
チパネルが取付けられている器具においては該パ
ネル上に油、煮汁等の飛散付着が避けられず、こ
のため上記のような洗浄に耐える導電膜材料の開
発が強く要請されていた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は酸化ルテニウム（RuO2）系厚膜
抵抗体が耐摩耗性に優れている点に着目し、この
抵抗体を耐摩耗性、耐酸性の導電膜材料に改造で
きないか種々検討を重ねた結果、従来のガラス粉
末の代りにTiO2を含有するガラスを用いると共
に、導電成分としてRuO2の外に銀及び又はパラ
ジウム粉末を含有せしめ、導電成分とガラス粉末
と比率をある範囲とし、且つ酸化ビスマス
（Bi2O3）及びアルミナ（Al2O3）を少量添加する
ことにより所期の目的を達成できることを見出し
て本発明に到達した。即ち、本発明の導電ペース
トは、酸化ルテニウム（RuO2）粉末と、銀及び
又はパラジウム粉末とを合計で15〜35重量％と、
TiO2を１〜５重量％含有する硼硅酸鉛系ガラス
粉末55〜40重量％と、酸化ビスマス粉末１〜５重
量％及びアルミナ粉末１〜５重量％と、有機質ヒ
ビクル15〜28重量％とを含有する点に特徴があ
る。 〔作用〕 通常のRuO2系厚膜抵抗体ペーストは、RuO2粉
末を導電成分とし、該導電成分を基板に固着する
ためのバインダーとしてガラス粉末を用い、これ
らを有機質ビヒクル中に分散混練したもので、セ
ラミツク基板に該ペーストをスクリーン印刷で塗
布し、750〜900℃で焼成すれば該基板上に抵抗体
皮膜が形成されるようになつている。ところがこ
のペーストをガラス基板に適用する場合は焼成を
700℃以下にしなければならず、焼成温度を低く
すると通常の抵抗体ペーストでは耐摩耗性が著し
く低下する。そこで先ず低温焼成しても耐摩耗性
が良好となるガラス粉末組成を求めるべく種種実
験した結果、硼硅酸鉛系ガラスにTiO2を含有せ
しめたものが適当であることを見出した。硼硅酸
鉛（PbO−B2O3−SiO2）系ガラスは通常の厚膜
ペーストに良く用いられているが、TiO2をこの
ガラスの一成分として１〜５重量％含有せしめる
必要がある。TiO2含有率は高い程耐摩耗性が良
好となるが、５重量％を超えるとガラス化しなく
なるので１〜５重量％とする。 導電膜材料の抵抗値はある程度低いことが必要
である。ところが従来のRuO2系抵抗体ペースト
組成では導電成分に対するガラスの比率が高過
ぎ、抵抗値が大きくなつて導電膜材料として使用
できない。この抵抗値を下げるにはRuO2粉末の
外に銀及び又はパラジウム粉末を添加すると共
に、これら導電成分に対するガラスの比率を低下
するのが有効である。ところがガラスの比率を低
下すると耐摩耗性、耐酸性、表面平滑性が低下し
てくる。この欠点はBi2O3及びAl2O3の添加であ
る程度解消される。Bi2O3は表面平滑性の改善に
効果があり、１〜５重量％添加する。Bi2O3はあ
まり多過ぎると却つて平滑性が損なわれる。
Al2O3は耐酸性の改善に効果があり、１〜５重量
％添加する。Al2O3をあまり多くすると焼成膜の
表面平滑性を損ない、基板との密着性を低下させ
ることにもなる。 このようなBi2O3及びAl2O3の添加により耐酸
性、表面平滑性は改善されるが、耐摩耗性に最も
影響するのは導電成分に対するガラスの比率であ
り、ガラスの含有率をあまり低くすることができ
ない。このようなことからペースト中の導電成分
を15〜35重量％とし、ガラス粉末を55〜40重量％
とし、導電成分とガラス粉末の合計が70〜75重量
％となるようにする必要がある。ガラス粉末の比
率がこれより多くなると抵抗値が高くなり過ぎて
導電膜材料として使用できなくなり、又、少ない
とBi2O3及びAl2O3を添加しても耐摩耗性、耐酸
性、表面平滑性が満足されないからである。又、
導電成分とガラス粉末の合計が70〜75重量％とな
るようにするのは、有機質ビヒクルの含有率が15
〜28重量％よりも多過ぎても又少な過ぎても良好
なスクリーン印刷性が得られないからである。 導電成分中、RuO2粉末と銀及び又はパラジウ
ム粉末との比率はおよそ１：１とするのが適当で
ある。 上記導電成分、TiO2含有硼硅酸鉛系ガラス、
Bi2O3及びAl2O3の粉末を有機質ビヒクルと混練
すれば本発明の導電ペーストが得られる。有機質
ビヒクルは通常の厚膜ペーストに用いられるもの
で良く、例えばエチルセルロースを10〜20重量％
含有するブチルカルビトールアセテート溶液、テ
ルピネオール溶液等が挙げられる。 〔発明の効果〕 本発明の導電ペーストによれば、550〜700℃程
度の温度での焼成により充分耐摩耗性、耐酸性を
有する導電被膜が得られ、本ペーストにより信頼
性のあるタツチパネルの製造が可能となつた。 〔実施例〕 実施例 １ 第１表に示すようなTiO2含有率０〜５重量％
の硼硅酸鉛系ガラス４種を試作し、これを325メ
ツシユ以下に粉砕して第２表に示すような導電ペ
ーストを作成した。このペーストを２mm幅、24mm
長さのパターンで並板ガラス基板にスクリーン印
刷し、乾燥後600℃で焼成し、焼成膜について両
端の抵抗値を測定し、表面状態を観察し、次いで
耐摩耗性と耐酸性の試験に供した。耐摩耗性、耐
酸性の試験方法と結果の表示は次の通りである。 () 耐摩耗性 摺動子として6.614Kgの錘りを布で被覆した
ものを用い、この摺動子を上記焼成膜上を、10
ｇ／100ml濃度の酸性クレンザー液を５ml／分
の速度で滴下しつつ、10回／分の速度で2000回
往復させ、摺動後の抵抗値を初期の抵抗値と比
較して４倍未満ならば◎、４〜８倍ならば○、
８倍以上となるものを×印とした。 () 耐酸性 焼成膜が形成されたガラス基板を25℃の3.5
％塩酸水溶液に５分間浸漬した後水洗乾燥し、
表面状態を実体顕微鏡で観察した。表面に全く
変化が認められないものを◎、表面が変色して
化学的変化は認められるが、膜自体の侵食は認
められないものを○、膜が酸により明らかに侵
食されているものを×印とした。 なお、耐摩耗性、耐酸性の試験前の表面状態
観察は膜表面が平滑でむらが無ければ○、表面
が粗いもの、クラツク等の欠陥があるものを×
印とした。測定結果を第２表にまとめて示す。
ーストに関する。 〔従来の技術〕 家庭用電化製品の制御装置は、通常ツマミの回
転、スライド等により電源の入切、音量の大小、
出力の強弱などの動作状態の設定、制御を行なう
ようになつている。ところが該製品が調理器具の
場合、ツマミの軸が挿通している器体部分の開口
部に水、油等が侵入するのを有効に防止すること
ができず、機器の故障や誤動作を生じることがあ
つた。 このような制御装置は構造的にも洗浄に適して
いない。このため特に調理器具においては、制御
装置を平板化し、器体に開口部を作らない構造と
する試みが為されている。このような平板状制御
装置は一般にタツチパネルと呼ばれ、近年調理用
電気器具に採用されるようになつてきた。 〔本発明が解決しようとする問題点〕 タツチパネルには種々の形式があるが、ガラス
を基板に用い、該ガラス表面に酸化錫や酸化イン
ジウム等の透明導電膜の電極及び回路を形成した
ものが一般的である。ところが、このタツチパネ
ルの表面をみがき砂を含んだ酸性洗剤でこすると
次第に導電膜が磨滅する。調理台に近接してタツ
チパネルが取付けられている器具においては該パ
ネル上に油、煮汁等の飛散付着が避けられず、こ
のため上記のような洗浄に耐える導電膜材料の開
発が強く要請されていた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は酸化ルテニウム（RuO2）系厚膜
抵抗体が耐摩耗性に優れている点に着目し、この
抵抗体を耐摩耗性、耐酸性の導電膜材料に改造で
きないか種々検討を重ねた結果、従来のガラス粉
末の代りにTiO2を含有するガラスを用いると共
に、導電成分としてRuO2の外に銀及び又はパラ
ジウム粉末を含有せしめ、導電成分とガラス粉末
と比率をある範囲とし、且つ酸化ビスマス
（Bi2O3）及びアルミナ（Al2O3）を少量添加する
ことにより所期の目的を達成できることを見出し
て本発明に到達した。即ち、本発明の導電ペース
トは、酸化ルテニウム（RuO2）粉末と、銀及び
又はパラジウム粉末とを合計で15〜35重量％と、
TiO2を１〜５重量％含有する硼硅酸鉛系ガラス
粉末55〜40重量％と、酸化ビスマス粉末１〜５重
量％及びアルミナ粉末１〜５重量％と、有機質ヒ
ビクル15〜28重量％とを含有する点に特徴があ
る。 〔作用〕 通常のRuO2系厚膜抵抗体ペーストは、RuO2粉
末を導電成分とし、該導電成分を基板に固着する
ためのバインダーとしてガラス粉末を用い、これ
らを有機質ビヒクル中に分散混練したもので、セ
ラミツク基板に該ペーストをスクリーン印刷で塗
布し、750〜900℃で焼成すれば該基板上に抵抗体
皮膜が形成されるようになつている。ところがこ
のペーストをガラス基板に適用する場合は焼成を
700℃以下にしなければならず、焼成温度を低く
すると通常の抵抗体ペーストでは耐摩耗性が著し
く低下する。そこで先ず低温焼成しても耐摩耗性
が良好となるガラス粉末組成を求めるべく種種実
験した結果、硼硅酸鉛系ガラスにTiO2を含有せ
しめたものが適当であることを見出した。硼硅酸
鉛（PbO−B2O3−SiO2）系ガラスは通常の厚膜
ペーストに良く用いられているが、TiO2をこの
ガラスの一成分として１〜５重量％含有せしめる
必要がある。TiO2含有率は高い程耐摩耗性が良
好となるが、５重量％を超えるとガラス化しなく
なるので１〜５重量％とする。 導電膜材料の抵抗値はある程度低いことが必要
である。ところが従来のRuO2系抵抗体ペースト
組成では導電成分に対するガラスの比率が高過
ぎ、抵抗値が大きくなつて導電膜材料として使用
できない。この抵抗値を下げるにはRuO2粉末の
外に銀及び又はパラジウム粉末を添加すると共
に、これら導電成分に対するガラスの比率を低下
するのが有効である。ところがガラスの比率を低
下すると耐摩耗性、耐酸性、表面平滑性が低下し
てくる。この欠点はBi2O3及びAl2O3の添加であ
る程度解消される。Bi2O3は表面平滑性の改善に
効果があり、１〜５重量％添加する。Bi2O3はあ
まり多過ぎると却つて平滑性が損なわれる。
Al2O3は耐酸性の改善に効果があり、１〜５重量
％添加する。Al2O3をあまり多くすると焼成膜の
表面平滑性を損ない、基板との密着性を低下させ
ることにもなる。 このようなBi2O3及びAl2O3の添加により耐酸
性、表面平滑性は改善されるが、耐摩耗性に最も
影響するのは導電成分に対するガラスの比率であ
り、ガラスの含有率をあまり低くすることができ
ない。このようなことからペースト中の導電成分
を15〜35重量％とし、ガラス粉末を55〜40重量％
とし、導電成分とガラス粉末の合計が70〜75重量
％となるようにする必要がある。ガラス粉末の比
率がこれより多くなると抵抗値が高くなり過ぎて
導電膜材料として使用できなくなり、又、少ない
とBi2O3及びAl2O3を添加しても耐摩耗性、耐酸
性、表面平滑性が満足されないからである。又、
導電成分とガラス粉末の合計が70〜75重量％とな
るようにするのは、有機質ビヒクルの含有率が15
〜28重量％よりも多過ぎても又少な過ぎても良好
なスクリーン印刷性が得られないからである。 導電成分中、RuO2粉末と銀及び又はパラジウ
ム粉末との比率はおよそ１：１とするのが適当で
ある。 上記導電成分、TiO2含有硼硅酸鉛系ガラス、
Bi2O3及びAl2O3の粉末を有機質ビヒクルと混練
すれば本発明の導電ペーストが得られる。有機質
ビヒクルは通常の厚膜ペーストに用いられるもの
で良く、例えばエチルセルロースを10〜20重量％
含有するブチルカルビトールアセテート溶液、テ
ルピネオール溶液等が挙げられる。 〔発明の効果〕 本発明の導電ペーストによれば、550〜700℃程
度の温度での焼成により充分耐摩耗性、耐酸性を
有する導電被膜が得られ、本ペーストにより信頼
性のあるタツチパネルの製造が可能となつた。 〔実施例〕 実施例 １ 第１表に示すようなTiO2含有率０〜５重量％
の硼硅酸鉛系ガラス４種を試作し、これを325メ
ツシユ以下に粉砕して第２表に示すような導電ペ
ーストを作成した。このペーストを２mm幅、24mm
長さのパターンで並板ガラス基板にスクリーン印
刷し、乾燥後600℃で焼成し、焼成膜について両
端の抵抗値を測定し、表面状態を観察し、次いで
耐摩耗性と耐酸性の試験に供した。耐摩耗性、耐
酸性の試験方法と結果の表示は次の通りである。 () 耐摩耗性 摺動子として6.614Kgの錘りを布で被覆した
ものを用い、この摺動子を上記焼成膜上を、10
ｇ／100ml濃度の酸性クレンザー液を５ml／分
の速度で滴下しつつ、10回／分の速度で2000回
往復させ、摺動後の抵抗値を初期の抵抗値と比
較して４倍未満ならば◎、４〜８倍ならば○、
８倍以上となるものを×印とした。 () 耐酸性 焼成膜が形成されたガラス基板を25℃の3.5
％塩酸水溶液に５分間浸漬した後水洗乾燥し、
表面状態を実体顕微鏡で観察した。表面に全く
変化が認められないものを◎、表面が変色して
化学的変化は認められるが、膜自体の侵食は認
められないものを○、膜が酸により明らかに侵
食されているものを×印とした。 なお、耐摩耗性、耐酸性の試験前の表面状態
観察は膜表面が平滑でむらが無ければ○、表面
が粗いもの、クラツク等の欠陥があるものを×
印とした。測定結果を第２表にまとめて示す。
【表】
【表】
第２表の結果からガラス組成中のTiO2が耐摩
耗性向上に寄与し、TiO2含有率が高い程良好と
なることが判る。 実施例 ２ 第１表に示すガラス組成Ｃを用い、ガラスと導
電成分の割合を種々変え、且つBi2O3、Al2O3の
添加量も種々変えてペーストを作成し、該ペース
トについて実施例１と同様の試験を行なつた。該
ペースト組成及び測定結果を第３表にまとめて示
す。第３表は導電成分に対するガラスの比率が低
過ぎると耐摩耗性、耐酸性が悪化し（No.５）、高
くなると耐摩耗性、耐酸性は良好となるが抵抗値
が高くなり過ぎる（No.16）ことを示している。
又、Bi2O3の添加により表面平滑性が改善される
（No.７、８）が、多過ぎると却つて平滑性が損な
われる（No.９）こと、Al2O3の添加により耐酸性
が改善される（No.10、11）が、多過ぎると表面平
滑性が損なわれる（No.12）ことも示している。
耗性向上に寄与し、TiO2含有率が高い程良好と
なることが判る。 実施例 ２ 第１表に示すガラス組成Ｃを用い、ガラスと導
電成分の割合を種々変え、且つBi2O3、Al2O3の
添加量も種々変えてペーストを作成し、該ペース
トについて実施例１と同様の試験を行なつた。該
ペースト組成及び測定結果を第３表にまとめて示
す。第３表は導電成分に対するガラスの比率が低
過ぎると耐摩耗性、耐酸性が悪化し（No.５）、高
くなると耐摩耗性、耐酸性は良好となるが抵抗値
が高くなり過ぎる（No.16）ことを示している。
又、Bi2O3の添加により表面平滑性が改善される
（No.７、８）が、多過ぎると却つて平滑性が損な
われる（No.９）こと、Al2O3の添加により耐酸性
が改善される（No.10、11）が、多過ぎると表面平
滑性が損なわれる（No.12）ことも示している。
Claims (1)
- １ 酸化ルテニウム粉末と、銀及び又はパラジウ
ム粉末とを合計で15〜35重量％と、TiO2を１〜
５重量％含有する硼硅酸鉛系ガラス粉末55〜40重
量％と、酸化ビスマス粉末１〜５重量％及びアル
ミナ粉末１〜５重量％と、有機質ビヒクル15〜28
重量％とを含有することを特徴とする厚膜導電ペ
ースト。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145382A JPS6124101A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 厚膜導電ペ−スト |
| US06/754,215 US4603007A (en) | 1984-07-13 | 1985-07-12 | Paste for forming a thick conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145382A JPS6124101A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 厚膜導電ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124101A JPS6124101A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0311483B2 true JPH0311483B2 (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15383948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59145382A Granted JPS6124101A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 厚膜導電ペ−スト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4603007A (ja) |
| JP (1) | JPS6124101A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019768A (ja) * | 2005-09-28 | 2006-01-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| US9137397B2 (en) | 1997-07-15 | 2015-09-15 | Google Inc. | Image sensing and printing device |
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| DE69007778T2 (de) * | 1990-04-12 | 1994-08-18 | Du Pont | Zusammensetzungen für niederohmige Dickschichtwiderstände und Herstellungsverfahren solcher Widerstände. |
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| KR100369565B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2003-01-29 | 대주정밀화학 주식회사 | 전기발열체용 저항 페이스트 조성물 |
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| US4532075A (en) * | 1984-08-10 | 1985-07-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor composition |
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-
1984
- 1984-07-13 JP JP59145382A patent/JPS6124101A/ja active Granted
-
1985
- 1985-07-12 US US06/754,215 patent/US4603007A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4603007A (en) | 1986-07-29 |
| JPS6124101A (ja) | 1986-02-01 |
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