JPH03113334A - 接触覚センサ - Google Patents
接触覚センサInfo
- Publication number
- JPH03113334A JPH03113334A JP1253385A JP25338589A JPH03113334A JP H03113334 A JPH03113334 A JP H03113334A JP 1253385 A JP1253385 A JP 1253385A JP 25338589 A JP25338589 A JP 25338589A JP H03113334 A JPH03113334 A JP H03113334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- flexible
- wiring
- silicon
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 235000006693 Cassia laevigata Nutrition 0.000 description 1
- 241000522641 Senna Species 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229940124513 senna glycoside Drugs 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばロボットのハンド、とりわけ指に装着
して把持物からハンドの指の表面に加わった力を3方向
に分解して検出する接触覚センサに関する。
して把持物からハンドの指の表面に加わった力を3方向
に分解して検出する接触覚センサに関する。
近年、ロボット産業は質的にも量的にも飛躍的な成長を
とげている。特に、質的な面ではロボットハンドに接触
覚センサを装着して、ロボットの知能化を進める努力が
なされている。
とげている。特に、質的な面ではロボットハンドに接触
覚センサを装着して、ロボットの知能化を進める努力が
なされている。
接触覚センサに要求される性能や条件として、次のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
■高感度:力を検出する感度が高いこと。一つの素子で
数グラムを検出できることが望ましい。
数グラムを検出できることが望ましい。
■高分解能:センサの素子は小型で、密度の高いものが
望まれる。
望まれる。
■広いダイナミックレンジ:検出範囲ができるだけ広い
こと。
こと。
■高信頼性・高耐久性:過酷な環境にありても、長時間
の使用に耐えること。
の使用に耐えること。
■直線性とヒステリシス:圧力と出力が比例し、ヒステ
リシスがないこと。
リシスがないこと。
■応答速度:物を把持したときの信号が制御部へ早く伝
わること。
わること。
■柔軟性二人間の手の皮膚のように軟かいことが望まし
い。
い。
■すべり感覚:圧力だけでなく、すべりも検出すること
。
。
■廉価:構造が簡単で庶価なこと。
これらの条件のいくつかを満足する接触冗センサが種々
提案ないし、開発されてきた。押ボタン方式や導電ゴム
方式の接触覚センサはその代表例である。前者の押ボタ
ン方式の接触覚センサは、コイルばねで支えられた金属
製押ボタンが通常加圧のない状態では電気的にOFFと
なっているが、加圧されると接点が閉じてONとなるも
のである。
提案ないし、開発されてきた。押ボタン方式や導電ゴム
方式の接触覚センサはその代表例である。前者の押ボタ
ン方式の接触覚センサは、コイルばねで支えられた金属
製押ボタンが通常加圧のない状態では電気的にOFFと
なっているが、加圧されると接点が閉じてONとなるも
のである。
しかし、この方式はONとOFFの状態しか分からず、
連続的な力の検出には不向きであるという欠点があった
。
連続的な力の検出には不向きであるという欠点があった
。
一方、後者の導電ゴム方式の接触覚センサは、導電ゴム
シートの両面を電極で挟み、センサの表面に力が加わる
と、導電ゴムの電気抵抗(導電率)が低下するのを利用
したものである。しかし、この方式にも力と導電率との
間に非直線性やヒステリシスが生ずるという問題があっ
た。
シートの両面を電極で挟み、センサの表面に力が加わる
と、導電ゴムの電気抵抗(導電率)が低下するのを利用
したものである。しかし、この方式にも力と導電率との
間に非直線性やヒステリシスが生ずるという問題があっ
た。
これら以外に提案されている各種方式の接触覚センサも
それぞれ一長一短があり、十分な性能が満足されていな
いばかりか、圧力の方向がいずれも一方向、すなわち接
触面に垂直な方向のみを感するものであり、接触面に平
行な力を検出するものは極めて少ないのが現状である。
それぞれ一長一短があり、十分な性能が満足されていな
いばかりか、圧力の方向がいずれも一方向、すなわち接
触面に垂直な方向のみを感するものであり、接触面に平
行な力を検出するものは極めて少ないのが現状である。
最近、3方向の力を検出する接触覚センサが開発される
傾向にある。例えば、本出願人が提案した先願の特願昭
62−049996号、特願昭63−186959号な
どである。しかし、このような従来の接触覚センサでは
固い配線基板等を用いているので、ロボットハンドの平
担な面には容易に取付けられるが、ロボットハンドの指
のような曲面に複数の素子をマトリックス状に並べて取
付けられるような配慮がなされていなかった。
傾向にある。例えば、本出願人が提案した先願の特願昭
62−049996号、特願昭63−186959号な
どである。しかし、このような従来の接触覚センサでは
固い配線基板等を用いているので、ロボットハンドの平
担な面には容易に取付けられるが、ロボットハンドの指
のような曲面に複数の素子をマトリックス状に並べて取
付けられるような配慮がなされていなかった。
本発明の目的は、上述した従来の欠点を解消し、ロボッ
トハンドの指にも取付けられるような薄型で、フレキシ
ブルな構造(可撓性構造)の3分力検出型の接触覚セン
サを提供することにある。
トハンドの指にも取付けられるような薄型で、フレキシ
ブルな構造(可撓性構造)の3分力検出型の接触覚セン
サを提供することにある。
かかる目的を達成するために、本発明の第1形態は、加
わった力を3方向に分解して検出する接触覚センサにお
いて、受圧部表面に加わる各々3方向の力に対応して3
組の歪ゲージが配置されている複数のセンサセルと、複
数のセンサセルの各々を連結する可撓性の酸化皮膜と、
酸化皮膜で連結された複数のセンサセルを実装する可撓
性のフレキシブル配線基板とを有することを特徴とする
特 また、本発明の第2形態は複数のセンサセルはマ)・リ
ックス状に配列されており、センサセルの各々はセンサ
セルを個別に選択動作させるための一対のスイッチを有
し、スイッチにそれぞれ接続する縦列選択用配線と横列
選択用配線とをフレキシブル配線基板の表面と裏面に別
々に配設したことを特徴とする。
わった力を3方向に分解して検出する接触覚センサにお
いて、受圧部表面に加わる各々3方向の力に対応して3
組の歪ゲージが配置されている複数のセンサセルと、複
数のセンサセルの各々を連結する可撓性の酸化皮膜と、
酸化皮膜で連結された複数のセンサセルを実装する可撓
性のフレキシブル配線基板とを有することを特徴とする
特 また、本発明の第2形態は複数のセンサセルはマ)・リ
ックス状に配列されており、センサセルの各々はセンサ
セルを個別に選択動作させるための一対のスイッチを有
し、スイッチにそれぞれ接続する縦列選択用配線と横列
選択用配線とをフレキシブル配線基板の表面と裏面に別
々に配設したことを特徴とする。
また、本発明の第3形態はセンサセルがシリコンからな
り、3組の歪ゲージがそれぞれ高抵抗シリコン層からな
り、かつセンサセルに配設された3組の歪ゲージの配線
が互いに重なフて交叉することのないように構成されて
いることを特徴とする。
り、3組の歪ゲージがそれぞれ高抵抗シリコン層からな
り、かつセンサセルに配設された3組の歪ゲージの配線
が互いに重なフて交叉することのないように構成されて
いることを特徴とする。
本発明は、上記のように、3分力(FX、FY、FZ)
を検出できるセンサセルを可撓性の酸化皮膜で複数個連
結させたものを、可撓性の配線基板上に接続して構成し
たので、フレキシブルな構造の接触覚センサのアレイが
実現可能となり、例えばロボットハンドの指にも巻きつ
けて装着できるので、ロボットの知能化を図る上で極め
て有効となる。
を検出できるセンサセルを可撓性の酸化皮膜で複数個連
結させたものを、可撓性の配線基板上に接続して構成し
たので、フレキシブルな構造の接触覚センサのアレイが
実現可能となり、例えばロボットハンドの指にも巻きつ
けて装着できるので、ロボットの知能化を図る上で極め
て有効となる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
Δ工m狙化艮!
まず、本発明の実施例の接触覚センサの全体の概要を説
明する。
明する。
本発明実施例の接触覚センサは、複数のダイヤフラムタ
イプの3分力検出型のセンサセル(シリコンセンサ素子
)を用いて、これらのセンサセルを可撓性の酸化皮膜で
連結させてマトリックス状に配列し、かつこれらを可撓
性の配線基板上に半田付等で実装して、ロボットハンド
の指等の曲面に巻ぎつけられるようにしたものである。
イプの3分力検出型のセンサセル(シリコンセンサ素子
)を用いて、これらのセンサセルを可撓性の酸化皮膜で
連結させてマトリックス状に配列し、かつこれらを可撓
性の配線基板上に半田付等で実装して、ロボットハンド
の指等の曲面に巻ぎつけられるようにしたものである。
このように、3分力検出型のセンサセルを可撓性の酸化
皮膜で複数個連結させた構造としたので、曲げることが
可能であり、又、フレキシブルの配線基板を°用いてい
るので、この配線基板にセンサセルであるシリコンセン
サ索子をマトリックス状に配列させて電気的かつ物理的
に接続させた接触覚センサも当然のことながら曲げるこ
とが可能である。このような接触覚センサ2を第1図(
A) に示すように、ロボットハンドの指1に巻きつけ
るようにして装着すれば、ロボットハンドの表面に加わ
った圧力やすべり、モーメントなどを接触覚センサ2に
より検出することができる。
皮膜で複数個連結させた構造としたので、曲げることが
可能であり、又、フレキシブルの配線基板を°用いてい
るので、この配線基板にセンサセルであるシリコンセン
サ索子をマトリックス状に配列させて電気的かつ物理的
に接続させた接触覚センサも当然のことながら曲げるこ
とが可能である。このような接触覚センサ2を第1図(
A) に示すように、ロボットハンドの指1に巻きつけ
るようにして装着すれば、ロボットハンドの表面に加わ
った圧力やすべり、モーメントなどを接触覚センサ2に
より検出することができる。
第1図(B)は、ロボットハンドの指1に装着された接
触覚センサ群の中の1つの接触覚センサ2の断面状態の
概略を示す。同図の矢印の方向に力が加わると、接触覚
センサ2の各シリコンセンサ素子6はその方向の力を検
出することがでとる。
触覚センサ群の中の1つの接触覚センサ2の断面状態の
概略を示す。同図の矢印の方向に力が加わると、接触覚
センサ2の各シリコンセンサ素子6はその方向の力を検
出することがでとる。
l。」」■【λ族基
次に、本発明の実施例の接触覚センサの具体的な構成を
説明する。
説明する。
第2図(A) 、 (B)は本発明の一実施例の接触覚
センサを構成する個々の3分力検出型シリコンセンサ素
子の外観を示し、同図(A)は表側、同図(B)は裏側
を示す。
センサを構成する個々の3分力検出型シリコンセンサ素
子の外観を示し、同図(A)は表側、同図(B)は裏側
を示す。
ここで、6はシリコンセンサ素子であり、その外形は正
方形で、その中央部には円柱状の受圧柱7が一体的に突
出して゛形成されている。4はシリコンセンサ素子6の
外縁部全周に沿って突出させた固定部、5は受圧柱7と
固定部4間に形成された環状溝形の薄肉部である。薄肉
部5には木口(8)に図示するような直径方向等の位置
の複数箇所に半導体クエハブロセス等の所定の方法で歪
ゲージ9が形成されている。8は半田端子(ハンダバン
ブ)である。シリコンセンサ素子6の中央にある受圧柱
7は3方向の力FX、FY、F2を受け、シリコンセン
サ素子6の裏面にある歪ゲージ9でその3方向の力を検
出する。
方形で、その中央部には円柱状の受圧柱7が一体的に突
出して゛形成されている。4はシリコンセンサ素子6の
外縁部全周に沿って突出させた固定部、5は受圧柱7と
固定部4間に形成された環状溝形の薄肉部である。薄肉
部5には木口(8)に図示するような直径方向等の位置
の複数箇所に半導体クエハブロセス等の所定の方法で歪
ゲージ9が形成されている。8は半田端子(ハンダバン
ブ)である。シリコンセンサ素子6の中央にある受圧柱
7は3方向の力FX、FY、F2を受け、シリコンセン
サ素子6の裏面にある歪ゲージ9でその3方向の力を検
出する。
上述のシリコンセンサ素子6内の歪ゲージ9の配線およ
び半田端子8の配置構成を第3図(A)に示す。
び半田端子8の配置構成を第3図(A)に示す。
シリコンセンサ素子6は半導体シリコンのウェハから形
成され、半導体プロセスによってX、、X、。
成され、半導体プロセスによってX、、X、。
Yl、Y2.Zl〜z4の歪ゲージ9が形成される。ま
た、アルミの配線14と電極を接続するための半田端子
8も半導体プロセスのメツキ工程で形成することができ
る。さらにまた、本実施例の配線パターンでは、第4図
に示すようなハーフブリッジ2組とフルブリッジ1組が
共存していて、ブリッジ電圧Eと接地Gは共有とし、v
x、vY、F2を出力電圧として取り出せるようにして
いる。さらに、配線14はこれらの電極を廻り込みなが
ら、配線同士がクロスオーバーしないように配置されて
いて、これによりクロスオーバーした場合の電気特性の
信顆性低下を解消している。
た、アルミの配線14と電極を接続するための半田端子
8も半導体プロセスのメツキ工程で形成することができ
る。さらにまた、本実施例の配線パターンでは、第4図
に示すようなハーフブリッジ2組とフルブリッジ1組が
共存していて、ブリッジ電圧Eと接地Gは共有とし、v
x、vY、F2を出力電圧として取り出せるようにして
いる。さらに、配線14はこれらの電極を廻り込みなが
ら、配線同士がクロスオーバーしないように配置されて
いて、これによりクロスオーバーした場合の電気特性の
信顆性低下を解消している。
以上の構成内容は本出願人が提案した先願(特願昭63
−186959号)の内容とほぼ同様であるが、これら
に本発明実施例で新たに加えた点は、半導体FET(電
界効果トランジスタ)のスイッチ15とマトリックス配
置の横番地端子Mと縦番地端子Nとである。
−186959号)の内容とほぼ同様であるが、これら
に本発明実施例で新たに加えた点は、半導体FET(電
界効果トランジスタ)のスイッチ15とマトリックス配
置の横番地端子Mと縦番地端子Nとである。
スイッチ15は電圧EのONとOFFの切換を行うもの
であって、2個が電圧Eに直列に連結されている。その
1つのスイッチ15はそのゲートが横番地端子Mと接続
しており、複数のシリコンセンサ素子6を格子(マトリ
ックス)状に並べたときの横列を選択する信号によって
このスイッチ15がON(閉成、導通)される。もう1
つのスイッチ15はそのゲートが縦番地端子Nと接続し
ており、複数のシリコンセンサ素子6を格子状に並べた
ときの縦列を選択する信号によってこのスイッチ15が
ONされる。
であって、2個が電圧Eに直列に連結されている。その
1つのスイッチ15はそのゲートが横番地端子Mと接続
しており、複数のシリコンセンサ素子6を格子(マトリ
ックス)状に並べたときの横列を選択する信号によって
このスイッチ15がON(閉成、導通)される。もう1
つのスイッチ15はそのゲートが縦番地端子Nと接続し
ており、複数のシリコンセンサ素子6を格子状に並べた
ときの縦列を選択する信号によってこのスイッチ15が
ONされる。
従ってこれらの番地端子MとNの両方に同時に外部から
選択信号(例えば電圧)が加えられると、2つのスイッ
チ15.15が同時にONとなるので、シリコンセンサ
素子6内にあるスイッチ15゜15の後段の3組の歪ゲ
ージブリッジ(pxとFYの検出はハーフブリッジ、F
2の検出はフルブリッジ)に電圧Eが印加されることに
なる。一方、横番地端子Mと縦番地端子Nの双方に信号
が加えられていないと、電圧Eは歪ゲージブリッジに印
加されないので、歪ゲージブリッジからの出力は得られ
ない。
選択信号(例えば電圧)が加えられると、2つのスイッ
チ15.15が同時にONとなるので、シリコンセンサ
素子6内にあるスイッチ15゜15の後段の3組の歪ゲ
ージブリッジ(pxとFYの検出はハーフブリッジ、F
2の検出はフルブリッジ)に電圧Eが印加されることに
なる。一方、横番地端子Mと縦番地端子Nの双方に信号
が加えられていないと、電圧Eは歪ゲージブリッジに印
加されないので、歪ゲージブリッジからの出力は得られ
ない。
本発明実施例は、この2つのスイッチIs、15と番地
端子MとNとを設けたことに一つの特徴がある。また、
このスイッチ1.5.15としては例えば半導体素子と
してよく知られているFET(電界効果トランジスタ)
を用いることができる。
端子MとNとを設けたことに一つの特徴がある。また、
このスイッチ1.5.15としては例えば半導体素子と
してよく知られているFET(電界効果トランジスタ)
を用いることができる。
第3図(B)は第3図(A)のシリコンセンサ素子6を
可撓性のフレキシブル配線基板12の上に実装した状態
の断面構造を示す、同図(B)において、シリコンセン
サ素子6には歪ゲージ9、半田端子8が形成されている
。また、シリコンセンサ素子6の外部固定部4の表面に
は、シリコンセンサ素子6を保護するための表皮10が
被覆されている。
可撓性のフレキシブル配線基板12の上に実装した状態
の断面構造を示す、同図(B)において、シリコンセン
サ素子6には歪ゲージ9、半田端子8が形成されている
。また、シリコンセンサ素子6の外部固定部4の表面に
は、シリコンセンサ素子6を保護するための表皮10が
被覆されている。
シリコンセンサ素子6の裏面に突出するそれぞれの半田
端子8と配線基板上に突出するそれぞれの電極11とは
互いにフリップチップボンダで接続され、シリコンセン
サ素子6の裏面とフレキシブル配線基板12間は接着剤
13により強固に固定される。
端子8と配線基板上に突出するそれぞれの電極11とは
互いにフリップチップボンダで接続され、シリコンセン
サ素子6の裏面とフレキシブル配線基板12間は接着剤
13により強固に固定される。
第3図(八)において、符号19で示すアース端子口が
ひとつあるが、これは半田端子ではなく、シリコンセン
サ素子6の下部導電部にアースとしての電気を流し、か
つアルミ配線14との交叉(クロスオーバー)をさけて
符号8のアース端子Oに接続するための無半田アース端
子である。すなわち、この2つのアース端子間の内部構
造は第5図に示すようになっている。同図において、シ
リコンウェハ20はシリコンセンサ素子6の構成体であ
って、p層とn層とp層とで構成されている。
ひとつあるが、これは半田端子ではなく、シリコンセン
サ素子6の下部導電部にアースとしての電気を流し、か
つアルミ配線14との交叉(クロスオーバー)をさけて
符号8のアース端子Oに接続するための無半田アース端
子である。すなわち、この2つのアース端子間の内部構
造は第5図に示すようになっている。同図において、シ
リコンウェハ20はシリコンセンサ素子6の構成体であ
って、p層とn層とp層とで構成されている。
n層の内側にある最上部のp層が歪ゲージ9である。配
線14はこのp層とn層の上層部に形成されている。無
半田アース端子19の下部はp層で導電性が高い。一方
、アースである半田端子8の下部も同じp層である。従
って、無半田アース端子19(これは前述の口に相当す
る)からの電流は矢印のように破線に沿って流れて半田
端子8に達し、半田端子8を介して接触覚センサの外部
で接地される。
線14はこのp層とn層の上層部に形成されている。無
半田アース端子19の下部はp層で導電性が高い。一方
、アースである半田端子8の下部も同じp層である。従
って、無半田アース端子19(これは前述の口に相当す
る)からの電流は矢印のように破線に沿って流れて半田
端子8に達し、半田端子8を介して接触覚センサの外部
で接地される。
C9流側の製造方法
次に、発明の実施例の接触覚センサの製造方法の一例を
説明する。
説明する。
第6図(A)はシリコンセンサ素子6を例えば2個×3
個マトリックス状に配列した場合のシリコンセンサ素子
群(以下、センサアレイという)の加工工程の一つを示
す。まず、加工の最初の工程では、半導体ウェハプロセ
スによってシリコンウェハの表の面に、歪ゲージ9や、
スイッチ15、半田端子(ハンダバンプ)8、配線14
および可撓性の酸化皮膜であるシリコン酸化膜21を第
3図(八)に示した配置パターンで作りこみ、そのシリ
コンウェハの裏の面には、第6図(A) に示す加工が
できるようなパターンをエツチングで作りこんでおく。
個マトリックス状に配列した場合のシリコンセンサ素子
群(以下、センサアレイという)の加工工程の一つを示
す。まず、加工の最初の工程では、半導体ウェハプロセ
スによってシリコンウェハの表の面に、歪ゲージ9や、
スイッチ15、半田端子(ハンダバンプ)8、配線14
および可撓性の酸化皮膜であるシリコン酸化膜21を第
3図(八)に示した配置パターンで作りこみ、そのシリ
コンウェハの裏の面には、第6図(A) に示す加工が
できるようなパターンをエツチングで作りこんでおく。
次に、このシリコンウェハの裏面の加工工程に移り、ウ
ェハの状態のままで、第6図(八)に示す環状溝5を放
電加工で形成する。
ェハの状態のままで、第6図(八)に示す環状溝5を放
電加工で形成する。
その後、シリコンウェハの裏面にダイシングソーによっ
て格子状濯24を形成する。このとき、シリコン酸化膜
21を残して格子状溝24を加工することが本発明の重
要なポイントの1つである。
て格子状濯24を形成する。このとき、シリコン酸化膜
21を残して格子状溝24を加工することが本発明の重
要なポイントの1つである。
このようにして、シリコンウェハから、−1fflの2
個×3個のセンサアレイを切り出すと第6図(八)に示
すようになり、その時の断面を第6図(B) に示す、
第6図CB)に示すものは、第3図(B) に示したシ
リコンセンナ素子6を複数個シリコン酸化膜21で連結
した構造のものである。
個×3個のセンサアレイを切り出すと第6図(八)に示
すようになり、その時の断面を第6図(B) に示す、
第6図CB)に示すものは、第3図(B) に示したシ
リコンセンナ素子6を複数個シリコン酸化膜21で連結
した構造のものである。
D、 層側の配線方法
上述のように、可撓性のシリコン酸化@21で連結され
たセンサアレイに、配線14をどのように配設するかの
配線方法について次に述べる。
たセンサアレイに、配線14をどのように配設するかの
配線方法について次に述べる。
第7図は縦番地端子Nへの配線方法の一例を示し、第8
図は横番地端子Mへの配線方法を示す。
図は横番地端子Mへの配線方法を示す。
まず、第7図の縦番地の配線方法を説明する。
同図の平面図Aにおいて、図面左側の縦方向に並んでい
る3つのシリコンセンサ素子6の縦番地端子Nを並列に
結ぶ配線をN、とする。この配線N、に縦番地信号(選
択信号)を与えると、各左側シリコンセンサ素子6の1
つのスイッチxs(S3図(A)参照)がONになる。
る3つのシリコンセンサ素子6の縦番地端子Nを並列に
結ぶ配線をN、とする。この配線N、に縦番地信号(選
択信号)を与えると、各左側シリコンセンサ素子6の1
つのスイッチxs(S3図(A)参照)がONになる。
また、図面の右側の縦方向に並んでいる3つのシリコン
センサ素子6の縦番地端子Nを並列に結ぶ配線をN2と
すると、゛この配線N2に縦番地信号を与えると、各右
側シリコンセンサ素子6の1つのスイッチ15がONと
なる。しかし、前述したように、いずれのシリコンセン
サ素子6も縦番地用と横番地用の2つずつスイッチ15
を備えていて、両方のスイッチis、15が同時にON
とならなければ、ブリッジからの出力は得られない(第
3図(A)参照)。したがって、もう一方のスイッチ1
5は横番地端子Mに横番地信号(選択信号)を与える配
線が必要である。
センサ素子6の縦番地端子Nを並列に結ぶ配線をN2と
すると、゛この配線N2に縦番地信号を与えると、各右
側シリコンセンサ素子6の1つのスイッチ15がONと
なる。しかし、前述したように、いずれのシリコンセン
サ素子6も縦番地用と横番地用の2つずつスイッチ15
を備えていて、両方のスイッチis、15が同時にON
とならなければ、ブリッジからの出力は得られない(第
3図(A)参照)。したがって、もう一方のスイッチ1
5は横番地端子Mに横番地信号(選択信号)を与える配
線が必要である。
S8図の平面図Aは上述の横番地信号の配線Ml+M2
1M3と、横方向に平行にとり出せる他の配線(Vy、
Vz+ +vX+ E 、 G 、 VZ2)の配線方
法を示す。また、第8図の断面図B、Cに示すように、
これらの配線は可撓性の両面プリント配線基板、すなわ
ちフレキシブル配線基板12のスルーホール22を通し
てそのフレキシブル配線基板12の下側に形成される。
1M3と、横方向に平行にとり出せる他の配線(Vy、
Vz+ +vX+ E 、 G 、 VZ2)の配線方
法を示す。また、第8図の断面図B、Cに示すように、
これらの配線は可撓性の両面プリント配線基板、すなわ
ちフレキシブル配線基板12のスルーホール22を通し
てそのフレキシブル配線基板12の下側に形成される。
一方、縦番地信号の配線N、、N2は第7図の断面図B
、Cに示すように、フレキシブル配線基板J2の表面に
形成されるから、第7図の上層配線回路と第8図の下層
配線回路との交叉(クロスオーバー)がなくなる。さら
に、このフレキシブル配線基板12の材料として可撓性
な材質を用いるので、曲げることも可能である。そのと
き、シリコンセンサ素子6自体は曲げられないが、シリ
コン酸化[21は可撓性があるので、折り曲げることが
できる。
、Cに示すように、フレキシブル配線基板J2の表面に
形成されるから、第7図の上層配線回路と第8図の下層
配線回路との交叉(クロスオーバー)がなくなる。さら
に、このフレキシブル配線基板12の材料として可撓性
な材質を用いるので、曲げることも可能である。そのと
き、シリコンセンサ素子6自体は曲げられないが、シリ
コン酸化[21は可撓性があるので、折り曲げることが
できる。
このシリコン酸化@21は、各シリコンセンサ素子6を
強固に連結しているので、フレキシブル配線基板12の
上に各端子同士を正確に位置合わせを行って、−度に接
続・組立てることができる。すなわち、シリコン酸化膜
21があるので、各シリコンセンサ素子6をばらばらに
して組立てるという精度の出しにくいめんどうな接続・
組立工程が必要でなくなるという利点がある。
強固に連結しているので、フレキシブル配線基板12の
上に各端子同士を正確に位置合わせを行って、−度に接
続・組立てることができる。すなわち、シリコン酸化膜
21があるので、各シリコンセンサ素子6をばらばらに
して組立てるという精度の出しにくいめんどうな接続・
組立工程が必要でなくなるという利点がある。
第9図は、以上のようにして製作した本発明実施例の接
触覚センサをロボットハンドの指1に巻きつけた状態を
示す。本例ではシリコンセンナ素子6は5行配列である
が、長手方向には任意の所望の列で配置できる。センサ
アレイからの信号線は、ケーブル25によってまとめら
れ、図示しない外部装置を接続される。
触覚センサをロボットハンドの指1に巻きつけた状態を
示す。本例ではシリコンセンナ素子6は5行配列である
が、長手方向には任意の所望の列で配置できる。センサ
アレイからの信号線は、ケーブル25によってまとめら
れ、図示しない外部装置を接続される。
〔発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、3分力(Fx、
Fy、Fz)を検出できるセンサセルを可撓性の酸化皮
膜で複数個連結させたものを、可撓性のフレキシブル配
線基板上に接続して構成したので、フレキシブルな構造
の接触覚センサのアレイが実現可能となり、例えばロボ
ットハンドの指にも巻きつけて装着できるので、ロボッ
トの知能化を図る上で極めて有効となる。
Fy、Fz)を検出できるセンサセルを可撓性の酸化皮
膜で複数個連結させたものを、可撓性のフレキシブル配
線基板上に接続して構成したので、フレキシブルな構造
の接触覚センサのアレイが実現可能となり、例えばロボ
ットハンドの指にも巻きつけて装着できるので、ロボッ
トの知能化を図る上で極めて有効となる。
第1図(A)はロボットハンドの指に装着した本発明実
施例の接触覚センサ群を示す斜視図、第1図(B)はそ
の接触覚センサの一つの断面状態を示す概略断面図、 第2(八)は本発明実施例の接触覚センサの一つのセン
サセルの表側の外観を示す斜視図、第2図(B)はその
センサセルの裏側の外観を示す斜視図、 第3図(A)は本発明実施例のセンサセルの歪ゲージ、
配線および半田端子の配置状態を示す平面図、 第3図(B)はそのセンサセルの断面を示す断面図、 第4図は第3図(A)の実施例の等価回路を示す回路図
、 第5図は第3図(A)のセンサセルの内部構造を示す断
面図、 第6図(A)は本発明実施例の接触覚センサの加工工程
の一つを示す斜視図、 第6図(B)はその加工後の状態を示す断面図、 第7図は本発明実施例の2個×3個のセンサセル配列の
接触覚センサの縦番地の配線状態を示す平面図および断
面図、 S8図は第7図の接触覚センサの横番地の配線と他の入
出力端子の配線回路を示す平面図および断面図、 第9図はロボットハンドの指に装着した本発明実施例の
接触覚センサの詳細を示す断面図である。 1・・・指、 2・・・接触覚センサ、 4・・・固定部、 5・・・環状溝部、 6・・・センサセル フ・・・受圧柱、 8・・・半田端子、 9・・・歪ゲージ、 10・・・表皮、 11・・・電極、 12・・・フレキシブル配線基板、 13・・・接着剤、 14・・・配線、 15・・・スイッチ、 18・・・n層、 (シリコンセンサ素子) 19・・・無半田アース端子、 20・・・シリコンウェハ、 21・・・シリコン酸化膜、 22・・・スルーホール、 24・−・格子状溝、 (A) 第 図 (A) 第 図 第 図 20 第 図 1 (A) 第 図 第 図 第 図
施例の接触覚センサ群を示す斜視図、第1図(B)はそ
の接触覚センサの一つの断面状態を示す概略断面図、 第2(八)は本発明実施例の接触覚センサの一つのセン
サセルの表側の外観を示す斜視図、第2図(B)はその
センサセルの裏側の外観を示す斜視図、 第3図(A)は本発明実施例のセンサセルの歪ゲージ、
配線および半田端子の配置状態を示す平面図、 第3図(B)はそのセンサセルの断面を示す断面図、 第4図は第3図(A)の実施例の等価回路を示す回路図
、 第5図は第3図(A)のセンサセルの内部構造を示す断
面図、 第6図(A)は本発明実施例の接触覚センサの加工工程
の一つを示す斜視図、 第6図(B)はその加工後の状態を示す断面図、 第7図は本発明実施例の2個×3個のセンサセル配列の
接触覚センサの縦番地の配線状態を示す平面図および断
面図、 S8図は第7図の接触覚センサの横番地の配線と他の入
出力端子の配線回路を示す平面図および断面図、 第9図はロボットハンドの指に装着した本発明実施例の
接触覚センサの詳細を示す断面図である。 1・・・指、 2・・・接触覚センサ、 4・・・固定部、 5・・・環状溝部、 6・・・センサセル フ・・・受圧柱、 8・・・半田端子、 9・・・歪ゲージ、 10・・・表皮、 11・・・電極、 12・・・フレキシブル配線基板、 13・・・接着剤、 14・・・配線、 15・・・スイッチ、 18・・・n層、 (シリコンセンサ素子) 19・・・無半田アース端子、 20・・・シリコンウェハ、 21・・・シリコン酸化膜、 22・・・スルーホール、 24・−・格子状溝、 (A) 第 図 (A) 第 図 第 図 20 第 図 1 (A) 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)加わった力を3方向に分解して検出する接触覚セン
サにおいて、 受圧部表面に加わる各々3方向の力に対応して3組の歪
ゲージが配置されている複数のセンサセルと、 該複数のセンサセルの各々を連結する可撓性の酸化皮膜
と、 該酸化皮膜で連結された前記複数のセンサセルを実装す
る可撓性のフレキシブル配線基板とを有することを特徴
とする接触覚センサ。 2)複数のセンサセルはマトリックス状に配列されてお
り、 該センサセルの各々は該センサセルを個別に選択動作さ
せるための一対のスイッチを有し、該スイッチにそれぞ
れ接続する縦列選択用配線と横列選択用配線とを前記フ
レキシブル配線基板の表面と裏面に別々に配設したこと
を特徴とする請求項1に記載の接触覚センサ。 3)センサセルがシリコンからなり、3組の歪ゲージが
それぞれ高抵抗シリコン層からなり、かつ該センサセル
に配設された前記3組の歪ゲージの配線が互いに重なっ
て交叉することのないように構成されていることを特徴
とする請求項1または2に記載の接触覚センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1253385A JP2583615B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 接触覚センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1253385A JP2583615B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 接触覚センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03113334A true JPH03113334A (ja) | 1991-05-14 |
JP2583615B2 JP2583615B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=17250630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1253385A Expired - Fee Related JP2583615B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 接触覚センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2583615B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5714698A (en) * | 1994-02-03 | 1998-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Gesture input method and apparatus |
JP2007010383A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Institute Of Physical & Chemical Research | 柔軟触覚センサとその製作方法 |
JP2008036175A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Yamadago Hoso Kk | 合成ゴムローラ用転写パッド |
JP2008116319A (ja) * | 2006-11-03 | 2008-05-22 | Minebea Co Ltd | 3軸力センサ |
JP2011112419A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Alps Electric Co Ltd | フォースセンサ及びその実装方法 |
JP2011220865A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Alps Electric Co Ltd | フォースセンサパッケージ及びその製造方法 |
JP5583815B1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-09-03 | 株式会社フジクラ | 多層配線基板及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62102127A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 圧理分布センサ |
JPS63155674A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 分布型圧覚センサ |
JPS63217241A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 接触覚センサ |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP1253385A patent/JP2583615B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62102127A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 圧理分布センサ |
JPS63155674A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 分布型圧覚センサ |
JPS63217241A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 接触覚センサ |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5714698A (en) * | 1994-02-03 | 1998-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Gesture input method and apparatus |
JP2007010383A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Institute Of Physical & Chemical Research | 柔軟触覚センサとその製作方法 |
JP2008036175A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Yamadago Hoso Kk | 合成ゴムローラ用転写パッド |
JP2008116319A (ja) * | 2006-11-03 | 2008-05-22 | Minebea Co Ltd | 3軸力センサ |
JP2011112419A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Alps Electric Co Ltd | フォースセンサ及びその実装方法 |
JP2011220865A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Alps Electric Co Ltd | フォースセンサパッケージ及びその製造方法 |
JP5583815B1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-09-03 | 株式会社フジクラ | 多層配線基板及びその製造方法 |
US9907189B2 (en) | 2013-04-22 | 2018-02-27 | Fujikura Ltd. | Multi-layer wiring board and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2583615B2 (ja) | 1997-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5055838A (en) | Silicon tactile imaging array and method of making same | |
US4574438A (en) | Method of making pressure-sensitive transducer | |
US5383364A (en) | Three-axis acceleration sensor variable in capacitance under application of acceleration | |
EP0044342B1 (en) | Pressure sensitive piezoelectric polymer signal generator | |
US4633123A (en) | Piezoelectric polymer keyboard apparatus | |
WO2003058652A3 (en) | Electromechanical three-trace junction devices | |
KR20060013507A (ko) | 위치 검출 장치 | |
US6999009B2 (en) | Sensing keys for keyboard | |
JPH03113334A (ja) | 接触覚センサ | |
US4412209A (en) | RC Array | |
JPH0736444B2 (ja) | 触覚センサ | |
US7040182B2 (en) | Stress sensor | |
JPH0447934B2 (ja) | ||
JPS63128236A (ja) | 圧覚センサ | |
JPS63217241A (ja) | 接触覚センサ | |
JPS63113326A (ja) | 触覚センサ | |
JP4553827B2 (ja) | 着座センサ | |
US6800820B1 (en) | Mesoscale MEMS switch apparatus and method | |
JPH076860B2 (ja) | 触覚センサ | |
JPH0238830A (ja) | 接触覚センサ | |
JPS63214631A (ja) | 圧覚センサ | |
WO2009061155A1 (en) | Input apparatus for portable terminal and method for manufacturing the same | |
JPS60218045A (ja) | 把みセンサ | |
Luong et al. | Design and Fabrication of an Array of Touch Sensors for Robotic Applications | |
JPH0736445B2 (ja) | 圧覚センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |