JPH03110861U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH03110861U JPH03110861U JP1923490U JP1923490U JPH03110861U JP H03110861 U JPH03110861 U JP H03110861U JP 1923490 U JP1923490 U JP 1923490U JP 1923490 U JP1923490 U JP 1923490U JP H03110861 U JPH03110861 U JP H03110861U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- epitaxial layer
- conductivity type
- resistivity epitaxial
- low resistivity
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
Description
第１図は本案の一実施例の略断面図、第２図乃
至第７図は第１図の構造に至るまでの各工程の略
断面図である。 １……半導体基板、２……ＳｉＯ２膜、３……
レジスト、４……深い凹部、５……浅い凹部、６
……Ｎ＋型埋込拡散層、７……Ｎ型低比抵抗エピ
タキシヤル層、８……Ｎ型高比抵抗エピタキシヤ
ル層、９……Ｐ型拡散層、１０……Ｎ型拡散層。
至第７図は第１図の構造に至るまでの各工程の略
断面図である。 １……半導体基板、２……ＳｉＯ２膜、３……
レジスト、４……深い凹部、５……浅い凹部、６
……Ｎ＋型埋込拡散層、７……Ｎ型低比抵抗エピ
タキシヤル層、８……Ｎ型高比抵抗エピタキシヤ
ル層、９……Ｐ型拡散層、１０……Ｎ型拡散層。
Claims (1)
- 保護膜で覆われた第１の導電型の半導体基板に
設けた深い凹部の側壁に形成した第２の導電型の
低比抵抗エピタキシヤル層と、その上に形成され
半導体基板の表面に達する第２の導電型の高比抵
抗エピタキシヤル層とよりなる部分に形成された
受光素子及び前記の深い凹部に隣接して半導体基
板に設けた浅い凹部に形成され半導体基板の表面
に達する第２の導電型の低比抵抗エピタキシヤル
層の部分に形成された信号処理回路素子を有する
回路内蔵受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1923490U JPH03110861U (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1923490U JPH03110861U (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03110861U true JPH03110861U (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=31522365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1923490U Pending JPH03110861U (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03110861U (ja) |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP1923490U patent/JPH03110861U/ja active Pending