JPH03103390A - 赤色ＬＥＤ用ＡｌＧａＡｓエピウエハの製造方法 - Google Patents
赤色ＬＥＤ用ＡｌＧａＡｓエピウエハの製造方法Info
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- JPH03103390A JPH03103390A JP1237739A JP23773989A JPH03103390A JP H03103390 A JPH03103390 A JP H03103390A JP 1237739 A JP1237739 A JP 1237739A JP 23773989 A JP23773989 A JP 23773989A JP H03103390 A JPH03103390 A JP H03103390A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ｋｌＧａＬｓエビ層を発光層として持つ赤色
ＬＥＤ用のエビウエハの製造方法に関するものである。
ＬＥＤ用のエビウエハの製造方法に関するものである。
［従来の技術コ
赤色ＬＥＤ用のＡｊＧｓＡｓエピウエハは、通常液相エ
ビタキシャル法によって製造される。一般にはスライド
ボードを用いた徐冷法が行われているが、組成の均一性
を得るために温度差法が使用されたり、量産を目的とし
て堅型の積層方式が使用されることもある。
ビタキシャル法によって製造される。一般にはスライド
ボードを用いた徐冷法が行われているが、組成の均一性
を得るために温度差法が使用されたり、量産を目的とし
て堅型の積層方式が使用されることもある。
［発明が解決しようとする課題］
五ｇ（；ａＡｓ＋発光層をもつＬＥＤにおいて、高い輝
度を得ようとする場合に障害となる点に、ＡＩの酸化し
易さや基板とエビ層・エビ層同士の格子定数の違いなど
による結晶欠陥の発生があった。このため高輝度を得る
ためには、製造設備の構造・材質や成長時の温度制御・
ガス等に細かい注意を払う必要があり、とくに量産性を
考えて堅型積層方式を使用したり、冷却速度を速くした
りすると高輝度のエビウエハを得るのが難しくなる。
度を得ようとする場合に障害となる点に、ＡＩの酸化し
易さや基板とエビ層・エビ層同士の格子定数の違いなど
による結晶欠陥の発生があった。このため高輝度を得る
ためには、製造設備の構造・材質や成長時の温度制御・
ガス等に細かい注意を払う必要があり、とくに量産性を
考えて堅型積層方式を使用したり、冷却速度を速くした
りすると高輝度のエビウエハを得るのが難しくなる。
［ｉｌ題を解決するための手段コ
本発明は、液相エビタキシャル成長後、高輝度を得るこ
とができないようなエピウエハについても、後述の加熱
処理を加えることによって高輝度ＬＥＤを得ることがで
きる赤色ＬＥＤ用ＡｊＧａＡｓエビウエハの製造方法に
あり、基本的には、液相エピタキシャル法により成長し
たシングルヘテロ構造、またはダブルヘテロ構造をもつ
混晶比Ｘが０．２５ 〜０．４０の赤色ＬＥＤ用ＡＩ．
Ｇａ，−ｘＡｓエビウエハに対して、６００℃〜！０５
０℃の温度で１５分〜４時間の加熱処理を加えることに
より、高輝度を有する赤色ＬＥＤ用Ａ７ｘＧａ＋−ｘＡ
Ｓエピウエハを得るものである。
とができないようなエピウエハについても、後述の加熱
処理を加えることによって高輝度ＬＥＤを得ることがで
きる赤色ＬＥＤ用ＡｊＧａＡｓエビウエハの製造方法に
あり、基本的には、液相エピタキシャル法により成長し
たシングルヘテロ構造、またはダブルヘテロ構造をもつ
混晶比Ｘが０．２５ 〜０．４０の赤色ＬＥＤ用ＡＩ．
Ｇａ，−ｘＡｓエビウエハに対して、６００℃〜！０５
０℃の温度で１５分〜４時間の加熱処理を加えることに
より、高輝度を有する赤色ＬＥＤ用Ａ７ｘＧａ＋−ｘＡ
Ｓエピウエハを得るものである。
なお、上記加熱処理温度を６００℃〜１０５０℃とする
のは、通常のＡｊＸＧａｌ−ｘＡｓエビウエハの成長終
了温度が８００℃であり、それ以下の温度では効果が少
な（、１０５０℃を越えるとウエハのダメージが大きく
なるからである。
のは、通常のＡｊＸＧａｌ−ｘＡｓエビウエハの成長終
了温度が８００℃であり、それ以下の温度では効果が少
な（、１０５０℃を越えるとウエハのダメージが大きく
なるからである。
また、加熱処理時間を１５分〜４時間とするのは、！５
分以下では効果が期待できないし、４時間を越える長時
間の熱処理は、不純物の拡散による（不純物分布の変化
）接合特性の悪化が生じること、及び量産によるコスト
ダウンを狙うためには長時間の処理は不利ということか
ら限度としたものである。
分以下では効果が期待できないし、４時間を越える長時
間の熱処理は、不純物の拡散による（不純物分布の変化
）接合特性の悪化が生じること、及び量産によるコスト
ダウンを狙うためには長時間の処理は不利ということか
ら限度としたものである。
さらに、混晶比ｘ ＝ ０．２５ 〜０．４０は赤色Ｌ
ＥＤの範囲を示すものである。
ＥＤの範囲を示すものである。
以下、第１図に示す本発明を実施する装置、および第２
図に示す本発明の一実施における温度プログラムにより
、本発明の実施を説明する。
図に示す本発明の一実施における温度プログラムにより
、本発明の実施を説明する。
第１図において、１は液相エピタキシャル成長において
得られた赤色ＬＥＤ用ＡｊＧａＡｓエビタキシャルウエ
ハで、２はカーボン製の保持具、３は石英反応管を示し
、４はヒーターである。
得られた赤色ＬＥＤ用ＡｊＧａＡｓエビタキシャルウエ
ハで、２はカーボン製の保持具、３は石英反応管を示し
、４はヒーターである。
石英反応管３に、前記エビタキシャルウエハ１を複数枚
保持した保持具２を配置し、石英反応管３の外周で前記
保持具２に対応した位置にヒーター４を配する。
保持した保持具２を配置し、石英反応管３の外周で前記
保持具２に対応した位置にヒーター４を配する。
ヒーター４でエビタキシャルウエハ１を加熱し、水素ガ
ス２１７分のガス流中において、第２図の温度プログラ
ムで加熱処理を行う。
ス２１７分のガス流中において、第２図の温度プログラ
ムで加熱処理を行う。
まず、エビタキシャルウエハ１を３００℃に３０分保ち
、引続き９００℃より毎分１℃下げ８２Ｇ”Ｃまで降湿
させ、更に引続き８２０℃より毎分５℃下げ、７００℃
に到達したとき、ヒーター４を切る。
、引続き９００℃より毎分１℃下げ８２Ｇ”Ｃまで降湿
させ、更に引続き８２０℃より毎分５℃下げ、７００℃
に到達したとき、ヒーター４を切る。
９００℃に達してからヒーター４が切られる間の時間は
１３４分である。
１３４分である。
［実施例コ
赤色ＬＥＤ用に液相エビタキシャル法によって成長した
ウエハを二分割して、一方を第２図に示すような配置で
、第１図の温度プログラムによって熱処理した。
ウエハを二分割して、一方を第２図に示すような配置で
、第１図の温度プログラムによって熱処理した。
これらの熱処理をシングルヘテロ構造をもつウエハとダ
ブルヘテロ構造をもつウエハについて行ない、熱処理を
行なわなかったものと、ＬＥＤに組立てたときの輝度を
比較した。その結果は表１に示すように、どちらのウエ
ハでも熱処理による輝度の増大が見られた。
ブルヘテロ構造をもつウエハについて行ない、熱処理を
行なわなかったものと、ＬＥＤに組立てたときの輝度を
比較した。その結果は表１に示すように、どちらのウエ
ハでも熱処理による輝度の増大が見られた。
表 ｉ
熱処理を施したウエハ及び施さないウエハより作成した
ＬＥＤについて電流一電圧特性の測定を行った結果、熱
処理によってエピウエ／Ｘの活性層中の非発光再結合中
心が減少していることが確認できた。これは■格子欠陥
の減少、■歪の減少などによるものと推定される。
ＬＥＤについて電流一電圧特性の測定を行った結果、熱
処理によってエピウエ／Ｘの活性層中の非発光再結合中
心が減少していることが確認できた。これは■格子欠陥
の減少、■歪の減少などによるものと推定される。
［発明の効果コ
以上説明したように、液相エビタキシャル成長による赤
色ＬＥＤ用の▲ｆＧａＡｓエピウエハを製造する場合に
、液相エピタキシャル成長設備、条件が最適な条件でな
い場合においても、本発明による熱処理を行なうことに
より高い輝度をもつＬＥＤが得られる。このため成長条
件を犠牲にしても大量チャージが可能となるなどの効果
がある。
色ＬＥＤ用の▲ｆＧａＡｓエピウエハを製造する場合に
、液相エピタキシャル成長設備、条件が最適な条件でな
い場合においても、本発明による熱処理を行なうことに
より高い輝度をもつＬＥＤが得られる。このため成長条
件を犠牲にしても大量チャージが可能となるなどの効果
がある。
第ｌ図は本発明を実施する装置の一例を概略断面図で示
す。 第２図は本発明実施における温度プログラムの一例を示
す。 １・・・エビウエハ、２・・・エピウエハの保持具、３
・・・石英反応管、 ４・・・ヒーター。 ネ １ 凹 婆 ２ ？
す。 第２図は本発明実施における温度プログラムの一例を示
す。 １・・・エビウエハ、２・・・エピウエハの保持具、３
・・・石英反応管、 ４・・・ヒーター。 ネ １ 凹 婆 ２ ？
Claims (2)
- （１）液相エピタキシャル法により成長したシングルヘ
テロ構造、またはダブルヘテロ構造をもつ、混晶比ｘが
０．２５〜０．４０の赤色ＬＥＤ用Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿
−＿ｘＡｓエピウェハに対して、６００℃〜１０５０℃
の温度で１５分〜４時間の加熱処理を加えることを特徴
とする赤色ＬＥＤ用ＡｌＧａＡｓエピウェハの製造方法
。 - （２）請求項（１）の熱処理を水素ガス中で加えること
を特徴とする赤色ＬＥＤ用ＡｌＧａＡｓエピウェハの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237739A JPH03103390A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 赤色ＬＥＤ用ＡｌＧａＡｓエピウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237739A JPH03103390A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 赤色ＬＥＤ用ＡｌＧａＡｓエピウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03103390A true JPH03103390A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17019757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1237739A Pending JPH03103390A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 赤色ＬＥＤ用ＡｌＧａＡｓエピウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03103390A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007156176A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Sharp Corp | 表示装置及び表示装置用スタンド |
| JP2007322592A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nihon Form Service Co Ltd | モニタースタンド |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942360A (ja) * | 1972-08-28 | 1974-04-20 | ||
| JPS4946381A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-05-02 | ||
| JPS59228717A (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-22 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ひ化ガリウムエピタキシヤルウエハ及びその製造方法 |
| JPS6072289A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP1237739A patent/JPH03103390A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942360A (ja) * | 1972-08-28 | 1974-04-20 | ||
| JPS4946381A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-05-02 | ||
| JPS59228717A (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-22 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ひ化ガリウムエピタキシヤルウエハ及びその製造方法 |
| JPS6072289A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007156176A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Sharp Corp | 表示装置及び表示装置用スタンド |
| JP2007322592A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nihon Form Service Co Ltd | モニタースタンド |
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