JPH0298162A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
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- JPH0298162A JPH0298162A JP25062888A JP25062888A JPH0298162A JP H0298162 A JPH0298162 A JP H0298162A JP 25062888 A JP25062888 A JP 25062888A JP 25062888 A JP25062888 A JP 25062888A JP H0298162 A JPH0298162 A JP H0298162A
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- package
- sic
- graphite
- semiconductor package
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- Pending
Links
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体パッケージに関する。
［従来の技術］
近年、半導体は産業の米として家電製品、産業機器等多
方面に用いられているが、その性能として小型・軽量化
（高密度実装化）、高速化、高出力化、高信頼性化等の
要請はますます高まってきている。
方面に用いられているが、その性能として小型・軽量化
（高密度実装化）、高速化、高出力化、高信頼性化等の
要請はますます高まってきている。
これに対応して、半導体を支持する半導体パッケージの
材料にもさまざまな機能が求められる。
材料にもさまざまな機能が求められる。
すなわち、■高密度実装化に伴う発熱の排除、■高速化
に伴うパッケージ部分での信号の遅延、■半導体チップ
サイズの大型化によるチップとパッケージとの熱膨張差
に伴う接合の適正、■使用電圧の増大に伴うパッケージ
材料の絶縁破壊の向上環が問題となりつつある。
に伴うパッケージ部分での信号の遅延、■半導体チップ
サイズの大型化によるチップとパッケージとの熱膨張差
に伴う接合の適正、■使用電圧の増大に伴うパッケージ
材料の絶縁破壊の向上環が問題となりつつある。
こうした問題を解決する半導体パッケージの材料として
■熱伝導がよい、■電気絶縁性が優れる、■高周波特性
が良い、■熱膨張率がチップ（ＳｔまたはＧａＡｓ）に
近い、■機械的強度が大きい、■回路形成が容易、■気
密封止ができる等の特性を有することが望まれる。さら
に、工業的には■安価であることも挙げられる。
■熱伝導がよい、■電気絶縁性が優れる、■高周波特性
が良い、■熱膨張率がチップ（ＳｔまたはＧａＡｓ）に
近い、■機械的強度が大きい、■回路形成が容易、■気
密封止ができる等の特性を有することが望まれる。さら
に、工業的には■安価であることも挙げられる。
上述の特性を備えた材料として、■アルミナ磁器と銅、
銅−タングステン、モリブデン等の熱伝導性の良い金属
との複合構造体、■Ｂｅｄ、 ＡＩＮ。
銅−タングステン、モリブデン等の熱伝導性の良い金属
との複合構造体、■Ｂｅｄ、 ＡＩＮ。
ＳｉＣ等のセラミック等があるが、■は構造が複雑のた
め製造工程が長くなる。■のＢｅＯは製造工程での毒性
のあるため、またＡＩＮやＳｉＣは難焼結性材料である
ため製造条件が厳しい等で半導体パッケージの材料とし
て、コストアップは避けることができなかった。
め製造工程が長くなる。■のＢｅＯは製造工程での毒性
のあるため、またＡＩＮやＳｉＣは難焼結性材料である
ため製造条件が厳しい等で半導体パッケージの材料とし
て、コストアップは避けることができなかった。
［発明が解決しようとする課題］
従来の材料による半導体パッケージではそれぞれ一長一
短があった。
短があった。
この発明は、上述の材料としての特性を備え、かつ安価
な半導体パッケージを提供することを目的とする。
な半導体パッケージを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明はグラファイトにＳ
ｉＣコーティングした材料を用いることを特徴とする半
導体パッケージである。
ｉＣコーティングした材料を用いることを特徴とする半
導体パッケージである。
［作用コ
上述の構成において、グラフアイ１−は熱伝導性や熱膨
張率がＳｉチップに近似等の特性を有し、さらに、その
表面にＳｉＣコーティングすることで電気絶縁性および
機械的強度の向上がはかられ、またシーリングガラスに
よる封止性を容易とした。
張率がＳｉチップに近似等の特性を有し、さらに、その
表面にＳｉＣコーティングすることで電気絶縁性および
機械的強度の向上がはかられ、またシーリングガラスに
よる封止性を容易とした。
［実施例コ
実施例について図面を参照して説明する。
緻密なグラファイトにＳｉＯと反応させることによって
、表面をＳｆＣに転化させてパッケージ材料を得た。
、表面をＳｆＣに転化させてパッケージ材料を得た。
このパッケージ材料を第１図のような半導体パッケージ
とした。 ＳｉＣコーテッドグラファイトの厚みは、Ｓ
ｉＣと熱膨張率の差の小さいグラファイトを用いるが、
反りの問題から０．９〜１，０龍が下限である。
とした。 ＳｉＣコーテッドグラファイトの厚みは、Ｓ
ｉＣと熱膨張率の差の小さいグラファイトを用いるが、
反りの問題から０．９〜１，０龍が下限である。
キャップ（図示せず）、リードフレーム等の封止や接着
のためのシーリングガラスは熱膨張を合わせるため、熱
膨張係数は３５〜４５ｘ １０−’／ ’Ｃである。封
止や接着は還元性雰囲気でなされ、封止温度は４００〜
４５０℃である。
のためのシーリングガラスは熱膨張を合わせるため、熱
膨張係数は３５〜４５ｘ １０−’／ ’Ｃである。封
止や接着は還元性雰囲気でなされ、封止温度は４００〜
４５０℃である。
ダイアッタチ材料（図示せず）としては、Ａｇ−ガラス
、Ａｇ−エポキシ、Ａｇ−Ｐｄメタライズ等である。
、Ａｇ−エポキシ、Ａｇ−Ｐｄメタライズ等である。
なお、第２図および第３図のようにＳｉＣコーテッドグ
ラファイトとムライトセラミック等からなる他のセラミ
ックと組み合わせて用いることもできる。
ラファイトとムライトセラミック等からなる他のセラミ
ックと組み合わせて用いることもできる。
し発明の効果］
本発明は、以上の説明のように、熱伝導がよい、電気絶
縁性が優れる、高周波特性が良い、熱膨張率がＳｉチッ
プに近い、機械的強度が大きい、回路形成が容易、気密
封止が容易等の特性を有し、かつ工業的には安価である
パッケージ材料による半導体パッケージを提供すること
ができた。
縁性が優れる、高周波特性が良い、熱膨張率がＳｉチッ
プに近い、機械的強度が大きい、回路形成が容易、気密
封止が容易等の特性を有し、かつ工業的には安価である
パッケージ材料による半導体パッケージを提供すること
ができた。
第１図〜第３図は本実施例のパッケージ材料からなる半
導体パッケージの構成の要部の断面図である。 １・・・ＳｉＣコーチイツトグラファイト、２・・・ム
ライトセラミック、３・・・シーリングガラス、４・・
・リードフレーム。 第１（２Ｉ 第３図
導体パッケージの構成の要部の断面図である。 １・・・ＳｉＣコーチイツトグラファイト、２・・・ム
ライトセラミック、３・・・シーリングガラス、４・・
・リードフレーム。 第１（２Ｉ 第３図
Claims (1)
- グラファイトにＳｉＣコーティングした材料を用いるこ
とを特徴とする半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25062888A JPH0298162A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25062888A JPH0298162A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298162A true JPH0298162A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17210683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25062888A Pending JPH0298162A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298162A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2703828A1 (fr) * | 1993-04-09 | 1994-10-14 | Abh Technologies Sarl | Nouvel assemblage de circuits intégrés à dissipateur thermique. |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP25062888A patent/JPH0298162A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2703828A1 (fr) * | 1993-04-09 | 1994-10-14 | Abh Technologies Sarl | Nouvel assemblage de circuits intégrés à dissipateur thermique. |
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