JPH0296308A - 半導体回路用リアクトル - Google Patents
半導体回路用リアクトルInfo
- Publication number
- JPH0296308A JPH0296308A JP15251789A JP15251789A JPH0296308A JP H0296308 A JPH0296308 A JP H0296308A JP 15251789 A JP15251789 A JP 15251789A JP 15251789 A JP15251789 A JP 15251789A JP H0296308 A JPH0296308 A JP H0296308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reactor
- core
- semiconductor circuit
- magnetic alloy
- amorphous magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 14
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、電流スパイク等を抑制するための半導体回路
用リアクトルに関する。
用リアクトルに関する。
(従来の技術とその課題)
従来より、高周波領域で大電流の制御を行う、例えばス
イッチング電源等の半導体回路においては、半導体自身
の性質や他の回路的要因により、電流スパイクやリンギ
ングが発生し易いという問題があった。これらの現象は
回路動作の正常化を妨げ、ついには半導体を破壊してし
まう恐れがあった。さらに、このような急Δな電流変化
は機器のノイズの最大の原因となっていた。
イッチング電源等の半導体回路においては、半導体自身
の性質や他の回路的要因により、電流スパイクやリンギ
ングが発生し易いという問題があった。これらの現象は
回路動作の正常化を妨げ、ついには半導体を破壊してし
まう恐れがあった。さらに、このような急Δな電流変化
は機器のノイズの最大の原因となっていた。
一般に、ダイオードのような半導体装置に印加される電
圧の極性を急速に反転させると、ダイオードは一瞬ダイ
オードとしての機能を失い、逆方向に電流が流れる。短
時間(リカバリータイム)後にダイオードはその機能を
回復し、逆方向の電流は流れなくなるが、この逆方向電
流、すなわち電流スパイクが大きい場合には、ダイオー
ドが破壊されてしまうことがある。
圧の極性を急速に反転させると、ダイオードは一瞬ダイ
オードとしての機能を失い、逆方向に電流が流れる。短
時間(リカバリータイム)後にダイオードはその機能を
回復し、逆方向の電流は流れなくなるが、この逆方向電
流、すなわち電流スパイクが大きい場合には、ダイオー
ドが破壊されてしまうことがある。
また、このような電流スパイクが発生した回路にコイル
とコンデンサのような共振要素が存在すると、電流スパ
イクが長く尾を引くリンギングとなる。電流スパイクや
リンギングは、当然ながら回路の正常な動作を失わせる
。
とコンデンサのような共振要素が存在すると、電流スパ
イクが長く尾を引くリンギングとなる。電流スパイクや
リンギングは、当然ながら回路の正常な動作を失わせる
。
さらに、これらが出力に含まれるノイズ成分として働く
ほか、電流の急速な反転によって電磁波ノイズが生じる
。つまり、ノイズを電波の形で空間に輻射してしまう。
ほか、電流の急速な反転によって電磁波ノイズが生じる
。つまり、ノイズを電波の形で空間に輻射してしまう。
これら電流スパイク、リンギング、電磁波ノイズ等の問
題は、高周波領域で大電流の制御を行う、例えばスイッ
チング電源等の半導体回路において、特に深刻なものと
なる。
題は、高周波領域で大電流の制御を行う、例えばスイッ
チング電源等の半導体回路において、特に深刻なものと
なる。
近年、このようなノイズ障害に対する国際的な対策強化
の要請により、半導体使用!1174の発生ノイズを防
止する対策が強化されつつあり、ノイズの防止が重要な
問題となってきている。
の要請により、半導体使用!1174の発生ノイズを防
止する対策が強化されつつあり、ノイズの防止が重要な
問題となってきている。
このような電流スパイクやリンギングを抑制するため、
半導体回路に半導体回路用リアクトルを配置することが
行われているが、従来の半導体回路用リアクトルのコア
は、フェライトあるいはパーマロイ等で形成されている
ため、十分な抑制を行うことができなかった。
半導体回路に半導体回路用リアクトルを配置することが
行われているが、従来の半導体回路用リアクトルのコア
は、フェライトあるいはパーマロイ等で形成されている
ため、十分な抑制を行うことができなかった。
すなわちフェライト製のコアを使用した場合は、角形比
(Br /B1)および飽和磁束密度が小さいため抑制
効果が小さく、有効にするためにはコアの形状を大きく
する必要があり、パーマロイ製のコアを使用した場合は
、保磁力(Hc )が大きくて高周波化に対応できない
という難点があった。
(Br /B1)および飽和磁束密度が小さいため抑制
効果が小さく、有効にするためにはコアの形状を大きく
する必要があり、パーマロイ製のコアを使用した場合は
、保磁力(Hc )が大きくて高周波化に対応できない
という難点があった。
本発明はこのような難点を解消するためなされたもので
、ノイズを発生する原因である電流スパイクやリンギン
グを有効に防止することのできる半導体回路用リアクト
ルを提供することを目的とする。
、ノイズを発生する原因である電流スパイクやリンギン
グを有効に防止することのできる半導体回路用リアクト
ルを提供することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち本発明の半導体回路用リアクトルは、非晶質磁
性合金で形成したコアと導体とを組合せてなることを特
徴とする。
性合金で形成したコアと導体とを組合せてなることを特
徴とする。
本発明に使用するコアの材料である非晶質磁性合金とし
ては、100 k)12において、B、(1エルステツ
ドの磁場における磁束密度)が6kG以上で、保磁力(
Hc)が0.5エルステツド以下、さらに角形比(Br
/B1、Br :残留磁束密度)が0.8以上の特性を
持つ、CoaMbM’cYd(但し、式中、MはFeお
よびMnから選ばれた18の元素を M /はFeおよ
びM n以外の遷移金属から選ばれた18または28以
上の元素を、YはSl、B、PおよびCから選ばれた1
8または2種以上の元素を示し、a、bSc、rlは下
記の式を満足する数である。
ては、100 k)12において、B、(1エルステツ
ドの磁場における磁束密度)が6kG以上で、保磁力(
Hc)が0.5エルステツド以下、さらに角形比(Br
/B1、Br :残留磁束密度)が0.8以上の特性を
持つ、CoaMbM’cYd(但し、式中、MはFeお
よびMnから選ばれた18の元素を M /はFeおよ
びM n以外の遷移金属から選ばれた18または28以
上の元素を、YはSl、B、PおよびCから選ばれた1
8または2種以上の元素を示し、a、bSc、rlは下
記の式を満足する数である。
a +b +c +d −100
50≦a ≦80
0≦b ≦10
0≦C≦10)
が例示され、好ましくはM′は、Cr、NjNb、Mo
、W、Zr、Ti、V、Ta SHf’ 。
、W、Zr、Ti、V、Ta SHf’ 。
Rc s Cu s Yである。
非晶質磁性合金の特性を上述のように限定した理由は、
これらの値の範囲を外れた場合は電流スパイク等を抑制
する効果が減少することによる。
これらの値の範囲を外れた場合は電流スパイク等を抑制
する効果が減少することによる。
本発明においては、非晶質磁性合金をilil−ロール
法りリボン状にして巻回することによりトロイダルコア
を形成、あるいはリング状に打抜いたものを積層してト
ロイダルコアを形成し、このコアに複数個の巻線を施す
ことにより半導体回路用リアクトルが得られる。この半
導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入することに
より半導体回路の電流スパイクやリンギングを抑制する
ことができる。
法りリボン状にして巻回することによりトロイダルコア
を形成、あるいはリング状に打抜いたものを積層してト
ロイダルコアを形成し、このコアに複数個の巻線を施す
ことにより半導体回路用リアクトルが得られる。この半
導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入することに
より半導体回路の電流スパイクやリンギングを抑制する
ことができる。
(実施例)
次に、本発明の実施例について説明する。
実施例1
単ロール法により、Co−F e−Cr−3t−Bから
なる非晶質磁性合金リボンを得た。これに酸化マグネシ
ウム粉末を塗布して層間絶縁し、直径fia+Iliの
石英管に20回巻き、その後、この石英管を抜き取って
コアを作製した。このコアをエポキシ樹脂で被覆して絶
縁し、これに絶縁された導線を4回巻いて本発明のりア
クドルを得た。
なる非晶質磁性合金リボンを得た。これに酸化マグネシ
ウム粉末を塗布して層間絶縁し、直径fia+Iliの
石英管に20回巻き、その後、この石英管を抜き取って
コアを作製した。このコアをエポキシ樹脂で被覆して絶
縁し、これに絶縁された導線を4回巻いて本発明のりア
クドルを得た。
第1図に示すように、このようにして得たりアクドル2
をスイッチング電源回路中のダイオード1に直列に挿入
し、+00 k)tzにおける効率(スイッチング電源
からの出力/回路中のトランスへ入力)、スパイク電流
の大きさ、リンギングの程度および高周波ノイズを調べ
た。
をスイッチング電源回路中のダイオード1に直列に挿入
し、+00 k)tzにおける効率(スイッチング電源
からの出力/回路中のトランスへ入力)、スパイク電流
の大きさ、リンギングの程度および高周波ノイズを調べ
た。
さらに、上述のコアに2本の絶縁された導線を巻き、外
部磁場1エルステツド下で交流磁場測定装置を用いて1
00kHzにおける交流ヒステリシス曲線を求め、この
曲線からBT5保磁力および角形比を求めた。
部磁場1エルステツド下で交流磁場測定装置を用いて1
00kHzにおける交流ヒステリシス曲線を求め、この
曲線からBT5保磁力および角形比を求めた。
また、本発明との比較のため、フェライトまたはパーマ
ロイからなるコアを有するリアクトルについて同様の試
験を行った。さらに、リアクトルを用いない回路につい
てもスパイク電流の大きさ、リンギングの程度および高
周波ノイズを調べた。
ロイからなるコアを有するリアクトルについて同様の試
験を行った。さらに、リアクトルを用いない回路につい
てもスパイク電流の大きさ、リンギングの程度および高
周波ノイズを調べた。
これらの結果を合せて第1表に示す。
(以下余白)
第1表
実施例2
第2表に示す各組成の非晶質合金について単ロール法に
より長尺リボンを作製し、各長尺リボンを外径7ma+
X内径6mrAX高さ4ffllのトロイダル状コア
にそれぞれ巻回後熱処理を行い、100 kHzのB1
、He SBr /B+を測定した。その結果を合せて
第2表に示す。
より長尺リボンを作製し、各長尺リボンを外径7ma+
X内径6mrAX高さ4ffllのトロイダル状コア
にそれぞれ巻回後熱処理を行い、100 kHzのB1
、He SBr /B+を測定した。その結果を合せて
第2表に示す。
(以下余白)
第2表から明らかなように、全ての試料について、B1
上6kG、Br/B1上80%、He≦ 0.5エルス
テツドを満足していることがわかる。これらの試料につ
いて、全て実施例1と同様にフライホイールダイオード
に直列に挿入してスイッチング電源とし、too kH
zにおける効率η(出力/入力)を求めたところ、全て
78%〜80%であった。
上6kG、Br/B1上80%、He≦ 0.5エルス
テツドを満足していることがわかる。これらの試料につ
いて、全て実施例1と同様にフライホイールダイオード
に直列に挿入してスイッチング電源とし、too kH
zにおける効率η(出力/入力)を求めたところ、全て
78%〜80%であった。
また、このダイオード回路においては、電流スパイクお
よびリンギングは見られず、回路動作を正常化すること
ができた。
よびリンギングは見られず、回路動作を正常化すること
ができた。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の半導体回路用リアクトルを
、半導体に直列に挿入することにより電流スパイクおよ
びリンギングを抑制することができ、ノイズの発生を防
止して回路動作を正常化し、半導体を保護することが可
能となる。
、半導体に直列に挿入することにより電流スパイクおよ
びリンギングを抑制することができ、ノイズの発生を防
止して回路動作を正常化し、半導体を保護することが可
能となる。
第1図は、本発明のりアクドルの性能試験に用いた回路
を示す図である。 ]・・・・・・ダイオード、2・・・・・・リアクトル
。
を示す図である。 ]・・・・・・ダイオード、2・・・・・・リアクトル
。
Claims (3)
- (1) 非晶質磁性合金で形成したコアと導体とを組合
せてなることを特徴とする半導体回路用リアクトル。 - (2) 非晶質磁性合金は、100kHzにおいてB_
1≧6kG 保磁力(Hc)≦0.5エルステッド 角形比(Br/B_1)≧0.8 の特性を持つものである特許請求の範囲第1項記載の半
導体回路用リアクトル。 - (3) 非晶質磁性合金は、一般式 CoaMbM′cYd (但し、式中、MはFeおよびMnから選ばれた1種の
元素を、M′はFeおよびMn以外の遷移金属から選ば
れた1種または2種以上の元素を、YはSi、B、Pお
よびCから選ばれた1種または2種以上の元素を示し、
a、b、c、dは下記の式を満足する数である。 a+b+c+d=100 50≦a≦80 0≦b≦10 0≦c≦10) で表されるものである特許請求の範囲第1項または第2
項記載の半導体回路用リアクトル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1152517A JPH061733B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | スイッチング回路用リアクトル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1152517A JPH061733B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | スイッチング回路用リアクトル |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6283951A Division JP2633813B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | スイッチング回路用リアクトルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0296308A true JPH0296308A (ja) | 1990-04-09 |
JPH061733B2 JPH061733B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=15542176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1152517A Expired - Lifetime JPH061733B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | スイッチング回路用リアクトル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH061733B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010200401A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Nissan Motor Co Ltd | スイッチング回路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS553695A (en) * | 1978-06-06 | 1980-01-11 | Vacuumschmelze Gmbh | Induction electric device and method of manufacturing same |
JPS5646516A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-27 | Tdk Corp | Inductor for power supply line filter |
JPS5982709A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | インバ−タトランス用コア |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1152517A patent/JPH061733B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS553695A (en) * | 1978-06-06 | 1980-01-11 | Vacuumschmelze Gmbh | Induction electric device and method of manufacturing same |
JPS5646516A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-27 | Tdk Corp | Inductor for power supply line filter |
JPS5982709A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | インバ−タトランス用コア |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010200401A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Nissan Motor Co Ltd | スイッチング回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH061733B2 (ja) | 1994-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6075438B2 (ja) | Fe基ナノ結晶軟磁性合金を用いた環状磁心、及びそれを用いた磁性部品 | |
US5850336A (en) | Apparatus having an inverter | |
CA1115793A (en) | Magnetic core with magnetic ribbon in gap thereof | |
US4366520A (en) | Differential transformer core for pulse currents | |
US4834816A (en) | Metallic glasses having a combination of high permeability, low coercivity, low ac core loss, low exciting power and high thermal stability | |
US5284528A (en) | Metallic glasses having a combination of high permeability, low coercivity, low ac core loss, low exciting power and high thermal stability | |
JP2005028450A (ja) | 飽和可能リアクトルを備えた電気アーク溶接機の電源 | |
US5110378A (en) | Metallic glasses having a combination of high permeability, low coercivity, low ac core loss, low exciting power and high thermal stability | |
JPH0296308A (ja) | 半導体回路用リアクトル | |
JP5004260B2 (ja) | 外鉄型パワートランスおよびこれを用いた電力変換装置 | |
JP2633813B2 (ja) | スイッチング回路用リアクトルの製造方法 | |
WO2005036568A1 (en) | Controllable inductive device | |
JPS59150414A (ja) | 半導体回路用リアクトル | |
JP7082753B2 (ja) | 電子回路、及び、ノイズフィルタの設置方法 | |
JPH02295101A (ja) | インタフエース変成器用磁心 | |
JPS60220916A (ja) | 半導体回路用リアクトル | |
JP2016225589A (ja) | 限流回路用インダクタ | |
JP2854846B2 (ja) | 半導体回路の製造方法 | |
JP2835127B2 (ja) | 磁心およびその製造方法 | |
JPS6276607A (ja) | 磁心 | |
Tanigawa et al. | Electrical characteristics of spiral coil planar inductors using amorphous alloy ribbons as magnetic layers | |
JPH04249301A (ja) | コンバータ | |
JPS63239907A (ja) | 発振トランス用磁心 | |
CN116417224A (zh) | 铁芯结构及电压变换器 | |
JPS60165705A (ja) | 巻磁心 |