JPH0294688A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0294688A JPH0294688A JP24801488A JP24801488A JPH0294688A JP H0294688 A JPH0294688 A JP H0294688A JP 24801488 A JP24801488 A JP 24801488A JP 24801488 A JP24801488 A JP 24801488A JP H0294688 A JPH0294688 A JP H0294688A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser chip
- conductor
- heat sink
- stem
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 2
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- 101150071746 Pbsn gene Proteins 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、特に半導体レーザの熱抵
抗低減化を図った半導体レーザに関する。
抗低減化を図った半導体レーザに関する。
従来半導体レーザは、第３図に示すように、ステム１４
に接着したヒートシンク１３上に半導体レーザチップ１
２を接着した構成となっており、外部の電源と電気的接
続をとるための端子１５への接続はボンディング線１１
を使用していた。
に接着したヒートシンク１３上に半導体レーザチップ１
２を接着した構成となっており、外部の電源と電気的接
続をとるための端子１５への接続はボンディング線１１
を使用していた。
上述した従来の半導体レーザは、半導体レーザチップ上
面は電極をとるためのボンディング線１１が接続されて
いるだけであり、このボンディング線は一般に、直径数
十μｍのＡＪ線やＡｕ１ｉであるため、半導体レーザチ
ップで発生した熱の多くはヒートシンク１３側より放出
され半導体レーザチップの上部面からの放散は少ないと
いう欠点があった。。
面は電極をとるためのボンディング線１１が接続されて
いるだけであり、このボンディング線は一般に、直径数
十μｍのＡＪ線やＡｕ１ｉであるため、半導体レーザチ
ップで発生した熱の多くはヒートシンク１３側より放出
され半導体レーザチップの上部面からの放散は少ないと
いう欠点があった。。
本発明は半導体レーザチップ上部からの熱放散をよくし
、熱抵抗の低減を図ることを目的としている。
、熱抵抗の低減を図ることを目的としている。
本発明の半導体レーザは、ヒートシンク上に接着された
半導体レーザチップ上面に、少くとも半導体レーザチッ
プ上面の面積以上の面積を有する導体を接着したことを
特徴とする構成になっている。
半導体レーザチップ上面に、少くとも半導体レーザチッ
プ上面の面積以上の面積を有する導体を接着したことを
特徴とする構成になっている。
〔実施例１〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の図である。半導体レーザチ
ップ１は、表面に金を蒸着した絶縁性の８１から成るヒ
ートシンク３上に接着されている。半導体レーザチップ
上面はＰｂ５ｎソルダー２を介して銅のリボンがら成る
導体４が接着している。導体４の幅は半導体レーザチッ
プの幅と同じであり、その端部は端子１５を介してステ
ム５に接続し、半導体レーザチップの一方の電極となっ
ている。半導体レーザチップのもう一方の電極はＡｊＩ
（図示せず）を用いてヒートシンク表面から取り出して
端子（図示せず）に接続している。
ップ１は、表面に金を蒸着した絶縁性の８１から成るヒ
ートシンク３上に接着されている。半導体レーザチップ
上面はＰｂ５ｎソルダー２を介して銅のリボンがら成る
導体４が接着している。導体４の幅は半導体レーザチッ
プの幅と同じであり、その端部は端子１５を介してステ
ム５に接続し、半導体レーザチップの一方の電極となっ
ている。半導体レーザチップのもう一方の電極はＡｊＩ
（図示せず）を用いてヒートシンク表面から取り出して
端子（図示せず）に接続している。
本実施例では導体４を端子を介してステムと接続してい
るため、半導体レーザチップで発生した熱は導体を介し
ても放出され、放散性を高めるという利点がある。特に
、半導体レーザチップをジャンクション・アップ（Ｊｕ
ｎｃｔｉｏｎ ＵＰ）としてヒートシンクにマウントし
た場合、熱放散は、ヒートシンクへの熱の伝わりが悪い
ため従来に比べ上部からの放散効果は大きく、熱抵抗の
低減が可能となり、特性改善が図られる。
るため、半導体レーザチップで発生した熱は導体を介し
ても放出され、放散性を高めるという利点がある。特に
、半導体レーザチップをジャンクション・アップ（Ｊｕ
ｎｃｔｉｏｎ ＵＰ）としてヒートシンクにマウントし
た場合、熱放散は、ヒートシンクへの熱の伝わりが悪い
ため従来に比べ上部からの放散効果は大きく、熱抵抗の
低減が可能となり、特性改善が図られる。
〔実施例２〕
第２図は本発明の第２の実施例を示す図である。半導体
レーザチップ１にＰｂ５ｎソルダー２を介して接着した
銅ブロックの導体６は、半導体レーザチップ１よりも大
きく、端部はどこにも接続していない。半導体レーザチ
ップ１が接着しているヒートシンク７は銅ブロックから
成り、ステムに電気的に接続し、半導体レーザチップの
一方の電極となっている。半導体レーザチップのもう一
方の電極は導体６から取り出し、Ａｌ線（図示せず）を
介して、ステム５と絶縁されている端子（図示せず）に
接続している。
レーザチップ１にＰｂ５ｎソルダー２を介して接着した
銅ブロックの導体６は、半導体レーザチップ１よりも大
きく、端部はどこにも接続していない。半導体レーザチ
ップ１が接着しているヒートシンク７は銅ブロックから
成り、ステムに電気的に接続し、半導体レーザチップの
一方の電極となっている。半導体レーザチップのもう一
方の電極は導体６から取り出し、Ａｌ線（図示せず）を
介して、ステム５と絶縁されている端子（図示せず）に
接続している。
本実施例においても半導体レーザチップで発生した熱は
導体を介して放出され熱放散効率が向上する。
導体を介して放出され熱放散効率が向上する。
尚、本実施例では導体はどこにも接続しなかったが、こ
の導体をＡｆｆｌＩｉｌの替りにステムと絶縁されてい
る端子に直接接続してもよい。この場合は熱放散効率が
より一層向上する。
の導体をＡｆｆｌＩｉｌの替りにステムと絶縁されてい
る端子に直接接続してもよい。この場合は熱放散効率が
より一層向上する。
以上説明したように本発明は、半導体レーザチップ上面
に設けた導体により半導体レーザチップで発生した熱の
放散性をよくすることができるという効果がある。
に設けた導体により半導体レーザチップで発生した熱の
放散性をよくすることができるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は本発
明の第２の実施例を示す図、第３図は従来の半導体レー
ザを示す図である。 １．１２・・・半導体レーザチップ、２・・・Ｐｂ５ｎ
ソルダー、３，７．１３・・・ヒートシンク、４．６・
・・導体、５，１４・・・ステム、１１・・・ボンディ
ング線。
明の第２の実施例を示す図、第３図は従来の半導体レー
ザを示す図である。 １．１２・・・半導体レーザチップ、２・・・Ｐｂ５ｎ
ソルダー、３，７．１３・・・ヒートシンク、４．６・
・・導体、５，１４・・・ステム、１１・・・ボンディ
ング線。
Claims (1)
- ステムに接着したヒートシンク上に半導体レーザチップ
を備え、さらに半導体レーザチップ上面に当該半導体レ
ーザチップ以上の幅を有する導体を具備したことを特徴
とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24801488A JPH0294688A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24801488A JPH0294688A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294688A true JPH0294688A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17171913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24801488A Pending JPH0294688A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0294688A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008047933A1 (en) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | C.I.Kasei Company, Limited | Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24801488A patent/JPH0294688A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008047933A1 (en) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | C.I.Kasei Company, Limited | Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same |
| US8088635B2 (en) | 2006-10-17 | 2012-01-03 | C.I. Kasei Company, Limited | Vertical geometry light emitting diode package aggregate and production method of light emitting device using the same |
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