JPH0294498A - Ｎｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材及びその製
造方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、超電導を利用した磁気シールド材として第１種超
電導体及び第２ｆ！！超電導体が用いられていた。両者
は磁場の強さによって使い分けられ、第１種超電導体は
マイスナー効果によりかなり低い磁場までではあるが完
全に磁気シールドすることかできる。第２１！！超電導
体は下部臨界磁場（ｌＩｃ＋）と上部臨界磁場（ｌＩｃ
２）を有し、１１ｃ１まではかなり低い磁場ではあるが
マイスナー効果により完全磁気シールドすることができ
る。（１ｃ１から１１ｃ２の間では超電導状態と常電導
状態の混合状態となり磁気シールドを行うことができる
が、ＨＣ２がきわめて高く高磁場の磁気シールドも可能
である。

従来、第２種超電導体であるＮｂ−Ｔｉ系超電導材を用
いた磁気シールド材は、単独では超電導特性が不安定な
ため銅やアルミニウムの高導電金属を被覆したり、交互
に積層した構造を有し、一般的にテープ状やシート状の
形状をしていた。

（発明が解決しようとする課題） Ｎｂ−Ｔｉ系合金においては、磁気シールド特性は超電
導体内部に侵入してぎた磁束を析出粒子や転位網のよう
なピニングサイトで捉える力が強いほど高くなる。特に
、適切な熱処理と冷間加工の組合せによってα−Ｔｉの
微細粒の析出が最適な大きさと配分で行われると、磁気
シールド特性は大巾に向上する。

一方、超電導材には超電導特性を安定化させるために銅
やアルミニウム等の高導電金属を密着させることが必要
である。これは、超電導層内部への磁束の急激な侵入に
よって発熱が生じるが、高導電金属層が超電導層の両側
に密着していることによってすみやかに外部の液体ヘリ
ウム中に放散させることができることによる。高導電金
属を密着させたのちに上記のような磁気シールド特性向
上のための熱処理を行うと、両者間に金属元素の拡散を
生じて界面に脆い金属間化合物、たとえばＣｕ／Ｎｂ−
Ｔｉ超電導材においてはＣｕ−Ｔｉ化合物等を形成し、
その後の加工が不可能になったり、わずかな歪みにも材
料破壊を生じたりする。また、超電導材の成分組成が変
化して超電導特性が劣化したり、高導電金属中に不純物
元素が拡散し°Ｃ導電性が悪くなり、安定化特性が低下
したりもする。

したがって、従来利用されてきた高導電金属と超電導材
の薄膜を交互に複合一体化させた構造の磁気シールド材
では、複合一体化後に熱処理を行うことはほぼ不可能で
あり、さらなる磁気シールド特性の向上は望めなかった
。

そこで、従来超電導材のみにあらかじめ適切な熱処理ま
たは加工を施した後、半田付け、クラット、または蒸着
、スパッタリング、メツキ等を行うことも試みられたが
、半田付けの場合その導電率が銅やアルミニウムに比し
てあまり良好でないため安定化特性が劣っていた。さら
にはその機械的強度も低く、密着強度が劣っていた。ま
た、クラッドはある程度の熱間で加工を行わないとその
金属的密着性が良くならないが、不必要な熱が加わるた
めせっか＜Ｎｂ−Ｔｉ中に析出した微細粒子が粗大化し
てしまい、磁気シールド特性が低下してしまうという問
題があった。さらに、蒸着、スパッタリング、メツキ等
の方法では比較的容易に付着させることができ、密着性
もまあまあであるが、薄膜に適し、厚く十分な量を付着
させるには時間がかかりすぎる、コストがかさむ、多層
化が容易でない等の問題があった。

上記課題に鑑み、本発明は高導電金属を自由な体積比率
でＮｂ−Ｔｉ系合金超電導材に複合一体化させることが
でき、両者交互の多層化も容易で、複合一体化させて良
好な金属的密着性を得た後に適当な熱処理または加工を
行うことが可能であり、それによってより一層高い磁気
シールド特性を有するＮｂ−Ｔｉ系超電導ｌｉｎ気シー
ルド材及びその製造方法を１是供するものである。

（課題を解決するための手段） 本発明の超電導１ｉｉ１気シールド材は、少なくとも１
層のＮｂ−Ｔｉ系合金と導電率の高い金属とが交互に積
層され、かつ前記Ｎｂ−Ｔｉ系合金層と前記導電率の高
い金属層の間にはすべてＮｂまたはＴａのバリヤー層が
存在することを特徴とするＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シー
ルド材である。導電率の高い金属が銅またはアルミニウ
ムのうちいずれかであること、Ｎｂ−Ｔｉ系合金が、Ｎ
ｂ−Ｔｉ、　Ｎｂ−Ｔｉ−Ｚｒ、Ｎｂ　−Ｔｉ　−Ｔａ
のうちのいずれか１種であることは好ましい。また、本
発明の磁気シールド材の製造方法は、導電率の高い金属
からなる筺体状または円筒状中空体中に、ＮｂまたはＴ
ａの箔で被覆したＮｂ−Ｔｉ系合金の板を少なくとも一
層前記導電率の高い金属と交互に積層するよう充填し、
充填率を６０％以上としてから前記導電率の高い金属で
端部をふさぎ、内部を真空状態にして溶接密封し一体化
複合体とし、この一体化複合体に加工率３０〜９８％、
温度５００〜１０００℃の熱間加工を施し、３００〜４
５０℃の温度で保持時間が１〜１６８時間の熱処理と、
加工率が３０〜９８％である冷間加工を施して板状また
は箔状とすることを特徴とするＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気
シールド材の製造方法である。熱処理及び冷間加工を６
回以下交互に繰り返すことは好ましい。

（作　用） 本発明の磁気シールド材は、第３図に示すように少なく
とも１層のＮｂ−Ｔｉ系合金層と銅またはアルミニウム
の層を交互に積層した層構造を有する板状または箔状の
超電導磁気シールド材であるため、単層の同一構造の超
電導磁気シールド材に比べて大巾にシールド特性が向上
する。

そのことは次のような理由による。すなわち、外部磁場
Ｂ、にさらされる１層目でΔＢ　（１）シールドされる
とすると、２層目にかかる磁場はＢｌ−ΔＢ（１）であ
り、ここでΔＢ（２）シールドされるとすると３層目に
かかる磁場はＢ、−ΔＢ　（１）−ΔＢ（２）となる。

したがって、ｎ層のシールド層を透過した後の残留磁場
Ｂ２は以下の式で表わされる。

また、ΔＢ　（ｎ）は第５図のΔＢに相当し、同図に示
されるように、Ｂ、が６８ｍ以下の場合は１層目のマイ
スナー効果だけで完全ｔｎ気シールドできるので問題は
ないが、６８ｍ以上ではＢ１が小さくなるほどΔＢが指
数関数的に大きくなるため、ΔＢ　（ｎ）に関してもｎ
値が大きくなるほどシールド特性上は有利となる。実用
上はＢ１が６８ｍ以上であることがほとんどなので、多
層であることは非常に有利である。

しかしながらΔＢがあまりに小さいとｎをいくら増やし
てもほとんど効果がなく、ΔＢを大ぎくする、すなわち
１層当りのシールド特性を上げることも重要である。そ
のために最適なのが本発明の製造方法である。その中で
はＣｕ−Ｔ＋化合物が生成しつる温度でのかなり長時間
の熱処理が必要であるが、この化合物が生成するとすで
に述べたように加工性が悪くなり、その後の良好な加工
が不可能になる。ここで高導電金属層とＮｂ−Ｔｉ系合
金層との間に存在するＮｂまたはＴａのバリヤー層は、
熱処理中における両者間の金属元素の拡散を防止するこ
とができ、したがって本発明の磁気シールド材において
は良好な加工性を保ちつつ高い磁気シールド特性を得る
ことができる。加工性が良いためシールド材の厚さを数
１０μオーダーまで薄くすることができ、シールド材の
ｌ１ｆｆｉ化が図れる上に、シールド材単位面積当りの
材料費も低減させることができる。

導電率の高い金属は超電導特性の安定性を高めるために
用いられるが、高い導電率、熱伝導率のほかに工業的用
途に用いるためコストも考慮して銅とアルミニウムが最
適である。

また、Ｎｂ−Ｔｉ系合金としては、加工性か良く適当な
条件さえ選べば磁気シールド特性も高いＮｂ−Ｔｉ、　
Ｎｂ−Ｔｉ−１ｒ、　Ｎｂ−Ｔｉ−Ｔａの各合金のいず
れかが最適である。

本発明の製造方法は、第１図（ｂ）に示すように導電率
の高い金属の筺体状の中空体３の中にＮｂＴｉ系合金の
板１と導電率の高い金属の板４を交互に積層する方法で
あるので、両者の体積比率を自由に選ぶことができ、多
層化も容易でその層数も自由に増やすことができる。Ｎ
ｂ−Ｔｉ系合金の板を１層のみ挿入する場合を第１図（
ａ）に示す。ここで中空体３内部の充填率を６０％以上
とするのは、６０％未満では加工初期に各部材にゆがみ
が生じ、密着性が悪くなったり材料破壊が生じたりする
からである。中空体３の形状としては、第１図にあるよ
うな筺体状のほかに第６図に示すような円筒状のものも
可能である。

また、第１図（ａ）及び（ｂ）　　に示すように、Ｎｂ
Ｔｉ系合金の板１は全表面にＮｂまたはＴａの箔２を巻
回被覆しており、これが熱間加工や熱処理の際Ｎｂ−Ｔ
ｉ系合金と導電率の高い金属間の拡散バリヤーとなり、
Ｃｕ−Ｔｉのような有害な化合物の形成を防止するため
良好な加工性を有し、かつ十分な熱処理を行って高い６
１１気シールド特性を得ることができる。

また、第２図（ａ）及び（ｂ）　に示すように筺体状の
中空体３の端部にＭ５をし、内部を真空にして電子ビー
ム溶接等で密封するので、その後の熱間加工や熱処理の
際に内部酸化することがなく、各部材間の良好な金属的
密着性が得られて加工性の良い一体化複合体が得られる
。

第２図（ａ）に示すＮｂ　　Ｔｉの単層複合体を加工し
て薄板状にした後、第２図（ｃ）　に示すように積層密
封し、加工して第３図のような多層磁気シールド材７と
することも可能である。

前記一体化複合体に熱処理及び加工を施す前に熱間加工
を施すのは、ある程度加熱して各部材を軟らかくしたう
えで圧延、鍛造、押出等の方法で圧着させ、良好な金属
的密着性を得るためである。そのンａ度を５００〜１０
００℃とするのは、５００℃未満では各部材、特に軟化
温度の高いＮｂ−Ｔｉ系合金がまだ固く十分な密着性が
得られず、１０００℃を越えると導電率の高い金属のう
ちの銅が融点に近付いて軟らかくなりすぎ、Ｎｂ−Ｔｉ
系合金の硬さとの不整合が大ぎくなって密着性が低下す
ることによる。たｈし、融点が６６０℃と低いアルミニ
ウムを用いる場合、それ以下の温度で熱間加工するのは
もちろんである。また、その加工率を３０〜９８％とす
るのは、３０％未満では温度が高くても十分な密着性が
得られにくく、９８％を越えると磁気シールド特性の向
上に必要な冷間加工率が得られなくなるためである。

熱処理温度を３００〜４５０℃とするのは、３００℃未
満では重要なピニングサイトとなるα−Ｔｉ微細粒子の
析出速度が小さ過ぎ、時間がかかりすぎるからであり、
４５０℃を越えた場合には析出粒子が粗″大化してしま
い、かえって磁気シルト特性の低下をまねくためである
。熱処理１回当りの保持時間を１〜１６８時間とするの
は、１時間未満では析出の絶対量が足らず、１６８時間
を越えた場合にはほとんど飽和してしまい、そわ以上時
間を延はしても顕著な効果が得られないからである。

また、析出の！５区動力となるのは冷間加工によって導
入された転位、空孔等の格子欠陥であり、熱部ｙ里の前
にある不呈度のン令間カロエをｈｆ！ｉ　しておくと層
の効果があり、なおかつ冷間加工と熱処理を交互に繰り
返すことはより一層の効果がある。この繰り返し回数を
６回以下としたのは、６回を越えると各熱処理間の冷間
加工率を十分大きくとれなくなり、その効果もやはり頭
打ちとなるからである。

さらに、熱処理と冷間加工を交互に複数回施す場合、各
熱処理間または最終形状に至るまでの１回当りの冷間加
工率を３０〜９８％とするのは、３０％未満では導入さ
れる格子欠陥の量が不十分で熱処理の効果を生かすこと
ができす、９８％を越えると材料の一部または全体が破
壊されて加工不良が生じたり、加ニスタート時の厚さが
大きくなりすぎて現実的には製造不可能になったりする
からである。

（実施例） 実施例１ 第１図（ｂ）　に示すように厚さＯ，１ｍｍのＮｂのＶ
３２を表面に巻回被覆した厚さ５ｍｍ、巾１００ｍｍ、
長さ１５０＋Ｉ１ｍのＮｂ　−４６ｗｔ％Ｔｉ合金の板
１を３枚と同じサイズの無酸素銅の板４を２枚、外サイ
ズが厚さ３７＋ｎｍ、巾１１２ｍｍ、長さ１７２ｍｍ、
内サイズが厚さ２７　ｍｍ、巾１０２ｍｍ、長さ１７２
ｎ＋ｍの無酸素銅でできた筺体状の中空体３の中に交互
に挿入し、第２図（ｂ）に示すように中空部に適合した
サイズで、かつ真空引きの通路となる小溝を付けた無酸
素銅の蓋５で中空体３の両端部をふさぎ、真空引ぎしな
がらその合わせ目を電子ビーム溶接して密封した一体化
複合体とした。

しかる後温度７５０℃まで加熱し、熱間圧延にて１７さ
１７ｍｍまで加工し、その後冷間圧延と熱処埋を第１表
に示すように施して厚さ５０μ、直径５０ｍｍの円板状
サンプルとして磁気シールド特性を測定した。その測定
の方法は、第４図に示すように磁気シールドサンプル８
を外部磁場Ｂ１中に垂直にセットし、サンプルを透過し
てくる残留磁場８２をホール素子にて測定し、以下の式
で得られるΔＢの大きさで磁気シールド特性を評価した
。その結果を第１表に示す。

ΔＢ　＝Ｂｌ−８２ また、ΔＢはＢ１がある値までは超電導体が完全磁気シ
ールドをするのでほぼΔＢ＝８．の関係でΔＢは増加す
るが、あるところでピークをうち、以後磁束が超電導体
内部に侵入するため漸減する。そこで、このΔＢのピー
ク値を６８ｍとして磁気シールド特性を評価する指標と
した。Ｂ、とΔＢの関係を第５図に示す。

尚、第１表における中間加工率とはある熱処理と次の熱
処理の間に行う冷間加工率のことであり、最終加工率と
は最後の熱処理から最終サイズに至るまでの冷間加工率
のことである。

第１表 ＊保持時間、中間加工率は繰返し数１回当りの値。

Ｎ００１〜３において熱処理温度が比較的低い場合は保
持時間をかなり長＜シ（Ｎｏ、１）、高い場合には保持
時間を短か目にして繰り返し回数を増やす方が（Ｎｏ　
、　３　）　Ｉｉｊ、？気シールド特性は向上する。両
者の中間である　Ｎｏ、２にて特性的には非常に高い値
が得られた。比較例であるＮＯ３４〜８では、熱処理条
件のうちＮ０１４のように温度をさらに低くすると特性
は大幅に低下し、　Ｎ０１５のように温度をさらに高く
してもやはり低下する。Ｎｏ、６．７のように保持時間
を１時間未満にすると、繰り返し回数を増やしても（Ｎ
ｏ、６．　７）　、温度を高くしてもｆＮｏ、７）特性
はぎわめて低い。Ｎｏ、　８のように保持時間を１６８
時間（７日間）を越えて熱処理しても、　ＮＯ３１によ
り特性は若干低下している。

そこで、　Ｎｏ、９〜１１では保持時間を短くして繰り
返し回数を増やし、きわめて良好な特性を得た。そのＮ
ｏ、１１と他は同じ条件で繰り返し回数だけを１回増や
した比較例Ｎｏ、１２では、最終加工の途中で加工不能
となった。さらにＮｏ、１２と他は同じ条件で保持時間
だけを若干短くした比較例Ｎｏ、１３では、加工は最後
まで行なうことができたが、特性的には低下傾向にある
。

Ｎｏ、２と他は同じ条件で各熱処理間の加工率を小さく
したＮｏ、１４では、　Ｎｏ、２に比へると若干低いが
ΔＢｍ＝　０．４とかなり高い特性か得られた。

また、中間加工率を９６％としたＮｏ、１５では元サイ
ズが限られているため繰り返し回数は２回にせざるをえ
なかったが、それでもΔＢ＋＋＋で０．３を越えること
ができた。中間加工率を９９％にした比較例Ｎｏ、１６
では最終加工の途中で加工不能となった。

Ｎｏ、２と他は同じ条件で最終加工率を小さくしたＮｏ
、１７では、Ｎｏ、２に比へると低いが、それでも６８
ｍで０．３を越えることができた。また、最終加工率を
９６％としたＮｏ、１８ではきわめて良好な特性が得ら
れているが、Ｎｏ、２の最終加工率７０％を９６％まで
上げるのに要した労力の割には特性はほとんど横ばいと
いってよく、コスト的にはひとあわな゛いことがわかる
。さらに、最終加工率を３０％に下げた比較例Ｎｏ、１
９では特性的にはＮｏ、１７よりもさらに低下傾向にあ
り、最終加工率を９９％まで上げるべく加工した比較例
Ｎｏ、２０では、途中の９８％のところで材料破壊が生
じ加工不能となった。

実施例２ 実施例１と同じ要領で一体化複合体（第１図（ｂ））を
作成し、その後の加工を他は同じ条件で熱間加工（この
場合は熱間圧延）の条件のみを第２表のように変えて加
工性及び磁気シールド特性を調べた。加工性は第１表Ｎ
ｏ、２と同じ熱処理及び冷間圧延を施し、厚さ５０μの
最終サイズまで良好に加工できたものを◎、途中でコバ
割れ、ピンホール、破断等の欠陥の生したものを、その
発生サイズ及び欠陥の大きさ、頻度等で順次○、△、Ｘ
の記号をしるした。その結果を第２表に示す。

第２表 Ｎｏ、２１〜２４は熱間加工率を実施例１と同じ５４％
にし、加熱温度だけを変えた。その結果Ｎｏ、２２が最
も良好で、欠陥はほとんど発生せず、磁気シールド特性
も良好であった。Ｎｏ、２３は加熱温度をかなり高くし
たが、加工性はＮ。

２２とほぼ同等であり、特性はやや低下した。

Ｎｏ、２１は加熱温度をかなり低くしたので、特性は非
常に良好であるが、やはり密着性が低下し、種々の欠陥
が発生した。比較例Ｎｏ、２４はＮｏ。

２１よりさらに加熱温度を低くしたため密着性が非常に
悪く、最終サイズまで至らなかった。比較例Ｎｏ、２５
では加熱温度が高過ぎて、熱間圧延中に加工発熱で銅が
解ける現象か発生した。

また、　Ｎ０１２６〜２９の加熱温度はＮｏ、２１〜２
３のうち加工性および特性の両面からみて最も良好だっ
た７５０℃に固定し、熱間加工率だけを変えた。その結
果、Ｎｏ、２６は特性は良好であるか、密着性不足によ
ると思われる欠陥が若干発生した。　Ｎｏ、２７は熱間
加工率をきわめて高くしたためにその分玲間加工率が低
下したが、それでも６８ｍは０．３・を越えることがで
きた。比較例Ｎｏ。

２８は、Ｎｏ、２６よりさらに熱間加工率を小さくした
ために、密着性不足で材料破断が相次ぎ、最終サイズま
で加工できなかった。比較例Ｎｏ、２９は熱間加工率を
大きくしすぎたために、その分最終熱処理後の冷間加工
率が４６％にとどまり、加工性はまあまあ良好ではあっ
たか特性は著しく低かった。

実施例３ 実施例１と同じ要領で一体１ヒ複合体（第１図（ｂ））
を作成した際にその充填率を第３表のように変え、Ｎｏ
、２と同じ条件で熱処理、加工を施してその加工性を調
査した。その評価は実施例２と同様に行なった。その結
果を第３表に示す。尚実施例１の各一体化複合体の充填
率はいずれも９５％である。

第３表 Ｎｏ、３０は最終サイズ近くで若干の欠陥を生したがま
あまあの良好な加工性を有していた。しかし、比較例Ｎ
ｏ、３１では内部の密着不良に起因すると思われる材料
の破断等が頻発し、加工性は非常に悪かった。

実ｈｈ例４ 実施例１と同じ要領で一体化複合体（第１図（ｂ））を
作成した際にＮｂの箔２を全く用いなかったところ、冷
間加工の途中で材料破断が頻発し、またその破断部をＳ
ＥＭ及びＥＰＭＡで調査したところＣｕ−Ｔｉ化合物が
多数検出された。

実施例５ 実施例１と同じ要領で一体化複合体（第１図（ｂ））を
作成した際に真空中での電子ビーム溶接による密封をい
っさい行わなかったところ、冷間加工の途中で密着不良
によると思われる材料破断かパ 廿頻発した。これは複合体内部の接触面が熱間加工時等
に酸化され、金属的゛密着性が不十分なためと推定され
た。

実施例６ 実施例１と同じ要領で一体化複合体（第１図（ｂ））を
作成した際に無酸素銅の板４及び筺体状の中空体３をす
べて純アルミニウム材に変え、かつ熱間圧延での加熱温
度を５８０℃にした以外はいずれも第１表と同様の熱処
理及び冷間加工を施したところ、それぞれバラツキの範
囲内で同程度の磁気シールド特性が得られたので詳細は
省略する。

実施例７ 実施例１と同じ要領で一体化複合体（第１図（ｂ））を
作成した際に、Ｎｂ−Ｔｉの板１をＮｂ　−４０ｗｔ％
Ｔｉ−１０ｗｔ％Ｚｒ合金の板に変えて他は第１表と同
様の熱処理及び冷間加工を施したところＮｂ−４６ｗｔ
％Ｔｉ合金の特性に比べて約２〜３割低かったものの、
それぞれバラツキの範囲内で安定した磁気シールド特性
が得られた。詳細は省略する。

また、同様にＮｂ　−４０ｗｔ％Ｔｉ−１５ｗｔ％Ｔａ
合金の板に変えて他は第１表と同様の熱処理及び冷間加
工を施したところ、Ｎｂ　−４６ｗｔ％Ｔｉ合金の特性
に比べて約３〜４割低かったものの、それぞれバラツキ
の範囲内で安定した磁気シールド特性か得られた。詳細
は省略する。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれは比較例の２倍以上
、場合によっては６〜７倍程度の安定した磁気シールド
特性を得ることができ、かつ安定化金属とＮｂ−Ｔｉ系
超雪導材との一体化複合体が容易に組み立てられる上に
、ＥＨ磁気シールド特性大巾向上のために必要な熱処理
や冷間加工を施すことができ、良好な加工性をも有して
いる。したがって６１１気シールド材を箔状まで薄くす
ることができ、かつ特性も非常に良好であるので、最近
の磁気浮上列車、電６１１推進船といったＩＩ量化の要
請に答えつつ高性能をもたらすことができ、その工業的
な利用価値は非常に高いものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は無酸素銅の筺体状の中空体の中にＮｂ箔
を巻回被覆したＮｂ−Ｔｉ系合金の板１層を挿入したと
ころを示す図、第１図（ｂ）はＮｂ−Ｔｉ系合金の板と
無酸素銅の仮とを交互に多層化して挿入したところを示
す図、第２図（ａ）は第１図（ａ）の体止複合体の両端
に無酸素銅の蓋をとりつけたものの長手方向の断面を示
す図、第２図（ｂ）は第１図（ｂ）の一体化複合体の両
端に無酸素銅の蓋をとりつけたものの長手方向の断面を
示す図、第２図（Ｃ）は第１図（ａ）の単層複合材を加
工して薄くした後、複数枚重ねて挿入し、両端に無酸素
銅の蓋をとりつけた一体化複合体の長手方向の断面を示
す図、第３図は本発明法により得られた磁気シールド材
を示す図、第４図は磁気シールド材の円板状サンプルを
垂直磁場中に置いて６１１気シールド特性を測定する状
況を示す図、第５図は外部ｔｉｎ場を大きくしていった
とぎの磁気シールド特性ΔＢｍの変化をプロットした図
、第６図は同筒状の中空体中にＮｂ−Ｔｉ系合金と導電
率の高い金属とを積層した状況を示す図である。 １・・・Ｎｂ−Ｔｉ系合金の板、２・・・箔、３・・・
中空体、３′・・・導電率の高い金属の層、４・・・導
電率の高い金属の板、５・・・蓋、６・・・導電率の高
い金属の層、７・・・多層６ｎ気シールド材、８・・・
磁気シールドサンフル。 代　　理　　人　　　弁理士　　秋　　沢　　政　　光
他１名 売手おと＋’ｒ１１正書 平成元年９月２５０ ２？午　ノテ　艮　′自゛　λＩ；号ヒ１　、　！！（
１’トの表示 特願昭（ｉ３−２４３９７６号 ２、発明の名称 ＮｂＴｉ系超電導磁気ン−ルド材及びその製造方法３、
補正をする者 ４１１件との関係　　出　願　人 住　　　　所　東京都千代田区大手町２丁目６番３号名
　　　　称　（６６５）新日本製鐵株式会社４、代理人 居　　　　所　東京１１中火区日本橋兜町１２番１号６
、補正の対象　　明細書（発明の詳細な説明）７、補正
の内容 第４図 第５図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも１層のＮｂ−Ｔｉ系合金と導電率の高
   い金属とが交互に積層され、かつ前記Ｎｂ−Ｔｉ系合金
   層と前記導電率の高い金属層の間にはすべてＮｂまたは
   Ｔａのバリヤー層が存在することを特徴とするＮｂ−Ｔ
   ｉ系超電導磁気シールド材。
2. （２）導電率の高い金属が銅またはアルミニウムのうち
   いずれかであることを特徴とする請求項１記載のＮｂ−
   Ｔｉ系超電導磁気シールド材。
3. （３）Ｎｂ−Ｔｉ系合金がＮｂ−Ｔｉ、Ｎｂ−Ｔｉ−Ｚ
   ｒ、Ｎｂ−Ｔｉ−Ｔａのうちのいずれか１種であること
   を特徴とする請求項１記載のＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気シ
   ールド材。
4. （４）導電率の高い金属からなる筺体状または円筒状中
   空体中に、ＮｂまたはＴａの箔で被覆したＮｂ−Ｔｉ系
   合金の板を少なくとも一層前記導電率の高い金属と交互
   に積層するよう充填し、充填率を６０％以上としてから
   前記導電率の高い金属で端部をふさぎ、内部を真空状態
   にして溶接密封し一体化複合体とし、この一体化複合体
   に加工率３０〜９８％、温度５００〜１０００℃の熱間
   加工を施し、３００〜４５０℃の温度で保持時間が１〜
   １６８時間の熱処理と、加工率が３０〜９８％である冷
   間加工を施して板状または箔状とすることを特徴とする
   Ｎｂ−Ｔｉ系超電導磁気シールド材の製造方法。
5. （５）熱処理及び冷間加工を６回以下交互に繰り返すこ
   とを特徴とする請求項４記載のＮｂ−Ｔｉ系超電導磁気
   シールド材の製造方法。