JPH0294407A - 磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0294407A JPH0294407A JP63243995A JP24399588A JPH0294407A JP H0294407 A JPH0294407 A JP H0294407A JP 63243995 A JP63243995 A JP 63243995A JP 24399588 A JP24399588 A JP 24399588A JP H0294407 A JPH0294407 A JP H0294407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- cip
- pulverized
- calcined
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 5
- 208000037584 hereditary sensory and autonomic neuropathy Diseases 0.000 claims description 27
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 18
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 13
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 11
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 3
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000132456 Haplocarpha Species 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
一発見４１０１分万−
本発明は、磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法に関する
ものである。
ものである。
一北貝ＪＩＵ（扶渭−
従来の製造方法は、およそ次のとおりであるが、焼結体
の割れの発生率が高く、また、高密度化しにくいという
欠点があった。
の割れの発生率が高く、また、高密度化しにくいという
欠点があった。
■ 原料粉の混合
■ 混合粉の仮焼、粉砕
■成形
■焼結
焼結体の割れを防止する具体的な方法としては、焼結体
成型装置の提供（公告昭５３−４７１２６号）、樹脂を
添加し加熱あるいは加熱及び加圧する方法（公告昭６１
−２９９０７号）、予備焼結体の表面を研削除去した後
ＨＩＰ処理を行う方法（公告昭６０−５５４７０号）等
がある。また、成形方法として有効と思われるＣＩＰに
ついても、開示されている特許はそのほとんどが装置あ
るいは型に関連したものである（たとえば、公開昭６２
−２１２０９９号）。
成型装置の提供（公告昭５３−４７１２６号）、樹脂を
添加し加熱あるいは加熱及び加圧する方法（公告昭６１
−２９９０７号）、予備焼結体の表面を研削除去した後
ＨＩＰ処理を行う方法（公告昭６０−５５４７０号）等
がある。また、成形方法として有効と思われるＣＩＰに
ついても、開示されている特許はそのほとんどが装置あ
るいは型に関連したものである（たとえば、公開昭６２
−２１２０９９号）。
また、高密度化については、フェライトの分野で常圧焼
結とＨＩ Ｐ法のくみあわせが一般的である（たとえば
、公開昭６３−１５７４０７号）。さらに、焼結体の表
面をフェライト粉末で包みこみＨＩＰ処理を行う方法（
公開昭６３−１６８００７号）も開示されている。
結とＨＩ Ｐ法のくみあわせが一般的である（たとえば
、公開昭６３−１５７４０７号）。さらに、焼結体の表
面をフェライト粉末で包みこみＨＩＰ処理を行う方法（
公開昭６３−１６８００７号）も開示されている。
しかしながら、ＣｏＯ−ＮｉＯ系の製造方法に関しては
、はとんど開示されていないのが現状である。
、はとんど開示されていないのが現状である。
ｊ１庄例菜Ｊし
即ち、本発明は、（１）原料粉を混合し、ふるい分けを
行う混合工程、ＣＩＰ成形した混合粉を仮焼し、粉砕し
た後ふるい分けを行う仮焼工程、仮焼粉を１μｍ以下に
微粉砕する工程、微粉砕粉を２０μｍ以上の球形に造粒
する工程、造粒粉をＣＩＰ成形する工程、成形体を焼結
する工程、焼結体をＨＩＰ処理する工程、からなること
を特徴とする磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法及び（
２）成形体の焼結において、常圧焼結あるいはホラ１〜
プレスを用い、１０００℃以上で酸素雰囲気下で処理す
ることを特徴とする上記（１）の磁気ヘッド用非磁性基
板の製造方法ならびに（３）焼結体のＨＩＰ処理におい
て、焼結温度より低い温度で焼結体をそのまま処理する
ことを特徴とする上記（１）の磁気ヘッド用非磁性基板
の製造方法、及び（４）原料粉を混合し、ふるい分けを
行う混合工程、ＣＩＰ成形した混合粉を仮焼し、粉砕し
た後ふるい分けを行う仮焼工程、仮焼粉を１μｍ以下に
微粉砕する工程、微粉砕粉を２０μｍ以上の球形に造粒
する工程、造粒粉をＣＩＰ成形する工程、さらに前記Ｃ
ＩＰ処理後、セラミック粉末をＣＩＰ成形体の外側に配
置しＣＩＰする工程、成形体を焼結する工程、焼結体を
ＨＩＰ処理する工程、からなることを特徴とする磁気ヘ
ッド用非磁性基板の製造方法に関する。
行う混合工程、ＣＩＰ成形した混合粉を仮焼し、粉砕し
た後ふるい分けを行う仮焼工程、仮焼粉を１μｍ以下に
微粉砕する工程、微粉砕粉を２０μｍ以上の球形に造粒
する工程、造粒粉をＣＩＰ成形する工程、成形体を焼結
する工程、焼結体をＨＩＰ処理する工程、からなること
を特徴とする磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法及び（
２）成形体の焼結において、常圧焼結あるいはホラ１〜
プレスを用い、１０００℃以上で酸素雰囲気下で処理す
ることを特徴とする上記（１）の磁気ヘッド用非磁性基
板の製造方法ならびに（３）焼結体のＨＩＰ処理におい
て、焼結温度より低い温度で焼結体をそのまま処理する
ことを特徴とする上記（１）の磁気ヘッド用非磁性基板
の製造方法、及び（４）原料粉を混合し、ふるい分けを
行う混合工程、ＣＩＰ成形した混合粉を仮焼し、粉砕し
た後ふるい分けを行う仮焼工程、仮焼粉を１μｍ以下に
微粉砕する工程、微粉砕粉を２０μｍ以上の球形に造粒
する工程、造粒粉をＣＩＰ成形する工程、さらに前記Ｃ
ＩＰ処理後、セラミック粉末をＣＩＰ成形体の外側に配
置しＣＩＰする工程、成形体を焼結する工程、焼結体を
ＨＩＰ処理する工程、からなることを特徴とする磁気ヘ
ッド用非磁性基板の製造方法に関する。
」Ｉ旧１−■ｍ１」Ｌ
本発明は、割れの少ない高密度のＣｏＯ−ＮｉＯ系磁気
ヘッド用非磁性基板の製造方法に関するもので、以下に
具体的に説明する。
ヘッド用非磁性基板の製造方法に関するもので、以下に
具体的に説明する。
■ 原料粉を混合し、ふるい分けを行う混合工程市販の
酸化コバルト、酸化ニッケルを用い、所望の組成となる
よう１８１１する。組成は、ＣｏｘＮｉ、−ｘ０２（た
だし、０．２≦×≦１．８）とし、ボールミルにより混
合する。ミル材は混入を考慮しアルミナを使用するのが
好ましい。媒体としては。
酸化コバルト、酸化ニッケルを用い、所望の組成となる
よう１８１１する。組成は、ＣｏｘＮｉ、−ｘ０２（た
だし、０．２≦×≦１．８）とし、ボールミルにより混
合する。ミル材は混入を考慮しアルミナを使用するのが
好ましい。媒体としては。
アルコール等の有機溶媒あるいは水を用いる。
混合時間は、５〜４０時間、望ましくは２０時間である
。取出し後、乾燥し必要に応じてふるい分けを行う。ふ
るいは１５０〜３００μｍとし、２００〜３００μｍが
望ましい。
。取出し後、乾燥し必要に応じてふるい分けを行う。ふ
るいは１５０〜３００μｍとし、２００〜３００μｍが
望ましい。
■ ＣＩＰ成形した混合粉を仮焼し、粉砕した後ふるい
分けを行う仮焼工程 より均一な仮焼粉を得るため、ここでは混合粉をＣＩＰ
成形し仮焼する。成形圧は１０００〜１５００ｋｇ／ｃ
ｄが望ましい。 また仮焼条件は、７００〜１２００℃
、１〜６時間で、８５０〜９５０℃、４〜６時間が望ま
しい。仮焼はアルゴン、Ｎ２等の不活性雰囲気下で行い
、岩塩型構造を有する酸化物を得る。
分けを行う仮焼工程 より均一な仮焼粉を得るため、ここでは混合粉をＣＩＰ
成形し仮焼する。成形圧は１０００〜１５００ｋｇ／ｃ
ｄが望ましい。 また仮焼条件は、７００〜１２００℃
、１〜６時間で、８５０〜９５０℃、４〜６時間が望ま
しい。仮焼はアルゴン、Ｎ２等の不活性雰囲気下で行い
、岩塩型構造を有する酸化物を得る。
仮焼後、室温まで徐冷しこれを粉砕する。粉砕は粗砕機
を使用し、振動ミルが望ましい。粉砕後、ｉｏｏ〜３０
０μｍのふるい、望ましくは１００〜２００μｍのふる
いによりふるい分けを行う。
を使用し、振動ミルが望ましい。粉砕後、ｉｏｏ〜３０
０μｍのふるい、望ましくは１００〜２００μｍのふる
いによりふるい分けを行う。
これは、粉砕後の粒径が大きいと後工程での微粉砕の効
率が悪くなるためである。
率が悪くなるためである。
■ 仮焼粉を１μｍ以下に微粉砕する工程微粉砕には、
■で述べたようにアルミナの湿式ボールミルを用いる。
■で述べたようにアルミナの湿式ボールミルを用いる。
時間は２０〜７２時間を要する。また、微粉砕の効果を
高めるためには、ボールの径を小さくしながら数回ボー
ルミル処理を行うのが望ましい。
高めるためには、ボールの径を小さくしながら数回ボー
ルミル処理を行うのが望ましい。
取出し後は乾燥し、水を加えスラリー状とする。スラリ
ー濃度は濃い方が望ましいが、３００〜５００ ｇ ／
Ｑが好ましい。
ー濃度は濃い方が望ましいが、３００〜５００ ｇ ／
Ｑが好ましい。
■ 微粉砕粉を２０μｍ以上の球形に造粒する工程前工
程でスラリー状とした微粉砕粉を造粒する。造粒装置と
してはスプレー・ドライヤーが望ましい。装置特性に合
致した条件を選択して２０μｒｎ以上の球形に造粒する
。望ましくは５０〜６０μｍである。
程でスラリー状とした微粉砕粉を造粒する。造粒装置と
してはスプレー・ドライヤーが望ましい。装置特性に合
致した条件を選択して２０μｒｎ以上の球形に造粒する
。望ましくは５０〜６０μｍである。
装置からの汚染及び巨大粒子を除き、極力狭い粒度分布
を得るために造粒後ふるい分けを行う。ふるいは６０μ
ｍ程度が望ましい。
を得るために造粒後ふるい分けを行う。ふるいは６０μ
ｍ程度が望ましい。
■ 造粒粉をＣＩＰ成形する工程
ＣＩＰ成形は二重に行うことが好ましい。すなわち、ま
ず１０００〜’ １５００ｋｇ ／ ｃＪで成形する。
ず１０００〜’ １５００ｋｇ ／ ｃＪで成形する。
焼結後はこれが製品となるが、外周部での割れが多く、
これを防止する方策が必要である。そこでこの製品とな
る予めＣＩＰ成形した成形体の外側に、セラミック粉を
充てんし、再度Ｃ１，Ｐ処理を行う。再ＣＩＰの圧力は
５００〜１５００ｋｇ／ｄとし、初めの圧力以下とする
のが好ましい。
これを防止する方策が必要である。そこでこの製品とな
る予めＣＩＰ成形した成形体の外側に、セラミック粉を
充てんし、再度Ｃ１，Ｐ処理を行う。再ＣＩＰの圧力は
５００〜１５００ｋｇ／ｄとし、初めの圧力以下とする
のが好ましい。
セラミック粉としては、同組成ばかりでなく、同組成で
別のロットのものや粒度の異なる粉末が考えられる。
別のロットのものや粒度の異なる粉末が考えられる。
また、Ａｌ□Ｏ，、ＺｒＯ□、ＴｉＯ２、ＣａＯ等も異
種の粉として使用してもさしつかえない。
種の粉として使用してもさしつかえない。
この際、製品となる成形体は径と高さの比を１とするの
が望ましく、ＣＩＰ成形後、外周の一部を切削し、極力
凹凸の少ないものとするのが望ましい。再度ＣＩＰ処理
をする場合、充てん粉は３〜５ａｗ１１の厚さで十分で
、これにより焼結時の製品の割れは防ぐことができる。
が望ましく、ＣＩＰ成形後、外周の一部を切削し、極力
凹凸の少ないものとするのが望ましい。再度ＣＩＰ処理
をする場合、充てん粉は３〜５ａｗ１１の厚さで十分で
、これにより焼結時の製品の割れは防ぐことができる。
■ 成形体を焼結する工程
二重ＣＩＰ処理した成形体を焼結する。焼結温度を検討
した結果、１４００℃以上では粒成長が著しいことが判
り、１４００℃以下で焼結するのが望ましい。焼結時間
は１〜１０時間で、３時間が望ましい。
した結果、１４００℃以上では粒成長が著しいことが判
り、１４００℃以下で焼結するのが望ましい。焼結時間
は１〜１０時間で、３時間が望ましい。
また、酸化物の挙動より、１０００″Ｃ以」二では酸素
雰囲気とするのが望ましく、それ以下ではＮ２等の不活
性雰囲気が良好である。昇温、降温速度は極力遅い方が
よいが、１℃／分程度が望ましい。
雰囲気とするのが望ましく、それ以下ではＮ２等の不活
性雰囲気が良好である。昇温、降温速度は極力遅い方が
よいが、１℃／分程度が望ましい。
焼結温度は１２３０−１４００°Ｃが望ましく、こ４し
以下では密度が低く、空孔も開孔の状態であり、後工程
のＨＩ Ｐ処理の有効性が失われるからである。
以下では密度が低く、空孔も開孔の状態であり、後工程
のＨＩ Ｐ処理の有効性が失われるからである。
（〃 焼結体をＨＩＰ処理をする工程
焼結体はカプセル等で封じることなく、このままＨＩ
Ｐ処理する。焼結の段階で閉孔状態としであるのでカプ
セル封入の工程は不要である。
Ｐ処理する。焼結の段階で閉孔状態としであるのでカプ
セル封入の工程は不要である。
温度は、焼結温度より低い方が望ましく、５０〜１００
℃程度が好ましい。圧力は５００〜２０００ｋｇ／−で
８００〜１２００ｋｇ／ｃｄが望ましい。時間は３０分
〜３時間とし、４０分〜１時間２０分が望ましい。
℃程度が好ましい。圧力は５００〜２０００ｋｇ／−で
８００〜１２００ｋｇ／ｃｄが望ましい。時間は３０分
〜３時間とし、４０分〜１時間２０分が望ましい。
以後、これを切断加工し、表面を研磨し基板とする。
一実二流−億一
市販の酸化コバルト、酸化ニッケルをＣｏＮｉ０．組成
となるよう秤量し、混合する。混合にはアルミナ・ボー
ルミルを用い、エタノールＩＱとともに２０時間処理し
た。エタノールを使用することにより、純水を用いる場
合よりＡｌ、０３の混入が少ない。
となるよう秤量し、混合する。混合にはアルミナ・ボー
ルミルを用い、エタノールＩＱとともに２０時間処理し
た。エタノールを使用することにより、純水を用いる場
合よりＡｌ、０３の混入が少ない。
取出し後乾燥して２５０μｍのふるいでふるい分けを行
った。
った。
この混合粉をＣＩＰ成形（１５００ｋｇ＃ａＪ、 ：１
分間）し、これを９００℃、５時間Ｎ２中で仮焼した。
分間）し、これを９００℃、５時間Ｎ２中で仮焼した。
炉内で空冷した後これを振動ミルで粗砕し１５０μｍの
ふるいでふるい分けを行い、仮焼粉を得た。
ふるいでふるい分けを行い、仮焼粉を得た。
この仮焼粉をアルミナ・ボールミルにより微粉砕する。
まず、１０〜２０脇径のボールでエタノールＩＱととも
に２０時間、さらにボールを２〜５ ｎｇａ径に変えさ
らに４０時間行った。得られた粉の平均粒径は約０．７
μｍであった。
に２０時間、さらにボールを２〜５ ｎｇａ径に変えさ
らに４０時間行った。得られた粉の平均粒径は約０．７
μｍであった。
これを乾燥し、純水を加えスラリー状とした後。
スプレー・ドライヤーにて造粒する。造粒条件を選１＜
シ、約５０μｍの球状粒子を得た。粒度調整のために、
６０μｍのふるいでふるい分けを行った。
シ、約５０μｍの球状粒子を得た。粒度調整のために、
６０μｍのふるいでふるい分けを行った。
次に、５５ｏｗｎ径の型を使用し、高さ６０ロ順の成形
体をＣＩＰにより作製する。ＣＩＰ条件は１５００ｋｇ
／ｄ、３分である。さらに、成形体の凹凸を切削により
なくした後、同じ粉末を成形体の外側に約３Ｄ順充てん
し、同条件でＣＩＰ成形する。
体をＣＩＰにより作製する。ＣＩＰ条件は１５００ｋｇ
／ｄ、３分である。さらに、成形体の凹凸を切削により
なくした後、同じ粉末を成形体の外側に約３Ｄ順充てん
し、同条件でＣＩＰ成形する。
成形体を１２８０’Ｃ１０□中で３時間焼結する。雰囲
気は１０００℃を境にＮ２と０２とを切り換える。また
昇温速度は、６８０℃までは５℃／分、６８０〜１００
０℃は１℃／分、１０００℃以上は０８８℃／分とし、
降温は１℃／分とした。
気は１０００℃を境にＮ２と０２とを切り換える。また
昇温速度は、６８０℃までは５℃／分、６８０〜１００
０℃は１℃／分、１０００℃以上は０８８℃／分とし、
降温は１℃／分とした。
この焼結により、相対密度９７％の焼結体を得た。
割れは二重ＣＩＰの外周部でとどまっており、内側に侵
入することはなかった。
入することはなかった。
この焼結体を１２００℃、ｉｏ００ｋｇ／ａ＃、１時間
ＨＩＰ焙処理た。処理に際してカプセル封入は行わなか
った。
ＨＩＰ焙処理た。処理に際してカプセル封入は行わなか
った。
これを加工し、研磨して得られた基板の特性を表１に示
す。市販の基板（ＭｎＯ−ＮｉＯ系）についても、その
特性を併記した。
す。市販の基板（ＭｎＯ−ＮｉＯ系）についても、その
特性を併記した。
表１
以上、説明したように、本工程により製造したＣｏＯ−
ＮｉＯ系の非磁性基板はわれが少なく、高密度であり、
磁気ヘッド用として好適である。
ＮｉＯ系の非磁性基板はわれが少なく、高密度であり、
磁気ヘッド用として好適である。
また、二重ＣＩＰ成形法についてはＣｏ０−Ｎｉ０系の
みならず、われの生じやすい系に有効なものである。
みならず、われの生じやすい系に有効なものである。
Claims (4)
- （１）原料粉を混合し、ふるい分けを行う混合工程、Ｃ
ＩＰ成形した混合粉を仮焼し、粉砕した後ふるい分けを
行う仮焼工程、仮焼粉を１μｍ以下に微粉砕する工程、
微粉砕粉を２０μｍ以上の球形に造粒する工程、造粒粉
をＣＩＰ成形する工程、成形体を焼結する工程、焼結体
をＨＩＰ処理する工程、からなることを特徴とするＣｏ
Ｏ−ＮｉＯ系の磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法。 - （２）成形体の焼結において、常圧焼結あるいはホット
プレスを用い、１０００℃以上で酸素雰囲気下で処理す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘ
ッド用非磁性基板の製造方法。 - （３）焼結体のＨＩＰ処理において、焼結温度より低い
温度で焼結体をそのまま処理することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド用非磁性基板の製造
方法。 - （４）原料粉を混合し、ふるい分けを行う混合工程、Ｃ
ＩＰ成形した混合粉を仮焼し、粉砕した後ふるい分けを
行う仮焼工程、仮焼粉を１μｍ以下に微粉砕する工程、
微粉砕粉を２０μｍ以上の球形に造粒する工程、造粒粉
をＣＩＰ成形する工程、さらに前記ＣＩＰ処理後、セラ
ミック粉末をＣＩＰ成形体の外側に配置しＣＩＰする工
程、成形体を焼結する工程、焼結体をＨＩＰ処理する工
程、からなることを特徴とする磁気ヘッド用非磁性基板
の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243995A JPH0294407A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法 |
| EP89102911A EP0330121B1 (en) | 1988-02-25 | 1989-02-20 | Non-magnetic substrate of magnetic head, magnetic head and method for producing substrate |
| DE68915569T DE68915569T2 (de) | 1988-02-25 | 1989-02-20 | Unmagnetisches Substrat eines Magnetkopfs, Magnetkopf und Substratherstellungsverfahren. |
| US07/314,738 US5026614A (en) | 1988-02-25 | 1989-02-24 | Magnetic recording medium with a zinc cobalt oxide non-magnetic substrate containing nickel or manganese |
| US07/684,073 US5089196A (en) | 1988-02-25 | 1991-04-12 | Non-magnetic substrate of magnetic head, magnetic head and method for producing substrate |
| US07/762,994 US5231555A (en) | 1988-02-25 | 1991-09-20 | Magnetic head comprising a laminated magnetic layer structure between non magnetic rock salt structure oxide substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243995A JPH0294407A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294407A true JPH0294407A (ja) | 1990-04-05 |
| JPH0529286B2 JPH0529286B2 (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17112150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63243995A Granted JPH0294407A (ja) | 1988-02-25 | 1988-09-30 | 磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0294407A (ja) |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63243995A patent/JPH0294407A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529286B2 (ja) | 1993-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2248990A (en) | Process of making porous abrasive bodies | |
| US3454385A (en) | Sintered alpha-alumina and zirconia abrasive product and process | |
| JP2512061B2 (ja) | 均質窒化珪素焼結体およびその製造方法 | |
| CN113477921A (zh) | 制造硬质合金材料的方法 | |
| CN109102977B (zh) | 一种高密度干压异性铁氧体磁体及其制造方法 | |
| JPS6212666A (ja) | 半導体用炉芯管の製造方法 | |
| JPH0294407A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法 | |
| JPH08301610A (ja) | 焼結ダイヤモンド粒子、被覆粒子及び圧密体並びにそれらの製造方法 | |
| US6416681B1 (en) | Granule for forming ferrite body, ferrite sintered product and production method thereof | |
| JPS63206359A (ja) | 高緻密熱間静水圧焼結窒化珪素焼結体およびその製造方法 | |
| JPH0442902A (ja) | フェライト成形品とその製造方法 | |
| US2290876A (en) | Process of making abrasive grains, and the product thereof | |
| JPS63170254A (ja) | セラミツクスの製造方法 | |
| JP2003063874A (ja) | セラミックス球状物の製造方法 | |
| JPS59230706A (ja) | 非磁性酸化物の製造方法 | |
| JP2938260B2 (ja) | 微結晶フェライト | |
| JPH05315110A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性基板 | |
| JPS60231469A (ja) | ソフトフエライトの熱間静水圧プレス成形方法 | |
| CN116612976A (zh) | 一种高性能磁粉加工工艺 | |
| JPS6154744B2 (ja) | ||
| CN115452529A (zh) | 赤铁矿铁同位素组成标准样品的批量制备方法和赤铁矿铁同位素组成标准样品的用途 | |
| JP2710385B2 (ja) | 易焼結性窒化アルミニウム粉末とその製造方法 | |
| JPS62187157A (ja) | アルミナ製粉砕機用部材 | |
| JPH03189912A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性基板の製造方法 | |
| JPH09309767A (ja) | フェライト粉末材料の製造方法 |