JPH0291831A - 光再生ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度光磁気記録媒体から信号を再生する光
再生ピックアップに関する。

〔発明の概要〕

本発明は、高密度光磁気記録媒体から信号を再生する光
再生ピックアンプにおいて、記録媒体からの出射光を分
岐型光導波路により案内して記録媒体への入射光の偏光
面に対して第１の傾斜面を有する第１のモードフィルタ
ー及び第２の傾斜面を有する第２のモードフィルターを
介して夫々第１の光検出器及び第２の光検出器に入力さ
せ、この第１の光検出器と第２の光検出器の出力を差動
で検出するように構成することにより、光再生ピックア
ップの軽量スライダ上への形成を可能として高速アクセ
ス、狭トランク化を図ると共に、高Ｓ／Ｎ比で再生信号
を検出できるようにしたものである。

〔従来の技術〕

第２６図は従来の光磁気ディスク用光再生ピンクアップ
の例を示す。同図において、（５１）は記録媒体である
光磁気ディスク、（５２）はレーザ光源を示す。レーザ
光源（５２）からの光ビームはダレイティング（５３）
、レンズ系（５４）、偏光子（５５）ミビームスプリッ
タ（５６）及び対物レンズ（５７）を経て光磁気ディス
ク（５１）上に集光される。光磁気ディスク（５１）を
反射した戻りの光ビームはビームスプリッタ（５６）で
９０°方向に反射され、１７２波長板（５８）を経て偏
光ビームスプリッタ（５９）とフォトダイオード（６０
）、　（６１）　　により差動検出されて再生信号が得
られる。なお（６２）および（６３）はシリンドリカル
・レンズである。

最近、オーバライ）（１ビームの重ね書き）が可能な様
に第２７図に示すように基板（７１）、記録層（７２）
及び保護層（７３）からなる光磁気ディスク（５１）の
一方の面に記録用レーザ光（７４）を照射し、その照射
面と反対側から磁気ディスク用ヘッドと同様なスライダ
形状の磁気ヘッド（７５）を配し、記録したい信号を磁
気ヘッド（７５）に入力し、磁界変調方式で記録する光
磁気記録方式も出現している。再生は第２６図の光再生
ピックアップで説明したようにレーザ光で行う。

また、記録再生用の光ヘッドとして、分岐型光道波路を
用い、１方の分岐導波路の端部に光源となる半導体レー
ザを配し、他方の分岐導波路の端部に光検出器を配し、
共通導波路の先端を記録媒体に対向させ、半導体レーザ
からの射出光を１方の分岐導波路より共通導波路を通し
て記録媒体に入射させ、記録媒体からの反射光を共通導
波路の先端から他方の分岐導波路に導いて光検出器に人
。

射せしめ、再生信号を得るように構成したものが提案さ
れている（特開昭６０−５９５４７号、特開昭６０−５
９５４８号、特開昭６１−６６２３８号参照）。さらに
同一基板上に半導体レーザとその両側に光検出器を一体
に形成し、半導体レーザの射出光が記録媒体に入射され
、その反射光を両側の光検出器で受光するようにした光
ヘッドも知られている（特開昭６２−１９２０３２号参
照） 〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、第２７図の光ヘツド機構とスライダ形状の磁
気ヘッド（７５）を用いた第２６図に示す如き磁気変調
方式の光磁気記録方式においては、レーザ集光用の対物
レンズ（５７）と磁気ヘッド（７５）を同時に駆動する
必要があり、機構が複雑になり高速アクセスが困難であ
る。

また、今日の薄ｒＡ磁気ヘッドを用いた磁気ディスクシ
ステムでは軽量スライダ上に薄膜形成技術、フォトリン
グラフィ技術等を用いてヘッドを作成するた狛に軽量と
なり、高速アクセス（２０ｍｓ）を実現している。しか
し、トラック密度は主に再生時の信号レベルの関係から
３０００７ＰＩ　が限度である。

一方、本出願人は、先に特願昭６３−９９３８０号にお
いて、光源である半導体レーザからの光を案内して記録
媒体へ入射せしめる第１の先導波路と、記録媒体からの
出射光を案内して光検出器へ導く第２の先導波路を有し
、第１及び第２の先導波路に夫々絶縁層を介して＾β層
を被着して成る金属クラッド型モードフィルターによる
偏光子及び検出子を設けて構成し、軽量スライダー上へ
の形成、高速アクセス、狭トランク化を可能にした光再
生ピックアップを提案した。

本発明は、さらに改良して軽量スライダー上への形成、
高速アクセス、狭トラツク化を可能にすると共に、差動
構成を可能ならしめて高Ｓ　／　Ｎ比で再生信号を検出
することができる光再生ピックアップを提供するもので
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の光再生ピックアップは、光源（１８）かろの光
を偏光子（５）を有する先導波路（２１Ａ）　　を通し
て記録媒体（１１）に入射し、記録媒体り１１）からの
出射光を分岐型光導波路（２１Ｂ）　　により案内し、
記録媒体（１１）への入射光の偏光面に対して所定の第
１の傾斜面を有する第１のモードフィルター（２４）を
介して第１の光検出器（１９）に入力すると共に、記録
媒体（１１）への入射光の偏光面に対して所定の第２の
傾斜面を有する第２のモードフィルター（２５）を介し
て第２の光検出器（２０）に入力し、第１及び第２のモ
ードフィルター（２４＞、　（２５＞　　において出射
光を共通に受けて透過虫を互いに逆方向に変化し、第１
の光検出器（１９）と上記第２の光検出器（２０）の出
力を差動で検出するように構成する。

〔作用〕

上述の本発明の構成によれば、光源（１８）からの射出
光は、偏光子（２３）を介して光導波路（２１Ａ）　　
を通り、記録媒体（１１）に直接入射される。次いで記
録媒体（１１）で反射した出射光は分岐型導波路の夫々
の先導波路（２１Ｂ、）、　（２１Ｂ２）　　に案内さ
れる。一方の先導波路（２１Ｂ、）に案内された光は、
第１の検光子（２４）を介して第１の検出器（１９）に
入力して第１の再生信号（Δ３．）　　に変換され、他
方の先導波路（２１Ｂ２）に案内された光は、第２の検
光子（２５）を介して第２の検出器（２０）に入力して
第２の再生信号（ΔＳ２）に変換される。それぞれ第１
及び第２の再生信号（ΔＳ＋）　及び（ΔＳ２）　　は
、さらに、差動アンプ（３５）によって同相成分が除去
され、信号成分が２倍に変換される。従って、直流成分
に伴う雑音がなくなり、高Ｓ　／　Ｎ比で再生信号を検
出することができる。

また、第１の検光子となる第１のモードフィルタ（２４
）を記録媒体への入射光の偏光面に対して所定角度α、
とし、第２の検光子となる第２のモードフィルタ（２５
）を記録媒体への入射光の偏光面に対して所定角度α２
として偏光子側を傾ける必要がなく、光源となるレーザ
ダイオード（１８）の活性層を基板面と平行にすること
が可能となり、レーザダイオード（１８）とのハイブリ
ット化が容易になる。

そして、上述の本発明の光再生ピックアップは、従来の
ような大きなレンズ系に変えて光導波路を用い、また側
光子、検光子をモードフィルタを用いて構成するので、
軽量スライダ上への形成が可能となる。

〔実施例〕

先ず、本発明の理解を容易にするために、第２０図乃至
第２５図を用いて偏光子、検光子となるモードフィルタ
ーの異種の組合せによる光出力特性を説明する。第２０
図において、（１）はＹ型分岐光導彼路、（２）は第１
の分岐先導波路（１９）の１端部に配された光源となる
半導体レーザダイオード、（３）は第２分岐光導波路（
１ｂ）の１端部に配されたフォトダイオードよりなる光
検出器、（４）は分岐先導波路（１）の他端に対向した
光磁気ディスクを示す。

先導波路（１）は例えばイオン交換によるガラス導波路
、′「１拡散ＬｉＮｂＯ３導波路等にて形成される。

レーザダイオード（２）からの光は第１分岐光導波路（
１ａ）にガイドされ偏光子（５）を通過して光磁気ディ
スク（４）の間に入射され１、之よりの反射光（所謂出
射光）が第２分枝光導波路（１ｂ）にガイドされ、検光
子を通過して光検出器（３）に入り、之より出力される
。

ここで、第２１図に示すように先導波路（１）上にＳｉ
ｎ、等のバッファ層（７）を介してＡ１層（８）を被着
形成して成るへβクラッド型モードフィルタと、第２２
図に示されるように光導波路（１）上にバッファ層（９
）を介してアモルファスシリコン層（１０）を被着形成
して成る。アモルファスＳ１クラツド型モードフイルタ
をいろいろな組合せにおいて偏光子（５）及び検光子（
６）に用いた場合を考える。

尚、Ａｌクラッド層モードフィルタはＡ１層（８）に平
行な方向の電場成分を透過する即ちＴＥモード透過のモ
ードフィルタであり、アモルファスＳｉクラッド型はア
モルファスシリコン層（１０）に垂直な方向の電場成分
を透過する即ちＴＭモード透過のモードフィルタである
。

今、第２３図において、偏光子（５）として八でクラッ
ド型モードフィルタを用い、検光子（６）としてへｌク
ラッド型モードフィルタを用いた構成を考えると、偏光
子と検光子の間の角度αを変化したときの光検出器（３
）における光出力は第２５図の曲線Ｃに示すようにｃｏ
ｓ’αで変化する。

但し、レーザダイオード（２）からの出射光が活性層に
平行な方向に偏波面をもつ直線偏光であるので、レーザ
ダイオード（２）の活性層に対応して偏光子（５）のへ
βクラッド型モードフィルタをＡ１層が水平となるよう
に構成して、之を基準に検光子（６）側のモードフィル
タの角度αを変化させるようにした。

又、第２４図に示すように偏光子（５）としてＡｆクラ
ッド型モードフィルタを用い、検光子（６）としてアモ
ルファスＳｉクラッド型モードフィルタを用いた構成を
考えると、光検出器（３）における光出力は第２５図の
曲線Ｃ２に示すようにｓｉｎ”αで変化する。

実用的に良好なＳ／Ｎ比を得るためには角αは最大角度
の４５°よりも小さい方が良いことが知られている。

Ａｌクラッド型モードフィルタだけを用いた場合（第２
３図参照）、第２５図の曲線Ｃ１で明らかなようにα＜
４５°ではαの変化、つまりカー回転角の変化がないと
きでも直流的な一定の光出力が出てくる。この直流成分
は光再生信号の検出時、雑音となってあられれるため、
Ｓ／Ｎ比の低下につながる。之に対し、Ａｌクラッド型
モードフィルタとアモルファスＳ１クラツド型モードフ
イルタの組合せの場合（第２４図参照）　、第２５図の
曲線Ｃ２で明らかなようにα＜４５°では直流成分は小
さく、Ｓ／Ｎ比の良い再生信号の検出が可能となる。

一方、この光出力特性ＣＩ、Ｃ２を利用して検光子を２
つ設けると共に之に対応して光検出器も２つ設けること
により、差動検出を可能にする。

即ち、２つの検光子としてＡ１クラッド型モードフィル
タ　（ＴＥモード）とアモルファスＳｉクラッド型モー
ドフィルタ（ＴＭモード）の組合せ、ＡＡクラッド型モ
ードフィルタ（ＴＥモード）と＾βクラッド型モードフ
ィルタ（ＴＥモード）の組合せ、アモルファスＳ１クラ
ツド型モードフイルタ（ＴＭモード）とアモルファスＳ
ｉクラッド型モードフィルタ（ＴＭモード）の組合せを
夫々用いることができる。

各組合せでの２つのモードフィルタの夫々の角度α１．
α２の好ましい関係を下記衣に示す。

この場合、光磁気ディスクでのカー回転角度（±θ）の
変化に対して一方の光検出器から光出力が上昇（又は下
降）したとき、他方の光検出器からの光出力が下降（又
は上昇）する関係に選ばれる。

上記表の■及び■、■の角度関係では同相成分である直
流成分が除去され信号成分としてシングルエンド構成の
２倍の出力が得られる。

又、表の■及び■の角度関係では直流成分は残るが信号
成分として２倍の出力が得られる。

本発明は上述の考えに基づくものであり、以下に実施例
を説明する。

第１図乃至第１９４図は本実施例に係る光再生ピックア
ップの一例である。

第１図において、（１１）は記録媒体例えば高密度光磁
気ディスク、（１２）はその記録トラック、（１３）は
軽量スライダであり、その端面（１３Ａ＞　　に上記光
再生ピックアップ（Ａ）が形成される。

光再生ピックアップ（Ａ）は、第２図に示すように、基
板（１４）上に光源となる半導体レーザダイオード（例
えば、ＧａＡｓ、　Ｐ　　Ｎ接合レーザダイオード）　
（１８）と例えばＰＩＮフォトダイオード又はアバラン
シェフォトダイオード等よりなる第１及び第２の光検出
器（１９）及び（２０）と、全体的に樹枝状に形成され
た分岐型先導波路（２１）が設けられて成る。この先導
波路（２１）は一端（２１ａ、）がレーザダイオード（
１８）に対接又は対向し、他端（２１ａ２）が光磁気デ
ィスク（１１）に対向し、レーザダイオード（１８）か
らの射出光を光磁気ディスク（１１）の面に直接入射せ
しめる第１の先導波路（２１Ａ＞　　と、この第１の先
導波路（２１Ａ）　　の他端（２ｉａ２）に近い位置よ
り分岐され、第１及び第２の光検出器（１９）及び（２
０〉側に光磁気ディスク（１１〉面での反射光を案内す
る第２の先導波路（２１Ｂ）　　を有し、この第２の光
導波路（２１Ｂ＞　　がさらに分岐されて導波路（２１
Ｂ）　　を有し、この第２の先導波路（２１Ｂ）　　が
さらに分岐されて夫々の光導波路（２１Ｂ、）及び（２
１Ｂ２）の端部（２１ｂ、）及び（２１ｂ、）に夫々第
１及び第２の光検出器（１９）及び（２０）が対向して
配される。

レーザダイオード（１８）からの射出光は活性層に平行
な偏波面をもつ直接偏光であり、直線偏光を表わす偏光
比は８０〜１００である。このレーザ光はモード変換な
しに分岐型光導波路（２１）に導かれる。

分岐型光導波１ｉｄ（２１）は、例えばソーダガラスを
ＫＮＯｚ溶融液中に浸漬し、Ｋ°イオンとＮａ”　　イ
オン交換によるイオン変換導波路により構成される。

ここでは単一モード、即ち電場分布が先導波路内でガウ
ス分布的になるように先導波路の一端の幅と深さが調整
される。その他、分岐型光導波路（２１）は例えばＬｉ
ＮｂＬ結晶基板にＴ１を拡散して成るＴ１拡散Ｌ＋Ｎｂ
Ｃ１，導波路より構成することもできる。

（２２）は熱イオン交換導波路あるいはＴ１拡散導波路
を作る際のガラス基板あるいはＬ＋ＮｂＬ結晶基板を示
す。

一方、レーザダイオード（１８）は、十分な偏光比を有
する直接偏光であるが再生信号を最大にするために第１
の先導波路（２ＬＡ）　　に偏光子となるモードフィル
タ（２３）が設けられ、第２の光導波路（２１［１，）
及び（２１８２）の途上にそれぞれ第１及び第２の検光
子となる第１及び第２のモードフィルタ（２４）及び（
２５）が設けられる。これらモードフィルタ（２３）。

（２４）及び（２５）は第３図、第４図及び第５図に示
すように第１の光導波路（２１Ａ）　、第２の光導波路
のうち一方の光導波路（２１Ｂ、）及び他方の先導波路
（２１Ｂ、）上にそれぞれ例えば５ｉ０２等の絶縁層か
ら成るバッファ層（２６）、　（２７）　　及び（２８
）を介して例えばＡβ等の金属層（２９）、　（３０）
　　及び（３１）を被着形成して構成する。

そして第１の検光子となる第１のモードフィルタ（２４
）及び第２の検光子となる第１のモードフィルタ（２５
）は、偏光子となるモードフィルタ（２３）に対してそ
れぞれ所定角度α１．α２を有するように形成されてい
る。尚、偏光子となるモードフィルタ（２３）はレーザ
ダイオード責１８）の活性層に対応するように基孕面（
ｆりに対して平行に形成されている。

尚、（３２）、　（３３）　　及び（３４）は熱イオン
交換導波路に例をとった場合にはソーダガラスのスパッ
ク膜を示す。

第１及び第２のモードフィルタ（２４）及び（２５）の
各傾斜角度α１．α２の関係は前述した表の■、■で示
す角度関係を選ぶことができる。

次に前述の表の■に対応する一例として第１のモードフ
ィルタ（２４）の所定角度α１　を１３５°、第２のモ
ードフィルタ（２５）の所定角度α２を４５°とした場
合を第６図に基づいて説明する。

この場合においては、レーザダイオード（１８）からの
射出光が第１の先導波路（２１Ａ）　　に入り、偏光子
となるモードフィルタ（２３）を伝搬して光磁気ディス
ク（１１）の記録トラック面（２）に入射される。光磁
気ディスク（１１）で反射した光の偏光面は入射光の偏
光面に対して光磁気ディスク（１１）の記録磁化の方向
く例えば、上向き磁化、下向き磁化）に応じて角十〇、
角−θのカー回転角が生ずる。そして、反射光は夫々第
２の先導波路（２１Ｂ、）及び（２１Ｂ２）に案内され
、それぞれ第１の検光子となる第１のモードフィルタ（
２４）及び第２の検光子となる第２のモードフィルタ（
２５）に入る。

第１のモードフィルタ（２４）は、偏光子となるモード
フィルタ（２３）とのなす角がα、＝１３５°であるこ
と及びＡβ等から成る金属層り３０）はＴＥモード透過
、ＴＭモード吸収であることから第１のモードフィルタ
（２４）透過後の光出力の変化（カー回転角±θでの）
は、ｃｏｓ２（１３５°±θ）となる。同様にα、＝４
５”の第２のモードフィルタ（２５）においてはｃｏｓ
２（４５＠　±θ）となる。

第６図已に記録トラック面（１２）の磁化方向の変化に
おけるカー回転角（±θ）の変化を示し、同図Ｃに第１
及び第２のモードフィルタ（２４）及び（２５）の傾斜
角α１．α２に関する光出力の変化（ｃｏｓ２カーブＣ
１）を示すと共に、同図已に同図Ｃのｃｏｓ’カーブＣ
１を基にα、＝１３５°　α２＝４５°におけるカー回
転角（±θ）の変化に伴う第１のモードフィルタ輯４）
及び第２のモードフィルタ（２５）での光出力の変化を
第１及び第２の光検出器（１９）及び（２０）において
電気信号（ΔＳ＋）　及び（ΔＳ２）に変換した場合の
その変化を示す。この同図りでの変化を見ると、第１の
モードフィルタ（２４）と第２のモードフィルタ（２５
）の光出力の変化は互いに逆相になっていることがわか
る。

そして、それぞれの信号（ΔＳ＋）及び（ΔＳｔ）を差
動アンプ（３５）にて差をとると、同図Ｅで示すように
同相成分である直流成分が除去され、信号成分（ΔＳ＋
）及び（ΔＳ、）は合成されて２倍の出力信号（Δ２Ｓ
）　　になる。この場合、直流成分が除去されているた
め、検出暗雑音が伴わず、Ｓ／Ｎ比が向上し確実に情報
（磁化方向）を再生することができる。本例のようにα
１＝４５°　α２＝４５゜としたときには、最大精度が
得られる。

その他、第６図の構成において、表の■に対応する他側
を第８図に示す。この例ではα１＝４５°α２＝３５°
とした場合であり、上側と同様に信号（ΔＳｌ）及び（
ΔＳ２）を差動アンプ（３５）にて差をとると、同相成
分である直流成分が除去され、２倍の出力信号（Δ２Ｓ
）　が得られる。

また表の■に対応する例としては第９図に示すように例
えばα１＝４５°、α２＝３５°とすることができ、こ
のときには直流成分は多少残るが２倍の出力信号が得ら
れる。

次に、第７図を用いて第１のモードフィルタ（２４）と
してＡ１層（３０）をクラッドしたＡ１クラッド型モー
ドフィルタを用い、第２のモードフィルタ（２５）とし
てアモルファスシリコン層（４１）をクラッドしたアモ
ルファスＳｉクラッド型モードフィルタを用いた第２実
施例を説明する。

尚、偏光子となるモードフィルタ（２３）の金属層（２
９）は上記第１実施例と同様ＷＥとした。

この場合、第１のモードフィルタ（２４）はＴＥモード
透過、１Ｍモード吸収であり、第２のモードフィルタ（
２５）は反対にＴＭモード透過、ＴＥモード吸収である
。そしてこの第２実施例においては前述の表の■に対応
する一例として第１のモードフィルタ（２４）の偏光子
となるモードフィルタ（２３）とのなす角α、を４５°
、第２のモードフィルタ（２５）のモードフィルタ（２
３）とのなす角α２を４５゜とした。モードフィルタ（
２３）は第１実施例と同様に基準面（Ｉりに対して平行
になるように設定しである。

また、第１実施例と同様に第７図已に記録トラック（１
２〉の磁化方向の変化におけるカー回転角（±θ）の変
化を示し、同図Ｃに第１のモードフィルタ（２４）の傾
斜角α１　に関する光出力の変化（ｃｏｓ’カーブＣ３
）及び第２のモードフィルタ（２５）の傾斜角度α２に
関する光出力の変化（ｓｉｎ”カーブＣ２）を示すと共
に、同図りに、同図Ｃのｃｏｓ”カーブＣ３及びｓｉｎ
”カーブＣ３を基にα１＝４５°、α２＝４５°におけ
るカー回転角（±Ｏ）の変化に伴う第１のモードフィル
タ（２４）及び第２のモードフィルタ（２５）での光出
力の変化を第１及び第２の光検出器（１９）及び（２０
）において電気信号（ΔＳ＋）及び（ΔＳ２）　　に変
換した場合のその変化を示す。

この変化を見ると、上記第１実施例と同様に第１のモー
ドフィルタ（２４）と第２のモードフィルタ（２５）の
光出力の変化は互いに逆相になっている。

そのため、差動アンプ（３５〉にて検出すると、第１実
施例と同様に直流成分が除去され、信号成分が倍加され
るため高Ｓ　／　Ｎ比でもって再生信号を検出すること
ができる。

その他用７図の構成において表の■に対応する他の例を
第１０図に示す。この例ではα＋−３５゜α２＝５５”
とした場合であり、差動アンプ（３５）で差をとると直
流成分が除去され、２倍の出力信号（Δ２Ｓ）　　が得
られる。また表の■に対応する例を第１１図及び第１２
図に示す。第１１図はα１＝α２＝１３５°の場合、第
１２図はα１＝４５°、α２＝１２５゜の場合であり、
いずれも差動アンプ（３５）で差をとると直流成分が除
去され、２倍の出力信号（Δ２Ｓ）が得られる。

また、表の■に対応する例を第１３図に示し、ここでは
例えばα１−α２−４０°としている。この例において
は、差動アンプ（３５）で差をとると直流成分が多少残
るが、２倍の出力信′号（Δ２Ｓ）　　が得られる。

尚、上述の第１実施例では第１及び第２のモードフィル
タ（２４）及び（２５）を共にＡＩクラッド型モードフ
ィルタとする組合せとし、第２実施例では一方例えば第
１のモードフィルタ（２４）をＡＥ型モードフィルタと
し他方例えば第２のモードフィルタ（２５）　ヲアモル
ファスＳｉクラッド型モードフィルタとする組合せにし
たが、その信実１及び第２のモートフィルタ（２４）　
ｌ　ヒ（２５）を共にアモルファスＳ１クラツド型モー
ドフイルタとする組合せも可能である。この場合、第１
実施例と同じ表の■、■の角度で設定する。第１４図〜
第１６図にその一例を示す。

上記第２実施例において、第２のモードフィルタ（２５
）としてアモルファスシリコン層（４１）を被着したア
モルファスＳｉクラッド型モードフィルタを用いたが、
このアモルファスシリコン層は通常ＴＭモード透過、Ｔ
Ｅモード吸収であるが、層の厚さを変えることによって
その透過モードが変化、即ちＴＭモード透過又はＴＥモ
ード透過となり得る（参考文献：ＴｆｌＥ　ＴＲＡＮＳ
ＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＦ　ＴＩＩＥ　ＩＢＩＣＩＩ：。

ＶＯＬ、［Ｅ７０．　　ＮＯ，４ＡＰＲＩＬ　　１９８
７．　　ＬＥＴＴＥＲ＜１９８７　　ＮａｔｌＣｏｎｖ
、、　Ｍａｒｃｈ　２６−２９）　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅ
ｒ　ＩＩＩａｖｅｇｕｉｄｅＰｏｌａｒ＋ｚｅｒ　ＩＩ
Ｉ＋ｔｈ　ａ−３＋：ＨＦｔｌｍ　Ｃ１ａｄ）ので、全
てのモードフィルタ（２３）、　（２４）　　及び（２
５）をアモルファスシリコン層（４１）を被着したアモ
ルファスＳ１クラツド型モードフイルタで構成すること
も可能である。

上述の如く、本例によれば、検光子となるモードフィル
タ（２４）及び（２５）の透過モードが同じ場合、或は
モードフィルタ（２４）及び（２５）の透過モードが互
いに異なる場合、いずれにおいても第１のモードフィル
タ（２４）の傾斜角α、と、第２のモードフィルタ（２
５）の傾斜角α２を選定することにより、光出力の変化
を感度良く検出できると共に、検出時の雑音の原因であ
る直流成分が除かれ、反対に信号成分は２倍となるため
高Ｓ／Ｎ比で再生信号を検出することができる。

また、偏光子となるモードフィルタ（２３）を基準面（
Ｉりに対し平行に設定するようにしたので光源となるレ
ーザダイオード（１８）、特にその活性層が基板（１７
）に対し平行となるため、レーザダイオード（１８）と
のハイブリッド化が容易になる。

また、従来のような大きなレンズ系に変えて先導波路を
用い、さらに偏光子及び検光子をモードフィルタを用い
て構成したので軽量スライダ（１３）上への形成が可能
となり、高速アクセス、狭トラツク化を図ることができ
る。

尚、上記実施例においては、分岐型光導波路（２１）と
して第２図に示すような樹枝状のものを用いたが、第１
７図に示すように、第１の先導波路（２１Ａ）　　と第
２の先導波路（２１Ｂ＞　　を交差させて交差型光方向
性結合器（３６）を構成したものを用いてもよい。この
交差型光方向性結合器（３６）は第１８図に示すように
、ソーダガラス基板（３７）上のガラススパッタ膜（３
８）にイオン交換による第１の先導波路（２１＾）が形
成され、この上にさらにガラススパッタ膜（３９）を形
成してこのガラススパッタ膜（３９）ｉ：イオン交換に
よる第２の光導波路（２１Ｂ）　　が形成されて構成さ
れている。この交差型光方向性結合器（３６）を用いた
場合、光源への戻り光が少なく、レーデダイオード（１
８）の発振が不安定になるのが防止される。

その他、第１９図に示すように、分岐型光導波路として
第１の先導波路においては、光磁気ディスク（１１）に
対向する−１（４０Ａ２）に向かうにしたがって細くな
る（幅Ｗが小になる）ように形成したテーパ状の先導波
路（４０Ａ）　　を用い、第２の光導波路においては第
１の光導波路の途中から分岐してるのではなく、その一
端（４０Ｂ２＞も磁気ディスク（ＩＩ）に対向して、か
つその断面積が第１の先導波路（４０Ａ）　　の一端（
４０Ａ２）の断面積よりも大に形成したもの（４０Ｂ）
　　を用いるようにしてもよい。この場合は、光磁気デ
ィスク（１１）からの反射光が効率良く集光され、再生
信号の出力が向上する。またこの場合においＣも反射光
の第１の光導波路（４０Ａ）　　への戻り光が少く、光
源としてのレーザダイオード（１８）の発振が不安定に
なるのが防止される。

〔発明の効果〕

本発明に係る光再生ピックアップは光再生ピックアップ
の軽量スライダ上への形成が可能となり、高速アクセス
、狭トラツク化を図ることができると共に、光源となる
半導体レーザとのハイブリッド化が容易に実現でき、ま
た高Ｓ／Ｎ比で再生信号を検出することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例に係る光再生ピックアップを軽量スラ
イダに配した例を示す構成図、第２図は本実施例を示す
平面図、 第３図は第２図のＡ−Ａ線上の断面図、第４図は第２図
のＢ−Ｂ線上の断面図、第５図は第２図のＣ−Ｃ線上の
断面図、第６図は第１実施例における光出力及び再生信
号の変化を示す図、 第７図は第２実施例における光出力及び再生信号の変化
を示す図、 第８図は第１実施例において表■に対応する他の例を示
す図。 第９図は表■に対応する例を示す図、 第１Ｏ図は第２実施例において表■に対応する他の例を
示す図、 第１１図は表■に対応する例を示す図、第１２図は表■
に対応する他の例を示す図、第１３図は表■に対応する
例を示す図、第１４図は第３実施例において表■に対応
する例を示す図、 第１５図は表■に対応する他の例を示す図、第１６図は
表■に対応する例を示す図、第１７図は分岐型先導波路
に交差型光方向性結合器を用いた場合を示す平面図 第１８図は第１７図のＤ−Ｄ線上の断面図、第１９図は
分岐型光導波路の他の例を示す平面図、第２０図はＹ型
分岐先導波路を用いた場合を示す平面図、 第２１図はＡＩツクラッドモードフィルタを示す構成図
、 第２２図はアモルファスＳ１クラツド型モードフイルタ
を示す構成図、 第２３図は偏光子（八β）と検光子（八ｌ）との組合せ
を示す図、 第２４図は偏光子（ＡＩり　　と検光子（アモルファス
Ｓｉ）　　との組合せを示す図、 第２５図は角度αにおける光出力の変化を示す図、第２
６図は従来例を示す図、 第２７図は他の従来例を示す図である。 （１１）は光磁気ディスク、（１２）は磁気トラック、
（１３）は軽量スライダ、（１７）は基板、（１８）は
レーザダイオード、（１９）は第１の光検出器、（２０
）は第２の光検出器、（２１）は分岐型光導波路、（２
３）はモードフィルタ（偏光子）　、（２４）は第１の
モードフィルタ（第１の検光子）　、（２５）は第２の
モードフィルタ（第２の検光子）　、（２９）はｉ層（
偏光子側）、（３０）は八ｆＭ（第１の検光子側）　、
（３１）はＡｉ’層（第２の検光子側”）　、（３５）
は差動アンプ、（４１）はアモルファスシリコン層であ
る。 代　　理　　人　　　　　伊　　藤　　　　　貞ｗノ■
主仁！パｌワ７・すブと申蚤量スつイタう（二配し巳僧
”道πＱ客宅島５ζ図第１図 同　　　　　　　　松　　隈　　秀　　盛−式 θ１ 表のに対民・する他の佇］と示す図 第８図 一 く禰 ′ｔＬ■１；対忘膚う夕”」包爪斉図 第 図 表■に対忘償ろセ１便送示有図 第１０図 来■に２丈４が３・肯う他のイシ′１欠ｊぼＪヤロ］表
■に対九する奮Ｊ左示す図 第１１図 舎 （ダ一、ｏｈ） 、＆＄ｌ：’６寸Ａｚｒ６イク（」之已テ八ｚｒ円４箪
１３図 第１１図 ｆα−・第１分岐光を通悠 ｔｂ−一・負１２リキ山甑デε塩鉤、ン毘３名。 Ｙ型竹喰光県遣鉢４尾いと場合の平面図第２０図 ＡＩ’ｔつ・ノド型モーＶフィ）しり苫ｊ斤ｌ含オー１
戊図第２１図 ７モ）のスＳｉりうワド型し一ドフィルワ址示穿構「督
図第２２図 偏光↓（Ａλ）と検光÷ＣＡｌ１’Ｊとの絽９合亡乞示
ず型用２３図 偏光、÷（＃）ヒ検光＋（７モー１し）７又５１）ヒの
組合上と示檜図角嵐ｄにおりる光巳りの変化と爪ｗ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 記録媒体からの出射光を分岐型光導波路により案内し、 上記記録媒体への入射光の偏光面に対して所定の第１の
   傾斜面を有する第１のモードフィルターを介して第１の
   光検出器に入力すると共に、上記記録媒体への入射光の
   偏光面に対して所定の第２の傾斜面を有する第２のモー
   ドフィルターを介して第２の光検出器に入力し、 上記第１及び第２のモードフィルターは上記出射光を共
   通に受けて透過量が互いに逆方向に変化し、 上記第１の光検出器と上記第２の光検出器の出力を差動
   で検出することを特徴とする光再生ピックアップ。