JPH0288628A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH0288628A JPH0288628A JP23996488A JP23996488A JPH0288628A JP H0288628 A JPH0288628 A JP H0288628A JP 23996488 A JP23996488 A JP 23996488A JP 23996488 A JP23996488 A JP 23996488A JP H0288628 A JPH0288628 A JP H0288628A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する
ものである。さらに詳しくは、この発明は、良好なパリ
特性を保持しつつ、低粘度化を図り、熱安定性を得るこ
とのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するも
のである。
ものである。さらに詳しくは、この発明は、良好なパリ
特性を保持しつつ、低粘度化を図り、熱安定性を得るこ
とのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するも
のである。
(従来の技術)
半導体素子の封止用樹脂としては、従来より耐湿性、耐
熱性等の性能や、価格などの点からエポキシ樹脂が広く
使用されている。しかし、近年では半導体素子の高密度
実装化に伴うパッケージの小型化、薄型化のため、封止
用樹脂に対して耐湿性、耐クラツク性、耐熱性などの要
求がより厳しくなってきており、さらに成形性を向上さ
せ高い生産性を実現するために樹脂組成物の低粘度化、
高フロー化も要求されるようになってきている。
熱性等の性能や、価格などの点からエポキシ樹脂が広く
使用されている。しかし、近年では半導体素子の高密度
実装化に伴うパッケージの小型化、薄型化のため、封止
用樹脂に対して耐湿性、耐クラツク性、耐熱性などの要
求がより厳しくなってきており、さらに成形性を向上さ
せ高い生産性を実現するために樹脂組成物の低粘度化、
高フロー化も要求されるようになってきている。
封止用樹脂組成物の低粘度化、高フロー化については、
これを実現するための方法として、封止用樹脂組成物中
のオルソクレゾール型エポキシ樹脂等の主剤樹脂を低粘
度化するか、あるいは硬化促進剤の含有量を減らすとい
う方法が用いられてもいる。
これを実現するための方法として、封止用樹脂組成物中
のオルソクレゾール型エポキシ樹脂等の主剤樹脂を低粘
度化するか、あるいは硬化促進剤の含有量を減らすとい
う方法が用いられてもいる。
(発明か解決しようとする課題)
しかしながら、封止用樹脂組成物の主剤樹脂を低粘度化
したり硬化促進剤の含有量を減らすことによって樹脂組
成物を低粘度化、高フロー化する場合には、成形の際に
フラッシュ(30μm以下の薄パリ)の発生量が多くな
り、また成形サイクルが犠牲になるという問題がある。
したり硬化促進剤の含有量を減らすことによって樹脂組
成物を低粘度化、高フロー化する場合には、成形の際に
フラッシュ(30μm以下の薄パリ)の発生量が多くな
り、また成形サイクルが犠牲になるという問題がある。
このため、特性の良好な封止樹脂を得ることは困難であ
った。
った。
この発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたもので
あり、従来の封止用樹脂組成物の欠点を克服し、良好な
パリ特性や成形サイクルを保持しつつ、低粘度化、高フ
ロー化を実現できる半導体封止用樹脂組成物を提供する
ことを目的としている。(課題を解決するための手段) この発明は、上記の課題を解決するために、五核体以上
および五核体以上の成分を三〜四核体の成分に対して低
減した狭分子量クレゾールノボラック型エポキシ樹脂と
、フェノールノボラック樹脂とを含有することを特徴と
する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
あり、従来の封止用樹脂組成物の欠点を克服し、良好な
パリ特性や成形サイクルを保持しつつ、低粘度化、高フ
ロー化を実現できる半導体封止用樹脂組成物を提供する
ことを目的としている。(課題を解決するための手段) この発明は、上記の課題を解決するために、五核体以上
および五核体以上の成分を三〜四核体の成分に対して低
減した狭分子量クレゾールノボラック型エポキシ樹脂と
、フェノールノボラック樹脂とを含有することを特徴と
する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
この発明の樹脂組成物がベース樹脂とするクレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂は、樹脂自体優れた耐湿性を有
するものとして知られているものであるが、さらにその
樹脂中の五核体以上および五核体以上の官能成分を三〜
四核体のものに比べて低減した、狭い範囲の分子量分布
を有するものである。このような狭分子量分布のエポキ
シ樹脂は、五核体以上の成分を低減しているので成形時
のパリの発生を抑制することかでき、また五核体以上の
成分を低減しているので封止用樹脂組成物の高粘度化を
防止し、低粘度化、高フロー化することができる。
ボラック型エポキシ樹脂は、樹脂自体優れた耐湿性を有
するものとして知られているものであるが、さらにその
樹脂中の五核体以上および五核体以上の官能成分を三〜
四核体のものに比べて低減した、狭い範囲の分子量分布
を有するものである。このような狭分子量分布のエポキ
シ樹脂は、五核体以上の成分を低減しているので成形時
のパリの発生を抑制することかでき、また五核体以上の
成分を低減しているので封止用樹脂組成物の高粘度化を
防止し、低粘度化、高フロー化することができる。
硬化剤として配合するフェノールノボラ・/り樹脂につ
いては、従来より使用されているものを用いることがで
き、たとえば、1分子中に2個以上のフェノール性水酸
基を有するフェノールノボラック系樹脂硬化剤等を使用
することができる。
いては、従来より使用されているものを用いることがで
き、たとえば、1分子中に2個以上のフェノール性水酸
基を有するフェノールノボラック系樹脂硬化剤等を使用
することができる。
以上のように、この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物は狭い分子量分布のエポキシ樹脂と硬化剤を含有す
るものであるが、さらにその封止樹脂としての性質を損
わない限り種々の添加剤を含有することができる。たと
えば、難燃剤、硬化促進剤、離型剤、着色対、充填剤、
それらの助剤などを半導体素子の種類、用途に応じて適
宜含有することができる。
成物は狭い分子量分布のエポキシ樹脂と硬化剤を含有す
るものであるが、さらにその封止樹脂としての性質を損
わない限り種々の添加剤を含有することができる。たと
えば、難燃剤、硬化促進剤、離型剤、着色対、充填剤、
それらの助剤などを半導体素子の種類、用途に応じて適
宜含有することができる。
組成物中の樹脂の配合量については、従来同様に適宜な
範囲とすることができ、たとえば、15〜40wt%程
度とすることができる。
範囲とすることができ、たとえば、15〜40wt%程
度とすることができる。
また、この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用
いて封止する方法としては、従来と同様のものを封止す
る半導体素子等に応じて適宜採用することができる。
いて封止する方法としては、従来と同様のものを封止す
る半導体素子等に応じて適宜採用することができる。
(作 用)
この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、五核体
以上および五核体以上の成分を三〜四核体の成分に対し
て低減した狭い範囲の分子量分布のクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂硬化剤を
配合しているので、封止の際のパリの発生を抑制し、か
つ良好な成形サイクルを保持しつつ、低粘度化、高フロ
ー化を達成することかできる。
以上および五核体以上の成分を三〜四核体の成分に対し
て低減した狭い範囲の分子量分布のクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂硬化剤を
配合しているので、封止の際のパリの発生を抑制し、か
つ良好な成形サイクルを保持しつつ、低粘度化、高フロ
ー化を達成することかできる。
(実施例)
以下、実施例を示して、この発明を具体的に説明する。
実施例1
第1図のカスクロマトグラフに示した分子量分布を有す
るオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点
70℃)とフェノールノボラック樹脂を配合したものを
ベース樹脂とし、これに石英ガラス粉、カルバナワック
ス、三酸化アンチモン、カーボンブラックを添加して半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製したく樹脂含量2
5wt%、助剤量Q3wt%)。
るオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点
70℃)とフェノールノボラック樹脂を配合したものを
ベース樹脂とし、これに石英ガラス粉、カルバナワック
ス、三酸化アンチモン、カーボンブラックを添加して半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製したく樹脂含量2
5wt%、助剤量Q3wt%)。
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂については
、第1図において、ピーク(A)は四核体を示し、後述
の第2図に示した従来品との対比から明らかなように、
三核体、五核体は著しく低減されたものである。
、第1図において、ピーク(A)は四核体を示し、後述
の第2図に示した従来品との対比から明らかなように、
三核体、五核体は著しく低減されたものである。
次に、得られたエポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー
、パリ特性および成形サイクルについて評価しな。
、パリ特性および成形サイクルについて評価しな。
この場合、パリ特性は、20μmのスリットから出る薄
パリの最大距離(關〉を測定することにより評価した。
パリの最大距離(關〉を測定することにより評価した。
また成形サイクルについては、To92 1000ca
v、金型175℃で、1サイクル120秒にてランナー
剛性を評価した。
v、金型175℃で、1サイクル120秒にてランナー
剛性を評価した。
この結果を表1に示した。
後述の比較例との対比からも明らかなように、この例の
樹脂組成物は良好なパリ特性と成形サイクルを保持し、
高フロー化を実現している。
樹脂組成物は良好なパリ特性と成形サイクルを保持し、
高フロー化を実現している。
実施例2
実施例1と同様のエポキシ樹脂組成物を樹脂含量が20
wt%となるように調製し、そのスパイラルフロー、パ
リ特性および成形サイクルを実施例1と同様に評価しな
。結果を表1に示した。
wt%となるように調製し、そのスパイラルフロー、パ
リ特性および成形サイクルを実施例1と同様に評価しな
。結果を表1に示した。
この例の樹脂組成物もスパイラルフロー、パリ特性およ
び成形サイクルが良好であった。
び成形サイクルが良好であった。
比較例1〜3
第2図のカスクロマトグラフに示した分子量分布を有す
るオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点
70℃)を用いて実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物
を調製した(比較例1)。
るオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点
70℃)を用いて実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物
を調製した(比較例1)。
第2図において、ピーク(A′>(B′)は各々四核体
および三核体を示し、ピーク(C′)(D′)は五核体
および三核体を示している。第1図に示した樹脂に比べ
て、三核体および五核体の含有割合ははるかに大きい。
および三核体を示し、ピーク(C′)(D′)は五核体
および三核体を示している。第1図に示した樹脂に比べ
て、三核体および五核体の含有割合ははるかに大きい。
まな、他の二〜五核体にわたって広い分子量分布を有す
る他のノボラック型エポキシ樹脂(軟化点70℃、65
℃)を用いた場合についても同様にしてエポキシ樹脂組
成物を調製した(比較例2〜3)。
る他のノボラック型エポキシ樹脂(軟化点70℃、65
℃)を用いた場合についても同様にしてエポキシ樹脂組
成物を調製した(比較例2〜3)。
これらのエポキシ樹脂組成物の各々について、スパイラ
ルフロー パリ特性および成形サイクルを実施例1と同
様に評価した。結果を表1に示した。
ルフロー パリ特性および成形サイクルを実施例1と同
様に評価した。結果を表1に示した。
これら比較例の樹脂組成物の場合はパリ特性が劣ってお
り、また成形サイクルにも支障をきたす。
り、また成形サイクルにも支障をきたす。
表1
(発明の効果)
この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、封止の
際のパリの発生を抑制し、良好な成形サイクルを保持し
つつ、低粘度化、高フロー化を達成することができる。
際のパリの発生を抑制し、良好な成形サイクルを保持し
つつ、低粘度化、高フロー化を達成することができる。
多数個取り高フロータイブあるいは低樹脂含量タイプの
封止樹脂組成物として極めて有効に用いることができる
。
封止樹脂組成物として極めて有効に用いることができる
。
第1図は、この発明に用いるオルソクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂の分子量分布の一例を示したガスクロ
マトグラフ図である。 第2図は、従来品について分子量分布を示したガスクロ
マトグラフ図である。
ク型エポキシ樹脂の分子量分布の一例を示したガスクロ
マトグラフ図である。 第2図は、従来品について分子量分布を示したガスクロ
マトグラフ図である。
Claims (1)
- (1)二核体以下および五核体以上の成分を低減した狭
分子量クレゾールノボラック型エポキシ樹脂と、フェノ
ールノボラック樹脂とを含有することを特徴とする半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23996488A JPH0288628A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23996488A JPH0288628A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0288628A true JPH0288628A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17052454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23996488A Pending JPH0288628A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0288628A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997029144A1 (fr) * | 1996-02-09 | 1997-08-14 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Resine epoxy, composition de resine epoxy et produits obtenus par durcissement |
US6312829B1 (en) | 1998-12-24 | 2001-11-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epoxy resin and resin-sealed type semiconductor apparatus |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP23996488A patent/JPH0288628A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997029144A1 (fr) * | 1996-02-09 | 1997-08-14 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Resine epoxy, composition de resine epoxy et produits obtenus par durcissement |
US6124420A (en) * | 1996-02-09 | 2000-09-26 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Epoxy resin, epoxy resin composition and hardened product thereof |
KR100444348B1 (ko) * | 1996-02-09 | 2005-02-24 | 군에이 가가쿠 고교 가부시끼가이샤 | 에폭시수지,에폭시수지조성물및이의경화물 |
US6312829B1 (en) | 1998-12-24 | 2001-11-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epoxy resin and resin-sealed type semiconductor apparatus |
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