JPH028375B2 - - Google Patents
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- JPH028375B2 JPH028375B2 JP56038950A JP3895081A JPH028375B2 JP H028375 B2 JPH028375 B2 JP H028375B2 JP 56038950 A JP56038950 A JP 56038950A JP 3895081 A JP3895081 A JP 3895081A JP H028375 B2 JPH028375 B2 JP H028375B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
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- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
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Description
本発明は高湿度中での耐食性が改善された強磁
性金属薄膜型磁気記録媒体に関するものである。 ポリエステル,ポリイミド等のプラスチツクフ
イルムや、アルミ板、ガラス板等の非磁性材料か
ら成る基板の表面に、真空中で蒸着,イオンプレ
ーデイング,スパツタリング等によりFe,Ni,
Coあるいはそれらの合金を主体とし酸素を含む
強磁性薄膜を形成せしめた磁気記録媒体は、ビデ
オ信号記録のごとき高密度記録に適したものであ
るが、強磁性金属薄膜の膜厚が0.05〜0.5μmと小
さいために高湿度中のとくに温度変化が大きく結
露が発生するような環境下で放置された場合表面
に腐食を生じやすく、その腐食がある程度進行す
ると、電磁変換特性に影響を及ぼし、またヘツド
タツチ、耐摩耗性等の実用特性を劣化させる。こ
の腐食を防錆剤で抑制する場合、ヘツド・磁性層
間のスペーシングロスの関係で磁性層表面に形成
し得る保護膜の厚さにも厳しい制限があるため数
分子層程度の付着または吸着で充分効果のある防
錆剤が望まれていた。Fe,Ni,Coあるいはそれ
らの合金を主体とし酸素を含む強磁性薄膜はそれ
らの純金属から成る薄膜に比べて抗磁力が高く、
耐食性も秀れているものであるが、酸素が含有さ
れていること、すなわち部分的に酸化されている
ために、防錆効果を発揮する材料―防錆剤―も
Fe,Co,Ni,等のバルク金属に用いられる公知
のものが必ずしも適当であるとはいえず、実際そ
れらの防錆剤を適用してみると逆に腐食を促進さ
せる場合もあるため、新たに酸素を含む強磁性薄
膜に適合するものを探すことが必要となつた。そ
こで、本発明者らが種々検討した結果、酸素を含
む強磁性薄膜に対する防錆剤として、ジアリルケ
トンを主成分とするものが適当であることを見出
した。すなわち本発明は、非磁性基板上に酸素を
含む強磁性金属薄膜を形成せしめた磁気記録媒体
において、上記強磁性金属薄膜に、ジアリルケト
ンを主成分とする防錆剤を付着せしめたことを特
徴とするものである。 非磁性基板としては、ポリエステルフイルム,
ポリイミドフイルム等のプラスチツクフイルム,
アルミ板,ステンレス板などの金属板,ガラス板
のような無機質の板などが用いられ、これらの上
に直接あるいは非磁性薄膜層を介して、微量の酸
素ガスの存在する真空中で蒸着、スパツタ,イオ
ンプレーテイングなどの方法で斜めあるいは垂直
柱状結晶から成る厚さ0.05〜0.5μmのCo,Fe,
Fe―Ni,Co―Ni,Fe―Co,Fe―Ni―Co等を主
体として酸素を磁性金属との原子比で3〜45%含
有する単層あるいは多層の強磁性薄膜を形成せし
めたものにジアリルケトンを主成分とする防錆剤
を適用する。 本発明におけるジアリルケトンとは、ベンゾフ
エノンおよびその誘導体を指し、たとえば、ベン
ゾフエノン、4―メチルベンゾフエノン、3―メ
チルベンゾフエノン、3,4―ジメチルベンゾフ
エノン、4,4′―ジメチルベンゾフエノン、3,
4′―ジメチルベンゾフエノン、4―エチルベンゾ
フエノン等のアルキル置換体、4―ヒドロキシベ
ンゾフエノン、4,4′―ジヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,3,4―トリヒドロベンゾフエノン、
2,4―ジヒドロキシベンゾフエノン、2,2′,
5,6′―テトラヒドロベンゾフエノン、2,3′,
4,4′,6―ペンタヒドロキシベンゾフエノン等
のヒドロキシベンゾフエノン類、4―アミノベン
ゾフエノン、4,4′―ジアミノベンゾフエノン等
のアミノベンゾフエノン類、あるいは2種以上の
置換基を有するベンゾフエノン類、たとえば、4
―メトキシ―2―ヒドロキシベンゾフエノン、
2,2′―ジヒドロキシ―4,4′―ジメトキシベン
ゾフエノン、2,6―ジヒドロキシ―4―メトキ
シベンゾフエノン等、を指すものである。そして
本発明における防錆剤は、これらの単体、あるい
は2種以上の混合体を主成分とし(少くとも50%
以上含有)必要に応じてジアリルケトン以外の有
機化合物、たとえば,キノン類、アセトフエノン
類等,を添加したものである。 これらの防錆剤は、強磁性薄膜の少くとも表
面、可能であれば内部、あるいは強磁性薄膜が形
成されている下地との界面に接する状態で存在せ
しめることにより、その効果を発揮せしめる。そ
の適量は磁気記録媒体1m2当り0.5〜500mg程度
である具体的な存在のさせ方としては、防錆剤を
それ自体、あるいは高分子化合物等の被膜形成能
を有するものに混合せしめた状態で必要ならば溶
剤で希釈して強磁性薄膜表面に塗布する方法、防
錆剤の蒸気を強磁性薄膜表面にあてる方法、さら
に、磁気記録媒体がテープ状である場合にはその
裏面に存在せしめておきテープが巻込まれたとき
強磁性薄膜表面に転写せしめるようにする方法,
等公知の手段を用いることができる。また、防錆
剤と共に、通常の潤滑剤,帯電防止剤等の添加剤
を用いることも可能である。 次に具体的に本発明の実施例について説明す
る。厚さ10μmのポリエステルフイルムを円筒キ
ヤンの周面上に沿わせて5×10-5Torrの真空度
で酸素ガスを0.3/minの速度で導入して電子
ビーム加熱により溶融したCoNi合金(Ni含有量
20wt%)を連続斜め蒸着(低入射角度成分30゜以
下カツト)し、厚さ1000Åの酸素含有CoNi強磁
性薄膜をフイルム上に形成せしめたもの(試料
A)と、上記と類似の条件で真空度5×
10-6Torr、酸素ガス導入なしで酸素を含有せし
めないCoNi強磁性薄膜を形成せしめたもの(試
料B)を用意した。膜中の酸素量をオージエ電子
分光分析法を主体に測定した結果、試料Aの膜中
の平均酸素量はCoとNiに対する原子数比
(O/Co+Ni×100)で10%であり、試料Bのそれは 1%以下であつた。これらの試料表面にジアリル
ケトンを主成分とする防錆剤をエチルアルコー
ル,アセトン,あるいはベンゼンに溶解せしめて
塗布乾燥(塗布量は10〜100mg/m2となるよう調
節した。)したのちに50℃、90%R.H.雰囲気中に
放置し、その間定期的に取出し顕微鏡観察するこ
とにより錆発生状態を調べた。その結果を表に示
す。表より明らかなように、ジアリルケトンを主
成分とする防錆剤は酸素を含むCoNi薄膜に対し
防錆効果が大きかつた。この効果は酸素含有量3
〜45%のCoNi薄膜(Ni10〜55wt%)では同様で
あり、Co薄膜、Fe―Ni薄膜、Fe―Co薄膜等に
おいても類似していた。
性金属薄膜型磁気記録媒体に関するものである。 ポリエステル,ポリイミド等のプラスチツクフ
イルムや、アルミ板、ガラス板等の非磁性材料か
ら成る基板の表面に、真空中で蒸着,イオンプレ
ーデイング,スパツタリング等によりFe,Ni,
Coあるいはそれらの合金を主体とし酸素を含む
強磁性薄膜を形成せしめた磁気記録媒体は、ビデ
オ信号記録のごとき高密度記録に適したものであ
るが、強磁性金属薄膜の膜厚が0.05〜0.5μmと小
さいために高湿度中のとくに温度変化が大きく結
露が発生するような環境下で放置された場合表面
に腐食を生じやすく、その腐食がある程度進行す
ると、電磁変換特性に影響を及ぼし、またヘツド
タツチ、耐摩耗性等の実用特性を劣化させる。こ
の腐食を防錆剤で抑制する場合、ヘツド・磁性層
間のスペーシングロスの関係で磁性層表面に形成
し得る保護膜の厚さにも厳しい制限があるため数
分子層程度の付着または吸着で充分効果のある防
錆剤が望まれていた。Fe,Ni,Coあるいはそれ
らの合金を主体とし酸素を含む強磁性薄膜はそれ
らの純金属から成る薄膜に比べて抗磁力が高く、
耐食性も秀れているものであるが、酸素が含有さ
れていること、すなわち部分的に酸化されている
ために、防錆効果を発揮する材料―防錆剤―も
Fe,Co,Ni,等のバルク金属に用いられる公知
のものが必ずしも適当であるとはいえず、実際そ
れらの防錆剤を適用してみると逆に腐食を促進さ
せる場合もあるため、新たに酸素を含む強磁性薄
膜に適合するものを探すことが必要となつた。そ
こで、本発明者らが種々検討した結果、酸素を含
む強磁性薄膜に対する防錆剤として、ジアリルケ
トンを主成分とするものが適当であることを見出
した。すなわち本発明は、非磁性基板上に酸素を
含む強磁性金属薄膜を形成せしめた磁気記録媒体
において、上記強磁性金属薄膜に、ジアリルケト
ンを主成分とする防錆剤を付着せしめたことを特
徴とするものである。 非磁性基板としては、ポリエステルフイルム,
ポリイミドフイルム等のプラスチツクフイルム,
アルミ板,ステンレス板などの金属板,ガラス板
のような無機質の板などが用いられ、これらの上
に直接あるいは非磁性薄膜層を介して、微量の酸
素ガスの存在する真空中で蒸着、スパツタ,イオ
ンプレーテイングなどの方法で斜めあるいは垂直
柱状結晶から成る厚さ0.05〜0.5μmのCo,Fe,
Fe―Ni,Co―Ni,Fe―Co,Fe―Ni―Co等を主
体として酸素を磁性金属との原子比で3〜45%含
有する単層あるいは多層の強磁性薄膜を形成せし
めたものにジアリルケトンを主成分とする防錆剤
を適用する。 本発明におけるジアリルケトンとは、ベンゾフ
エノンおよびその誘導体を指し、たとえば、ベン
ゾフエノン、4―メチルベンゾフエノン、3―メ
チルベンゾフエノン、3,4―ジメチルベンゾフ
エノン、4,4′―ジメチルベンゾフエノン、3,
4′―ジメチルベンゾフエノン、4―エチルベンゾ
フエノン等のアルキル置換体、4―ヒドロキシベ
ンゾフエノン、4,4′―ジヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,3,4―トリヒドロベンゾフエノン、
2,4―ジヒドロキシベンゾフエノン、2,2′,
5,6′―テトラヒドロベンゾフエノン、2,3′,
4,4′,6―ペンタヒドロキシベンゾフエノン等
のヒドロキシベンゾフエノン類、4―アミノベン
ゾフエノン、4,4′―ジアミノベンゾフエノン等
のアミノベンゾフエノン類、あるいは2種以上の
置換基を有するベンゾフエノン類、たとえば、4
―メトキシ―2―ヒドロキシベンゾフエノン、
2,2′―ジヒドロキシ―4,4′―ジメトキシベン
ゾフエノン、2,6―ジヒドロキシ―4―メトキ
シベンゾフエノン等、を指すものである。そして
本発明における防錆剤は、これらの単体、あるい
は2種以上の混合体を主成分とし(少くとも50%
以上含有)必要に応じてジアリルケトン以外の有
機化合物、たとえば,キノン類、アセトフエノン
類等,を添加したものである。 これらの防錆剤は、強磁性薄膜の少くとも表
面、可能であれば内部、あるいは強磁性薄膜が形
成されている下地との界面に接する状態で存在せ
しめることにより、その効果を発揮せしめる。そ
の適量は磁気記録媒体1m2当り0.5〜500mg程度
である具体的な存在のさせ方としては、防錆剤を
それ自体、あるいは高分子化合物等の被膜形成能
を有するものに混合せしめた状態で必要ならば溶
剤で希釈して強磁性薄膜表面に塗布する方法、防
錆剤の蒸気を強磁性薄膜表面にあてる方法、さら
に、磁気記録媒体がテープ状である場合にはその
裏面に存在せしめておきテープが巻込まれたとき
強磁性薄膜表面に転写せしめるようにする方法,
等公知の手段を用いることができる。また、防錆
剤と共に、通常の潤滑剤,帯電防止剤等の添加剤
を用いることも可能である。 次に具体的に本発明の実施例について説明す
る。厚さ10μmのポリエステルフイルムを円筒キ
ヤンの周面上に沿わせて5×10-5Torrの真空度
で酸素ガスを0.3/minの速度で導入して電子
ビーム加熱により溶融したCoNi合金(Ni含有量
20wt%)を連続斜め蒸着(低入射角度成分30゜以
下カツト)し、厚さ1000Åの酸素含有CoNi強磁
性薄膜をフイルム上に形成せしめたもの(試料
A)と、上記と類似の条件で真空度5×
10-6Torr、酸素ガス導入なしで酸素を含有せし
めないCoNi強磁性薄膜を形成せしめたもの(試
料B)を用意した。膜中の酸素量をオージエ電子
分光分析法を主体に測定した結果、試料Aの膜中
の平均酸素量はCoとNiに対する原子数比
(O/Co+Ni×100)で10%であり、試料Bのそれは 1%以下であつた。これらの試料表面にジアリル
ケトンを主成分とする防錆剤をエチルアルコー
ル,アセトン,あるいはベンゼンに溶解せしめて
塗布乾燥(塗布量は10〜100mg/m2となるよう調
節した。)したのちに50℃、90%R.H.雰囲気中に
放置し、その間定期的に取出し顕微鏡観察するこ
とにより錆発生状態を調べた。その結果を表に示
す。表より明らかなように、ジアリルケトンを主
成分とする防錆剤は酸素を含むCoNi薄膜に対し
防錆効果が大きかつた。この効果は酸素含有量3
〜45%のCoNi薄膜(Ni10〜55wt%)では同様で
あり、Co薄膜、Fe―Ni薄膜、Fe―Co薄膜等に
おいても類似していた。
【表】
以上に説明したように本発明によると高湿度中
での耐食性を容易に改善することができる。
での耐食性を容易に改善することができる。
Claims (1)
- 1 非磁性基板上に酸素を含む強磁性金属薄膜を
形成せしめた磁気記録媒体において、上記強磁性
金属薄膜にジアリルケトンを主成分とする防錆剤
を付着せしめたことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56038950A JPS57152518A (en) | 1981-03-17 | 1981-03-17 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56038950A JPS57152518A (en) | 1981-03-17 | 1981-03-17 | Magnetic recording medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57152518A JPS57152518A (en) | 1982-09-20 |
JPH028375B2 true JPH028375B2 (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=12539477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56038950A Granted JPS57152518A (en) | 1981-03-17 | 1981-03-17 | Magnetic recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57152518A (ja) |
-
1981
- 1981-03-17 JP JP56038950A patent/JPS57152518A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57152518A (en) | 1982-09-20 |
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