JPH0280570A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0280570A JPH0280570A JP63228806A JP22880688A JPH0280570A JP H0280570 A JPH0280570 A JP H0280570A JP 63228806 A JP63228806 A JP 63228806A JP 22880688 A JP22880688 A JP 22880688A JP H0280570 A JPH0280570 A JP H0280570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen radical
- film
- supplied
- hydrogen
- contg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 35
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 4
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010028813 Nausea Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008693 nausea Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電子写真用感光体の表面保護層等の高炭素含有アモルフ
ァスシリコン系薄膜を成膜するのに使用される薄膜形成
装置に関し、 膜質を均一化できるようにすることを目的とし、プラズ
マが励起され原料ガスが供給される堆積空間に、水素ラ
ジカル供給手段により発生される水素ラジカルを送り込
んで、前記堆積空間内にセットされた基体の表面へ高炭
素含有アモルファスシリコン膜を成膜する薄膜形成装置
において、前記水素ラジカル供給手段の出口に、前記堆
積空間への水素ラジカルを均一に送り込むための水素ラ
ジカル導入部を設けた構成とする。
ァスシリコン系薄膜を成膜するのに使用される薄膜形成
装置に関し、 膜質を均一化できるようにすることを目的とし、プラズ
マが励起され原料ガスが供給される堆積空間に、水素ラ
ジカル供給手段により発生される水素ラジカルを送り込
んで、前記堆積空間内にセットされた基体の表面へ高炭
素含有アモルファスシリコン膜を成膜する薄膜形成装置
において、前記水素ラジカル供給手段の出口に、前記堆
積空間への水素ラジカルを均一に送り込むための水素ラ
ジカル導入部を設けた構成とする。
（産業上の利用分野〕
本発明は電子写真用感光体の表面保護層等の高炭素含有
アモルファスシリコン系薄膜を成膜するのに使用される
薄膜形成装置に関する。
アモルファスシリコン系薄膜を成膜するのに使用される
薄膜形成装置に関する。
電子写真感光体の材料として、水素化アモルファスシリ
コン（ａ −５ｌ ： １（）は、耐久性、無公害、感
度の良さという点から有望視されている。第５図に感光
体構成図を示し、感光体１０１は、基体１０２上に、プ
ロフキングｉｉ（ボロン高ドープのａ−Ｓｉ：Ｈ）１０
３、感光層（ボロン低ドープのａ−Ｓｉｌｌ（）１０４
、表面保護層（炭素含有のａ−５ｉＣ：Ｈ）１０５を順
次形成して構成されている０表面保護層１０５は、表面
から光導電性を持つ感光層１０４へのキャリア注入を防
ぐために、絶縁性に優れかつ透光性に優れていることが
必要であり、従来は低炭素含有のａ −５ｉＣ： Ｈ（
ａＳｉ＋−ｘｃｘ ’ Ｈでｚ ＜ ９．５ ）のもの
が多く使われてきた。このａ ５ｉＨ−１ｃｘ ：
Ｈ（ｘ ＜ ０．５）は、表面保護層として十分な硬度
と透光性と絶縁性を持っているが、この膜を表面保護層
として使用した感光体は、例えば３５℃８０％ＲＨの高
温高湿度で像がぼやける現象（以下、検流れと呼ぶ）が
起きるという欠点がある。この検流れの原因は、本出願
人により既に提案された特願昭６３−５８２１４号（出
願日；昭和６３年３月１４日）に詳しく述べであるので
ここでは省略する。検流れを防止するには、表面保護層
に高炭素含有のａ ５ｌｙ−ｘＣＸ：Ｈ（ｘ≧０．５
）が望まれる。
コン（ａ −５ｌ ： １（）は、耐久性、無公害、感
度の良さという点から有望視されている。第５図に感光
体構成図を示し、感光体１０１は、基体１０２上に、プ
ロフキングｉｉ（ボロン高ドープのａ−Ｓｉ：Ｈ）１０
３、感光層（ボロン低ドープのａ−Ｓｉｌｌ（）１０４
、表面保護層（炭素含有のａ−５ｉＣ：Ｈ）１０５を順
次形成して構成されている０表面保護層１０５は、表面
から光導電性を持つ感光層１０４へのキャリア注入を防
ぐために、絶縁性に優れかつ透光性に優れていることが
必要であり、従来は低炭素含有のａ −５ｉＣ： Ｈ（
ａＳｉ＋−ｘｃｘ ’ Ｈでｚ ＜ ９．５ ）のもの
が多く使われてきた。このａ ５ｉＨ−１ｃｘ ：
Ｈ（ｘ ＜ ０．５）は、表面保護層として十分な硬度
と透光性と絶縁性を持っているが、この膜を表面保護層
として使用した感光体は、例えば３５℃８０％ＲＨの高
温高湿度で像がぼやける現象（以下、検流れと呼ぶ）が
起きるという欠点がある。この検流れの原因は、本出願
人により既に提案された特願昭６３−５８２１４号（出
願日；昭和６３年３月１４日）に詳しく述べであるので
ここでは省略する。検流れを防止するには、表面保護層
に高炭素含有のａ ５ｌｙ−ｘＣＸ：Ｈ（ｘ≧０．５
）が望まれる。
第６図は従来の高周波プラズマＣＶＤ （ＲＦ−ＣＶＤ
）法によるａ−ＳｉＣ：Ｈ膜形成装置の概略図で、図中
、１〜４は原料ガス供給用ボンベである０例えばボンベ
ｌにはＳｉ、Ｈ，が、ボンベ２にはＣＪＩが、ボンベ３
にはＨ２が、ボンベ４にはＡｒがそれぞれ収納されてい
る。成膜に際しては、これらのガスを流量調整器５で制
御して真空容器６内へ導く。そして、２枚の電極７，７
′にＲＦ電源８により、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を
印加してプラズマを発生させ、基板９上に膜を堆積させ
る。なお、排気は、メカニカルブースタポンプ１０、ロ
ータリポンプ１１により行われる。
）法によるａ−ＳｉＣ：Ｈ膜形成装置の概略図で、図中
、１〜４は原料ガス供給用ボンベである０例えばボンベ
ｌにはＳｉ、Ｈ，が、ボンベ２にはＣＪＩが、ボンベ３
にはＨ２が、ボンベ４にはＡｒがそれぞれ収納されてい
る。成膜に際しては、これらのガスを流量調整器５で制
御して真空容器６内へ導く。そして、２枚の電極７，７
′にＲＦ電源８により、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を
印加してプラズマを発生させ、基板９上に膜を堆積させ
る。なお、排気は、メカニカルブースタポンプ１０、ロ
ータリポンプ１１により行われる。
しかし、このＲＦ−ＣＶＤ法による成膜では、緻密な高
炭素含有ａ−ＳｉＣ：Ｈを得ることはできなかった。
炭素含有ａ−ＳｉＣ：Ｈを得ることはできなかった。
そこで、これに代わるものとして、本出願人は水素ラジ
カルアシストＲＦ−ＣＶＤ法による成膜法を提案（前述
の特願昭６３−５８２１４号）している。第７図はこの
成膜法によるａ−３ｉＣ：Ｈ膜形成装置の概略図で、図
中、２１は２．４５Ｇ）ｌｚのマイクロ波発振器、２２
は導波管、２３は石英管、２４はプラズマ発注炉、２５
は水素ガス導入部、２６は真空容器、２７はヒータ２８
により加熱される基台、２９はＲＦ電極、３０は原料ガ
ス（ＳｉＪｉ、ＣＪＩ等）導入部、３１は１３．５６Ｍ
ＨｚのＲＦ電源、３２はメカニカルブースタポンプ、３
３はロータリポンプである。
カルアシストＲＦ−ＣＶＤ法による成膜法を提案（前述
の特願昭６３−５８２１４号）している。第７図はこの
成膜法によるａ−３ｉＣ：Ｈ膜形成装置の概略図で、図
中、２１は２．４５Ｇ）ｌｚのマイクロ波発振器、２２
は導波管、２３は石英管、２４はプラズマ発注炉、２５
は水素ガス導入部、２６は真空容器、２７はヒータ２８
により加熱される基台、２９はＲＦ電極、３０は原料ガ
ス（ＳｉＪｉ、ＣＪＩ等）導入部、３１は１３．５６Ｍ
ＨｚのＲＦ電源、３２はメカニカルブースタポンプ、３
３はロータリポンプである。
成膜に際しては、真空容器２６内で、ＲＦ電極２９に対
向して、該ＲＦ電極２９との間に堆積空間３４を形成す
る基台２７上に基体１００をセットし、これをヒータ２
８により２５０℃に加熱して、原料ガス導入部３０から
堆積空間３４内に、５ｉＪａを２ ｃｃ／ｗｉｎの流量
で、Ｃ５Ｈｓを２０ｃｃ／ｗｉｎの流量でそれぞれ供給
してＲＦ電源３１からＲＦ電極２９にＲＦパワー１００
Ｗを供給する。同時に、水素ガス導入部２５からＨ２を
１００ｃｃ／ａ＋ｉｎの流量で供給し、これをプラズマ
発生炉２４で、マイクロ波発振器２１から導波管２２を
通し供給されるパワー３８０Ｗのマイクロ波により分解
し、水素ラジカルとして堆積空間３４に供給する。この
ときの真空容器２６内の圧力はポンプ３２．３３により
Ｑ、 ｌ ｔｏｒｒに維持する。この工程により基体１
００の表面に形成されたａ −５ｉ１−、Ｃ，： Ｈ膜
のＸは０．８であり、咳高炭素含有のａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
は、良好な絶縁性を持つ緻密なものである。
向して、該ＲＦ電極２９との間に堆積空間３４を形成す
る基台２７上に基体１００をセットし、これをヒータ２
８により２５０℃に加熱して、原料ガス導入部３０から
堆積空間３４内に、５ｉＪａを２ ｃｃ／ｗｉｎの流量
で、Ｃ５Ｈｓを２０ｃｃ／ｗｉｎの流量でそれぞれ供給
してＲＦ電源３１からＲＦ電極２９にＲＦパワー１００
Ｗを供給する。同時に、水素ガス導入部２５からＨ２を
１００ｃｃ／ａ＋ｉｎの流量で供給し、これをプラズマ
発生炉２４で、マイクロ波発振器２１から導波管２２を
通し供給されるパワー３８０Ｗのマイクロ波により分解
し、水素ラジカルとして堆積空間３４に供給する。この
ときの真空容器２６内の圧力はポンプ３２．３３により
Ｑ、 ｌ ｔｏｒｒに維持する。この工程により基体１
００の表面に形成されたａ −５ｉ１−、Ｃ，： Ｈ膜
のＸは０．８であり、咳高炭素含有のａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
は、良好な絶縁性を持つ緻密なものである。
しかし、この水素ラジカルアシストＲＦ−ＣＶＤ法によ
る成膜時には、場所による膜質の違いが生じる。これは
、水素カシカルを発生させる石英管２３の直径が、例え
ば３０鶴と小さく （導波管２２により決まる）、堆積
空間３４内で水素ラジカルの濃度差が生じるためと考え
られる。そして、この膜質のむらは、電子写真感光体の
ような円筒形基体にａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形成する場合、
画像品質低下の大きな原因となる。
る成膜時には、場所による膜質の違いが生じる。これは
、水素カシカルを発生させる石英管２３の直径が、例え
ば３０鶴と小さく （導波管２２により決まる）、堆積
空間３４内で水素ラジカルの濃度差が生じるためと考え
られる。そして、この膜質のむらは、電子写真感光体の
ような円筒形基体にａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形成する場合、
画像品質低下の大きな原因となる。
本発明は膜質を均一化することのできる薄膜形成装置を
提供することを目的とするものである。
提供することを目的とするものである。
第１図は本発明の原理説明図（第１図（ａｌは全体概要
を示す斜視図、第１図（ｂ）は水素ラジカル導入部の斜
視図）で、図中、４１は水素ラジカル供給手段、４２は
水素ラジカル導入部である。なお、本図は第７図の装置
に本発明が適用されたものを示している。
を示す斜視図、第１図（ｂ）は水素ラジカル導入部の斜
視図）で、図中、４１は水素ラジカル供給手段、４２は
水素ラジカル導入部である。なお、本図は第７図の装置
に本発明が適用されたものを示している。
水素ラジカル供給手段４１は、本図の場合、導波管２２
と、該導波管２２に接続する図示しないマイクロ波発振
器と、石英管２３と、プラズマ発生炉２４と、水素ガス
導入部２５とより構成され、水素ラジカルを発生させる
。
と、該導波管２２に接続する図示しないマイクロ波発振
器と、石英管２３と、プラズマ発生炉２４と、水素ガス
導入部２５とより構成され、水素ラジカルを発生させる
。
水素ラジカル導入部４２は、堆積空間３４へ水素ラジカ
ルを均一に送り込める形成を有している。
ルを均一に送り込める形成を有している。
本図の場合は、水素ラジカル導入部４２は、第１図（ｂ
）に示すように、それぞれ末広がり形状を有する導入部
外壁４３と導入部内壁４４とを同心に配置してこれらを
押え棒４５により連結して成り、水素ラジカル供給手段
４１の出口すなわち石英管２３の先端に接続されている
。この状態で、水素ラジカル導入部４２は、真空容器２
６内で堆積空間３４に対向している。
）に示すように、それぞれ末広がり形状を有する導入部
外壁４３と導入部内壁４４とを同心に配置してこれらを
押え棒４５により連結して成り、水素ラジカル供給手段
４１の出口すなわち石英管２３の先端に接続されている
。この状態で、水素ラジカル導入部４２は、真空容器２
６内で堆積空間３４に対向している。
成膜時にプラズマ発生炉２４で発生した水素ラジカルは
、水素ラジカル導入部４２を通り堆積空間３４に供給さ
れるが、この水素ラジカル導入部４２を通ることによっ
て、水素ラジカルは堆積空間３４に均一に広がる。この
とき、第１図（ｂｌに示すｄ、、ｄ、、Ｄ、、 Ｄｘを
変化させることによって均一性を調整することができる
。
、水素ラジカル導入部４２を通り堆積空間３４に供給さ
れるが、この水素ラジカル導入部４２を通ることによっ
て、水素ラジカルは堆積空間３４に均一に広がる。この
とき、第１図（ｂｌに示すｄ、、ｄ、、Ｄ、、 Ｄｘを
変化させることによって均一性を調整することができる
。
このように、堆積空間３４への水素ラジカル供給は均一
に行われるため、基体１００に成膜される高炭素含有ａ
−ＳｉＣ：Ｈの膜質を均一化することが可能になる。
に行われるため、基体１００に成膜される高炭素含有ａ
−ＳｉＣ：Ｈの膜質を均一化することが可能になる。
以下、第２図乃至第４図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
第２図及び第３図に第１の実施例を示す。本例は円筒状
基体１０２に成膜を行う場合のものである。
基体１０２に成膜を行う場合のものである。
第２図は本発明に係る薄膜形成装置の概略図で、図中、
４１は第１図と同様の水素ラジカル供給手段、５１は水
素ラジカル導入部、５２はヒータ、５２′はヒータ用電
源、５３はＲＦ電源、５４は堆積空間である。なお、第
１．７図と同様の部材には同じ符号を付している。基体
１０２には、ａ−３ｔ感光ドラム用の直径８０酊、長さ
２６０Ｉ１１のアルミニウムの素管を用いた。
４１は第１図と同様の水素ラジカル供給手段、５１は水
素ラジカル導入部、５２はヒータ、５２′はヒータ用電
源、５３はＲＦ電源、５４は堆積空間である。なお、第
１．７図と同様の部材には同じ符号を付している。基体
１０２には、ａ−３ｔ感光ドラム用の直径８０酊、長さ
２６０Ｉ１１のアルミニウムの素管を用いた。
水素ラジカル導入部５１は、堆積空間５４へ水素ラジカ
ルを均一に送り込むためのもので、第３図に示すように
、それぞれ末広がり形状を有する導入部外壁５５と導入
部内壁５６とを連結して構成されている。この水素ラジ
カル導入部５１は、石英管２３の先端に接続され、真空
容器２６内で堆積空間５４に対向している。
ルを均一に送り込むためのもので、第３図に示すように
、それぞれ末広がり形状を有する導入部外壁５５と導入
部内壁５６とを連結して構成されている。この水素ラジ
カル導入部５１は、石英管２３の先端に接続され、真空
容器２６内で堆積空間５４に対向している。
成膜に際しては、原料ガス（ＳｉＪ、 ２ ｃｃ／ａｌ
ｌｉｎとＣｓＨ＊ １０ ｃｃ／ｗｉｎ）を原料ガス導
入部３０からＲＦ電極５３を通して真空容器２６内に導
入するとともに、水素ガス導入部２５から水素（Ｈｚ）
２００ｃｃ／ｓｉｎを導入する。そして、基体１０２の
温度２５０℃、真空容器２６内の圧力０．２ ｔｏｒｒ
、 ＲＦパワー１００Ｗ、マイクロ波パワー５４０Ｗで
ａ−ＳｉＣ：Ｈを成膜する。
ｌｉｎとＣｓＨ＊ １０ ｃｃ／ｗｉｎ）を原料ガス導
入部３０からＲＦ電極５３を通して真空容器２６内に導
入するとともに、水素ガス導入部２５から水素（Ｈｚ）
２００ｃｃ／ｓｉｎを導入する。そして、基体１０２の
温度２５０℃、真空容器２６内の圧力０．２ ｔｏｒｒ
、 ＲＦパワー１００Ｗ、マイクロ波パワー５４０Ｗで
ａ−ＳｉＣ：Ｈを成膜する。
次表１は、水素ラジカル導入部５１の有無による円筒状
基体１０２の中心部と端部の膜質の違いを示すものであ
る。
基体１０２の中心部と端部の膜質の違いを示すものであ
る。
光学バンドギャップＥｇｏｐｔと、構造の緻密性を表わ
すとされているＢ値とは、ともにａ−５ｉＣ：Ｈの膜質
を知る上で重要な値であるが、水素ラジカル導入部５１
を入れることによって膜質が均一になり、成膜速度も同
じとなった。実験に際しては、第３図のｈｚ／ｈ＋の比
を０．１〜０．５まで、Ｈ，／Ｈ，の比を０．３〜０．
７まで変化させて実験を行ったが、上記表１の結果は、
ｈｚ／ｌ）＋＝０、２、Ｈ，／Ｈ，＝０．５のときの値
である。
すとされているＢ値とは、ともにａ−５ｉＣ：Ｈの膜質
を知る上で重要な値であるが、水素ラジカル導入部５１
を入れることによって膜質が均一になり、成膜速度も同
じとなった。実験に際しては、第３図のｈｚ／ｈ＋の比
を０．１〜０．５まで、Ｈ，／Ｈ，の比を０．３〜０．
７まで変化させて実験を行ったが、上記表１の結果は、
ｈｚ／ｌ）＋＝０、２、Ｈ，／Ｈ，＝０．５のときの値
である。
第４図に第２の実施例を示す。
本例は第１図の場合と同様に平板状の基体１００に成膜
する場合のものである。
する場合のものである。
本例の場合も、真空容器２６内で堆積空間３４に対向す
る水素ラジカル導入部５１を用いることによって、前例
と同様の効果を得ることができる。
る水素ラジカル導入部５１を用いることによって、前例
と同様の効果を得ることができる。
以上述べたように、本発明によれば、水素ラジカル導入
部を設けることにより、水素ラジカルを均一に堆積空間
に送り込むことができるため、成膜される高炭素含有ａ
−ＳｉＣ：Ｈの膜質を均一化することが可能になる。
部を設けることにより、水素ラジカルを均一に堆積空間
に送り込むことができるため、成膜される高炭素含有ａ
−ＳｉＣ：Ｈの膜質を均一化することが可能になる。
第１図（ａ）、 （ｂｌは本発明の原理説明図、第２図
は本発明の第１の実施例の薄膜形成装置の概略図、 第３図は同、水素ラジカル導入部の形状を示す斜視図、 第４図は本発明の第２の実施例の薄膜形成装置の概略図
、 第５図はａ −５ｔ悪感光構成図、 第６図は従来のＲＦ−ＣＶＤ法によるａ −３ｉＣ：Ｈ
膜形成装置の概略図、 第７図は従来の水素ラジカルアシス１−ＲＦ−ＣＶＤ法
によるａ−５ｉＣ：Ｈ膜形成装置の概略図で、図中、 ３４．３５は堆積空間、 ４１は水素ラジカル供給手段、 ４２．５１は水素ラジカル導入部である。 １へ弗 抹禦 多（ ３８Ｚ 第４図 ５１水素ラジ力ル導入部 ａ−５ｉ伝光体構成図 第５図
は本発明の第１の実施例の薄膜形成装置の概略図、 第３図は同、水素ラジカル導入部の形状を示す斜視図、 第４図は本発明の第２の実施例の薄膜形成装置の概略図
、 第５図はａ −５ｔ悪感光構成図、 第６図は従来のＲＦ−ＣＶＤ法によるａ −３ｉＣ：Ｈ
膜形成装置の概略図、 第７図は従来の水素ラジカルアシス１−ＲＦ−ＣＶＤ法
によるａ−５ｉＣ：Ｈ膜形成装置の概略図で、図中、 ３４．３５は堆積空間、 ４１は水素ラジカル供給手段、 ４２．５１は水素ラジカル導入部である。 １へ弗 抹禦 多（ ３８Ｚ 第４図 ５１水素ラジ力ル導入部 ａ−５ｉ伝光体構成図 第５図
Claims (1)
- プラズマが励起され原料ガスが供給される堆積空間（３
４）に、水素ラジカル供給手段（４１）により発生され
る水素ラジカルを送り込んで、前記堆積空間（３４）内
にセットされた基体の表面へ高炭素含有アモルファスシ
リコン膜を成膜する薄膜形成装置において、前記水素ラ
ジカル供給手段（４１）の出口に、前記堆積空間（３４
）へ水素ラジカルを均一に送り込むための水素ラジカル
導入部（４２）を設けたことを特徴とする薄膜形成装置
。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228806A JPH0689453B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 薄膜形成装置 |
| KR1019890013162A KR940003787B1 (ko) | 1988-09-14 | 1989-09-11 | 박막 형성장치 및 방법 |
| US07/405,297 US5122431A (en) | 1988-09-14 | 1989-09-11 | Thin film formation apparatus |
| DE68915088T DE68915088T2 (de) | 1988-09-14 | 1989-09-14 | Hydrogenierte, amorphe Materialien und daraus bestehende dünne Filme. |
| EP89117041A EP0359264B1 (en) | 1988-09-14 | 1989-09-14 | Hydrogenated amorphous materials and thin films thereof |
| US07/756,590 US5447816A (en) | 1988-09-14 | 1991-09-09 | Method for forming a thin protection film |
| US08/201,486 US5522343A (en) | 1988-09-14 | 1994-02-23 | Thin film formation apparatus |
| US08/570,711 US5741364A (en) | 1988-09-14 | 1995-12-11 | Thin film formation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228806A JPH0689453B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280570A true JPH0280570A (ja) | 1990-03-20 |
| JPH0689453B2 JPH0689453B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=16882146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63228806A Expired - Fee Related JPH0689453B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689453B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63228806A patent/JPH0689453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0689453B2 (ja) | 1994-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5443645A (en) | Microwave plasma CVD apparatus comprising coaxially aligned multiple gas pipe gas feed structure | |
| AU594107B2 (en) | Method for preparation of multi-layer structure film | |
| JPH0676664B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成装置 | |
| US5129359A (en) | Microwave plasma CVD apparatus for the formation of functional deposited film with discharge space provided with gas feed device capable of applying bias voltage between the gas feed device and substrate | |
| JPS6063375A (ja) | 気相法堆積膜製造装置 | |
| JPS6248753B2 (ja) | ||
| JP2787148B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| US6165274A (en) | Plasma processing apparatus and method | |
| JPH0280570A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH03100178A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2833044B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS62174383A (ja) | 薄膜堆積装置 | |
| JP2561129B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2797202B2 (ja) | 炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造方法 | |
| JP2925310B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPH02217475A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0310075A (ja) | 水素化アモルファスシリコン膜 | |
| JPS6357779A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 | |
| JP2867150B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH01222059A (ja) | 薄膜形成方法および感光体 | |
| JPH01222058A (ja) | 薄膜形成方法および感光体 | |
| JP2753084B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPS624872A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS6350479A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 | |
| JPS63479A (ja) | プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |