JPH02217475A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH02217475A JPH02217475A JP1034987A JP3498789A JPH02217475A JP H02217475 A JPH02217475 A JP H02217475A JP 1034987 A JP1034987 A JP 1034987A JP 3498789 A JP3498789 A JP 3498789A JP H02217475 A JPH02217475 A JP H02217475A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ｆｆｌ密でかつ高炭素含有のアモルファスシリコンの形
成等に使用されるラジカル導入型薄膜形成装置に関し、 ラジカルを効率良く基板上に送り込んで良質（高炭素含
有で高緻密）な薄膜を形成できるようにすることを目的
とし、 プラズマが励起されかつ原料ガスが供給されるとともに
、ラジカル発生器でマイクロ波によりラジカル化した励
起ガスが送り込まれる堆積空間に基体をセットして、該
基体の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前
記ラジカル発生器のガス吹出口に、マイクロ波を遮断す
るための遮断部材を設けた構成とする。
成等に使用されるラジカル導入型薄膜形成装置に関し、 ラジカルを効率良く基板上に送り込んで良質（高炭素含
有で高緻密）な薄膜を形成できるようにすることを目的
とし、 プラズマが励起されかつ原料ガスが供給されるとともに
、ラジカル発生器でマイクロ波によりラジカル化した励
起ガスが送り込まれる堆積空間に基体をセットして、該
基体の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前
記ラジカル発生器のガス吹出口に、マイクロ波を遮断す
るための遮断部材を設けた構成とする。
本発明は緻密でかつ高炭素含有のアモルファスシリコン
（ａ−５ｔ）の形成等に使用されるラジカル導入型薄膜
形成装置に関する。
（ａ−５ｔ）の形成等に使用されるラジカル導入型薄膜
形成装置に関する。
電子写真感光体の材料として、水素化アモルファスシリ
コン（ａ−３ｉ：Ｈ）は、耐久性、無公害、光感度の点
で有望視されている。第４図はａ−５ｉ悪感光１０１の
構成図で、図中、１０２は＾２の基体、１０３はボロン
高ドープのａ−５ｉ：Ｈのブロッキング層、１０４はポ
ロン低ドープａ−Ｓｔ：Ｈの感光層、１０５は炭素含有
ａ−Ｓｉ：Ｈ（ａ−５ｉＣ：Ｈ）の表面保護層である０
表面保護層１０５は、表面から光導電性を持つ感光層１
０４へのキャリア注入を防ぐために、絶縁性に優れかつ
透光性に優れていることが必要で、従来は低炭素含有の
ａ−ＳｉＣＨ（ａ−ｓｉ、−ＸｃＸ：ＨでＸ ＜ ０．
５のもの）が多く使われてきた。この低炭素含有のａ−
Ｓｔ ｒ−ｘｃｘ：Ｈ（Ｘ ＜ ０．５ ）は、表面保
護層として十分な硬度と透光性と絶縁性を持っているが
、この膜を表面保護層として使用したａ−Ｓｉ感光体は
、高温高温（例えば３５℃８０％ＲＨ）中で長期使用す
ると画像がぼやける現象（以下検流れと称する）が起き
るという欠点がある。この原因としては、本出願人が昭
和６３年３月１４日付で出願した特願昭６３−５８２１
４号に詳しく示されている。検流れを起こしにくくする
ために高炭素含有のａ−Ｓｉ＋−ｘｃｘ：Ｈ（Ｘ ＞
０．５ ）にした表面保護層は、耐湿性に富んでいるが
、膜の構造緻密性が損なわれ、絶縁性が低下するという
欠点がある。
コン（ａ−３ｉ：Ｈ）は、耐久性、無公害、光感度の点
で有望視されている。第４図はａ−５ｉ悪感光１０１の
構成図で、図中、１０２は＾２の基体、１０３はボロン
高ドープのａ−５ｉ：Ｈのブロッキング層、１０４はポ
ロン低ドープａ−Ｓｔ：Ｈの感光層、１０５は炭素含有
ａ−Ｓｉ：Ｈ（ａ−５ｉＣ：Ｈ）の表面保護層である０
表面保護層１０５は、表面から光導電性を持つ感光層１
０４へのキャリア注入を防ぐために、絶縁性に優れかつ
透光性に優れていることが必要で、従来は低炭素含有の
ａ−ＳｉＣＨ（ａ−ｓｉ、−ＸｃＸ：ＨでＸ ＜ ０．
５のもの）が多く使われてきた。この低炭素含有のａ−
Ｓｔ ｒ−ｘｃｘ：Ｈ（Ｘ ＜ ０．５ ）は、表面保
護層として十分な硬度と透光性と絶縁性を持っているが
、この膜を表面保護層として使用したａ−Ｓｉ感光体は
、高温高温（例えば３５℃８０％ＲＨ）中で長期使用す
ると画像がぼやける現象（以下検流れと称する）が起き
るという欠点がある。この原因としては、本出願人が昭
和６３年３月１４日付で出願した特願昭６３−５８２１
４号に詳しく示されている。検流れを起こしにくくする
ために高炭素含有のａ−Ｓｉ＋−ｘｃｘ：Ｈ（Ｘ ＞
０．５ ）にした表面保護層は、耐湿性に富んでいるが
、膜の構造緻密性が損なわれ、絶縁性が低下するという
欠点がある。
このため、高炭素含有でかつ緻密性が良く絶縁性に冨む
ａ−３ｉＣ：Ｈの薄膜製造技術が必要である。
ａ−３ｉＣ：Ｈの薄膜製造技術が必要である。
従来の高炭素含有ａ−ＳｔＣ：Ｈ膜の製造装置には、水
素希釈方式や水素ラジカルアシストＲＦ −ＣＶＤ方式
があり、本出願人が昭和６３年３月１４日付で出願した
特願昭６３−５８２１４号に詳しく示されている。ここ
に示された従来の水素ラジカルアシストＲＦ −ＣＶＤ
装置の構成２作用の概要を第５図により説明すると次の
通りである。
素希釈方式や水素ラジカルアシストＲＦ −ＣＶＤ方式
があり、本出願人が昭和６３年３月１４日付で出願した
特願昭６３−５８２１４号に詳しく示されている。ここ
に示された従来の水素ラジカルアシストＲＦ −ＣＶＤ
装置の構成２作用の概要を第５図により説明すると次の
通りである。
第５図において、ｌはマイクロ波発振器で、該マイクロ
波発振器１で発生したマイクロ波は、導波管２を伝わり
プラズマ発生炉３に送られる。ここで、ガス導入部５か
ら送られる水素ガスが石英管４内でマイクロ波により分
解し、ラジカル化する。ここで発生する水素ラジカル６
は、ラジカル導入部７を通り真空容器８内へ送られる。
波発振器１で発生したマイクロ波は、導波管２を伝わり
プラズマ発生炉３に送られる。ここで、ガス導入部５か
ら送られる水素ガスが石英管４内でマイクロ波により分
解し、ラジカル化する。ここで発生する水素ラジカル６
は、ラジカル導入部７を通り真空容器８内へ送られる。
一方、原料ガス（ＳｉＪｉ＋ＣＪｓ）は、原料ガス導入
部９から導入されて放電電極１０から堆積空間１１に吹
き出す。このガスは、ＲＦ電源１２から放電電極１０に
ＲＦ電力を供給することによって放電電極１０と接地電
極１３の間に生ずるＲＦ放電で分解され、ヒータ１４で
加熱された基体１００上にａ−３ｉＣ：Ｈ膜となって堆
積する。真空容器８内は、排気系１５ （例えばロータ
リーポンプ、メカニカルブーストポンプ等）で圧力調整
される。そして、原料ガスが高周波放電によって分解、
堆積する間に、ラジカル導入部７から生ずる水素ラジカ
ル６によって膜表面が覆われ、ａ−３ｉＣ：ＩＩ ＷＡ
の構造緻密性が向上する。
部９から導入されて放電電極１０から堆積空間１１に吹
き出す。このガスは、ＲＦ電源１２から放電電極１０に
ＲＦ電力を供給することによって放電電極１０と接地電
極１３の間に生ずるＲＦ放電で分解され、ヒータ１４で
加熱された基体１００上にａ−３ｉＣ：Ｈ膜となって堆
積する。真空容器８内は、排気系１５ （例えばロータ
リーポンプ、メカニカルブーストポンプ等）で圧力調整
される。そして、原料ガスが高周波放電によって分解、
堆積する間に、ラジカル導入部７から生ずる水素ラジカ
ル６によって膜表面が覆われ、ａ−３ｉＣ：ＩＩ ＷＡ
の構造緻密性が向上する。
ところが、水素ラジカル６には寿命があり、基体１００
すなわち堆積空間１１と水素ラジカル発生場所の距離り
を長くすると水素ラジカルは少なくなり効果がなくなる
。第６図は本出願人が行った実験結果で、上記距離りを
変化させたときのＨ，の発光強度の変化を示している。
すなわち堆積空間１１と水素ラジカル発生場所の距離り
を長くすると水素ラジカルは少なくなり効果がなくなる
。第６図は本出願人が行った実験結果で、上記距離りを
変化させたときのＨ，の発光強度の変化を示している。
本図により、距離りを長くすると発光強度が弱まり水素
ラジカル濃度が少なくなることは明らかである。
ラジカル濃度が少なくなることは明らかである。
第５図のような従来方式では、水素ラジカルを発生させ
るために導波管２．プラズマ発生炉３゜石英管４等大が
かりな装置を用いているため、距離りを小さくするのに
限界があった。
るために導波管２．プラズマ発生炉３゜石英管４等大が
かりな装置を用いているため、距離りを小さくするのに
限界があった。
また、別の方式として、マイクロ波を真空容器８内に直
接送り込み、基体の近くで原料ガスと水素ガスの両方を
分解する方式もあるが、この方式では、原料ガスもマイ
クロ波で分解されたり、基体上に堆積した膜にマイクロ
波があたるようになり、膜質を低下させる。
接送り込み、基体の近くで原料ガスと水素ガスの両方を
分解する方式もあるが、この方式では、原料ガスもマイ
クロ波で分解されたり、基体上に堆積した膜にマイクロ
波があたるようになり、膜質を低下させる。
本発明はラジカルを効率良く基板上に送り込んで良質（
高炭素含有で高緻密）な薄膜を形成することのできる薄
膜形成装置を提供することを目的とするものである。
高炭素含有で高緻密）な薄膜を形成することのできる薄
膜形成装置を提供することを目的とするものである。
上述の目的を達成するため、本発明では、プラズマが励
起されかつ原料ガスが供給されるとともに、ラジカル発
生器でマイクロ波によりラジカル化した励起ガスが送り
込まれる堆積空間に基体をセットして、該基体の表面に
薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記ラジカル発
生器のガス吹出口に、マイクロ波を遮断するための遮断
部材を設けた構成とする。
起されかつ原料ガスが供給されるとともに、ラジカル発
生器でマイクロ波によりラジカル化した励起ガスが送り
込まれる堆積空間に基体をセットして、該基体の表面に
薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記ラジカル発
生器のガス吹出口に、マイクロ波を遮断するための遮断
部材を設けた構成とする。
ラジカル発生器のガス吹出口に、ラジカル発生器に送ら
れるマイクロ波を遮断するための遮断部材が設けられて
いるため、マイクロ波が堆積空間に洩れ出すことはない
。
れるマイクロ波を遮断するための遮断部材が設けられて
いるため、マイクロ波が堆積空間に洩れ出すことはない
。
従って、マイクロ波が原料ガスを分解したり基体がマイ
クロ波に晒されたりすることなくラジカル発生器と堆積
空間との距離を近づけることができ、ラジカルを効率良
く堆積空間に送り込むことが可能になる。この装置で効
率良く発生したラジカルは１、基体上に到達し、膜質を
向上させる。
クロ波に晒されたりすることなくラジカル発生器と堆積
空間との距離を近づけることができ、ラジカルを効率良
く堆積空間に送り込むことが可能になる。この装置で効
率良く発生したラジカルは１、基体上に到達し、膜質を
向上させる。
なお、ラジカル発生器へのマイクロ波の供給は、例えば
マイクロ波発振器で発生したマイクロ波を同軸ケーブル
を介し送ることにより行われ、ラジカル発生器での水素
ガス等の分解は、例えば同軸ケーブル先端のアンテナが
発するマイクロ波により行われる。
マイクロ波発振器で発生したマイクロ波を同軸ケーブル
を介し送ることにより行われ、ラジカル発生器での水素
ガス等の分解は、例えば同軸ケーブル先端のアンテナが
発するマイクロ波により行われる。
以下、第１図乃至第３図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図は本例ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜形成用の薄膜形成装置の
構造概要説明図で、図中、２１は水素ラジカル発生器、
２２は水素ラジカル発生器２１とマイクロ波発振器１を
接続する同軸ケーブル、２３は水素ラジカル発生器２１
へＨ，ガスを供給するためのガス導入管である。なお、
第５図と同様の部材には同じ符号を用いている。
構造概要説明図で、図中、２１は水素ラジカル発生器、
２２は水素ラジカル発生器２１とマイクロ波発振器１を
接続する同軸ケーブル、２３は水素ラジカル発生器２１
へＨ，ガスを供給するためのガス導入管である。なお、
第５図と同様の部材には同じ符号を用いている。
水素ラジカル発生器２１は、第２図に詳細を示すように
、ガス吹出口２４を有する箱状の本体２５と、アンテナ
２６と、遮断部材２７とを備えている。本体２５は、縦
寸法３０ｃｍ、幅３ＣＩＩ、奥行５０の大きさのもので
ある。ガス導入管２３及び同軸ケーブル２２は本体２５
に接続され、アンテナ２６は、直径１．０鶴のステンレ
ス棒の周りを石英で被覆したもので、本体２５内で同軸
ケーブル２２に接続されて上下方向に伸びている。なお
、アンテナ２６の被覆には、石英の代りに碍子、弗化樹
脂、ガラス、 ｓｉｃ等を用いても良く、要は熱に強く
真空中でガスを発生しないものであれば良い。
、ガス吹出口２４を有する箱状の本体２５と、アンテナ
２６と、遮断部材２７とを備えている。本体２５は、縦
寸法３０ｃｍ、幅３ＣＩＩ、奥行５０の大きさのもので
ある。ガス導入管２３及び同軸ケーブル２２は本体２５
に接続され、アンテナ２６は、直径１．０鶴のステンレ
ス棒の周りを石英で被覆したもので、本体２５内で同軸
ケーブル２２に接続されて上下方向に伸びている。なお
、アンテナ２６の被覆には、石英の代りに碍子、弗化樹
脂、ガラス、 ｓｉｃ等を用いても良く、要は熱に強く
真空中でガスを発生しないものであれば良い。
遮断部材２７は、直径０．５ｍのステンレスワイヤを間
隔５關で編んだメツシュ状のもので、ガス吹出口２４に
上下方向に延びて取り付けられている。
隔５關で編んだメツシュ状のもので、ガス吹出口２４に
上下方向に延びて取り付けられている。
この水素ラジカル発生器２１は、基体１００から１００
鶴の位置に設置されている。
鶴の位置に設置されている。
基体１００は、１０Ｘ２０Ｃ１１の図示しない基体ホル
ダに保持されて接地電極１３上にセットされ、この基体
１００に対する成膜は次の手順で行われる。
ダに保持されて接地電極１３上にセットされ、この基体
１００に対する成膜は次の手順で行われる。
マイクロ波発振器１で発生したマイクロ波は同軸ケーブ
ル２２によりアンテナ２６に送られ、該アンテナ２６が
発するマイクロ波により、ガス導入管２３から送られた
Ｈ２ガスは本体２５内で分解されて水素ラジカル２８が
発生して基体１００上に引き込まれる。ここで、水素ラ
ジカル発生器２１には遮断部材２７が取り付けられてい
るので、マイクロ波はこの遮断部材２７に遮断されて本
体２５の外部に洩れ出すことはない。一方、原料ガス（
Ｓｉ、Ｈ，＋Ｃ，Ｈ，）は、原料ガス導入部９から導入
されて堆積空間１１に吹き出す。このガスは、ＲＦ電源
１２からのＲＦ電力により画電極１０．１３間に生ずる
ＲＦ放電で分解され、ヒータ１４で加熱された基体１０
０上にａ−ＳｉＣ：［１膜となって堆積する。真空容器
８内は、排気系１５で圧力調整される。そして、原料ガ
スが高周波放電によって分解、堆積する間に、水素ラジ
カル発生器２１から生ずる水素ラジカル２８によって膜
表面が覆われ、ａ−ＳｉＣ：）ｌ膜の構造緻密性が向上
する。この成膜時に、上述のように水素ラジカル発生器
２１からマイクロ波が洩れ出さないため、マイクロ波が
原料ガスを分解したり基体がマイクロ波に晒されたりす
ることなく水素ラジカル発生器２１と堆積空間１１（基
体１００）との距離を１００ｍ程度に近づけることがで
き、ラジカルを効率良く堆積空間に送り込むことが可能
になる。また、原料ガスがＲＦ放電で分解して発生する
シリコン系の粉や膜がマイクロ波のアンテナ２６に付着
しずらくなる。
ル２２によりアンテナ２６に送られ、該アンテナ２６が
発するマイクロ波により、ガス導入管２３から送られた
Ｈ２ガスは本体２５内で分解されて水素ラジカル２８が
発生して基体１００上に引き込まれる。ここで、水素ラ
ジカル発生器２１には遮断部材２７が取り付けられてい
るので、マイクロ波はこの遮断部材２７に遮断されて本
体２５の外部に洩れ出すことはない。一方、原料ガス（
Ｓｉ、Ｈ，＋Ｃ，Ｈ，）は、原料ガス導入部９から導入
されて堆積空間１１に吹き出す。このガスは、ＲＦ電源
１２からのＲＦ電力により画電極１０．１３間に生ずる
ＲＦ放電で分解され、ヒータ１４で加熱された基体１０
０上にａ−ＳｉＣ：［１膜となって堆積する。真空容器
８内は、排気系１５で圧力調整される。そして、原料ガ
スが高周波放電によって分解、堆積する間に、水素ラジ
カル発生器２１から生ずる水素ラジカル２８によって膜
表面が覆われ、ａ−ＳｉＣ：）ｌ膜の構造緻密性が向上
する。この成膜時に、上述のように水素ラジカル発生器
２１からマイクロ波が洩れ出さないため、マイクロ波が
原料ガスを分解したり基体がマイクロ波に晒されたりす
ることなく水素ラジカル発生器２１と堆積空間１１（基
体１００）との距離を１００ｍ程度に近づけることがで
き、ラジカルを効率良く堆積空間に送り込むことが可能
になる。また、原料ガスがＲＦ放電で分解して発生する
シリコン系の粉や膜がマイクロ波のアンテナ２６に付着
しずらくなる。
原料ガスの１０〜１００倍の流量のＨ２ガスをアンテナ
２６付近から流すことによりアンテナ２６にはシリコン
粉等が付着しずらくなるが、遮断部材２７を取り付ける
ことによってこの効果は−層向上する。
２６付近から流すことによりアンテナ２６にはシリコン
粉等が付着しずらくなるが、遮断部材２７を取り付ける
ことによってこの効果は−層向上する。
次にこの装置による具体的な成膜条件と、この条件で形
成された膜の性質について説明する。
成された膜の性質について説明する。
成膜条件は、圧力０．２ ｔｏｒｒ、基板温度２５０℃
。
。
ＲＦパワー１００Ｗ、 Ｓｉ、Ｈ，２ｓｃｃａ＋、 Ｃ
Ｊｅｌ ０ｓｃｃｓ、 Ｈｚ ２００ｓｅｃｍ、マイク
ロ波パワー５００Ｗである。
Ｊｅｌ ０ｓｃｃｓ、 Ｈｚ ２００ｓｅｃｍ、マイク
ロ波パワー５００Ｗである。
第３図はこの条件で成膜したａ−５ｉ、、Ｃ，：”Ｈ膜
（Ｘ−０，６）のラマン分光測定結果の一例である。
（Ｘ−０，６）のラマン分光測定結果の一例である。
Ｔｏ／ＴＡビーク強度比は膜内の５ｉ−３ｉ結合の構造
の乱れや対称性の乱れの少なさを示しており、Ｔｏ／Ｔ
Ａが大きい程乱れが少ないことを表している０本図から
、本装置で形成したａ−５ｉＣ：Ｈ膜は、従来の方式で
形成した膜に比べ、Ｔｏ／ＴＡ比が高く構造緻密であり
、膜質が向上していることが分かる。
の乱れや対称性の乱れの少なさを示しており、Ｔｏ／Ｔ
Ａが大きい程乱れが少ないことを表している０本図から
、本装置で形成したａ−５ｉＣ：Ｈ膜は、従来の方式で
形成した膜に比べ、Ｔｏ／ＴＡ比が高く構造緻密であり
、膜質が向上していることが分かる。
上述の説明では平板状基体の例について述べたが、円筒
状の基体ホルダ上に取り付けた基体への成膜にも適用可
能である。この場合は基体を回転させて成膜を行うよう
にする。この円筒基体を用いて本装置で作製したａ−３
ｉＣ：Ｈ膜を表面保護層としたａ−５ｉ悪感光は、帯電
能が５５■／μ−であり、３５℃８０％ＲＨ雰囲気中で
２時間連続コロナ照射のあと同雰囲気中で一晩放置して
も検流れが起きず、良好な耐湿性を示した。
状の基体ホルダ上に取り付けた基体への成膜にも適用可
能である。この場合は基体を回転させて成膜を行うよう
にする。この円筒基体を用いて本装置で作製したａ−３
ｉＣ：Ｈ膜を表面保護層としたａ−５ｉ悪感光は、帯電
能が５５■／μ−であり、３５℃８０％ＲＨ雰囲気中で
２時間連続コロナ照射のあと同雰囲気中で一晩放置して
も検流れが起きず、良好な耐湿性を示した。
また、上述の説明では遮断部材がメツシュで形成された
例について述べたが、これはメツシュでなくても良く、
マイクロ波を遮断できるもの、例えばある間隔をあけた
針金状の棒でも良い。
例について述べたが、これはメツシュでなくても良く、
マイクロ波を遮断できるもの、例えばある間隔をあけた
針金状の棒でも良い。
以上述べたように、本発明によれば、基体上に堆積して
いる膜あるいは原料ガスがマイクロ波に晒されることな
く、水素ラジカル発生器を堆積空間（基板）の近くに設
置することができ、良質（高炭素含有で高緻密）なａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜を作製することが可能になる。また、高性
能（耐湿性が優れ、高帯電能）のａ−５ｉ悪感光の作製
に寄与するところ大である。
いる膜あるいは原料ガスがマイクロ波に晒されることな
く、水素ラジカル発生器を堆積空間（基板）の近くに設
置することができ、良質（高炭素含有で高緻密）なａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜を作製することが可能になる。また、高性
能（耐湿性が優れ、高帯電能）のａ−５ｉ悪感光の作製
に寄与するところ大である。
第１図は本発明の実施例の薄膜形成装置の構造概要説明
図、 第２図は第１図の水素ラジカル発生器の詳細を示す斜視
図、 第３図は本発明の実施例の効果説明図、第４図はａ−５
ｔ悪感光の構成図、 第５図は従来の水素ラジカルアシストＲＦ −ＣＶＤ装
置の構造概要説明図、 第６図はプラズマ発生炉と基板間の距離に対するＨ９発
光強度を示すグラフで、 図中、 １１は堆積空間、 ２１は水素ラジカル発生器、 ２４はガス吹出口、 ２７は遮断部材、 １００は基体である。 ζ水素ラジカル発生器 ２７Ｎ！断部材
図、 第２図は第１図の水素ラジカル発生器の詳細を示す斜視
図、 第３図は本発明の実施例の効果説明図、第４図はａ−５
ｔ悪感光の構成図、 第５図は従来の水素ラジカルアシストＲＦ −ＣＶＤ装
置の構造概要説明図、 第６図はプラズマ発生炉と基板間の距離に対するＨ９発
光強度を示すグラフで、 図中、 １１は堆積空間、 ２１は水素ラジカル発生器、 ２４はガス吹出口、 ２７は遮断部材、 １００は基体である。 ζ水素ラジカル発生器 ２７Ｎ！断部材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 プラズマが励起されかつ原料ガスが供給されるとともに
、ラジカル発生器（２１）でマイクロ波によりラジカル
化した励起ガスが送り込まれる堆積空間（１１）に基体
（１００）をセットして、該基体（１００）の表面に薄
膜を形成する薄膜形成装置において、 前記ラジカル発生器（２１）のガス吹出口（２４）に、
マイクロ波を遮断するための遮断部材（２７）を設けた
ことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034987A JPH02217475A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 薄膜形成装置 |
| KR1019890013162A KR940003787B1 (ko) | 1988-09-14 | 1989-09-11 | 박막 형성장치 및 방법 |
| US07/405,297 US5122431A (en) | 1988-09-14 | 1989-09-11 | Thin film formation apparatus |
| DE68915088T DE68915088T2 (de) | 1988-09-14 | 1989-09-14 | Hydrogenierte, amorphe Materialien und daraus bestehende dünne Filme. |
| EP89117041A EP0359264B1 (en) | 1988-09-14 | 1989-09-14 | Hydrogenated amorphous materials and thin films thereof |
| US07/756,590 US5447816A (en) | 1988-09-14 | 1991-09-09 | Method for forming a thin protection film |
| US08/201,486 US5522343A (en) | 1988-09-14 | 1994-02-23 | Thin film formation apparatus |
| US08/570,711 US5741364A (en) | 1988-09-14 | 1995-12-11 | Thin film formation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034987A JPH02217475A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02217475A true JPH02217475A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12429493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034987A Pending JPH02217475A (ja) | 1988-09-14 | 1989-02-16 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02217475A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995033867A1 (en) * | 1994-06-03 | 1995-12-14 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for producing thin films |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1034987A patent/JPH02217475A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995033867A1 (en) * | 1994-06-03 | 1995-12-14 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for producing thin films |
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