JPH0279768A - Dc−dcコンバータ - Google Patents

Dc−dcコンバータ

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JPH0279768A
JPH0279768A JP23122488A JP23122488A JPH0279768A JP H0279768 A JPH0279768 A JP H0279768A JP 23122488 A JP23122488 A JP 23122488A JP 23122488 A JP23122488 A JP 23122488A JP H0279768 A JPH0279768 A JP H0279768A
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文男 上野
Takahiro Inoue
高宏 井上
Ichiro Ota
一郎 大田
Toru Umeno
徹 梅野
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、直流電源で充電される直列接続の整数個のコ
ンデンサを、複数個のスイッチでその接続を切り換え、
切り換える都度コンデンサの充。
放電を行わせて直流出力電圧を得るスイッチトキャバシ
タ型のDC−OCコンバータに関するものである。
〔従来の技術] 最近はDC−DCコンバータとしてスイッチングレギュ
レータが、小型軽量であり、しかも高効率であることを
特長として広(用いられており、今後も可搬型のこの種
のスイッチングレギュレータの需要が益々増大するもの
と思われる。しかし、現在主として用いられているスイ
ッチングレギュレータは、スイッチングトランジスタ、
整流器、ダイオード、変圧器、チョークコイル等の回路
部品から構成されていて、磁性部品が存在することから
IC(集積)化が困難であり、小型化に限界があるとい
う問題がある。
このような問題に対し、特開昭58−58863号公報
にはスイ、ツチトキャバシタ変成器が提案されている。
このスイッチトキャパシタ変成器は複数のスイッチング
トランジスタと整数個のコンデンサとにより構成してお
り、IC(集積)化を容易にしている。しかも出力電圧
の昇、降圧及び極性変換を容易にする等の工夫がなされ
ている。
〔発明が解決しようとする課題] 前述したように、従来のスイッチトキャパシタ変成器は
、スイッチングトランジスタのデユーティ比(スイッチ
のオン、オフの時間割合)を変えて、出力電圧を制御で
きる。しかしデユーティ比が小さい場合は出力側の平滑
コンデンサのみで電圧を供給する比率が大きくなり、出
力電圧のリップル含有率が大きくなる。そのためこのよ
うなりC−DCコンバータは、出力が50W程度以上の
ものに適用することは出力電圧の安定度に問題があり、
5W程度以下の小出力用に制限されるという不都合があ
る。そのような対策として、スイッチングトランジスタ
のスイッチング周波数を高くするか、あるいは出力電圧
を得る平滑コンデンサの容量を大きくする等が考えられ
るが、スイッチング周波数を高くするとスイッチングト
ランジスタのスイッチング損失が増加する。また平滑コ
ンデンサの容量を大きくすると大型化するとともに高価
になるという問題がある。
本発明は斯かる問題に鑑み、出力電圧のリップル含有率
が小さく、またスイッチのスイッチング1員失を増すこ
となく、大型化することがないDC−DCコンバータを
提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係るDC−DCコンバータは、DC電源に接続
される直列接続の整数個のコンデンサと、該コンデンサ
の接続を切り換える複数のスイッチと、前記コンデンサ
により充電され負荷が接続される平滑コンデンサとを設
けており、前記スイッチをスイッチング動作させて前記
接続を切り換える都度、放電状態のコンデンサを充電し
、充電状態のコンデンサを放電させて前記平滑コンデン
サを充電せしめるスイッチトキャパシタ型のDC−DC
コンバータにおいて、前記スイッチに半導体スイッチを
用い、該半導体スイッチのオン抵抗を制御すべく構成し
てあることを特徴とする。
〔作用] 直列接続された整数個のコンデンサは、DC電源により
充電される。複数の半導体スイッチのスイッチング動作
によりコンデンサの接続状態が切り換わる。コンデンサ
の接続状態が切り換わる都度、放電しているコンデンサ
が充電され、充電しているコンデンサが放電して平滑コ
ンデンサが充電される。平滑コンデンサの充電電圧を負
荷に与える。
出力電圧に関連して半導体スイッチのオン抵抗が制御さ
れる。
これにより出力電圧のリップルが減少する。
〔実施例〕
以下本発明をその実施例を示す図面によって詳述する。
第1図及び第2図は本発明に係る降圧型のDC−DCコ
ンバータ及びその制御回路の回路図である。
第1図において電圧入力端子tl+ t、間には例えば
バッテリからなる人力電源たるDC(直流)電源10が
接続されている。−側型圧入力端子t1はスイッチ1.
2の直列回路を介してm個電圧出力端子tlOと接続さ
れており、他側電圧入力端子t2は他側電圧出力端子t
2゜と直接接続されている。前記スイッチ2にはコンデ
ンサC3とスイッチ4との直列回路が並列接続されてお
り、コンデンサC1とスイッチ4との接続中間点はスイ
ッチ3を介して他側電圧入力端子L2と接続されている
。他側電圧入力端子L2はスイッチ7と8との直列回路
を介して前記−側電圧出力端子t、。と接続されており
、スイッチ8にはコンデンサC2とスイッチ6との直列
回路が並列接続されている。そしてスイッチ6とコンデ
ンサC2との接続中間点は、スイッチ5を介して前記−
側型圧入力端子t1と接続されている。また−例電圧出
力端子t、。は平滑コンデンサC:lを介して他側電圧
出力端子t2゜と接続されており、また両電圧出力端子
仁、。、t!。間には負荷11を介装させている。前記
スイッチ1.2.3・・・8は例えばMOS−FETを
使用し、スイッチ1.5にはPチャネルMO5−FET
を、それ以外のスイッチにはNチャネルMOS−FET
を使用している。NチャネルMOS−PETは例えば日
本電気株式会社製のスイッチング用MO5−FET 2
SK736を用いる。なお、スイッチ3,4,7.8は
MOS−FETに代えてダイオードを使用できる。その
場合、オン抵抗が小さいMOS−FETであればダイオ
ードを用いた場合よりコンバータの電力変換効率を高め
ることができるが、コスト面ではダイオードの方が有利
である。−側型圧入力端子Elからは入力端子Viを、
−側電圧出力端子t1゜からは出力電圧vOを、後述す
る制御回路に与えるべく導出されている。
第2図において、入力電圧Viが基準電圧部112゜過
電圧検出回路113及びパルス発生回路114へ人力さ
れている。基準電圧部112は、ダイオード109と抵
抗110と、ツェナーダイオード111との直列回路か
らなっており、ダイオード109のカソードをツェナー
ダイオード111のカソード側としている。過電圧検出
回路113は入力端子Viが過電圧になったことを検出
すると出力を発してパルス発生回路114へ人力し、パ
ルス発生回路114で発生するクロック信号の出力を停
止させるようになっている。パルス発生回路114は、
前述したスイッチ1.2.3・・・8を同時にオンさせ
ることがないようにクロック信号のデユーティ比を50
%より梢小さくして連続するクロック信号を出力するよ
うになっている。このパルス発生回路114が出力する
クロック信号はパルス分離回路115へ入力されており
、パルス分離回路115は入力されたクロック信号を、
第3図に示すように位相が180°異なる2つのクロッ
ク信号φa、φbを出力するようになっている。
クロック信号φaはドライバ回路118ao、NOR回
路120、ドライバ回路118az、OR回路121へ
夫々人力されている。クロック信号φbはドライバ回路
118b。、118b+、OR回路122. NOR回
路123へ夫々人力されている。基準電圧部112にお
ける抵抗110とツェナーダイオード111との接続中
間点に基準電圧Vrを得ており、この基準電圧V「を抵
抗R3とR2とで分圧した参照電圧v2を差動増幅器1
19の負入力端子119bへ人力しており、抵抗R1と
R4とで分圧した参照電圧Vlを差動増幅器116の正
入力端子116aへ人力している。一方前記入力端子V
iを抵抗R2とR6とで分圧した電圧を差動増幅器11
9の正入力端子119aへ人力しており、また前記出力
電圧ν0を差動増幅器116の負入力端子116bへ人
力している。
前記参照電圧V、は出力電圧Voを制御するための参照
値であり、例えば5■出力であればs、ooo vある
いはその1/2である2、500 Vに設定している。
これに対し参照電圧v2は入力電圧Viの変化により、
スイッチのゲートのオン、オフの制御モードを切り換え
るタイミングを設定する。例えば理想的に入力電圧がI
OVで切り換えする必要があるためそのl/2の5■に
設定している。差動増幅器119の出力を2値化回路1
24.125.126.127の夫々に入力しており、
2値化回路124.125.126.127の各出力を
、OR回路121.NOR回路120.OR回路122
.NOR回路123へ各別に入力している。またOR回
路121の出力をドライバ回路118aiへ、NOR回
路120の出力をドライバ回路118a Iへ、OR回
路122の出力をドライバ回路118b、へ、NOR回
路123の出力をドライバ回路118b3へ各入力して
いる。差動増幅器116の出力は制御電圧回路117へ
入力されており、その出力たる制御電圧Vsをドライバ
回路118at及び118b、へ入力している。制御電
圧回路117はそれに人力された電圧に関連して前述し
たスイッチ2.6夫々のMOS−FETのオン抵抗を制
御すべき所要の制御電圧(MOS−PETのゲート電圧
)Vsを出力する。即ら、この制御電圧Vsは、第4図
に示すMOS−FETのゲート・ソース間電圧VGSと
してMOS−FETに与えることにより、MOS−PE
Tのオン抵抗(ドレイン電流L+)を制御し得るように
、その制御電圧Vsの電圧範囲を選定しである。前記ド
ライバ回路118ao+ 118a+ + 118az
、 118azが出力するクロック信号φa、φa、φ
al+φaはスイッチ1.4,6.7へ与えられ、ドラ
イバ回路118bO,118bl、118b2.118
b3のクロック信号φb、φb、φb、φbはスイッチ
5゜2.3.8へ各別に与えられる。
次にこのように構成したDC−DCコンバータの動作を
第1図乃至第8図により説明する。
DC−DCコンバータの仕様が入力端子12V、出力電
圧5■であり、いま、要求される入力端子の許容範囲を
7〜16Vとする。入力電圧がスイッチの電圧降下分を
無視してIOV以上であると、スイッチ1.2.3.4
・・・8の夫々に前述したクロック信号φa。
φal+φb、φb、を与えることにより、5■の出力
電圧が安定して得られる。即ち、入力電圧Viが10V
以上である場合には、スイッチ1,2,3.4・・・8
のオン、オフは夫々第5図に示すクロック信号φa。
φa、φb、φb1により制御されてスイッチ1.4.
6゜7と、スイッチ5,2,3.8が交互にスイッチン
グ動作する。そしてコンデンサC2が既に電位差5■で
充電されており、コンデンサC7が放電を完了している
として、スイッチL4,6.7がオン状態、スイッチ5
,2.3.8がオフ状態になると第7図に示す等価回路
となる。それによりコンデンサC2には電位差νi  
Vo(=12 5=7V)で充電される一方、コンデン
サC2からは放電によって負荷11に対してエネルギー
が供給される。次にスイッチのクロ・ンク信号の位相が
180°ずれた時点でスイ・ノチ1,4゜6.7がオフ
状態、スイッチ5,2,3.8がオン状態になり、第8
図に示す等価回路となる。したがって、先に放電したコ
ンデンサC2は前記同様に電位差Vi−Voで充電され
、逆に先に充電したコンデンサC6は放電により負荷1
1にエネルギーを供給する。このよう゛な動作がスイッ
チのクロック信号φa、φal+φb、φb1の周波数
で繰り返されることにより、負荷11に対してエネルギ
ーが継続的に供給される。
そして、平滑コンデンサC3はコンデンサCI、 C2
から供給されるエネルギーがクロック信号の周波数ある
いはスイッチのオン、オフ動作による高周波数で生じる
電圧変動を平滑化する。この平滑コンデンサC3の充電
電圧で得られる出力電圧Voは、スイッチ1,2,3.
4・・・8のオン時間が一定であるから負荷の変動に応
じて変化することになる。
そこで出力電圧Voを安定化するために第4図に示すN
チャネルMO5−PETのゲート・ソース間電圧(Vc
s)特性を利用して、出力電圧Voに応じてゲート・ソ
ース間電圧V。を変化させることによりMOS−FIE
’rのオン抵抗(ドレイン電流Iゎ)を変化させるオン
抵抗制御を行うようにしている。この第4図から明らか
なように、所定のドレイン・ソース間電圧を与えた状態
でゲート・ソース間電圧VaSを高くするにともなって
、ドレイン電流■。が増加し、つまりオン抵抗が減少す
ることが判る。
さて、出力電圧Voと参照電圧V、 (所望の出力電圧
Vo)とを差動増幅器116が比較しているから、出力
電圧ν0が低下すると、その差動増幅器116はその電
圧変化に応じて電圧を出力して制御電圧回路117へ人
力する。そのため制御電圧回路117は、出力電圧Vo
と参照電圧v1との電圧差に関連する制御電圧νSを出
力してドライバ回路118az及び118blへ与える
。このドライバ回路118az及び118blにはクロ
ック信号φa及びφbが各別に与えられていて、ドライ
バ回路118az及び118b+ は第5図(C)及び
(d)に示す如きクロック信号φal+  φb、を出
力し、制御電圧Vsに関連してクロック信号φal+ 
 φb1の振幅が変化することになる。なお、このとき
入力電圧νiが低下していない場合には、差動増幅器1
19は電圧を出力せず、2値化回路124,125,1
26゜127はともに電圧を出力せず、OR回路121
.NOR回路120の論理が成立して、ドライバ回路1
18as、 118aIは第5図(a)に示す如きクロ
ック信号φaを出力し、またドライバ回路118aoも
同様のクロック信号φaを出力する。一方OR回路12
2. NOR回路123の論理が成立してドライバ回路
118b、118biは第5図(b)に示す如きクロッ
ク信号φbを出力し、またドライバ回路118boも同
様のクロック信号φbを出力する。即ち、クロック信号
φal+  φb、を与えたスイッチ6.2のMOS−
FETは前述したオン抵抗制御が行われ、クロック信号
φaを与えたスイッチ1.4..7及びクロック信号φ
bを与えたスイッチ3,5.8はオン抵抗制御を行わな
い。それにより、スイッチ6.2のMOS−FETのオ
ン抵抗制御により平滑コンデンサC3への充電電流が制
御されて平滑コンデンサC3の充電電圧を制御すること
になる。つまり、高負荷によって出力電圧Voが低下す
ると制御電圧Vsが大きくなり第5図(C)(d)に破
線で示す如く、クロック信号φal、  φblの振幅
が大きくなり、低負荷によって出力電圧Voが上昇する
と実線で示す如くクロック信号φal、  φb、の振
幅が小さくなって、スイッチ6.2がオン、オフ制御さ
れ平滑コンデンサC1への充電電流を制御して出力電圧
ν0を安定させることになる。そして、このDC−DC
コンバータは入力電圧ViをコンデンサC,,C,で分
圧して出力電圧Voを得ているから入出力電圧比が2:
1となる。
そのため入力電圧ViがIOV以下に低下した場合には
所要の出力電圧Voが得られなくなるが、それによって
差動増幅器の正入力端子119aの入力端子が低下して
、参照電圧v2以下に入力端子Viが低下した場合には
、差動増幅器119は電圧を出力して、その電圧を2値
化回路124.125.126.127へ与え、2値化
回路124.125.126.127はともに電圧を出
力することになる。したがってOR回路121.122
は夫々論理が成立して電圧を出力し、その電圧をドライ
バ回路118az及び118b!へ与えて、そのクロッ
ク信号φa及びφbは第6図(a)に示す如くになり、
スイッチ7.3はともにオン状態に保持される。−方、
NOR回路120,123は夫々論理が不成立になり電
圧を出力せず、ドライバ回路118a、及び118bs
のクロック信号φa及びφbは第6図(b)に示す如く
になり、スイッチ4.8はともにオフ状態に保持される
。またドライバ回路118ao及び118b、のクロッ
ク信号φa及びφbは第6図(C)及び(d)に示す如
くクロック信号φa及びφbの振幅は一定となる。更に
ドライバ回路1188g及び118b+のクロック信号
φa1及びφb、は第6図(e)及び(f)に示す如く
、振幅が制御電圧Vsに関連して変化し、スイッチ6゜
2はともに前述したオン抵抗制御がなされる。このよう
に入力端子Viが低下してコンデンサC,,C2で分圧
して所要の出力電圧Voが得られなくなると、第1図に
示すスイッチ3.7がともにオンし、スイッチ4.8が
ともにオフし、スイッチ1.2及び5,6が交互にオン
、オフして入力電圧Viにより直接に平滑コンデサC1
が充電されて、入力端子Viの低下による出力電圧Vo
の低下を可及的に防ぐことになる。そして許容入力端子
範囲を拡大することができる。
なお、実回路においては平滑コンデンサC1のエネルギ
ーを、コイルとコンデンサとによる平滑回路に与えてス
パイクノイズを除去した後に負荷11に与えるべく構成
している。
本実施例においては、NチャネルMOS−PETを用い
たスイッチのMOS−FETのオン抵抗を制御したが、
PチャネルMOS−FI4Tを用いたスイッチの問5−
FETのオン抵抗を制御しても同様の効果が得られる。
しかしこの場合はコンデンサC,,C,の充電電流を制
御することができて、出力電圧Voをより安定化するこ
とができる。またスイッチにはMOS−FET以外のト
ランジスタを用いてもよい。
(発明の効果〕 以上詳述したように本発明は、整数個のコンデンサの直
列順序を切り換えるスイッチにMOS−FET又はI・
ランジスタ等の半導体スイッチを用いて、高デユーテイ
比で半導体スイッチのオン抵抗制御をして出力電圧を制
御するから、平滑コンデンサの放電のみで出力すること
による出力電圧のリップルをデユーティ比を制御する場
合に比べて、大幅に低下させることができる。したがっ
て出力電圧リップルが少ない良質の出力電圧が得られて
数10W以上の中電力用のoc −ocコンバータを提
供できる優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るDC−DCコンバータの回路構成
図、第2図はその制御回路の回路図、第3図はパルス分
離回路のクロック信号の波形図、第4図はNチャネルM
OS−FETのゲート・ソース間電圧特性を示す曲線図
、第5図は入力端子が正常な場合のドライバ回路のクロ
ック信号の波形図、第6図は入力端子が低下した場合の
ドライバ回路のクロック信号の波形図、第7図及び第8
図はDC−DCコンバータの等価回路の回路図である。 1.2,3.4・・・8・・スイッチ 10  ・・D
C電源11・・負荷  C,、C,・・コンデンサC1
・・平滑コンデンサ 112  ・・基準電圧部114
  ・・パルス発生回路 118ao ”’118as、118bo ”’118
b3”ドライバ回路124、125.126.127 
 ・・2値化回路 120  ・・NoIi回路121
  ・・OR回路 122  ・・OR回路 123 
 ・・NOR回路特 許 出願人 住友金属工業株式会
社代理人 弁理士 河  野  登  夫第 1 口 91b。 品 4  図 第 5 昭 (t))スイー7千4,8             
                      片7第
 6 国 譲 7 図 第 8 関

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、DC電源に接続される直列接続の整数個のコンデン
    サと、該コンデンサの直列順序を切り換える複数のスイ
    ッチと、前記コンデンサにより充電され負荷が接続され
    る平滑コンデンサとを設けており、前記スイッチをスイ
    ッチング動作させて前記直列順序を切り換える都度、放
    電状態のコンデンサを充電し、充電状態のコンデンサを
    放電させて前記平滑コンデンサを充電せしめるスイッチ
    トキャパシタ型のDC−DCコンバータにおいて、 前記スイッチに半導体スイッチを用い、該半導体スイッ
    チのオン抵抗を制御すべく構成してあることを特徴とす
    るDC−DCコンバータ。
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