JPH02788A - ３，４―ジ置換―２―アゼチジノン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は新規な３．４−ジ置換−２−アゼチジノン誘
導体に関する。

さらに詳細には、この発明は抗菌剤製造の為の中間体と
して有用な新規３．４−ジ置換−２−アゼチジノン誘導
体に関する。

すなわち、この発明の目的は、多くの病原菌に対して強
い抗菌活性を有する１−（低級）アルキルカルバペネム
化合物製造の為の有用な中間体である新規３．４−ジ置
換−２−アゼチジノン誘導体を提供することにある。

この発明の・３，４−ジ置換−２−アゼチジノン誘導体
は下記一般式で示すことができる。

［式中　Ｒ１はヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ２は
低級アルキル基を意味する］ この発明の目的化合物（Ｉ）においては、２−アゼチジ
ノン環の３位および４位の不斉炭素原子ならびにその４
位の置換基における不斉炭素原子に基づく光学活性異性
体のような立体異性体対１個以上が存在することがある
が、そのような異性体もまたこの発明の範囲内に包含さ
れるものとする。

しかしながら、この発明の目的化合物（Ｉ）の中では下
記化学式（Ｉａ）で示される化合物が最も好ましい。

製造法 Ｒにおける （式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ前と同じ意味）従っ
て、この発明の特徴は主として上記式（Ｉａ）で示され
る光学活性化合物にある。

この発明により、目的化合物（１）およびその塩類は下
記反応式で示されるような製造法で製造することができ
る。

［式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ前と同じ意味であり
、Ｒ１は保護されたヒドロキシ（低級）アルキル基を意
味するコ 上記製造法で使用される原料化合物（ＩＩ）は、例えば
下記の生産法により製造することができる。

生産法 １迭 （ＩＩＩ） ｃ式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ前と同じ意味であり
、Ｒ３はアシル基を意味する］ 目的化合物（Ｉ）は、下記の方法によって抗菌剤として
有用な１−（低級）アルキルカルバペネム化合物製造の
為の公知の重要中間体に変換することができる。

（式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ前と同じ意味であり
、Ｒ４は保護されたカルボキシ基を意味する） 乙の明細書の記載において、この発明の範囲内に包含さ
れる種々の定義の説明および適切な例を以下詳細に述べ
る。

１低級」とは、特に指示がなければ、炭素原子１〜６個
を意味するものとする。

好適な「ヒドロキシ（低級）アルキル基」としては、ヒ
ドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピ
ル、１−（ヒドロキシメチル）エチル、１−ヒドロキシ
−１−メチルエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシペ
ンチル、ヒドロキシヘキシル等のようなヒドロキシ基を
有する直鎖または分枝鎖低級アルキル基が挙げられ、そ
れらの中できらに好ましい例としては、ヒドロキシ（Ｃ
１〜Ｃ４）アルキル基が挙げられ、最も好ましいものと
しては１−ヒドロキシエチル基が挙げられる。

好適な１保護きれたヒドロキシ（低級）アルキル基、と
は、後述のアシル基；アル（低級）アルキル基、その例
として、例えばベンジル、ベンズヒドリル、トリチル等
のモノ−またはジーまたはトリーフェニル（低級）アル
キル基等；トリ置換シリル基、その例として、例えばト
リメチルシリル、トリエチルシリル、イソプロピルジメ
チルジノル、第三級ブチルジメチルシリル、ジイソプロ
ピルメチルシリル等のトリ（低級）アルキルシリル基；
例えばトリフェニルシリル等のトリアリールシリル基；
例えばトリベンジルシリル等のトリアル（低級）アルキ
ルシリル基等；のような常用のヒドロキシ保護基によっ
てヒドロキシ基が保護きれている前記ヒドロキシ（低級
）アルキル基を意味する。

このように定義された「保護されたヒドロキシ（低級）
アルキル基」のさらに好ましい例としては、トリ（Ｃ１
〜Ｃ４）アルキルシリルオキシ（０１〜Ｃ４）アルキル
基、フェニル−またはニトロフェニル（０１〜Ｃ４）ア
ルコキシカルボニルオキシ（Ｃ１〜Ｃ４）アルキル基が
挙げられ、最も好ましいものとしては１−（第三級ブチ
ルジメチルシリルオキシ）エチル基が挙げられる。

好適な１低級アルキル基」としては、メチル、エチノ呟
プロピノ呟イソプロピル、ブチル、第三級ブチル、ペン
チル、ヘキシル等の直鎖または分枝鎖アルキルが挙げら
れ、さらに好ましい例としては０１〜Ｃ４アルキル基が
挙げられ、最も好ましいものとしてはメチル基が挙げら
れる。

好適な「アシル基」としては、例えばホルミル、アセチ
ル、プロピオニル、′ブチリル、イソブチリル、バレリ
ル、インバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級
アルカノイル基等が挙げられる。

アシル基のきらに好ましい例としてはＣ１〜Ｃ４アルカ
ノイル基が挙げられ、最も好ましいものとしてはアセチ
ル基が挙げられる。

好適な「保護されたカルボキシ基」としては、例えばメ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカ
ルボニル ボニル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカルボニ
ル等の低級アルフキジカルボニル基、例えばビニルオキ
シカルボニル、アリルオキシカルボニル等の低級アルケ
ニルオキシカルボニル基、例えハペンジルオキシ力ルボ
ニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニＪし、フェネ
チルオキシカルボニル ルオキシカルボニル等の、ニトロ基を有していてもよい
モノ（またはジまたはトリ）フェニル（イ氏級）アルフ
キジカルボニル基等が挙げられるが、さらに好ましい例
としては０１〜Ｃ４アルケニルオキシカルボニル基が挙
げられ、最も好ましい例としてはアリルオキシカルボニ
ル基が挙げられる。

この発明の目的化合物（りの製造法を以下詳細に説明す
る。

１１羞 化合物（りは、化合物（Ｉ［）をＲ１におけるヒドロキ
シ保護基の脱離反応に付すことにより製造することかで
きる。

この脱離反応は加水分解、還元等のような常法で行われ
、これらの方法は脱離すべきヒドロキシ保護基の種類に
よって選択することができる。

（書）加水分解 加水分解は塩基または酸の存在下に行うのが好ましい．
好適な塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化マグ
ネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸
化物、例えば水素化ナトリウム、水素化カリウム等のア
ルカリ金属水素化物、例えば水素化カルシウム等のアル
カリ土類金属水素化物、例えばナトリウムメトキシド、
ナトリウムエトキシド、カリウム第三級ブトキシド等の
アルカリ金属アルコキシド、例えば炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸マグネ
シウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、
例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアル
カリ金属炭酸水素塩等が挙げられる。

好適な酸としては、例えばギ酸、シュウ酸、酢酸、プロ
ピオン酸、トリフルオロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ
−トルエンスルホン酸等の有機酸および例えば塩酸、臭
化水素酸、硫酸、燐酸等の無機酸、例えば三塩化ホウ素
、三フッ化ホウ素、＝フッ化ホウ素エーテル錯体等の三
ハロゲン化ホウ素のような、所謂ルイス酸が挙げられる
。トリフルオロ酢酸を使用する酸性加水分解は通常、例
えばフェノール、アニソール等の陽イオン捕捉剤を添加
することにより加速される。

ヒドロキシ保護基がトリ（低級）アルキルシリル基であ
る場合には、加水分解は例えばフッ化テトラブチルアン
モニウム等のテトラ（低級）アルキルアンモニウムハロ
ゲン化物の存在下に行うこともできる。

この反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール等
のアルコール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アセ
トン、アセトニトリル等のような、反応に悪影響を及ぼ
さない常用の溶媒、またはそれらの混合物中で行われる
。液状の塩基または酸は溶媒としても使用することがで
きる。

反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下から加温
下までの範囲で反応が行われる。

（ｉ）還元 この脱離反応に適用されうる還元法としては、例えば亜
鉛、亜鉛アマルガム等の金属または例えば塩化第一クロ
ム、酢酸第一クロム等のクロム化合物の塩と、例えば酢
酸、プロピオン酸、塩酸、硫酸等の有機酸または無機酸
との組合わせを用いる還元、ならびに例えばパラジウム
海綿、パラジウム黒、酸化パラジウム、パラジウム−炭
素、コロイドパラジウム、パラジウム−硫酸バリウム、
パラジウム−炭酸バリウム等のパラジウム触媒、例えば
還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケル等のニッ
ケル触媒、例えば白金板、白金海綿、白金黒、コロイド
白金、酸化白金、白金線等の白金触媒等のような慣用の
金属触媒の存在下における常法の接触還元がその例とし
て挙げられる。

触媒還元を適用する場合には、中性付近の条件下に反応
を行うのが好ましい。

反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール、プロ
パツール等のアルコール、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、酢酸、例えば燐酸緩衝液等の緩衝溶液等のような
反応に悪影響を及ぼさない常用の溶媒、またはそれらの
混合物中で行われる。

反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下から加温
下までの範囲で反応が行われる。

原料化合物（ＩＩ）の生産法を以下詳細に説明する。

１度基 化合物（ＩＩ）は、化合物（ＩＩＩ）を化合物（ＩＶ）
と、エノール化剤の存在下に反応させることにより製造
することができる。

好適なエノール化剤としては、ポ１ル＼口（低級）アル
キルスルホン酸第−スズ、好ましくは例えばトリフルオ
ロメタンスルホン酸第−スズ等の過ハロ（０１〜Ｃ４）
アルキルスルホン酸第−スズのような、ハロゲンを有し
ていてもよい（低級）アルキルスルホン酸第−スズのよ
うなスズ化合物等が挙げられる。

反応はまた、例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリ
ウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、例えば炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸
マグネシウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭
酸塩、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ
、Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチルアミン等のトリ（低
級）アルキルアミン、例えばピリジン、ピッリン、ルチ
ジン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピリジンのようなＮ、Ｎ
−ジ（低級）アルキルアミノピリジン等のピリジン化合
物、キノリン、イミダゾール、例えばＮ−メチルモルホ
リン等のＮ−低級アルキルモルホリン、例えばＮ−エチ
ルピペリジン等のＮ−低級アルキルピペリジン、例えば
Ｎ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン等のＮ、Ｎ−ジ（低級
）アルキルベンジルアミン等のような無機または有機塩
基の存在下に行ってもよい。

この反応は通常、ジオキサン、アセトニトリル、クロロ
ホルム、ジクロロメタン、ヘキサメチルホスホルアミド
、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、
ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、ピリジン等のような、反応に悪影響を及ぼさない常用
の溶媒、またはそれらの混合物中で行われる。

この反応の反応温度は特に限定されないが、通常は冷却
下から加温下の範囲で反応が行われる。

この反応は、例えば塩化亜鉛、臭化亜鉛、沃化亜鉛等の
亜鉛ハロゲン化物の存在下に行うことができる。

１−（低級）アルキルカルバペネム化合物製造の為の公
知の重要な中間体の製造の方法を以下詳細に説明する。

１基 化合物（■）は、化合物（Ｉ）を化合物（ＶＩ）と反応
させることにより製造することができる。

この反応は上記生産法の説明で例示したような塩基の存
在下に行うことができる。

この反応は通常、水、ジクロロメタン、アセトニトリル
、例えばメタノール、エタノール等のアルコール、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、アセトン等のような反応
に悪影響を及ぼきない慣用の溶媒中、またはそれらの混
合物中で行われる。

反応温度は特に限定されず、通常冷却下ないし加熱下に
反応が行われる。

上記方法で製造きれた化合物Ｃ■）は、公知の方法によ
り抗菌性１−（低級）アルキルカルバペネム化合物に変
換することができる。

本発明の目的化合物（Ｉ）、特に光学活性な化合物（Ｉ
ａ）は、 （１）精製が容易、 （２）純粋な結晶として単離できる、 （３）長期の保存が可能、 （４）同化合物から１−低級アルキルカルバベネムの重
要中間体（■）を高収率で得ることができる、 等の優れた性質を示し、工業的に極めて有用な中間体で
ある。

以下この発明を実施例に従ってきらに詳細に説明する。

トリフルオロメタンスルホン酸第−スス（８，３５ｇ）
およびＮ−エチルピペラジン（３，７９ａｌｌ　）のジ
クロロメタン（６０ｍ１＋　）中懸濁液に、３−プロと
オニル−２−チオキソチアゾリジン（４，１２ｇ）のジ
クロロメタン（３５＋１１１１　）溶液を窒素雰囲気中
−７８°Ｃで滴下する。同温度で３０分間攪拌後、反応
混合物に（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−［：（
ＩＲ）−１−（第三級ブチルジメチルシリルオキシ）エ
チル］−２−アゼチジノン（２，２５ｇ）のジクロロメ
タン（８鶴）溶液を加え、反応混合物を０°Ｃで３０分
間、次いで室温で２０分間攪拌する０反応混合物を炭酸
水素ナトリウム水溶液（１００ｆｆＬｌ　）中に注ぎ、
沈殿する白色塊状物をセライトを付して濾過し除去する
。

有機層を分取し、１０％塩化ナトリウム水溶液（１ｏｏ
＋＋ｅ　）で２回洗浄する。有機層を硫酸マグネシウム
で乾燥した後溶媒を留去する。残渣をシリカゲル（１８
５ｇ）を使用するクロマトグラフィーに付し、アセトン
とジクロロメタン（容量比２：９８）テ溶出して、（３
Ｓ、４Ｒ）−３−［（ＩＲ）−１−（第三級ブチルジメ
チルシリルオキシ）エチル］−４−［（ＩＲ５）−１−
１＋ルー２−才＃ソー２−（２−チオキソチアゾリジン
−３−イル）エチル］−２−アゼチジノン（２，３９ｇ
）を得る。

ＩＲ（ＣＨ２Ｃ１２）　：１７６０．１６９０　ａｍ−
１ＨＭＲ（ＣＤＣｌ２．　ｌ；　）　：　０．０７　（
６Ｈ，ｓ）、　０．８７　（９Ｈ，ｓ）。

１．１７　（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝４．５Ｈｚ）、　　１．２
７　（３Ｈ，ｄ。

Ｊ＝４．５Ｈｚ）、　　２．７７　（０，１７Ｈ，ｄｄ
、Ｊ＝６．０．　３．０Ｈｚ）。

３．００　（０，８３Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝４．５．　３．０
Ｈｚ）、　　３．２６　（２Ｈ。

ｔ、Ｊ：６．５Ｈｚ＞、　　３．９２　（ＩＨ，ｄｄ、
Ｊ＝４．５．　３．０Ｈｚ）。

４．１６　（ＩＨ，ｄｑ、、Ｃ６，０，４，５Ｈｚ）、
　　４．５３　（２Ｈ，ｔ。

Ｊ＝６．５Ｈｚ＞、　　４．９３　＜ＩＨ，ｄｑ、Ｊ＝
６．５．　４．５Ｈｚ）。

６．２０　（１）１．ｂｒ　ｓ） 上記ＮＭＲデータは（ＩＲ）−１−メチル異性体と（Ｉ
ｓ）−１−メチル異性体との比が４．９：１であること
を示している。

１１■１ トリフルオロメタンスルホン酸第−スス（１，６３＆）
およびＮ−エチルピペラジ”／　（０，８２７ｍＡ　）
　ｔ７）ジクロロメタン（１２ｍ１！　）中部濁液に、
３−プロピオニル−２−デオキソチアゾリジン（１，０
７ｇ）のジクロロメタン（９ｍＱ）溶液を窒素雰囲気中
−７８°Ｃで滴下する。同温度で３０分間攪拌後、反応
混合物に（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−［（Ｉ
Ｒ）−１−（第三級ブチルジメチルシリルオキシ）エチ
ルツー２−アゼチジノン（０，８７６ｇ　）および臭化
亜鉛（１，３７ｇ）のジクロロメタン（３ｍｊｌ）溶液
を加え、反応混合物を一２０°Ｃで１５時間攪拌する０
反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶液（３０＋ｎＱ　
）中に注ぎ、沈殿する白色塊状物をセライトを付して濾
過し除去する。有機層を分取し、１０％塩化ナトリウム
水溶液（３０１１１Ｑ　’）で２回洗浄する。有機層を
硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去する。残渣を
シリカゲル（２１ｇ）を使用するクロマトグラフィーに
付し、アセトンとジクロロメタンとの混合物（容量比２
：９８）で溶出して、（３Ｓ、４Ｒ）−３−［（ＩＲ）
−１−（第三級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル］
−４−［（ＩＨ５）−１−メチル−２−オキソ−２−（
２−チオキソチアゾリジン−３−イル）エチル］−２−
アゼチジノン（８７８ｍｇ）を得る。

ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，Ｓ　　）　　＝　０．０７　　（
６）１．ｓ）、　　０．８７　　（９Ｈ１ｓ）。

１、’１７　（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝４．５１１ｚ）、　１．
２７　（３Ｈ，ｄ。

に４．５Ｈｚ）、　２．７７　（０，２Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝
６．０．３．０Ｈｚ）。

３．００　（０，８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝４．５．　３．０Ｈ
ｚ）、　　３．２６　（２Ｈ。

ｔ、　Ｊ＝６．５Ｈｚ）、　　３．９２　（ＩＨ，ｄｄ
、Ｊ：４．５．　３．（ｌｌｚ）。

４．１６　（ＩＨ，ｄｑ、Ｊ＝６．０．　４．５Ｈｚ）
、　　４．５３　（２Ｈ，ｔ。

Ｊ＝６．５Ｈｚ＞、　　４．９３　（１）１．ｄｑ、Ｊ
−６，５，４，５Ｈｚ）。

６．２０　（ＩＨ，ｂｒ　ｓ） 上記ＮＭＲデータは（ＩＲ）−１−メチル異性体と（Ｉ
Ｓ）−１−メチル異性体との比が４：１であることを示
している。

塩化第一スズ（３７，９ｇ）の１．２−ジクロロエタン
（ｚｏｏｍＱ）中部濁液に攪拌下、トリフルオロメタン
スルホン酸（２８，４ｆｆｌ１１）を加え、混合物を窒
素雰囲気中８０℃で３時間攪拌する０反応混合物に１．
２−ジクロロエタン（２００１９）を加え、さらに７時
間加熱を続ける。−２５°Ｃに冷却した後、混合物にＮ
−エチルピペリジン（３１，９１１１ｍ　）および３−
プロピオニル−２−チオキソチアゾリジン（２９，８ｇ
）を−２５℃で順次加える。−２０℃で２時間攪拌後、
混合物に（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−［（Ｉ
Ｒ）−１−（第三級ブチルジメチルシリルオキシ）エチ
ル］−２−アゼチジノン（２８，７ｇ）のアセトニトリ
ル（ｌｏｏｍｓ　）　溶液を加える。

混合物の温度を徐々に０°Ｃまで昇温し、同温度で２時
間攪拌する。

反応混合物を、リン酸水素二ナトリウム・１２水和物（
１０，５ｇ）およびリン酸二水素ナトリウム・２水和物
（２，９ｇ）の水（３００１１１１）および１．２−ジ
クロロエタン（５０ｍ１ｌ　）混液に５℃で加え、生成
した沈殿物をセライトを用いた濾過により除去する。有
機層を分取し、食塩水（２５０１１１１１）で洗浄後、
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮する。

残渣をシリカゲル（１７０１１Ｑ　）を使用するクロマ
トグラフィーに付し、ジクロロメタンとアセトン（容量
比２０：　１−１０：　１　）で溶出して油状残渣を得
る。油状残渣をジイソプロピルエーテル（１８０ｙａＱ
　）に加え、室温で１時間攪拌する。生成する沈殿物を
濾去し、濾液を減圧濃縮して、、（３Ｓ。

４Ｒ）−３−［（ＩＲ）−１−（第三級ブチルジメチル
シリルオキシ）エチル］−４−［（ＩＲ）−１−メチル
−２−才キソー２−（２−チオキソチアゾリジン−３−
イル）エチル］−２−アゼチジノンおよび少量の（Ｉｓ
）−１−メチル異性体の油状残渣を得る。油状残渣をア
セトニトリル（１４ＯｆｆｌＱ　）に溶解する。この溶
液に三フッ化ホウ素エーテル錯体（２４゜５ｍ１ｌ）を
５℃で加え、混合物を室温で８時間攪拌する。

反応混合物を炭酸ナトリウム（１８，３ｇ）の冷水（１
５０ｍ１＋　）溶液に加え、混合物を１０分間激しく攪
拌する。冷水（６００ｍＱ　）で希釈し、０°Ｃでさら
に２時間攪拌する。結晶を濾取し、水（１５０ｍＱ　ｘ
２）およびジイソプロピルエーテル（１５０１１１１Ｘ
　２　＞で順次洗浄し、減圧乾燥して（３Ｓ、４Ｒ）−
３−［（ＩＲ）−１−ヒドロキシエチル］−４−［（Ｉ
Ｒ）−１−メチル−２−才キソー２−（２−チオキソチ
アゾリジン−３−イル）エチル］−２−アゼチジノンの
結晶（１４，０８ｇ　）を得る。

ＩＲ（スジロール）　　：　　３４５０．　３１ｇ０．
　１７４０．　１７１０　　ａｍ−’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ
−ｄ６．δ）　：　１．０６　（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ
）、　１．１５（３Ｈ，ｄ、Ｊニア）１ｚ）、　２．８
１　（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝２．６Ｈｚ）。

３．１０−３．５０　　（２Ｈ，ｍ）、　　３．５８　
　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ−２゜７Ｈｚ）、　　３．６６−３
．９６　　（ＩＨ，ｍ）、　　４．２０−４．６３　　
（３Ｈ。

ｍ）、　　４．６３−４．８５　　（ＬＨ，ｍ）、　　
８．０６　　（ＩＨ，ｂｒ　　ｓ）マグネシウムエトキ
シド（ｔｔ７ｇ）のテトラヒドロフラン（２５０１ｄ　
）中部濁液に、窒素雰囲気中攪拌下３０°Ｃで、マロン
酸水素アリル（３８，８ｇ）を加える。混合物を室温で
１０時間攪拌する。この混合物に（３Ｓ、４Ｒ）−３−
［（ＩＲ）−１−ヒドロキシエチル］−４−［（ＩＲ）
−１−メチル−２−才キソー２−（２−チオキソチアゾ
リジン−３−イル）エチルツー２−アゼチジノン（２４
，７ｇ）およびイミダゾール（８，８ｇ）を加え、６０
℃で１時間加熱する。溶媒を減圧留去し、残渣を酢酸エ
チル（３００＋１１１１　’）および食塩水（２００１
１１Ｑ　）の混液に加える。５℃で濃塩酸を加え、ｐＨ
を３．５に調整した後、有機層を分取し、食塩水（２０
０１１１１１）で希釈する。５℃で３０％炭酸カリウム
水溶液を加え、ｐＨを８に調整した後、有機層を分取し
、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃
縮する。残渣をシリカゲル（６００ｍ１１　”）を使用
するカラムクロマトグラフィーに付し、ジクロロメタン
およびアセトン（容量比１９：１〜１：１）の混液で溶
出して（４Ｒ）−４−［（２Ｒ，３Ｓ）−３−（（ＩＲ
）−１−ヒドロキシエチル）−４−才キソアゼテジン−
２−イル］−３−オキソペンタン酸アリル（１９，４６
ｇ　）を得る。

ＩＲ（ＣＨ２Ｃ１２）　：　３６８０．３６００．３５
１０．３４１０．１７６０゜１７１０　ａｍ−’

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）式： ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１はヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ＾
   ２は低級アルキル基を意味する］で示される３，４−ジ
   置換−２−アゼチジノン誘導体。
2. （２）（３Ｓ，４Ｒ）−３−［（１Ｒ）−１−ヒドロキ
   シエチル］−４−［（１Ｒ）−１−メチル−２−オキソ
   −２−（２−チオキソチアゾリジン−３−イル）エチル
   ］−２−アゼチジノンである特許請求の範囲第（１）項
   に記載の化合物。