JPH0277727A - フラットパネル形ディスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフラットパネル形ディスプレイ、より詳細には
下部基板と該下部基板に対向して配設された上部基板と
これら下部基板と上部基板間に介装された電気光学材料
とを含むフラットパネル形ディスプレイであって、アク
ティブマトリクス駆動方式の薄膜トランジスタ（ＴＰＴ
）形の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に関する。

靴米五弦ｌ 近年高度情報化が進むにつれ、映像表示用のディスプレ
イの分野においてはより一層の高精細化および高輝度化
が望まれている。現在は家庭用やその他はとんどの分野
においてＣＲＴ　（陰極線管）がその主流を占めている
。しかし小形、軽量、低消費電力でしかも高画質化が可
能なフラットパネル形ディスプレイへの要望が高まって
きている。フラットパネル形ディスプレイのうち液晶を
用いたＬＣＤは現在もっとも広く用いられ将来性の高い
ディスプレイである。このＬ　ＣＤの駆動方式として、
単純マトリスクス駆動方式やアクティブマトリクス駆動
方式があり、このうちアクティブマトリクス駆動方式は
各画素ごとにスイッチ素子を配設して各画素を独立的に
駆動制御するものである。したがって各画素ごとに１０
０％近いデユーティ比で駆動でき、画素のコントラスト
比を大きく取ることが可能である。

スイッチ素子としてアモルファスシリコンを用いた薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）形は大面積化が可能であり、し
かも低コストで製作できることから有望視され、多くの
研究がなされている。アモルファスシリコンを用いた薄
膜トランジスタ（ＴＰＴ）形ディスプレイの特徴として
は大面積化が可能であること、比較的低温プロセス（３
００℃前後）で製作できることから安価なガラス基板が
使用可能であること、連続的な成膜により膜界面の清浄
性が保たれることなどが挙げられる。

以上のことから駆動方式としてアクティブマトリクス駆
動方式を採用し、アモルファスシリコンを用いた薄膜ト
ランジスタ（ＴＰＴ）形ディスプレイは今後のニューメ
ディア用のディスプレイ候補としてその発展が期待され
ている。

次に従来のアクティブマトリクス駆動方式の薄膜トラン
ジスタ（ＴＰＴ）形ディスプレイを第６図および第７図
に示す。ガラス基板１１の外側（第６図中下側）には偏
光子１２が貼着されており、内側には行方向にゲートラ
イン１３がバターニングされている。この偏光子１２の
所定箇所にはゲート１４が形成されている。これらゲー
トライン１３、ゲート１４の上面にはゲート絶縁膜１５
が積層形成され、さらにこのゲート絶縁膜１５の上面に
はゲート１４に対応する所定箇所列方向にアモルファス
シリコン層１６が積層形成され、このアモルファスシリ
コン層１６の上面にはｎ１アモルファスシリコン層１７
が積層形成されている。このｎ９アモルファスシリコン
層１７の上面にはさらにドレインライン１８が積層形成
され、このドレインライン１８のゲート１４に対応する
所定箇所にはドレイン１９が形成されている。このドレ
イン１９と水平方向に対向してゲート１４を挟んだ所定
箇所にはソース電極２０が形成されており、このソース
電極２０にはゲート絶縁膜１５上面にマトリクス状に形
成された画素電極２２が接続されている。上記したゲー
トライン１３、ゲート１４、アモルファスシリコン層１
６、ｎ１アモルファスシリコン層１７、ドレインライン
１８、ドレイン１９およびソース電極２０によりスイッ
チ素子としてのＴＦＴアレイ２１が構成されている。

これらガラス基板１１’（下部基板）側の第６図中上方
にはガラス基板１１に対向してガラス基板２３（上部基
板）が配設されており、このガラス基板２３の内側には
対向電極２４が形成貼着されている。またガラス基板２
３の外側には偏光子２５が貼着されている。そしてこれ
らガラス基板１１とガラス基板２３の間には液晶２６が
上下面で９０度ねじれて配向され充填されている。

以上のように構成されたＴＦＴＬＣＤを駆動させて画像
表示を行なうには、ゲートライン１３に正のバイアスを
印加しながらドレインライン１８に交流のバイアスを印
加する。このことによりソース電□極２０側にソース電
圧が発生じ、液晶２６に電界が印加され、この結果液晶
２６の配向方向が変化する。この結果透過光のオンオフ
が行なわれるものである。

上記した方式による特徴としては表示面内の各画素をＴ
ＰＴによって独立的に駆動制御できることから画素間に
クロストークのない高いコントラスト比の表示が得られ
るというところにある。

明が商法しようとする澗１売 上記したようなＴ　ＦＴＬ　ＣＤは各ＴＦＴアレイによ
って各画素を駆動する方式のディスプレイであり、ディ
スプレイの面積あるいは画素数が増大するにつれてＴＦ
Ｔアレイの欠陥が増大し、あるいは配線の断線が起きた
り、配線のショートなどによる表示不良が急増し、スイ
ッチ素子作成の歩留まりが著しく低下する。通常ＴＦＴ
ＬＣＤにおいては対角５インチ以上のガラス基板にスイ
ッチ素子としてのＴＦＴアレイをｌＯ万何個以上形成る
が、このうちわずかのＴＦＴアレイの不良に基づく表示
欠陥が存在してもＬＣＤとしては十分な表示機能を達成
することが不可能となってしまう。したがって表示面内
でのＴＦＴアレイの欠陥や配線の断線などに基づく表示
欠陥を救済することが非常に重要になってくる。ＴＦＴ
ＬＣＤは今後まずまず大面積化、高画素化（高精細化）
してゆくことば必至であり、大面積基板内の欠陥部分を
いかにして救済し、十分な表示性能を有するＬＣＤを作
成するかが大きな問題となってきている。従来より欠陥
を生じさせないための手段として、一画素に対して複数
個のＴＦＴアレイを対応さぜるもの、あるいは各配線ラ
インを二重にするものなどが提案されている。しかしこ
れらの技術は欠陥の生した画素を救済できるものの、高
密度化には向かないものであった。

。。点を解決するための−ｊ１ 本発明はかかる問題点に鑑みて発明されたフラットパネ
ル形ディスプレイであって、下部基板と該下部基板に対
向して配設された上部基板とこれら下部基板と上部基板
間に介装された電気光学材料とを含むフラットパネル形
ディスプレイであって、前記下部基板上には画素電極が
マトリクス状に配設されるとともに前記各画素電極を駆
動するだめのスイッチ素子が配設される一方、前記上部
基板の前記下部基板側の面には前記画素電極と協働して
画素を構成する対向電極が形成されるとともに前記電気
光学材料を透過した光により光電流を生し前記電気光学
材料の電気光学的効果を変化させる受光素子が前記画素
電極のそれぞれに対応する形で複数個配設されているこ
とを特徴とするものである。

以下本発明にかかるフラットパネル形ディスプレイの構
成を詳述する。なお従来例と同一構造の部分については
同一の符合を付すこととする。

ガラス基板１１の外側（第１図中下側）には偏光子１２
が貼着されており、内側には行方向にゲートライン１３
がバターニングされている。このゲートライン１３の所
定箇所にはゲート１４が形成されている。これらゲート
ライン１３、ゲート１４はＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌまた
はＮｉＣｒ膜あるいはこれらの積層膜から構成されてい
る。これらゲートライン１３、ゲート１４の厚みは膜材
料、目的とするＴＰＴの構造あるいは配線抵抗などによ
り決定されるが、本発明においては、３００ないし３０
００人、より望ましくは５００ないし１５００人の範囲
で決定される。これらゲートライン１３、ゲー１−１４
の上面にはゲート絶縁膜１５が積層形成されている。こ
のゲート絶縁膜１５としては比抵抗が高くしたがって絶
縁性に優れ、かつ界面特性の良好な薄膜が用いられる。

このような条件を満たずゲート絶縁膜１５として、本発
明ではプラズマＣＶＤ法（グロー放電分解法）により形
成されるＳｉＮ膜、ＳｉＯ膜、または５ｉＯＮ膜あるい
は他の形成法、例えばスパッタリング法などにより作製
されるＴ　ａ　２０５膜、Ａｌ２Ｏ３膜あるいはこれら
の積層膜を用いることができる。ゲート絶縁膜１５とし
て例えばＳｉＮ膜を用いる場合にはシラン系のガス例え
ばＳｉＨ４とＮＨ３との混合ガスまたはＮ２との混合ガ
ス、あるいはＳ　ｉ　Ｈ４とＮＨ３とＮ２との混合ガス
をプラズマＣＶＤ法により分解堆積して形成することが
できる。ＳｉＮ膜を用いる場合には基板温度が膜特性に
大きな影響を及ぼし、基板温度を通常２５０℃以上、よ
り望ましくは３００℃以上とすることが好ましい。本発
明におけるゲート絶縁膜１５の膜厚は目的とするＴＦＴ
特性を得るためにそれぞれ決定されるが、通常は５００
人ないし５０００人が望ましく、より望ましくは１００
０人ないし３０００人の範囲である。

ゲート絶縁膜１５の上面にはゲート１４に対応する所定
箇所列方向にアモルファスシリコン層１６が積層形成さ
れている。アモルファスシリコン層１６は半導体層であ
り、通常プラズマＣＶＤ法によりシラン系のガスを用い
て容易に形成できる。アモルファスシリコン層１６の膜
厚はＴＰＴのオフ電流および光照射時の光電流に大きく
依存する。本発明では通常２００人ないし４０００人が
採用され、より望ましくは５００人ないし３０００人の
範囲である。成膜温度としては良好な膜特性を得るため
に１００℃ないし４００℃が望ましく、より望ましくは
２００°Ｃないし３００℃の範囲である。

前記アモルファスシリコン層１６の上面にはｎ９アモル
ファスシリコン層１７がオーミックコンタクト層として
積層形成されている。このｎ＋アモルファスシリコン層
１７はキャリアである電子の走行性を容易にし、かつ正
孔の流れを阻止する目的で形成されるものであり、主と
してシラン系のガス例えばＳｉＨ４とＰ　Ｈ２との混合
ガスにより形成される。ｎ′″アモルファスシリコン層
１７層重７的特性としては暗比抵抗が１０５Ω・ｃｍな
いし１０Ω・ｃｍであることが望ましく、より望ましく
は１０４Ω・Ｃｍないし１０２Ω・ｃｍの範囲である。

また活性化エネルギーとしては０．４ｅＶないし０．１
ｅＶが望ましく、より望ましくは０．３ないし０．２ｅ
Ｖの範囲が良い。ｎ９アモルファスシリコン層１７の膜
厚は膜のはがれ防止などのために適切に決定する必要が
あるが、通常は１００人ないし１０００人が望ましく、
より望ましくは１００人ないし５００人の範囲である。

前記ｎ′″アモルファスシリコン層１７の第１図中上面
にはさらにドレインライン１８が積層形成されこのドレ
インライン１８の前記ゲート１４に対応する所定箇所に
はドレイン１９が形成されている。このドレイン１９と
水平方向に対向してゲート１４を挟んだ所定箇所にはソ
ース電極２ｏが形成されており、このソース電極２０に
はゲート絶縁膜１５上面にマトリクス状に形成された画
素電極２２が接続されている。

トレインライン１８、ドレイン１９およびソース電極２
０は通常高融点金属とＡＩとの積層構造となっており、
例えばＣｒ／Ａ　Ｉ　、　Ｍｏ／Ａ　ｌ　。

Ｔ　ｉ　／　Ａ　１などが用いられる。高融点金属の膜
厚としては膜のはがれなどを考慮して１００人ないし１
０００人とするのが望ましく、より望ましくは１００人
ないし５００人の範囲とするのが良い。またＡＩの厚み
としては２０００人ないし２μｍの範囲が望ましく、よ
り望ましくは５０’００人ないし１．５μｍの範囲であ
る。

前記ガラス基板１’ｌ（下部基板）の第１図中上方には
ガラス基板１１に対向してガラス基板２３（上部−板）
が配設されており、このガラス基板２３の内側（ガラス
基板１１側）には対向電極２４が形成貼着されており、
外側には偏光子２５が貼着されている。

上記対向電極２４は透明導電膜例えばＩＴＯ膜により形
成され、膜厚は１０００人程度であることが望ましい。

対向電極２４のさらに内側には絶縁性薄膜３０が形成さ
れている。この絶縁性薄膜３０は後記する受光素子３１
と対向電極２４とを電気的に絶縁するためのもので、プ
ラズマＣＶＤ法によるＳｉＮ、５ｉＯ１ＳｉＯＮ膜ある
いは他の薄膜形成法であるスパッタリング法などによっ
ても形成されるものである。絶縁性薄膜３０としては電
気抵抗率が１０＋２Ω・０ｍ以上である′ことが望まし
く、よ　　゛り望ましくは１０１４Ω・０ｍ以上である
。また膜厚は５００人ないし５０００人の範囲であるこ
とが望ましく、より望ましくは１０００人ないし３００
０人の範囲が良い。

絶縁性薄膜３０のさらに内側には第２図に示すように受
光素子３１が前記ＴＦＴアレイ２１に対応する位置に形
成されている。受光素子３１はニつのラインＬ１、Ｌ２
から構成されており、異なるラインＬ１、Ｌ２により各
画素電極２２を両側より挟んだ形状となるようにその端
部が突設されている。

この受光素子３１はＣｒ層３２、アモルファスシリコン
層３３および透明導電膜３４がら構成されており、Ｃｒ
層３２は電極と光シールドの役割を果たし膜厚は８００
Å以上が必要である。またアモルファスシリコン層３３
は光導電体として用いられ、可視光に対しては高感度で
あることが重要である。アモルファスシリコン層３３の
作成法としては例えばＳ　ｉＨ＜のプラズマＣＶＤ法に
より形成され、特性としては暗比抵抗が１０９Ω・０ｍ
以上であることが望ましく、より望ましくは１Ｏ１０Ω
・０ｍ以上である。また活性化エネルギ□−は０．６ｅ
Ｖないし０．７ｅＶであることが望ましい。

さらに光学的バンドギャップとしては１’、６　ｅ”Ｖ
ないし１．８ｅＶであることが望ましい。アモルファス
シリコン層３３の膜厚としては１０００人ないし２μｍ
であることが望ましく、より望ましくは５０００人ない
し１１１ｍの範囲である。

受光素子３］の透明導電膜３４としてはＩＴＯ膜その他
の透明導電膜が用いられる。透明導電膜３４の膜厚とし
ては１０００Ａ程度が望ましい。

そして受光素子３１の表面には絶縁性薄膜３５が形成さ
れている。

また前記ガラス基板１１とガラス基板２３の間には液晶
２６が上下面て９０度ねじれて配向され充填されている
。

次にアモルフ）・スシリコンＴＦＴアレイ２１の作製方
法について述べる。先ずガラス基板１１上にゲートライ
ン１３およびゲート１４となるＣｒをパターニングする
。次にガラス基板ｌｌ上にプラズマＣＶＤ装置によって
ゲート絶縁膜１５となるＳｉＮ、半導体層であるアモル
ファスシリコン層１６、オーミックコンタクト層である
ｎ３アモルファスシリコン層１７を順次積層形成してゆ
く。これら各層が形成されるとガラス基板１１をプラズ
マＣＶＤ装置より取り出し、ドレインライン１８、ドレ
イン１つおよびソース電極２０となるＣｒ層を蒸着によ
り形成する。次にゲート１４上部のＣｒ層およびｎ９ア
モルファスシリコン層１７をホトリソグラフィーによっ
てエツチングする。最後にドレインライン１８、ドレイ
ン１９およびソース電極２０となる部分にＡｌを蒸着に
より形成する。

次に第３図に基づき欠陥画素部救済の作動原理を説明す
る。

画素■■＠のうち■の画素がＴＦＴアレイ２１の不良に
よって非点灯であるとする。なお第３図において符合Ｕ
は上部ガラス基板２３側に、Ｌは下部ガラス基板ｌｌ側
にそれぞれゲートライン１３や受光素子３１が形成され
ていることを示している。非点灯の画素■は受光素子の
ライン上１上の受光素子■と受光素子のラインＬ　２上
の受光素子■によってゲートライン１３方向（図におけ
る左右方向）に挟まれている。受光素子■および受光素
子■は画素■および画素Ｏが点灯しているため、受光素
子■■の電極内に光キャリヤによる信号電荷を蓄積する
。受光素子■および受光素子■のラインＬ０、Ｌ２のＣ
ｒ電極に逆極性のバイアスが印加されていると受光素子
のおよび受光素子■のＩＴＯ電極３４側にはそれぞれ逆
極性の信号電荷が誘起される。したがって画素■のＴＮ
液晶は受光素子■■の水平方向の電界によってガラス基
板２３と同一面内で液晶の配向を９０度傾けて受光素子
００間の方向に配向する。この状態では画素０部のＴＮ
液晶は偏光の旋光方向を回転させずそのまま上部に光を
透過するため画素■は点灯することとなる。

第４図に受光素子３１のＪ−Ｖ特性を示す。１００ルク
スの光照射時には電圧依存性があまりなく、はぼ一定の
出力が得られている。

第５図にＴＦＴＬＣＤにおける欠陥画素の光透過率の入
射光照度に対する依存性を示す。１００ルクス程度から
透過率が次第に増加し１０００ルクスで７０％の透過率
が得られている。

■ 本発明におけるＴ　Ｆ　Ｔ　Ｌ　ＣＤではＴＦＴアレイ
２１などの欠陥により表示不可能となった画素に対し、
隣接する表示可能画素部を透過した光を受光素子３１対
に入射させ、ＴＮ液晶２６の水平方向に電界を印加させ
ることにより光透過を可能にして欠陥画素を救済する作
用を有する。

すなわちＴＮ形の液晶表示モードでは通常ガラス基板１
１の垂直方向に電界を印加することによってＴＮ液晶２
６の配向方向を変え、オンオフ表示を行なうものである
が、本発明では通常のＴＮ液晶表示モードに加えて、欠
陥画素部に対しては光を受光した隣接する受光素子３１
対によってガラス基板２３の水平方向に電界を印加して
、ＴＮ液晶２６を水平面内で９０度ねじらせて光透過を
可能にする作用を有する。

支朧舅 以下、本発明にかかる実施例を説明する。

充分に洗浄した５インチ角のガラス基板１１にゲートラ
イン１３およびゲート１４用のＣｒを１０００人蒸着さ
せホトエツチングによりパターンを形成をした。スイッ
ヂ素子（ＴＦＴアレイ２１）としてのチャンネル長さは
１０μｍ、チャンネル幅は２００μｍとなした。その後
ガラス基板１１をプラズマＣＶＤ装置内にセットし、真
空容器内を排気するとともにガラス基板１１を加熱し、
加熱温度を３００℃に設定した。真空容器内の真空度が
１０−’Ｔｏｒｒ以下となったところで排気系を拡散ポ
ンプ（ＤＰ）からメカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ
）に切り替えるとともにマスフローコントローラー（Ｍ
ＦＣ）を介して１００％ＳｉＨ４を８ＳＣＣＭ、ＮＨ３
を４０ＳＣＣＭ、Ｎ２を８０３ＣＣＭそれぞれ流して反
応圧力を０．５　Ｔｏｒｒとなるように調節した。圧力
が一定となったところで１３．５６ＭＨｚのＲＦパワー
を５０Ｗ印加して２０分間ＳｉＮのゲート絶縁膜１５を
形成した。このように形成されたゲート絶縁膜１５は屈
折率が１．８２．光学的バンドギャップ（Ｅｇ）が５、
ｌｅＶ、比誘電率が６、ｌであった。また膜厚は３００
０人であった。

次に同一のプラズマＣＶＤ装置内でＳｉＮのゲート絶縁
膜１５上にアモルファスシリコン層１６の半導体層を１
５００人形成した。形成条件は１００％Ｓ　ｉ　Ｈａを
ＩＯ３ＣＣＭ、反応圧力０，２ＴｏｒｒでＲＦパワー１
００Ｗとした。成膜時間は１０分間であった。以上の様
に形成されたアモルファスシリコン層１６は電気的特性
として、暗比抵抗ρｄ＝２Ｘｌｏ”Ω・ｃｍ、活性化エ
ネルギーＥａ＝０．７　ｅＶ、光学的特性としてＥ　ｇ
　＝　１．７５ｅＶであった。

その後向−の基板温度（３００℃）でｎ′″アモルファ
スシリコン層１７層成７条件下で形成した。１００％Ｓ
ｉＨ４をＩＯ３ＣＣＭ、１％Ｈ２ベースのＰ　ＨｓをＩ
Ｏ３ｃｃＭ流し、反応圧力０．２ＴｏｒｒでＲＦパワー
を１００ｗ印加し、４分開成膜を行なった。膜厚は５０
０人とした。このｎ＋アモルファスシリコン層１７の特
性は別に行なった実験からρｄ＝５００Ω・ｃｍ、Ｅａ
＝０．２　ｅＶ、　　Ｅｇ　＝１．７　ｅＶであった。

プラズマＣＶＤ装置による上記薄膜の形成の後、ガラス
基板１１を真空蒸着装置内にセットしドレインライン１
８、ドレイン１９およびソース電極２０となるＣｒを５
００人形成した。次に上記試料をホトエッチングにより
チャンネル上部のＣｒを酸によりエツチングし、さらに
ｎ９アモルファスシリコン層１７をＨＦ　：　ＨＮＯ３
：　ＣＨ３Ｃ０ＯＨ混液によりエツチングした。レジス
トを除去洗浄後再び試料を真空蒸着装置内にセットし、
ＡＩを試料全面に１．０μｍ形成した。その後再びホト
エツチングによりチャンネル上部のＡｌをリン酸系水溶
液によって除去した。

以上の様にして作成されたＴＦＴアレイ２１の電気的特
性を評価したところ以下の様であった。

電界効果移動度　０．５　ｃｍ”／Ｖ・ｓｅｃしきい値
電圧　　２ｖ ドレイン電流 Ｖｇ＝１５Ｖ、Ｖｄ＝ｌＯ’Ｖ時　　ｌＸｌ０−’ＡＶ
ｇ＝ＯＶ、Ｖｄ＝１０Ｖ時　　ＩＸＩＯ−１ｌＸｌ０−
１２ＡＶ、Ｖｄ＝１０Ｖ時ＩＸＩＯ−１ｌＸｌ０−１３
ＡＶ、Ｖｄ＝２０Ｖ時ｌＸｌ０−１２Ａ次に上記ガラス
基板１１上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を１μｍ
堆積した。形成条件は１００％Ｓ　ｉ　ＨａをＩＯ３Ｃ
ＣＭ、ＮＨ３を３０３ＣＣＭ、Ｎ、を８０ＳＣＣＭ流し
た。また基板温度は２００℃であった。その後真空蒸着
装置によってＡＩの光シールドを２０００人蒸着させた
のち、ホトエツチングによってチャンネル部にのみＡｌ
パターンを形成した。

次にガラス基板２３の受光素子３１群を以下の方法で形
成した。洗浄された４インチ角のガラス基板にＤＣスッ
パタリング装置によって対向電極２４となるＩＴＯ膜を
１０００人堆積させた後、ＲＦスッパタリング装置によ
って絶縁性薄膜３０となるＳｉＮ膜を２０００人堆積さ
せた。その後真空蒸着装置によって受光素子３１の一部
となるＣｒを１２００人蒸着させた。以上の基板をプラ
ズマＣＶＤ装置内にセットし、基板温度を２５０℃に設
定後、１００％Ｓ　ｉ　Ｈ４をＩＯ３ＣＣＭ流し、反応
圧力を０．２Ｔｏｒｒとし、ＲＦパワー１００Ｗでアモ
ルファスシリコン層３３を６０分間形成した。膜厚は８
０００人であった。なおアモルファスシリコン層３３の
特性は前記したアモルファスシリコン層１６のもとほぼ
同様のものであった。

その後ホトエツチングにより受光素子３１部のアモルフ
ァスシリコンのみを残し、かつ配線部のＣｒのみホトエ
ッヂングにより残した。最後に全面にＤＣスパッタリン
グ装置により透明導電膜３４となるＩＴＯ膜を１０００
人堆積させ、ホトエッヂングにより受光素子３１部にの
みＩＴＯ膜を残した。

以上のようにして形成されたガラス基板１１とガラス基
板２３に対してポリイミド配向膜を８゜Ｏ人スピンコー
ドにょって形成し、ラビング処理の後、シーリング材を
印刷して、両基板を張り合せた。なおセルギャップは８
μｍとした。

その後セル内にＴＮ液晶を注入し封止した。

以上の方法によってえられたＴＦＴＬＣＤはコントラス
ト比＝３０というほぼ良好な特性が得られた。

次にＴＦＴアレイ２１の欠陥に基づく画素の救済につい
て実験を行なった。

あらかじめ非点灯の画素を調べた後ガラス基板２３の受
光素子３１の一方のラインＬ１にプラスバイアス、受光
素子３１の他方のラインＬ２にマイナスバイアスを印加
したのち、蛍光灯の照度を２０００ルクスにして、背面
（ガラス基板１１側）より光照射を行なった。その結果
従来非点灯であった画素は、バイアスがそれぞれ＋８ｖ
、−８ｖ付近から点灯し始め、非点灯画素の救済に対し
て有効であることが分かった。またバイアスが±１０Ｖ
時の救済された画素のコントラスト比は２０と良好であ
った。

危匪五羞浬 以上の説明により明らかな如く、本発明にががるフラッ
トパネル型ディスプレイにあっては、下部基板と該下部
基板に対向して配設された上部基板とこれら下部基板と
上部基板間に介装された電気光学材料とを含み、前記下
部基板上には画素電極が７トリクス上に配設されるとと
もに前記各画素電極を駆動するためのスイッヂ素子が配
設される一方、前記上部基板の前記下部基板側の面には
前記画素電極と協働して画素を構成する対向電極が形成
されるとともに前記電気光学材料を透過した光により光
電流を生し前記電気光学材料の電気光学的効果を変化さ
せる受光素子が前記画素電極のそれぞれに対応する形で
複数個配設されているのでスイッヂ素子などの不良によ
り欠陥画素が存在していても、良好な画素部分の透過光
により受光素子が働き、電気光学材料の電気光学的効果
を変化させて欠陥画素を救済することができるのである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るフラットパネル型ディスプレイの
一実施例を示す要部の断面図、第２図はガラス基板上に
形成された受光素子の配置を示す平面図、第３図は欠陥
画素救済の作動原理を説明するための部分拡大平面図、
第４図は受光素子のＪ−Ｖ特性図、第５図はＴＦＴＬＣ
Ｄの画素に対する光の透過率と照射光の照度との関係を
示す図、第６図は従来例を示す要部の部分拡大断面図、
第７図は平面図である。 １１・・・ガラス基板（下部基板）、２１・・・ＴＦＴ
アレイ（スイッヂ素子）、２２・・・画素電極、２３・
・・ガラス基板（上部基板）、２４・・・対向電極、２
６・・・液晶（電気光学材料）、３１・・受光素子特許
出願人　：　住友金属工業株式会社代理人　　　：　弁
理士　　井内龍ニ ノ （’／、）Φ１に基冬

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 下部基板と該下部基板に対向して配設された上部基板と
   これら下部基板と上部基板間に介装された電気光学材料
   とを含むフラットパネル形ディスプレイであって、前記
   下部基板上には画素電極がマトリクス状に配設されると
   ともに前記各画素電極を駆動するためのスイッチ素子が
   配設される一方、前記上部基板の前記下部基板側の面に
   は前記画素電極と協働して画素を構成する対向電極が形
   成されるとともに前記電気光学材料を透過した光により
   光電流を生じ、前記電気光学材料の電気光学的効果を変
   化させる受光素子が前記画素電極のそれぞれに対応する
   形で複数個配設されていることを特徴とするフラットパ
   ネル形ディスプレイ。