JPH0277593A - 薄刃ブレードの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し産業上の利用分ＩＦ１ 本発明は、シリコンウェハ、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）
、　　リチウムタンタレート（Ｌ　ｉＴ　ａ　Ｏ３）　
ｐフェライトなどの高精度切断または、溝加工に用いる
薄刃ブレードの製造方法に関するものである。

［発明の背景］ 前記電子材料の切断または溝加工は高精度化と共に高能
率化が強く要望されている。そのためには研削の基本で
あるツルーイング、ドレッシングが容易な構造をもつブ
レードが必要である。

［従来の技術］ 従来、集中度の異なる層構造をもつブレードを製造する
に当っては、２種類のめっき液を用意するものである（
特開昭６２−８８５７１号公報参照）。即ち一つのめっ
き液は砥粒含有率の小さいめっき液で、他方は砥粒含有
率の大きいめっき液の２種類のめっき液を２槽のめっき
樽を用いて集中度の異なる層構造ブレードを製造してい
た。

この製造方法の問題点は、（１）２槽のめっき槽を用い
るので、電鋳中のブレードを一槽から他の槽に移すとき
に電鋳ブレードは空気中に露出し、かつ電流が一次遮断
する。このため、眉間が剥離し易い欠点があった。（２
）１枚のブレードを製造するのに２槽必要とするので、
広い作業面積を要する。（３）製造操作が複雑（こなろ
ため製造品毎の品質のばらつきが大きくなるなどである
。従って高精度切断作業或いは溝加工に安定性を欠くと
同時に高価となる。

［発明が解決しようとする課題〕 本発明の課題は、前記従来の欠点を除去し、品質が安定
し、ツルーイング、ドレッシングが容易で、かつ安価に
できろ薄刃ブレードの製造方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の手段は、一定比率のダイヤモンド微粒子を分散
させた１種類のめっき液のみで、従って１個の電鋳槽に
おいて、電流密度を変化させて砥粒集中度の異なる層を
形成するようにしたことである。

本発明の方法を第１図について説明すると、１は電鋳槽
で、ダイヤモンド砥粒を混入しためっき？Ｆｌ　２が入
れである。３は陽電極、４は負電極で、ニッケル電鋳の
場合、陽電極はニッケル電極が用いられる。負電極４の
端部にはステンレス製の台金５を取付け、電鋳中はモー
タ（図は省略）によって回転する。めっき液２は攪拌器
６で常時攪拌されている。７はめっき電流制御装置で、
規定電流を予め設定することができる。８はタイマーを
示し、通電時間を制御すると共に、電流制御装置に予め
設定された電流値を自動的に切換える信号も送れる。

以上の装置を用い、電鋳初期には比較的高密度のめっき
電流、例えば２．５Ａ／ｄＩ１１２を流す。

電鋳槽の厚さはめっき電流とめっき時間に比例するので
、高電流密度の場合には低電流密度の場合に比べて単位
時間内に比較的厚い電鋳層が得られる。しかし単位時間
内に沈積するダイヤモンド砥粒の量は一定なので、高電
流密度電鋳層中に含まれるダイヤモンド砥粒の量、即ち
、砥粒集中度は低くなる。

この逆に低電流密度による電鋳層では砥粒集中度は高く
なる。要するに本発明においては一定比率のダイヤモン
ド微粒子を分散させためっき液を電鋳槽に入れて電流密
度の調整によって砥粒集中度の異なる電鋳層を形成する
ものである。尚、図中９はステンレス台金上に電鋳され
た薄刃ブレードを示す。

［実　施　例］ この実施例に用いためっき液組成ならびに電鋳条件は下
記のとおりである。

■めっき液組成 スルファミン酸ニッケル　４００　ｇ、／１塩化ニッケ
ル　　　　　　　１５　ｇ／ｌ硼酸　　　　　　　　　
　　３５ｇ／ｊスルファミン酸、光沢剤、 ピット防止剤　　　　　　　　　　少量混合ダイヤモン
ド砥粒２〜６μｍ粒径 ２．５ｅｔ／ｊ ■電鋳条件 めっき液温度　　　　　　４８℃ ｐＨ３，５ 陰極電流密度　　　　　　２．５Ａ／ｄａ（高電流密度
）及び ０　、　４　Ａ　／　ｄａ２ （低電流密度） 電鋳時間　　　　　　高電流密度のとき１２分低電流密
度のとき８０分 上記のめっき液および電鋳条件に基づいて、薄刃ブレー
ドを製造した。

最初に、めっき液温度を４８℃に加熱しく図は省略）、
電流制御装置７の陰極電流密度を２゜５Ａ／ｄａ２に、
タイマの電鋳時間を１２分に設定し、電鋳時間１２分に
相当する電鋳層厚さ７゜５μｍのブレード１層目（第２
図ａ）を電鋳した。電鋳時間が１２分経過すると、タイ
マの信号によって２層目（第２図ｂ）の電鋳に移るが、
２層目の陰極電流密度は制御装置内に予め０゜４　Ａ　
／　ｄａ２の電流密度に設定したので、タイマからの信
号によって電流密度は０　、４　Ａ　／　ｄｏｇ２とな
った。また、２層目の電鋳時間は予めタイマに８０分と
設定しておいたので、電鋳時間８０分に相当する電鋳層
厚さ１０μｍを得ることができた。

２層目の電鋳時間８０分が経過すると、３層目（第２図
Ｃ）の電鋳に移るが、３層目は１層目と同一条件で電鋳
したために３層合せて電鋳層厚さ２５μｍが得られた。

このようにして、電鋳作業中にブレード素材は空気中に
露出したり電流を遮断することなく製造した。

以上の方法でステンレス台金上に電鋳したブレード素材
は水洗後、ステンレス台金からはがしてプレスで打ち抜
き、一定寸法の薄刃ブレードにした。

このようにして製造したブレード断面の一部を第２図に
示しであるが、ブレード断面中央層のダイヤモンド砥粒
は高密度で、集中度は約２００であった。これに対して
ブレード両側面は低密度になっていて、集中度は１２０
程度であった。

次に薄刃ブレードのツルーイング、ドレッシング実施例
を示す。

従来、薄刃ブレードのツルーイング、ドレッシングは！
８００〜″１２００砥石および被加工物をダζ−カット
することによって行われているので、本製造ブレードも
同じ方法で実施した。

但し、本ブレードは従来ブレードのツルーイング、ドレ
ッシング回数の１／２に減らした。このようにして成形
したブレード外周の断面形状を第３図に示す。

従来のツルーイング、ドレッシング回数の１／２でも、
ブレードの振れは十分に取り除かれ、表裏面の砥粒は突
出している。このように、ツルーイング、ドレッシング
が容易な理由は従来の一般市販ブレードの集中度が１８
０〜２００の高密度であるのに比べ、本製造ブレードの
集中度が１２０程度と低いためである。しかも中央層は
集中度２００程度になっているので、使用中も減耗しに
くく研削比は高い。

上記ツルーイング、ドレッシングを行った従来品と本発
明の方法によｌ）Ｍ造ブレードでシリコンウェー八をダ
イシングし、チッピングおよび溝幅を比べた結果、従来
ブレードのチッピングの大きさ１２μｍに対して本発明
の方法によるブレードは８μｍ１従来品の溝幅３０μｍ
に対して２８μｍと小さい値であった。

なお、本ブレードは前記のようにツーイングとドレッシ
ング（時間の短ｔｆりを目的としているので、１層目と
３層目の集中度を低（して製造したが、溝加工のような
場合は矩形溝のコーナのだれが問題となる。このような
ときには、本製造方法を用い、製造過程を逆にして、１
層目と３層目は電流密度を低くして集中度を高くし、中
央層は電流密度を高くして集中度を低くする。このよう
にして製造したブレードは両側面が高集中度のため、両
側面が摩耗しにく（、矩形溝のコーナだれを小さくする
ことができる。

Ｃ発明の効果１ 本発明の方法によれば、使用中層間剥離することないブ
レードが得られ、しかも従来のブレードに比ベツルーイ
ング、ドレッシングが容易である。この結果、電子材料
を切断した際のチッピングや溝幅を小さくすることがで
きる。まためっき槽は−っで足り、製造過程も簡便なた
め、品質は安定し、安価（ζ製造できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を実施する装置の一例を示す断面
図、第２図は本発明の方法によって製作した薄刃ブレー
ドの断面図、第３図はドレッシングによって成形された
薄刃ブレードの先端形状を示す図である。 １・・電鋳槽　２・・めっき液　３・−・陽電極　４・
・・負電極　５・・台金　６　・攪拌器　９・・薄刃ブ
レード

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 一定比率のダイヤモンド微粒子を分散させためっき液を
   電鋳槽に入れて電流密度を調整変化させて、砥粒集中度
   の異なる層構造を形成することを特徴とする薄刃ブレー
   ドの製造方法。