JPH0277132A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0277132A JPH0277132A JP20118589A JP20118589A JPH0277132A JP H0277132 A JPH0277132 A JP H0277132A JP 20118589 A JP20118589 A JP 20118589A JP 20118589 A JP20118589 A JP 20118589A JP H0277132 A JPH0277132 A JP H0277132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- conductor film
- guard ring
- corner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板の周辺部に幅広い導体膜を有する樹
脂封止型半導体装置に関する。
脂封止型半導体装置に関する。
論理回路な含むＬＳＩ等において、第１図、第１Ａ図に
示すように半導体基板（チップ）１の−主面にアクティ
ブ領域を構成する半導体素子領域２が形成され、基板周
辺部表面の絶縁膜３上にアルミニウム膜からなる配線４
．ポンプイングツくノド５とその外側に反転層防止のた
めのガードリング６を設けてこれをグランドラインＧＮ
Ｄに接続し、上記パッド部５を露出するようにチップ表
面をリンシリケートガラス（ＰＳＧ）、シリコンナイト
ライド膜等のパッジベージ曹ンで覆った構造が知られて
いる。このような構造の半導体素子をレジンで封止した
場合、モールドレジンによる強い応力が特にチップ周辺
の四隅部に大きい（強い）応力が加わりガードリング６
上及び周辺でパ・ノンベーシツン膜のクラックが生ずる
ことがわかった。
示すように半導体基板（チップ）１の−主面にアクティ
ブ領域を構成する半導体素子領域２が形成され、基板周
辺部表面の絶縁膜３上にアルミニウム膜からなる配線４
．ポンプイングツくノド５とその外側に反転層防止のた
めのガードリング６を設けてこれをグランドラインＧＮ
Ｄに接続し、上記パッド部５を露出するようにチップ表
面をリンシリケートガラス（ＰＳＧ）、シリコンナイト
ライド膜等のパッジベージ曹ンで覆った構造が知られて
いる。このような構造の半導体素子をレジンで封止した
場合、モールドレジンによる強い応力が特にチップ周辺
の四隅部に大きい（強い）応力が加わりガードリング６
上及び周辺でパ・ノンベーシツン膜のクラックが生ずる
ことがわかった。
また、かかる構造の半導体素子を高温高湿雰囲気中で耐
湿テストを行なった場合に、眉間絶縁膜であるＰＳＧ（
リン酸化物含有シリケート−ガラス）膜のリン溶出を生
じ、被覆バッジベージ１ン膜の剥離を起し、アルミニウ
ム配線の腐食がチップのアクティブ領域まで到達し、特
性劣化の原因となることもわかった。
湿テストを行なった場合に、眉間絶縁膜であるＰＳＧ（
リン酸化物含有シリケート−ガラス）膜のリン溶出を生
じ、被覆バッジベージ１ン膜の剥離を起し、アルミニウ
ム配線の腐食がチップのアクティブ領域まで到達し、特
性劣化の原因となることもわかった。
本願発明者は前記したチップコーナ一部のガードリング
上及び周辺のバッジベージ日ン膜クラ・ツク等の欠陥が
アルミニウムからなるガードリングの幅に関係すること
に着目して上記欠点の改良を行なった。したがって本発
明の目的とするところは樹脂封止型半導体装置における
特性不良の改善。
上及び周辺のバッジベージ日ン膜クラ・ツク等の欠陥が
アルミニウムからなるガードリングの幅に関係すること
に着目して上記欠点の改良を行なった。したがって本発
明の目的とするところは樹脂封止型半導体装置における
特性不良の改善。
耐湿性の向上にある。
本発明によれば、四角形の半導体基板の一主面に形成さ
れた素子領域および複数のポンプイングツ（ノドと、上
記四角形の半導体基板の互いに隣接する二辺が交差する
上記基板の隅部において屈曲部を有して上記基板の一辺
から上記基板の他の辺に延在する導体膜と、上記導体膜
上に形成された保護膜とを有し、上記基板を樹脂体によ
り封止した半導体装置において、上記基板の隅部におけ
る上記導体膜の屈曲部は上記導体膜の実質な幅を限定す
るように上記導体膜の延在方向に沿って形成されたスリ
ットを有して成り、上記導体膜は、上記基板の一辺の近
傍に沿って延在し、かつ上記屈曲部を介して上記基板の
他の辺に至り、該他の辺の近傍に沿って延在して成り、
上記複数のボンディングパッドは、上記導体膜より基板
の内側において、上記基板の周辺部に沿って配置されて
成ることを特徴とする一以下本発明をいくつかの実施例
にそって具体的に説明する。
れた素子領域および複数のポンプイングツ（ノドと、上
記四角形の半導体基板の互いに隣接する二辺が交差する
上記基板の隅部において屈曲部を有して上記基板の一辺
から上記基板の他の辺に延在する導体膜と、上記導体膜
上に形成された保護膜とを有し、上記基板を樹脂体によ
り封止した半導体装置において、上記基板の隅部におけ
る上記導体膜の屈曲部は上記導体膜の実質な幅を限定す
るように上記導体膜の延在方向に沿って形成されたスリ
ットを有して成り、上記導体膜は、上記基板の一辺の近
傍に沿って延在し、かつ上記屈曲部を介して上記基板の
他の辺に至り、該他の辺の近傍に沿って延在して成り、
上記複数のボンディングパッドは、上記導体膜より基板
の内側において、上記基板の周辺部に沿って配置されて
成ることを特徴とする一以下本発明をいくつかの実施例
にそって具体的に説明する。
第２図、第２Ａ図は本発明による樹脂封止型半導体装置
の一つの望ましい実施形態を示すものである。
の一つの望ましい実施形態を示すものである。
同図において、１はシリコン半導体基板、２は基板の一
主面に形成された半導体素子領域で例えば基板と異なる
導電型の不純物が拡散等の手段により導入され形成され
たものである。３はフィールド絶縁膜で例えば厚い半導
体酸化膜（Ｓ ｔ Ｏｓ 、膜）からなる。８は第１の
表面絶縁膜で例えば薄いＳｉＯｘ膜からなる。９は第２
の表面絶縁膜で例えばＰＳＧ（リン酸化物含有シリケー
ト・ガラス）膜から形成されリンが外部より侵入するナ
トリウム等の不純物のゲッタの役目を有する。、１０は
アルミニウム（Ａｌ１）配線でＰＳＧｇ９及びＳｉｎ。
主面に形成された半導体素子領域で例えば基板と異なる
導電型の不純物が拡散等の手段により導入され形成され
たものである。３はフィールド絶縁膜で例えば厚い半導
体酸化膜（Ｓ ｔ Ｏｓ 、膜）からなる。８は第１の
表面絶縁膜で例えば薄いＳｉＯｘ膜からなる。９は第２
の表面絶縁膜で例えばＰＳＧ（リン酸化物含有シリケー
ト・ガラス）膜から形成されリンが外部より侵入するナ
トリウム等の不純物のゲッタの役目を有する。、１０は
アルミニウム（Ａｌ１）配線でＰＳＧｇ９及びＳｉｎ。
換８のスルーホール（透孔）を通して半導体領域２にオ
ーミックコンタクトする。５はアルミニウム配線の外端
子として形成されたボンディングパッド、６は基板周辺
部にそって形成されたガート。
ーミックコンタクトする。５はアルミニウム配線の外端
子として形成されたボンディングパッド、６は基板周辺
部にそって形成されたガート。
リングでアルミニウム膜からなる。上記基板の隅部（コ
ーナー）上のガードリングにコーナーにそったっ状のス
リット１０が設けられる。、、７はバンシベイシヲン膜
としての絶縁膜で例えばＰｓＧ。
ーナー）上のガードリングにコーナーにそったっ状のス
リット１０が設けられる。、、７はバンシベイシヲン膜
としての絶縁膜で例えばＰｓＧ。
ＣＶＤ（気相化学反応生成）Ｓｉｆｔ、プラズマ生成シ
リコンナイトライド又は５ＯＧ（スピンオン・グラス）
等からなる。
リコンナイトライド又は５ＯＧ（スピンオン・グラス）
等からなる。
かかる構造において、ガードリングにスリ・ノドを設け
ることにより下記の理由でパッシベーション膜クラック
等の欠陥を防止できる。
ることにより下記の理由でパッシベーション膜クラック
等の欠陥を防止できる。
樹脂封止された半導体チップ周辺部上のガードリンクニ
バツシベーシ田ン膜クラック等の発生する原因としては
、第３図に示すようチップの中心より端部、特に隅部（
コーナー）にストレスが集中する傾向にあり、又、ガー
ドリングのアルミニウム膜の幅が大きいほど著しいこと
が実験的に確められた。又、種々の実験によってガード
リングのコーナ一部にスリットを形成するとスリットの
幅だけガードリングの幅が少なくなり、クラック発生の
原因が取除かれることが確認された。しかしガードリン
グのアルミニウム膜の配線としての抵抗の増大を防ぐた
めにはスリットの幅はある程度小さい面積にしなければ
ならない。このためスＩＪ ｙ トはアルミニウムのリ
ングの中央より外側に約１０μｍの幅でかつ内側コーナ
ーをカバーする長さとすることが適当である。
バツシベーシ田ン膜クラック等の発生する原因としては
、第３図に示すようチップの中心より端部、特に隅部（
コーナー）にストレスが集中する傾向にあり、又、ガー
ドリングのアルミニウム膜の幅が大きいほど著しいこと
が実験的に確められた。又、種々の実験によってガード
リングのコーナ一部にスリットを形成するとスリットの
幅だけガードリングの幅が少なくなり、クラック発生の
原因が取除かれることが確認された。しかしガードリン
グのアルミニウム膜の配線としての抵抗の増大を防ぐた
めにはスリットの幅はある程度小さい面積にしなければ
ならない。このためスＩＪ ｙ トはアルミニウムのリ
ングの中央より外側に約１０μｍの幅でかつ内側コーナ
ーをカバーする長さとすることが適当である。
ガードリングのコーナ一部の形状とコーナ一部欠陥発生
率の関係を下記の各実験例によって示す。
率の関係を下記の各実験例によって示す。
第４図はコーナーを加工しないガードリング上のパッシ
ベーション膜クラックのＡｌアルミニウム）幅依存性を
示す。この場合、チップ寸法は４．７Ｘ４．７−１温度
サイクルは一５５ｃｍ１５０Ｃで２０回とする。バッジ
ベージ曹ンＭＫはＰＳＧ／Ｐ−８ｉＮ／ＰＳＧ−０，８
５／１．１１０．２（μｍ）３層構造及びＰ−８ＩＮ／
ＰＳＧ−１，１μｍ ／ ０．２μｍの２層構造を用い
る。第５図はガードリングのコーナーの形状及びＡｋ膜
の幅りを示す。第４図に示すようにコーナ一部欠陥率−
ｈｅ幅の関係において、Ｌが小さいはと欠陥率の小さい
ことが明らかである。
ベーション膜クラックのＡｌアルミニウム）幅依存性を
示す。この場合、チップ寸法は４．７Ｘ４．７−１温度
サイクルは一５５ｃｍ１５０Ｃで２０回とする。バッジ
ベージ曹ンＭＫはＰＳＧ／Ｐ−８ｉＮ／ＰＳＧ−０，８
５／１．１１０．２（μｍ）３層構造及びＰ−８ＩＮ／
ＰＳＧ−１，１μｍ ／ ０．２μｍの２層構造を用い
る。第５図はガードリングのコーナーの形状及びＡｋ膜
の幅りを示す。第４図に示すようにコーナ一部欠陥率−
ｈｅ幅の関係において、Ｌが小さいはと欠陥率の小さい
ことが明らかである。
第６図はガードリングのコーナ一部に第７図で示すよ５
にっ状のスリットを形成した場合のガードリング部バッ
ジベージ■ン膜クラックのＡＩ３膜中スリット幅Ｗ依存
性を示す。この場合のパッシベーション膜は〇−〇曲線
がＰ−８ｉＮ／ＰＳＧ−１，１μｍ ／ ０．２μｍの
２層膜、Δ・・・６曲線がＰＳ Ｇ／Ｐ−３ｉ Ｎ／Ｐ
Ｓ Ｇ−０，８５ｐｒｎ／ １．１μｍ ／ ０．２
μｍの３層膜である。第６図によればスリット幅２０μ
ｍ〜４０μｍでコーナ一部欠陥率が著しく低下すること
が明らかである。
にっ状のスリットを形成した場合のガードリング部バッ
ジベージ■ン膜クラックのＡＩ３膜中スリット幅Ｗ依存
性を示す。この場合のパッシベーション膜は〇−〇曲線
がＰ−８ｉＮ／ＰＳＧ−１，１μｍ ／ ０．２μｍの
２層膜、Δ・・・６曲線がＰＳ Ｇ／Ｐ−３ｉ Ｎ／Ｐ
Ｓ Ｇ−０，８５ｐｒｎ／ １．１μｍ ／ ０．２
μｍの３層膜である。第６図によればスリット幅２０μ
ｍ〜４０μｍでコーナ一部欠陥率が著しく低下すること
が明らかである。
第８図はガードリングコーナーＫｍ ９図（Ａ）（Ｂ（
Ｑに示した各種形状のスリット、孔列を形成した場合（
形成しない場合も含む）についてのガードリング部パッ
ジページ盲ン膜クラックのＡｎ膜中のスリットの形態依
存性を示す。この場合の半導体ベレットは４．７ Ｘ
４．７＋ｆｉｌｌ角、温度サイクルは一５５Ｃ〜１５０
０２０回である。パッジベージ欝ン膜は第６図の例の場
合と同じである。
Ｑに示した各種形状のスリット、孔列を形成した場合（
形成しない場合も含む）についてのガードリング部パッ
ジページ盲ン膜クラックのＡｎ膜中のスリットの形態依
存性を示す。この場合の半導体ベレットは４．７ Ｘ
４．７＋ｆｉｌｌ角、温度サイクルは一５５Ｃ〜１５０
０２０回である。パッジベージ欝ン膜は第６図の例の場
合と同じである。
第９図において、囚はスリット等を全く加工しない場合
、（Ｂ）は長いスリットα１）１本の場合、０は短いス
リット（ｌｌａ、ｌｌｂ、１ｌｃ）の場合の各ガードリ
ングコーナ一部の形状を示す。第８図かられかるように
スリットを形成した場合にコーナ一部の欠陥率が低下す
るのが明らかである、本発明は特に、ボンディングパッ
ドの外側の半導体チップの周辺にそってガードリング部
が設けられるので、幅広い導体膜をリング状に有効に形
成できる。この時、チップの最外側にガードリング部分
が形成されても、応力集中の大きいチップコーナ一部に
は本発明に従うスリットが形成されるので、特にコーナ
一部に発生しやすいパッジベージｌンクラックを防止す
ることができる。
、（Ｂ）は長いスリットα１）１本の場合、０は短いス
リット（ｌｌａ、ｌｌｂ、１ｌｃ）の場合の各ガードリ
ングコーナ一部の形状を示す。第８図かられかるように
スリットを形成した場合にコーナ一部の欠陥率が低下す
るのが明らかである、本発明は特に、ボンディングパッ
ドの外側の半導体チップの周辺にそってガードリング部
が設けられるので、幅広い導体膜をリング状に有効に形
成できる。この時、チップの最外側にガードリング部分
が形成されても、応力集中の大きいチップコーナ一部に
は本発明に従うスリットが形成されるので、特にコーナ
一部に発生しやすいパッジベージｌンクラックを防止す
ることができる。
本発明は上記実施例のみに限定されるものではない。例
えば、ｈｅガードリング上に形成されるパッシベーショ
ン膜の構成、形状は適宜に変形できる。ガードリング自
体の形状は内部回路やボンディングパット°の配置によ
って変形することがありうる。封止樹脂体に関しては、
ガードリング部の表面に直接塗布するアンダコーティン
グ樹脂を包含することもありうる。
えば、ｈｅガードリング上に形成されるパッシベーショ
ン膜の構成、形状は適宜に変形できる。ガードリング自
体の形状は内部回路やボンディングパット°の配置によ
って変形することがありうる。封止樹脂体に関しては、
ガードリング部の表面に直接塗布するアンダコーティン
グ樹脂を包含することもありうる。
本発明はガードリングおよびバット°を有し、層間にグ
ラスフロー等のリン高濃度膜を用いた全ての半導体装置
、特にプラスチック封止型、ＬＳＩ等に適用し、耐湿性
向上に有効である。
ラスフロー等のリン高濃度膜を用いた全ての半導体装置
、特にプラスチック封止型、ＬＳＩ等に適用し、耐湿性
向上に有効である。
第１図は従来の半導体装置のチップ表面の一部を示す平
面図、第１Ａ図は第１図におけるＡ−Ａ挽断面図である
。第２図は本発明の一実施例による半導体装置の一部を
示す平面図、第２Ａ図は第２図におけるＡ−Ａ挽断面図
である。第３図は樹脂モールドストレスの分布状態を示
す曲線図、第４図はパッジベージ１ン膜クラツクのＡｎ
幅依存性を示す曲線図、第５図は第４図のために用いら
れるコーナー形状を示すガードリングの一部平面図であ
る。第６図乃至第９図は本発明のための各実施例を示す
ものであるにれらのうち、第６図はガードリング部パッ
ジページ■ン膜・クラックのＡ６膜中スリット幅依存性
を示す曲線図、第７図は第６図のために用いられるコー
ナー形状を示す平面図、第８図はガードリング部バッジ
ベージ曹ン膜・クラックのＡＡ模膜中スリットの形態依
存性を示す曲線図、第９図（２）〜Ｃ）は第８図のため
に用いられるコーナー形状を示す各平面図である。 １・・・半導体基板（チップ）、２・・・半導体素子領
域、３・・・絶縁膜、４・・・配線、５・・・ボンディ
ングパッド、６・・・ガードリング、７・・・パッシベ
イション膜、８・・・第１の表面絶縁膜、９・・・第２
の表面絶縁膜、１０・・・ＡＩ３配線、１１・・・スリ
ット。 第 １ 図 第１Ａ図 第 ２ 図 に 第２Ａ図 第 ３ 図 第 ４ 図 ト→Ｐ−ｓｔｙ／Ｐｓｔｌ 第 ５ｖ！Ｊ 第 ６ 図 スリ・ソト幅ジノ（ｌ心ｒＰＬ） 第 ７ 図 １／ 第 ８ 図 ７７”−）”“Ｊゝり゛Ｄ−ｆ一部７、・ノー〕の（〉
」て第 ９ 図
面図、第１Ａ図は第１図におけるＡ−Ａ挽断面図である
。第２図は本発明の一実施例による半導体装置の一部を
示す平面図、第２Ａ図は第２図におけるＡ−Ａ挽断面図
である。第３図は樹脂モールドストレスの分布状態を示
す曲線図、第４図はパッジベージ１ン膜クラツクのＡｎ
幅依存性を示す曲線図、第５図は第４図のために用いら
れるコーナー形状を示すガードリングの一部平面図であ
る。第６図乃至第９図は本発明のための各実施例を示す
ものであるにれらのうち、第６図はガードリング部パッ
ジページ■ン膜・クラックのＡ６膜中スリット幅依存性
を示す曲線図、第７図は第６図のために用いられるコー
ナー形状を示す平面図、第８図はガードリング部バッジ
ベージ曹ン膜・クラックのＡＡ模膜中スリットの形態依
存性を示す曲線図、第９図（２）〜Ｃ）は第８図のため
に用いられるコーナー形状を示す各平面図である。 １・・・半導体基板（チップ）、２・・・半導体素子領
域、３・・・絶縁膜、４・・・配線、５・・・ボンディ
ングパッド、６・・・ガードリング、７・・・パッシベ
イション膜、８・・・第１の表面絶縁膜、９・・・第２
の表面絶縁膜、１０・・・ＡＩ３配線、１１・・・スリ
ット。 第 １ 図 第１Ａ図 第 ２ 図 に 第２Ａ図 第 ３ 図 第 ４ 図 ト→Ｐ−ｓｔｙ／Ｐｓｔｌ 第 ５ｖ！Ｊ 第 ６ 図 スリ・ソト幅ジノ（ｌ心ｒＰＬ） 第 ７ 図 １／ 第 ８ 図 ７７”−）”“Ｊゝり゛Ｄ−ｆ一部７、・ノー〕の（〉
」て第 ９ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、四角形の半導体基板の一主面に形成された素子領域
および複数のボンディングパッドと、上記四角形の半導
体基板の互いに隣接する二辺が交差する上記基板の隅部
において屈曲部を有して上記基板の一辺から上記基板の
他の辺に延在する導体膜と、上記導体膜上に形成された
保護膜とを有し、上記基板を樹脂体により封止した半導
体装置において、上記基板の隅部における上記導体膜の
屈曲部は上記導体膜の実質な幅を限定するように上記導
体膜の延在方向に沿って形成されたスリットを有して成
り、上記導体膜は、上記基板の一辺の近傍に沿って延在
し、かつ上記屈曲部を介して上記基板の他の辺に至り、
該他の辺の近傍に沿って延在して成り、上記複数のボン
ディングパッドは、上記導体膜より基板の内側において
、上記基板の周辺部に沿って配置されて成ることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 ２、上記導体膜の屈曲部は上記導体膜の延在方向に沿っ
て形成された複数列のスリットを有して成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装
置。 ３、上記導体膜は、上記基板の中央部の絶縁膜上に形成
された配線用導体膜より幅が広く形成されて成ることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導
体装置。 ４、上記基板の周辺部および中央部にそれぞれ形成され
る導体膜はアルミニウムから成り、該導体膜上にはリン
シリケートガラスから成る上記保護絶縁膜が形成されて
成ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20118589A JPH0277132A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20118589A JPH0277132A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55119817A Division JPS5745259A (en) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | Resin sealing type semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277132A true JPH0277132A (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=16436758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20118589A Pending JPH0277132A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0277132A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5371584A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS5389688A (en) * | 1977-01-19 | 1978-08-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS54133090A (en) * | 1978-04-07 | 1979-10-16 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Semiconductor device |
| JPS5529572B2 (ja) * | 1973-02-14 | 1980-08-05 | ||
| JPS55119817A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-13 | Fudo Constr Co Ltd | Method for filling powder particle material underground |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP20118589A patent/JPH0277132A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529572B2 (ja) * | 1973-02-14 | 1980-08-05 | ||
| JPS5371584A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS5389688A (en) * | 1977-01-19 | 1978-08-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS54133090A (en) * | 1978-04-07 | 1979-10-16 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Semiconductor device |
| JPS55119817A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-13 | Fudo Constr Co Ltd | Method for filling powder particle material underground |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6346981B2 (ja) | ||
| US5854141A (en) | Inorganic seal for encapsulation of an organic layer and method for making the same | |
| US5229642A (en) | Resin molded type semiconductor device having a conductor film | |
| JP4095123B2 (ja) | ボンディングパット及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH07201855A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05226339A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPS6156608B2 (ja) | ||
| JPS63211648A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0277132A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS59232424A (ja) | 半導体装置とその製造法 | |
| JP4093165B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6348181B2 (ja) | ||
| JPH0277131A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6359257B2 (ja) | ||
| JP2533293B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH04318944A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60242643A (ja) | 電子部品の配線 | |
| JPS5940550A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62219541A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000349189A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP3098333B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03209823A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0669270A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3246348B2 (ja) | 半導体装置の保護膜構造 | |
| JPS59119862A (ja) | 半導体装置 |