JPH027706A

JPH027706A - 受光信号増幅回路

Info

Publication number: JPH027706A
Application number: JP15881588A
Authority: JP
Inventors: Atsuyuki Hirono; 淳之広野; Katsuhiro Teramae; 寺前　勝広; Shinji Sakamoto; 慎司坂本; Yoshiaki Honda; 由明本多
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1988-06-27
Filing date: 1988-06-27
Publication date: 1990-01-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野１本発明は、充電スイッチ等に用いられる受光信号増幅回
路に関するものである。

従来の技術１受光信号増幅回路として、一般に第５図及びｆ５６図に
示す構成をとる場合が多い。第５図にす）いて、受光素
子りと、この受光素子りの出力電流を電圧に変換する変
換器ＡＰ、と、この変換器ＡＰ、の出力電圧を増幅する
電圧増幅器ＡＰ２とで構成されており、第５図の増幅系
のゲイン設計値Ｇは、次式で示される。尚、Ｒ１は変換
器ＡＰ、の帰還抵抗、Ｒ２は電圧増幅器ＡＰ２の入力抵
抗、Ｒ１は電圧増幅器Ａ　Ｐ　２の帰還抵抗である。

ところで、上記抵抗値Ｒ，，Ｒ，，’Ｒ，が同じように
ばらついた場合、そのばらつき係数を×とすると、その
ゲイン６１′　は、となり、ゲイン自体のばらつきの原因となる。このばら
つきを低減するために従来は、抵抗Ｒ，，Ｒ２、Ｒ１に
ばらつきの少ない高精度な抵抗を使っていた。また、全
体を１チツプの集積回路化を行なう場合、精度を上げる
ために抵抗領域の面積が大きいものが用いられていた。

尚、第６図の回路でのばらつきを考慮したデイン６２′
は次式のようになる。

［発明が解決しようとする課題１上記従来例のものでは、高精度な抵抗を使うことによっ
て、ゲインのばらつきを低減させようという方式のため
、抵抗部品費、あるいはチップ面積の増加によって、製
品コストを引き上げる要因となっていた。ところで、先
に示した回路図等から判断できるように、抵抗Ｒ２とＲ
１はその比のみがゲインに関係するために、抵抗Ｒ２と
Ｒ３については同じようにばらつく限り、精度の悪い抵
抗でも良いとして、抵抗Ｒ３に高精度な抵抗を使って、あるいは、として保つ方法もある。しかし、一般に受光信号増加回
路における初段の電流電圧変換増幅器では、入力ノイズ
の低減のため抵抗Ｒ１に大きな値を持たせることが多い
。しかし、特に集積化した場合、もともと抵抗値Ｒ９が
大きいため、元米大きな面積を占めているものが、さら
に精度を要求されるため面積が大きくなってしまい、コ
ストを上げる要因となっていた。

本発明は、上述の点に鑑みて提供したものであって、精
度を同等に保ち、コストの低い受光信号増幅回路を提供
することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段１本発明は、変換器の帰還抵抗と電圧増幅器の入力抵抗と
を同一の半導体プロセスで作成した抵抗を用い、電圧増
幅器の帰還抵抗を別のプロセスで作成した抵抗を用いた
ものである。

［作用１増幅回路のゲインを得る式から、同一の半導体プロセス
で作成した精度の悪い抵抗間で、ばらつきを打ち消し合
い、結果的に増幅回路に用いる帰還抵抗、入力抵抗共に
高精度な抵抗を用いた場合と同等なゲインのばらつきに
抑えるようにしたものである。

［実施例］以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第１
図は従来の第５図の場合と同じ回路構成であるが、抵抗
を異ならせている。すなわち、変換器ＡＰ、の帰還抵抗
Ｒ１と、電圧増幅器ＡＰ。

の入力抵抗Ｒ２は、同一の半導体プロセスで作成したも
ので、精度の悪い抵抗を用いている。電圧増幅器ＡＰ２
の帰還抵抗Ｒ１は他のプロセスで作成したものを用いて
いる。尚、Ｂは電圧増幅器ＡＰ２の基準電源である。

第１図の場合の抵抗ＲＩ−Ｒ２の設計値をＲ１１Ｒ２と
し、この設計値に対して、ばらつき係数にを用いて真の
抵抗値は、にＲ１，ｘＲ２となる。この時の増幅回路全
体のゲインを６３とすると、となり、系全体を考えると
設計値と等しいゲインが得られる。

また、第２図に示す構成においては、同様にｘＲ＋＋に
Ｒ２とする時全体のデインＧ、は、ら、設計値のゲインをＧ２＝Ｒ＋（１＋Ｒ３／Ｒ２）従来方
法の真のゲインを６２′＝×Ｒ１（１＋Ｒ３／Ｒ２）本発明方法での真のゲインをＧ２”　＝ｌ？Ｉｂ＋Ｒｆｆ／Ｒ，）とした時、それぞれのゲインのばらつきは、１４Ｇ２□
’　Ｉ＝ＩＧ−Ｇ２’　１＝１１−にＩＸ　Ｒ＋＜　１　＋　Ｒｓ／　Ｒ２）ｌＪ
Ｇ２２−１＝ｌＧ−Ｇ２” ＝１１−にＩＸＲとなり、この方法の場合の方が、×の変化に対してばら
つき方が少ないことが判る。

尚、第３図及び第４図は変換器ＡＰ、と電圧増幅器ＡＰ
２との間にそれぞれ他の回路１、例えば、フィルタ、増
幅器、スイッチ等を挿入した場合を示している。使用し
ている抵抗の＃ｔｉ類は上記と同様である。

［発明の効果１本発明は上述のように、変換器の帰還抵抗と電圧増幅器
の入力抵抗とを同一の半導体プロセスで作成した抵抗を
用い、電圧増幅器の帰還抵抗を別のプロセスで作成した
抵抗を用いたものであるから、増幅回路のゲインを得る
式から、同一の半導体プロセスで作成した精度の悪い抵
抗間で、ばらつきを打ち消し合い、結果的に増幅回路に
用いる帰還抵抗、入力抵抗共に高精度な抵抗を用いた場
合と同等なゲインのばらつきに抑えることができ、初段
での入力ノイズを増加させることなく、低コストで受光
信号増幅回路を構成できる効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の回路図、第２図は同上の他の
構成例を示す回路図、第３図は同上の他の回路を挿入し
た場合の回路図、第４図は同上の回路図、第５図は従来
例の回路図、ｆｆ１６図は同上の他の構成例の回路図で
ある。Ｄ・・・受光素子、ＡＰ、・・・変換器、ＡＰ２・・・
電圧増幅器、Ｒ１・・・帰還抵抗、Ｒ２・・・入力抵抗
、Ｒ７・・・帰還抵抗。代理人　弁理士　石　１）長　七７３図１５図第４図１６図手続補正書（自発）１、事件の表示昭和６３年特許願第１５８８１５号２、発明の名称受光信号増幅回路３、補正をする者事件との関係　　特許出願人住　所　大阪府門真市大字門真１０４８番地名称（５８
３）松下電工株式会社代表者　三好俊夫４、代理人郵便番号　５３０５、補正命令の日付自　　発６、補正により増加する請求項の数　なし［１１本顆明
ｍ書の特許請求の範囲を下記のように訂正する。［（１）受光素子と、この受光素子出力の電流を電圧に
変換する変換器と、この変換器出力を電圧増幅する電圧
増幅器とを備えた受光信号増幅回路において、上記変換
器の帰還抵抗と電圧増幅器゛の入力抵抗とを同一の半導
体プロセスで作成した抵抗を用い、電圧増幅器の帰還抵
抗を別の峯木木プロセスで作成した抵抗を用いて成るこ
とを特徴とする受光信号増幅回路。］［２］　　同上ｔｌＳ４ｌＳ４行第１「保つ方法」を削
除して、下記の文を挿入する。［ゲインのばらつきを低減する方法］［３１同上第４頁第１６行目のＥ別の」の次に、「半導
体」を挿入する。【４１　同上第５頁第１２行目の「他の」の次に、「半
導体」を挿入する。［５１同上第５頁第１３打目の「したもの］を［した精
度の良い抵抗］と訂正する。［６１同上第７頁第１０行目の「別の」の次に、［半導
体」を挿入する。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）受光素子と、この受光素子出力の電流を電圧に変
換する変換器と、この変換器出力を電圧増幅する電圧増
幅器とを備えた受光信号増幅回路において、上記変換器
の帰還抵抗と電圧増幅器の入力抵抗とを同一の半導体プ
ロセスで作成した抵抗を用い、電圧増幅器の帰還抵抗を
別のプロセスで作成した抵抗を用いて成ることを特徴と
する受光信号増幅回路。