JPH0272518A - 電気接点とその製造方法 - Google Patents
電気接点とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0272518A JPH0272518A JP63223804A JP22380488A JPH0272518A JP H0272518 A JPH0272518 A JP H0272518A JP 63223804 A JP63223804 A JP 63223804A JP 22380488 A JP22380488 A JP 22380488A JP H0272518 A JPH0272518 A JP H0272518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrical contact
- plating
- contact
- alloy
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 50
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002669 PdNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N nitrous oxide Inorganic materials [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/021—Composite material
- H01H1/023—Composite material having a noble metal as the basic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Contacts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
パラジウム−ニッケル合金の電気接点、特に電気特性お
よび寿命を向上させるため多層に形成した従来技術に代
わる新規電気接点の構成と、該電気接点をめっき手段で
形成させるための方法に関し、 従来技術になる多層電気接点における電気特性の段階的
変化をなくすことを目的とし、基体に形成したパラジウ
ム−ニッケル合金の電気接点が、該基体との接合面側か
ら表面に向けて、連続的にニッケルの含有率の減少する
構造としたことを特徴する、 並びに、パラジウム−ニッケルの合金めっき液中を移動
する基体の移動路に対し、該めっき液中で該移動路に対
向する電極を該基体の移動方向に対向間隔の狭まるよう
に配設して、該基体との接合面から表面に向けて連続的
にニッケル含有率の減少するパラジウム−ニッケル合金
の電気接点を該基体に形成させることを特徴とし構成す
る。
よび寿命を向上させるため多層に形成した従来技術に代
わる新規電気接点の構成と、該電気接点をめっき手段で
形成させるための方法に関し、 従来技術になる多層電気接点における電気特性の段階的
変化をなくすことを目的とし、基体に形成したパラジウ
ム−ニッケル合金の電気接点が、該基体との接合面側か
ら表面に向けて、連続的にニッケルの含有率の減少する
構造としたことを特徴する、 並びに、パラジウム−ニッケルの合金めっき液中を移動
する基体の移動路に対し、該めっき液中で該移動路に対
向する電極を該基体の移動方向に対向間隔の狭まるよう
に配設して、該基体との接合面から表面に向けて連続的
にニッケル含有率の減少するパラジウム−ニッケル合金
の電気接点を該基体に形成させることを特徴とし構成す
る。
本発明は、コネクタやスイッチ等に用いられるパラジウ
ム−ニッケル合金の電気接点と、該電気接点をめっき手
段で形成させるための方法に関する。
ム−ニッケル合金の電気接点と、該電気接点をめっき手
段で形成させるための方法に関する。
近年、コネクタ等の電気接点はコストダウンを目的とし
、有限資源であり高価な金（Ａｕ）から安価なパラジウ
ム（Ｐｄ）、さらにより安価なパラジウムーニソｌｒル
（Ｐ ｄ Ｎ ＋ ） 合金へと代替されてきた。
、有限資源であり高価な金（Ａｕ）から安価なパラジウ
ム（Ｐｄ）、さらにより安価なパラジウムーニソｌｒル
（Ｐ ｄ Ｎ ＋ ） 合金へと代替されてきた。
Ｐｄ−Ｎｉ合金の電気接点において、ＮｉはＰｄが有す
る触媒作用と水素吸蔵性および内部応力を抑制する効果
を有する反面、Ｐｄの電気特性を低下させるようになる
。そこで、Ｐｄ−Ｎ＋合金層を効果的に利用する手段と
して、Ｐｄ−Ｎｉ合金層の表面にＡｕやＩ’ｄを積層さ
せた電気接点や、Ｎｉを２０−ｔ％〜５０−１％含むＰ
ｄ−Ｎｉ合金層の上にＮｉを５ｗｔ％〜２０−ｔ％含む
ＰｄＮｉ合金層を積層した電気接点が利用されるように
なった。
る触媒作用と水素吸蔵性および内部応力を抑制する効果
を有する反面、Ｐｄの電気特性を低下させるようになる
。そこで、Ｐｄ−Ｎ＋合金層を効果的に利用する手段と
して、Ｐｄ−Ｎｉ合金層の表面にＡｕやＩ’ｄを積層さ
せた電気接点や、Ｎｉを２０−ｔ％〜５０−１％含むＰ
ｄ−Ｎｉ合金層の上にＮｉを５ｗｔ％〜２０−ｔ％含む
ＰｄＮｉ合金層を積層した電気接点が利用されるように
なった。
下記の表は、成分が異なるＰａ−Ｎｉ合金を２層に形成
した電気接点の用途別の構成例である。
した電気接点の用途別の構成例である。
かかる２層構成のＰｄ−Ｎｉ合金電気接点は、第１のめ
っき槽にて基体に下層をめっき形成したのち、第２のめ
っき槽にて該下層の上に上層を被着させるまたは、めっ
き中の電極に印加する電流を切り換えめっき電流密度を
適当に高める方法によって形成されるようになる。
っき槽にて基体に下層をめっき形成したのち、第２のめ
っき槽にて該下層の上に上層を被着させるまたは、めっ
き中の電極に印加する電流を切り換えめっき電流密度を
適当に高める方法によって形成されるようになる。
第７図は従来の電気接点の構成例を示す模式図であり、
第７図（イ）において基体１の上に形成した電気接点２
は、Ｎｉを２０匈ｔ％含むＰｄ−Ｎｉ合金層３にＰａ層
４を積層した構成であり、その表面からの深さとＮｉ含
有率の関係は、第７図（［１）に示すように、Ｐｄ−Ｎ
ｉ合金ｐ！Ｊ３とＰｄ層４との間でわずかに拡散が生じ
、そのことによって緩やかな濃度勾配の段階状になる。
第７図（イ）において基体１の上に形成した電気接点２
は、Ｎｉを２０匈ｔ％含むＰｄ−Ｎｉ合金層３にＰａ層
４を積層した構成であり、その表面からの深さとＮｉ含
有率の関係は、第７図（［１）に示すように、Ｐｄ−Ｎ
ｉ合金ｐ！Ｊ３とＰｄ層４との間でわずかに拡散が生じ
、そのことによって緩やかな濃度勾配の段階状になる。
以上説明したように、組成の異なるＰｄ−Ｎｉ合金を多
層に形成せしめた従来の電気接点は、段階的に組成の異
なる構成であり、表層のＰｄ−Ｎｉ合金が摩耗しその下
地層が表呈すると、組成の変化に伴って接点の電気特性
も段階的に変化するという問題点があった。
層に形成せしめた従来の電気接点は、段階的に組成の異
なる構成であり、表層のＰｄ−Ｎｉ合金が摩耗しその下
地層が表呈すると、組成の変化に伴って接点の電気特性
も段階的に変化するという問題点があった。
なお、電気特性の前記段差を従来技術によって解決する
には、積層数を増やし層間の組成差を少なくすることで
達成されるが、積層数の増加に伴って生産性が低下する
および、品質のばらつきが大きくなるという問題点が生
じる。
には、積層数を増やし層間の組成差を少なくすることで
達成されるが、積層数の増加に伴って生産性が低下する
および、品質のばらつきが大きくなるという問題点が生
じる。
本発明は、かかる問題点の除去を目的としたものである
。
。
上記目的は、第１図によれば基体１１に形成したパラジ
ウム−ニッケル合金の電気接点１２が、基体１１との接
合面側から表面に向けて、連続的にニッケルの含有率の
減少することを特徴とした構造とし、 さらに第２図によれば、パラジウム−ニッケルの合金め
っき液２２中を移動する基体２５ａの移動路に対し、め
っき液２２中で該移動路に対向する電極２４を基体２５
ａの移動方向に対向間隔の狭まるように配設して、基体
２５ａとの接合面から表面に向けて連続的にニッケル含
打率の減少するパラジウムニッケル合金の電気接点２５
ｃを基体２５ａ形成させることを特徴とした電気接点２
５ｃの製造方法によって解決される。
ウム−ニッケル合金の電気接点１２が、基体１１との接
合面側から表面に向けて、連続的にニッケルの含有率の
減少することを特徴とした構造とし、 さらに第２図によれば、パラジウム−ニッケルの合金め
っき液２２中を移動する基体２５ａの移動路に対し、め
っき液２２中で該移動路に対向する電極２４を基体２５
ａの移動方向に対向間隔の狭まるように配設して、基体
２５ａとの接合面から表面に向けて連続的にニッケル含
打率の減少するパラジウムニッケル合金の電気接点２５
ｃを基体２５ａ形成させることを特徴とした電気接点２
５ｃの製造方法によって解決される。
上記手段によれば、パラジウム−ニッケル合金の電気接
点１．特に電気特性および寿命を向上させるためパラジ
ウム−ニッケル合金を多層に形成した従来技術のものに
代わる電気接点として、表面に向けて二ソをル含有率が
無段階に減少する構造としたことにより、電気特性の段
階的変化をなくすと共に、変動幅が狭くなって信頼性が
向上し、さらに、前記本発明の電気接点をめっき手段で
形成する際し、電気接点を形成する基体の移動路に対向
しめっき電流密度が所定に変化するように電極を配設し
たことによって、ニッケル含有率が所望の無段階に変化
する電気接点の製造を、容易かつ確実化ならしめること
ができる。
点１．特に電気特性および寿命を向上させるためパラジ
ウム−ニッケル合金を多層に形成した従来技術のものに
代わる電気接点として、表面に向けて二ソをル含有率が
無段階に減少する構造としたことにより、電気特性の段
階的変化をなくすと共に、変動幅が狭くなって信頼性が
向上し、さらに、前記本発明の電気接点をめっき手段で
形成する際し、電気接点を形成する基体の移動路に対向
しめっき電流密度が所定に変化するように電極を配設し
たことによって、ニッケル含有率が所望の無段階に変化
する電気接点の製造を、容易かつ確実化ならしめること
ができる。
以下に、図面を用いて本発明による電気接点とその製造
方法を説明する。
方法を説明する。
第１図は本発明の実施例による電気接点の構造を示す模
式図、第２図は本発明の実施例における電気接点めっき
装置の説明図、第３図は第２図に示す被めっき部材の斜
視図である。
式図、第２図は本発明の実施例における電気接点めっき
装置の説明図、第３図は第２図に示す被めっき部材の斜
視図である。
第１図（イ）において、接点ばねやコンタクト等の基体
１１に形成した電気接点１２は、Ｐｄ１３とＮｉ１４の
合金であり、基体１１との接合面から表面に向けてＮｉ
１４の含有率が減少し、例えば該接合面の近傍でＮｉ１
４の含有率は１５ｄ％程度であるのに対して、表層部で
Ｎｉ１４の含有率は５ｗｔ％程度である。そして、電気
接点１２の表面から深さ方向にＮｉ１４の含有率は、第
１図（Ｉｆｆ）に示すように、無段階に増加させてなる
。
１１に形成した電気接点１２は、Ｐｄ１３とＮｉ１４の
合金であり、基体１１との接合面から表面に向けてＮｉ
１４の含有率が減少し、例えば該接合面の近傍でＮｉ１
４の含有率は１５ｄ％程度であるのに対して、表層部で
Ｎｉ１４の含有率は５ｗｔ％程度である。そして、電気
接点１２の表面から深さ方向にＮｉ１４の含有率は、第
１図（Ｉｆｆ）に示すように、無段階に増加させてなる
。
このような電気接点１１は表面から消耗するようになる
が、該消耗による電気特性の変化（劣化）は無段階とな
る。
が、該消耗による電気特性の変化（劣化）は無段階とな
る。
めっき装置を高さ方向の中間部で切断した平面図である
第２図（イ）および、該装置のＡ−Ａ断面図である第２
図（ハ）において、めっき装置２１はめっき液２２を収
容するめっき槽２３の上部に設けためっき液噴射口２３
ｂ、 ２３ｃを横切るように電極２４を設け、電気接点
形成部にめっき液２２の吹き付けられる被め、つき部材
２５は、矢印Ｂ方向に適当な速度で走行（移動）する。
第２図（イ）および、該装置のＡ−Ａ断面図である第２
図（ハ）において、めっき装置２１はめっき液２２を収
容するめっき槽２３の上部に設けためっき液噴射口２３
ｂ、 ２３ｃを横切るように電極２４を設け、電気接点
形成部にめっき液２２の吹き付けられる被め、つき部材
２５は、矢印Ｂ方向に適当な速度で走行（移動）する。
めっき槽２３は、その中央部を縦方向にほぼ仕切るよう
な仕切り２３ａと、仕切り２３ａによって区切られた左
側の槽内にめっき液２２を噴射する第１のめっき液噴射
口２３ｂと、仕切り２３ａによって区切られた右側の槽
内にめっき液２２を噴射する第２のめっき液噴射口２３
ｃを設け、めっき液噴射口２３ｂと２３ｅは、中間部か
ら漏斗状に横方向に広がるように形成されている。
な仕切り２３ａと、仕切り２３ａによって区切られた左
側の槽内にめっき液２２を噴射する第１のめっき液噴射
口２３ｂと、仕切り２３ａによって区切られた右側の槽
内にめっき液２２を噴射する第２のめっき液噴射口２３
ｃを設け、めっき液噴射口２３ｂと２３ｅは、中間部か
ら漏斗状に横方向に広がるように形成されている。
平面形状がほぼく字形となるよ・うに網部材を形成しめ
っき液噴射口２３ｂと２３ｅの漏斗状部分を横切る電極
２４は、仕切り２３ａより左側で被めっき部材２５と平
行する反面、仕切り２３ａより右側では被めっき部材２
５に対し次第に接近するように傾斜する。
っき液噴射口２３ｂと２３ｅの漏斗状部分を横切る電極
２４は、仕切り２３ａより左側で被めっき部材２５と平
行する反面、仕切り２３ａより右側では被めっき部材２
５に対し次第に接近するように傾斜する。
被めっき部材２５は、その詳細を第３図に示すように、
先端に電気接点２５ｃの形成される複数本の端子（基体
）２５ａを、長尺の連結部材２５ｂに接続した構成であ
るや めっき装置２１においてめっき液２２は、図中に矢印で
示すように、めっき液噴射口２３ｂと２３ｃを通って電
気接点２５ｅの形成される端子２５ａの先端部分を浸す
ように流れ、めっき槽２３のめっき液溜り２３ｄに流れ
落ちためっき液２２は、ポンプ２６によって汲み上げら
れ、めっき液噴射口２３ｂ、２３ｅに供給されるように
なる。
先端に電気接点２５ｃの形成される複数本の端子（基体
）２５ａを、長尺の連結部材２５ｂに接続した構成であ
るや めっき装置２１においてめっき液２２は、図中に矢印で
示すように、めっき液噴射口２３ｂと２３ｃを通って電
気接点２５ｅの形成される端子２５ａの先端部分を浸す
ように流れ、めっき槽２３のめっき液溜り２３ｄに流れ
落ちためっき液２２は、ポンプ２６によって汲み上げら
れ、めっき液噴射口２３ｂ、２３ｅに供給されるように
なる。
第２図（ロ）において、めっき液２２に流れるめっき電
流の密度は、図中に一点鎖線で示すように、仕切り２３
ａの左側で均一になる反面、仕切り２３ａの右側で次第
に高密度となる。その結果、めっき槽２３の左端から右
方向に移動しながら形成される電気接点２５ｃの厚さは
、図中に実線で示すように、仕切り２３ａの左側では比
較的緩やかに増加し、仕切り２３ａの右側では被着速度
を速めるようになる。
流の密度は、図中に一点鎖線で示すように、仕切り２３
ａの左側で均一になる反面、仕切り２３ａの右側で次第
に高密度となる。その結果、めっき槽２３の左端から右
方向に移動しながら形成される電気接点２５ｃの厚さは
、図中に実線で示すように、仕切り２３ａの左側では比
較的緩やかに増加し、仕切り２３ａの右側では被着速度
を速めるようになる。
そして、電気接点２５ｃ中のＮｉ量（Ｎｉ含有率）は、
図中に破線で示すようにめっき電流の密度の増加に反比
例して次第に低下する。
図中に破線で示すようにめっき電流の密度の増加に反比
例して次第に低下する。
第４図は、めっき装置２１を使用したときのめっき電流
密度と、Ｐｄ品位（Ｐｄの含有率）との関係を示す図で
あり、・とそれを結ぶように描いた実線は、 ジアミノクロライドパラジウム・・・・Ｐｄとして ２
０ ｇ／ｌ スルファミン酸ニッケル・・・・・・・・・・Ｎｉとし
て ５ｇ／６ を含むめっき液２２を使用した電気接点のＰｄ品位特性
である。該特性より、電気接点に含まれるＮｉＯ量を１
０ｉ＊ｔ％→Ｏｗｔ％に変化させるには、電流密度を約
１０Ａ／ｄｒｒｉ→１００Ａ／ｄｍに変化させればよい
ことが分かる。そこで電極２４は、右端で電流密度が１
００ Ａ ／ ｄ ｍとなり、左端で１０Ａ／ｄｒｒｉ
となるように、形状および被めっき部材２５との間隔、
電流値を設定し、表面からのＮｉ分布かＩＩＷｔ、％−
ＩＱｗｔ％となる電気接点を得た。
密度と、Ｐｄ品位（Ｐｄの含有率）との関係を示す図で
あり、・とそれを結ぶように描いた実線は、 ジアミノクロライドパラジウム・・・・Ｐｄとして ２
０ ｇ／ｌ スルファミン酸ニッケル・・・・・・・・・・Ｎｉとし
て ５ｇ／６ を含むめっき液２２を使用した電気接点のＰｄ品位特性
である。該特性より、電気接点に含まれるＮｉＯ量を１
０ｉ＊ｔ％→Ｏｗｔ％に変化させるには、電流密度を約
１０Ａ／ｄｒｒｉ→１００Ａ／ｄｍに変化させればよい
ことが分かる。そこで電極２４は、右端で電流密度が１
００ Ａ ／ ｄ ｍとなり、左端で１０Ａ／ｄｒｒｉ
となるように、形状および被めっき部材２５との間隔、
電流値を設定し、表面からのＮｉ分布かＩＩＷｔ、％−
ＩＱｗｔ％となる電気接点を得た。
第４図において、Ｏとそれを結ぶように描いた実線は、
ジアミノクロライドパラジウム・・・・Ｐｄとして ２
０ｇ／β スルファミン酸ニッケル・・・・・・・・・・Ｎｉとし
て ＊Ｏｇ／ｌ を含むめっき液２２を使用した電気接点のＰｄ品位特性
である。該特性より、電気接点に含まれるＮｉＯ量を２
０−ｔ％−５訂％に変化させるには、電流密度を約３５
Ａ／ｄｒｎ−”９０Ａ／ｄｒｒｉに変化させればよいこ
とが分かる。そこで電極２４は、右端で電流密度が９０
Ａ／ｄｍとなり、左端で３５Ａ ／ ａ ｍとなるよう
に、形状および被めっき部材２５との間隔、電流値を設
定し、表面からのＮｉ分布が５ｗｔ％−２０−ｔ％とな
る電気接点を得た。
０ｇ／β スルファミン酸ニッケル・・・・・・・・・・Ｎｉとし
て ＊Ｏｇ／ｌ を含むめっき液２２を使用した電気接点のＰｄ品位特性
である。該特性より、電気接点に含まれるＮｉＯ量を２
０−ｔ％−５訂％に変化させるには、電流密度を約３５
Ａ／ｄｒｎ−”９０Ａ／ｄｒｒｉに変化させればよいこ
とが分かる。そこで電極２４は、右端で電流密度が９０
Ａ／ｄｍとなり、左端で３５Ａ ／ ａ ｍとなるよう
に、形状および被めっき部材２５との間隔、電流値を設
定し、表面からのＮｉ分布が５ｗｔ％−２０−ｔ％とな
る電気接点を得た。
第５図は本発明による電気接点の接触抵抗特性と従来の
電気接点の接触抵抗特性とを比較したものである。
電気接点の接触抵抗特性とを比較したものである。
第５図において、本発明による電気接点の試寧」は表面
からのＮｉ分布が０ｗｔ％−２０４％、従来の電気接点
の試料はＮｉ２０ｗｔ％のＰ ｄ−Ｎ ｉ合金層の上に
Ｐｄ層を積層させたものであり、繰り返し動作させたと
きの測定値を実線で結んだ本発明の電気接点の特性は、
該動作と同一条件で繰り返し動作させたときの測定値を
破線で結んだ従来接点の特性に対し、変化が滑らかであ
り変化幅が狭くなる。
からのＮｉ分布が０ｗｔ％−２０４％、従来の電気接点
の試料はＮｉ２０ｗｔ％のＰ ｄ−Ｎ ｉ合金層の上に
Ｐｄ層を積層させたものであり、繰り返し動作させたと
きの測定値を実線で結んだ本発明の電気接点の特性は、
該動作と同一条件で繰り返し動作させたときの測定値を
破線で結んだ従来接点の特性に対し、変化が滑らかであ
り変化幅が狭くなる。
第６図は本発明による電気接点の摩擦係数特性と従来の
電気接点の摩擦係数特性とを比較したものである。
電気接点の摩擦係数特性とを比較したものである。
第６図において、本発明による電気接点の試料は表面か
らのＮｉ分布が０ｗｔ％−２０−ｔ％、従来の電気接点
の試料はＮｉ２０ｗｔ％のＰｄ−Ｎｉ合金層の上にＰｄ
層を積層させたものであり、繰り返し動作させたときの
測定値を実線で結んだ本発明の電気接点の特性は、該動
作と同一条件で繰り返し動作させたときの測定値を破線
で結んだ従来接点の特性に対し、変化が滑らかであり変
化幅が狭くなる。
らのＮｉ分布が０ｗｔ％−２０−ｔ％、従来の電気接点
の試料はＮｉ２０ｗｔ％のＰｄ−Ｎｉ合金層の上にＰｄ
層を積層させたものであり、繰り返し動作させたときの
測定値を実線で結んだ本発明の電気接点の特性は、該動
作と同一条件で繰り返し動作させたときの測定値を破線
で結んだ従来接点の特性に対し、変化が滑らかであり変
化幅が狭くなる。
〔発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、Ｐｄ−Ｎｉ合金の
電気接点、特に電気特性および寿命を向上させるためＰ
ｄ−Ｎｉ合金を多層に形成した従来技術のものに代わる
電気接点として、表面に向けてＮｉ含有率が無段階に減
少する構造としたことにより、電気特性の段階的変化を
な（すと共に、変動幅が狭くなって信鯨性が向上し、さ
らに、前記本発明の電気接点をめっき手段で形成する際
し、電気接点を形成する基体の移動路に対向しめっき電
流密度が所定に変化するように電極を配設したことによ
って、Ｎｉ含有率が所望の無段階に変化する電気接点の
製造を、容易かつ確実化ならしめた効果を有する。
電気接点、特に電気特性および寿命を向上させるためＰ
ｄ−Ｎｉ合金を多層に形成した従来技術のものに代わる
電気接点として、表面に向けてＮｉ含有率が無段階に減
少する構造としたことにより、電気特性の段階的変化を
な（すと共に、変動幅が狭くなって信鯨性が向上し、さ
らに、前記本発明の電気接点をめっき手段で形成する際
し、電気接点を形成する基体の移動路に対向しめっき電
流密度が所定に変化するように電極を配設したことによ
って、Ｎｉ含有率が所望の無段階に変化する電気接点の
製造を、容易かつ確実化ならしめた効果を有する。
第１図は本発明の実施例による電気接点の模式第２図は
本発明の実施例に係わる電気接点めっき装置の説明図、 第３図は第２図に示す被めっき部材の斜視図、第４図は
第２図に示すめっき装置によるめっき電流密度とＰｄ品
位との関係を示す図、第５図は本発明の電気接点の接触
抵抗特性と従来の電気接点の接触抵抗特性との比較図、
第６図は本発明の電気接点の摩擦係数特性と従来の電気
接点の摩擦係数特性２σ・：」１．較図、第７図は従来
の電気接点の模式図、 である。 図中において、 １１ 、２５ａは基体、 ｉ２，２５ｃは電気接点、 ２１はめっき装置、 ２２はめっき液、 ２４はめっき電極、 を不す。 −７，ｉ明０釘桓ダ１ｊ二・ヂ系わる重畳すｆ、白、め
つぎ幸運！グ１ｔわ、月ぎ〕回 （！ カ フ） Ｃイン （ロ） ♀ 図 本発明の実旌伊１１；俳わろ電伝接魚めっき装置の説明
口第２０ （イの２） 竿 」− 図 イ促呆の９儀場叔の腰式口 第 ７ 記
本発明の実施例に係わる電気接点めっき装置の説明図、 第３図は第２図に示す被めっき部材の斜視図、第４図は
第２図に示すめっき装置によるめっき電流密度とＰｄ品
位との関係を示す図、第５図は本発明の電気接点の接触
抵抗特性と従来の電気接点の接触抵抗特性との比較図、
第６図は本発明の電気接点の摩擦係数特性と従来の電気
接点の摩擦係数特性２σ・：」１．較図、第７図は従来
の電気接点の模式図、 である。 図中において、 １１ 、２５ａは基体、 ｉ２，２５ｃは電気接点、 ２１はめっき装置、 ２２はめっき液、 ２４はめっき電極、 を不す。 −７，ｉ明０釘桓ダ１ｊ二・ヂ系わる重畳すｆ、白、め
つぎ幸運！グ１ｔわ、月ぎ〕回 （！ カ フ） Ｃイン （ロ） ♀ 図 本発明の実旌伊１１；俳わろ電伝接魚めっき装置の説明
口第２０ （イの２） 竿 」− 図 イ促呆の９儀場叔の腰式口 第 ７ 記
Claims (2)
- （１）基体（１１）に形成したパラジウム−ニッケル合
金の電気接点（１２）が、該基体（１１）との接合面側
から表面に向けて、連続的にニッケルの含有率の減少す
ることを特徴とした電気接点。 - （２）パラジウム−ニッケルの合金めっき液（２２）中
を移動する基体（２５ａ）の移動路に対し、該めっき液
（２２）中で該移動路に対向する電極（２４）を該基体
（２５ａ）の移動方向に対向間隔の狭まるように配設し
て、該基体（２５ａ）との接合面から表面に向けて連続
的にニッケル含有率の減少するパラジウム−ニッケル合
金の電気接点（２５ｃ）を該基体（２５ａ）に形成させ
ることを特徴とした電気接点の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223804A JPH0272518A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 電気接点とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223804A JPH0272518A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 電気接点とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0272518A true JPH0272518A (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16803982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63223804A Pending JPH0272518A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 電気接点とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0272518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5151811A (en) * | 1989-04-24 | 1992-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Light deflecting apparatus |
| JPH05152159A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Diafoil Co Ltd | 金属蒸着ポリエステルフイルムコンデンサ |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP63223804A patent/JPH0272518A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5151811A (en) * | 1989-04-24 | 1992-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Light deflecting apparatus |
| JPH05152159A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Diafoil Co Ltd | 金属蒸着ポリエステルフイルムコンデンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20170098621A1 (en) | Electrical barrier layers | |
| US6985068B2 (en) | Fuel tank resistor card having improved corrosion resistance | |
| US20080261071A1 (en) | Preserving Solderability and Inhibiting Whisker Growth in Tin Surfaces of Electronic Components | |
| DE19921987A1 (de) | Licht-Abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen | |
| DE112004000727T5 (de) | Bandverbindung | |
| CN208501124U (zh) | 一种具有银合金镀层的防腐蚀电镀层 | |
| JPH0359972A (ja) | 電気接点 | |
| CN105051982B (zh) | 电接触元件及电气部件用插座 | |
| JPH0272518A (ja) | 電気接点とその製造方法 | |
| CN110829080B (zh) | 导电端子 | |
| CN111525314A (zh) | 导电端子 | |
| CN103987879B (zh) | 接触元件及其制造方法 | |
| CN109788639A (zh) | Fpc电路板 | |
| CN101626007B (zh) | 一种超薄预镀层引线框及其制备方法 | |
| Sato et al. | Palladium with a thin gold layer as a sliding contact material | |
| Chuang et al. | Inhibition of silver electrolytic migration in Ag-alloy bonding wires | |
| CN210576587U (zh) | 一种用于端子表面的电镀层及端子、电子接口 | |
| US3997910A (en) | Semiconductor device with solder conductive paths | |
| JPS6189664A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN105990488A (zh) | 半导体发光元件 | |
| JPS61288384A (ja) | 電気用接点 | |
| CN207068863U (zh) | 一种化合物半导体器件的金属结构 | |
| KR890016216A (ko) | 안정한 합금 조성물을 갖는 전기도금된 합금 피복물 및 그의 도금방법 | |
| JPH06200395A (ja) | 金メッキ処理を施したコネクター用接触子 | |
| CN201112794Y (zh) | 44线陶瓷小外形封装集成电路老化测试插座 |