JPH0271203A - 基板により支持された光導波体を有する装置 - Google Patents
基板により支持された光導波体を有する装置Info
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- JPH0271203A JPH0271203A JP1050197A JP5019789A JPH0271203A JP H0271203 A JPH0271203 A JP H0271203A JP 1050197 A JP1050197 A JP 1050197A JP 5019789 A JP5019789 A JP 5019789A JP H0271203 A JPH0271203 A JP H0271203A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
-
- G—PHYSICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮閤豆Ｉ
本発明は基板により支持された光導波体を有する装置に
関する。
関する。
発明の背景
実際上、安価な低損失光ファイバ導波体の開発で始まっ
て、光通信技術は特に長距離「交換機間」通信において
十分に確立されている。特に最近、例えば、個々の加入
者電話、ファクシミリ端末及びデータ処理装置のような
それらの最終目的地のより近くへ光信号を送ることに関
心が大きくなりつつある。主な利用分野、即ち、いわゆ
る局部ループにおいては、単一モードの光信号を加入者
まで送ることが望まれる。そして、いわゆる局部領域回
路網（ＬＡＮ）においては多モード信号が、例えば、ビ
ルディング又は工場の内部のような比較的短い距離にわ
たる通信において使用されつつある。
て、光通信技術は特に長距離「交換機間」通信において
十分に確立されている。特に最近、例えば、個々の加入
者電話、ファクシミリ端末及びデータ処理装置のような
それらの最終目的地のより近くへ光信号を送ることに関
心が大きくなりつつある。主な利用分野、即ち、いわゆ
る局部ループにおいては、単一モードの光信号を加入者
まで送ることが望まれる。そして、いわゆる局部領域回
路網（ＬＡＮ）においては多モード信号が、例えば、ビ
ルディング又は工場の内部のような比較的短い距離にわ
たる通信において使用されつつある。
長距離通信においては光フアイバ伝送媒体の費用は商業
的実現性を決定するものではあるが、局部的な用途の全
費用は、例えば、光源、検出器、コネクタ及びカプラの
ような要素の費用によって支配される。従って、局部状
態における光通信の商業的な実現性は低価格の光学的要
素の利用可能性と光ファイバに要素を接続する安価な方
法に大いに依存する。これに関して特に望ましいと考え
られるのは光ファイバ及び他の光学的要素を基板に支持
された導波体に接続する安価な手段であり、導波体に対
する要素の適切な整列はこれらの接続における主な関心
事である。この分野における初期の著作については、例
えば、次のものを参照されたし。
的実現性を決定するものではあるが、局部的な用途の全
費用は、例えば、光源、検出器、コネクタ及びカプラの
ような要素の費用によって支配される。従って、局部状
態における光通信の商業的な実現性は低価格の光学的要
素の利用可能性と光ファイバに要素を接続する安価な方
法に大いに依存する。これに関して特に望ましいと考え
られるのは光ファイバ及び他の光学的要素を基板に支持
された導波体に接続する安価な手段であり、導波体に対
する要素の適切な整列はこれらの接続における主な関心
事である。この分野における初期の著作については、例
えば、次のものを参照されたし。
Ｌ、 Ｐ、 Ｂｏｉｖｉｎ、 ｒ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌ
ｍ Ｌａ５ｔｅｒ−ｔｏ−ＦｉｂｅｒＣｏｕｐｌｅｒ
Ｊ、 Ａｐｐｌｅｄ ０ｐｔｉｃｓ、 Ｖｏｗ、 １３
（１９７４１゜ｐｐ、 ３９１−３９５ ： Ｈ，Ｐ、 Ｈｓｕ、 ｅｔ ａｌ、、 ｒ ０ｐｔａｉ
ｃａｌ Ｆｉｂｅｒｓ ａｎｄＣｈａｎｎｅｌ
Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ。
ｍ Ｌａ５ｔｅｒ−ｔｏ−ＦｉｂｅｒＣｏｕｐｌｅｒ
Ｊ、 Ａｐｐｌｅｄ ０ｐｔｉｃｓ、 Ｖｏｗ、 １３
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ｃａｌ Ｆｉｂｅｒｓ ａｎｄＣｈａｎｎｅｌ
Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ。
Ｖｏｌ、 １２ （１９７６１，Ｉｍｐ、 ４０４−４
０５ ：及びＪ、 Ｔ、 Ｂｏｙｄ ｅｔ ａｌ、、
ｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｆｒｏｍＦｉ
ｂｅｒｓ ｔｏ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗａｖｅｇｕ
ｉｄｅｓ Ｆｏｒｍｅｄ ｏｎＳｉｌｉｃｏｎ Ｊ
、 Ａｐｐｌｅｄ ０ｐｔｉｃｓ、 Ｖｏｌ、
１７ （１９８７１゜ｐｐ、 ８９５−８９８ 光ＢＪＩ（７υ塾豹 本発明は、例えば、光ファイバ又は光検出器ダイオード
のような少な（とも１つの光要素が基板により支持され
た導波体と好適な整列状態にあり、この整列が軸方向、
共線形、対向的、直角であり、又は相対位置の任意の他
の適当な仕様に関して定義される装置である。本発明に
よれば、結晶学的選択によるエツチングに従うほぼ単結
晶基板が好ましく、特に、シリコン基板の使用は便利で
ある。整列は一般的にはＶ溝のような選択的にエツチン
グされた溝により容易となる。
０５ ：及びＪ、 Ｔ、 Ｂｏｙｄ ｅｔ ａｌ、、
ｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｆｒｏｍＦｉ
ｂｅｒｓ ｔｏ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗａｖｅｇｕ
ｉｄｅｓ Ｆｏｒｍｅｄ ｏｎＳｉｌｉｃｏｎ Ｊ
、 Ａｐｐｌｅｄ ０ｐｔｉｃｓ、 Ｖｏｌ、
１７ （１９８７１゜ｐｐ、 ８９５−８９８ 光ＢＪＩ（７υ塾豹 本発明は、例えば、光ファイバ又は光検出器ダイオード
のような少な（とも１つの光要素が基板により支持され
た導波体と好適な整列状態にあり、この整列が軸方向、
共線形、対向的、直角であり、又は相対位置の任意の他
の適当な仕様に関して定義される装置である。本発明に
よれば、結晶学的選択によるエツチングに従うほぼ単結
晶基板が好ましく、特に、シリコン基板の使用は便利で
ある。整列は一般的にはＶ溝のような選択的にエツチン
グされた溝により容易となる。
光ファイバの接続の場合には、このＶ溝は傾斜したエツ
チング面の上に張り出す出っ張り又は口唇部に対して光
ファイバの突合せ結合を可能にするように導波体の下を
カットする。（突合せ結合は光フアイバモードの直径を
越えない光フアイバ導波体の距離にわたるものであり、
この直径は光ファイバのコアの直径にほぼ等しいと理解
される）。
チング面の上に張り出す出っ張り又は口唇部に対して光
ファイバの突合せ結合を可能にするように導波体の下を
カットする。（突合せ結合は光フアイバモードの直径を
越えない光フアイバ導波体の距離にわたるものであり、
この直径は光ファイバのコアの直径にほぼ等しいと理解
される）。
詳細な説明
次の説明は、薄膜導波体がシリコン基板、導波体本体と
シリコン基板との間の光学的クラディングとして働く二
酸化ケイ素の層、及びこのクラディング構造を完でする
付着二酸化ケイ素の層により支持されている好適な実施
例についてなされる。この好適な構造の製造はＣ，Ｈ，
Ｈｅｎｒｙ−Ｒ，Ａ、 Ｌｅｖｙ８−１２． ｒＤｅｖ
ｉｃｅ Ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ａ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ
−ｓｕｐｐｏｒｔｅｄＯｐｔｉｃａｌ Ｗａｖｅｇｕｉ
ｄｅ、 ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒ
ｅＪとして指定された特許出願で更に詳しく開示されて
いるように層付着及びパクーニングを含む処理によって
容易にされる。
シリコン基板との間の光学的クラディングとして働く二
酸化ケイ素の層、及びこのクラディング構造を完でする
付着二酸化ケイ素の層により支持されている好適な実施
例についてなされる。この好適な構造の製造はＣ，Ｈ，
Ｈｅｎｒｙ−Ｒ，Ａ、 Ｌｅｖｙ８−１２． ｒＤｅｖ
ｉｃｅ Ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ａ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ
−ｓｕｐｐｏｒｔｅｄＯｐｔｉｃａｌ Ｗａｖｅｇｕｉ
ｄｅ、 ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒ
ｅＪとして指定された特許出願で更に詳しく開示されて
いるように層付着及びパクーニングを含む処理によって
容易にされる。
第１図はシリカカバー層２２により覆われたシリコン基
板１１、このシリコン基板１１に配置されて上記のシリ
カカバー層２２の下に存在する薄膜の導波体１２と１３
、及びシリコン基板１１０）エツチングされたＶ溝に配
置された導波体１２と１３と整列させられた光ファイバ
１４．１５．１６及び１７を示す。
板１１、このシリコン基板１１に配置されて上記のシリ
カカバー層２２の下に存在する薄膜の導波体１２と１３
、及びシリコン基板１１０）エツチングされたＶ溝に配
置された導波体１２と１３と整列させられた光ファイバ
１４．１５．１６及び１７を示す。
第２図はシリコン基板１１．二酸化ケイ素の層２１、導
波体１２と１３、及びシリカカバー層２２を示す。層２
１と２２は光学的タラディング層として働（。より高い
屈折率の導波体材料としてはケイ酸燐ガラスでもよい。
波体１２と１３、及びシリカカバー層２２を示す。層２
１と２２は光学的タラディング層として働（。より高い
屈折率の導波体材料としてはケイ酸燐ガラスでもよい。
１．３マイクロメタの波長での光放射の場合、好適な寸
法は次の通りである。即ち、二酸化ケイ素の層２１につ
いては約１０〜１５マイクロメータの厚さ、導波体１２
と１３については約５マイクロメータの幅、導波体１２
と１３の間の約７〜８マイクロメータの中心対中心間隔
（互いに並べた導波体１２と１３の間の有効な漸減電界
結合１ ｅｖａｎｅｓｃｅｎｔｆｉｅｌｄ ｃｏｕｐｌ
ｉｎｇ）のために）及びシリカカバー層２２の場合には
約５マイクロメータの厚さである。
法は次の通りである。即ち、二酸化ケイ素の層２１につ
いては約１０〜１５マイクロメータの厚さ、導波体１２
と１３については約５マイクロメータの幅、導波体１２
と１３の間の約７〜８マイクロメータの中心対中心間隔
（互いに並べた導波体１２と１３の間の有効な漸減電界
結合１ ｅｖａｎｅｓｃｅｎｔｆｉｅｌｄ ｃｏｕｐｌ
ｉｎｇ）のために）及びシリカカバー層２２の場合には
約５マイクロメータの厚さである。
第３図は■溝３１を持つシリコン基板１１．二酸化ケイ
素の層１２、導波体１２及びシリカカバ層２２を示す。
素の層１２、導波体１２及びシリカカバ層２２を示す。
円形の破線により示されるように、そして、第５図にお
いて更に明確に描いたように、光ファイバ１４はこのフ
ァイバのコアの部分が導波体１２と整列されるように位
置付けられている。
いて更に明確に描いたように、光ファイバ１４はこのフ
ァイバのコアの部分が導波体１２と整列されるように位
置付けられている。
溝のエツチングはガラス層の導波体構造にわたる真っす
ぐなエツチング、次に、異方性のエツチングによりシリ
コン基板におけるＶ溝の形成を含む。好都合にも、ガラ
ス層構造にわたるエツチングはクロムのマスク層の存在
での反応性イオンエツチングにより行なわれる。このク
ロムのマスク層は又続いて、例えば、水酸化カリウムの
溶液による選択的なエツチングの間マスク層としても働
く。
ぐなエツチング、次に、異方性のエツチングによりシリ
コン基板におけるＶ溝の形成を含む。好都合にも、ガラ
ス層構造にわたるエツチングはクロムのマスク層の存在
での反応性イオンエツチングにより行なわれる。このク
ロムのマスク層は又続いて、例えば、水酸化カリウムの
溶液による選択的なエツチングの間マスク層としても働
く。
■溝への光ファイバの取り付けはなるべくならガラス対
ガラス又は金属対金属の接触とすることが好ましく、こ
の後者の金属対金属の接触は、例えば、クロム塗布の光
ファイバとＶ溝の表面との間におけるはんだ付けによる
ファイバの取り付けの場合に好適である。あるいは又、
インデックスマツチングエポキシ又はシリコンゴムもＶ
溝における光ファイバの取り付けに使用することができ
る。ガラスファイバに接触するＶ溝の壁に関連する他の
問題はガラスファイバの強さであり、そして、この点で
いわゆるオレンジ皮剥きエツチングによるガラスファイ
バの表面への凹凸の形成は有利に利用することができる
。
ガラス又は金属対金属の接触とすることが好ましく、こ
の後者の金属対金属の接触は、例えば、クロム塗布の光
ファイバとＶ溝の表面との間におけるはんだ付けによる
ファイバの取り付けの場合に好適である。あるいは又、
インデックスマツチングエポキシ又はシリコンゴムもＶ
溝における光ファイバの取り付けに使用することができ
る。ガラスファイバに接触するＶ溝の壁に関連する他の
問題はガラスファイバの強さであり、そして、この点で
いわゆるオレンジ皮剥きエツチングによるガラスファイ
バの表面への凹凸の形成は有利に利用することができる
。
第４図と第５図は本発明による好適な光フアイバ対導波
体の結合を示し、この結合はエツチングされた溝の傾斜
端面の上に突き出る出っ張り４１により容易にされ、そ
れにより上に引用したり。
体の結合を示し、この結合はエツチングされた溝の傾斜
端面の上に突き出る出っ張り４１により容易にされ、そ
れにより上に引用したり。
Ｐ、Ｂｏｉｖｉｎによる論文で知られた難点が克服され
る。特に、第４図は■溝３１を持つシリカカバーにより
覆われたシリコン基板１１、このシリカカバーの下の導
波体１２、及び光ファイバ１４の位置を示す。出っ張り
４１はシリコンのアンダーカットエツチングにより形成
されたものとして特に示され、一方、導波体の構造は変
らず、そのままである。
る。特に、第４図は■溝３１を持つシリカカバーにより
覆われたシリコン基板１１、このシリカカバーの下の導
波体１２、及び光ファイバ１４の位置を示す。出っ張り
４１はシリコンのアンダーカットエツチングにより形成
されたものとして特に示され、一方、導波体の構造は変
らず、そのままである。
第５図はシリコン基板１１、二酸化ケイ素の層２１、導
波体１２、カバー層２２、及びコア部１４１及びタラデ
ィング部１４２を持つ光ファイバ１４を示す。出っ張り
４１は第４図に関して上に述べたごとくである。図示は
してないが、光ファイバと導波体との間のギャップには
インデックスマツチング物質を使用してもよい。
波体１２、カバー層２２、及びコア部１４１及びタラデ
ィング部１４２を持つ光ファイバ１４を示す。出っ張り
４１は第４図に関して上に述べたごとくである。図示は
してないが、光ファイバと導波体との間のギャップには
インデックスマツチング物質を使用してもよい。
第４図と第５図において、光ファイバ１４はこの光ファ
イバの軸心にほぼ直角な面を持つものとして示したが、
光ファイバはテーパ状に終って、更に突合せ結合を容易
にするようにしてもよい。
イバの軸心にほぼ直角な面を持つものとして示したが、
光ファイバはテーパ状に終って、更に突合せ結合を容易
にするようにしてもよい。
しかしながら、なるべくなら、光ファイバの少なくとも
コア部はこの光ファイバの軸心にほぼ直角な面で終るこ
とが望ましい。いずれの場合にも、本発明による整列は
、例えば、突合せが角張った光フアイバ面に依存する場
合にそうであるように、光ファイバの配置する場合に光
ファイバの方位を考慮する必要はない。（本発明の方位
の自由度は、例えば、偏光保持ファイバの好適な配置の
場合に効果的に使用することができる。）第６図は溝３
１を有する基板１１、クラディング層の間に導波体を有
する導波体構造６４、金属化層２３、及び接触金属化層
６１１と６１２及び感光領域６１３を持つ光検出器ダイ
オード６１を示す。この光検出器ダイオード６１は溝３
１の側壁に乗るように示しである。満３１の場所、深さ
、長さは導波体１２から発生する光と感光領域６１３の
積極的、受動的整列が与えられるように選ばれる。金属
化層２３と６１１はばんだ６２により結合され、そして
、いわゆるフライングワイヤポンド６３は接触層２４と
６１２を結合する。
コア部はこの光ファイバの軸心にほぼ直角な面で終るこ
とが望ましい。いずれの場合にも、本発明による整列は
、例えば、突合せが角張った光フアイバ面に依存する場
合にそうであるように、光ファイバの配置する場合に光
ファイバの方位を考慮する必要はない。（本発明の方位
の自由度は、例えば、偏光保持ファイバの好適な配置の
場合に効果的に使用することができる。）第６図は溝３
１を有する基板１１、クラディング層の間に導波体を有
する導波体構造６４、金属化層２３、及び接触金属化層
６１１と６１２及び感光領域６１３を持つ光検出器ダイ
オード６１を示す。この光検出器ダイオード６１は溝３
１の側壁に乗るように示しである。満３１の場所、深さ
、長さは導波体１２から発生する光と感光領域６１３の
積極的、受動的整列が与えられるように選ばれる。金属
化層２３と６１１はばんだ６２により結合され、そして
、いわゆるフライングワイヤポンド６３は接触層２４と
６１２を結合する。
破線は光路な示す。
第７図は、溝の対向側壁に対し光検出器ダイオドの位置
決めに適した第６図と同じ特徴を示す。第６図の構成で
は光検出器ダイオード６１は導波体構造６４に突合せ結
合されてはいるが、第７図はかなりの距離にわたる光結
合を示す。両方の場合及び軸方向のファイバ導波体の整
列とは異なり、整列は導波体の方向に直角なかなりの成
分をもつよう向きを決められたエツチング溝により容易
になる。
決めに適した第６図と同じ特徴を示す。第６図の構成で
は光検出器ダイオード６１は導波体構造６４に突合せ結
合されてはいるが、第７図はかなりの距離にわたる光結
合を示す。両方の場合及び軸方向のファイバ導波体の整
列とは異なり、整列は導波体の方向に直角なかなりの成
分をもつよう向きを決められたエツチング溝により容易
になる。
第８図はシリコン基板１１、このシリコン基板１１の上
にある導波体構造８１、光ファイバ１４と１５、シリコ
ンゴム８２及びモールドされた力プセル８３を示す。
にある導波体構造８１、光ファイバ１４と１５、シリコ
ンゴム８２及びモールドされた力プセル８３を示す。
第９図はシリコン基板１１、このシリコン基板１１上の
導波体構造８１、光ファイバ１４と１５、シリコンゴム
８２、空間９１、セラミックカプセル９２、このセラミ
ックカプセル９２と光ファイバ１４．１５の間のガラス
密封部９３を示す。
導波体構造８１、光ファイバ１４と１５、シリコンゴム
８２、空間９１、セラミックカプセル９２、このセラミ
ックカプセル９２と光ファイバ１４．１５の間のガラス
密封部９３を示す。
第１０図はシリコン基板１１、このシリコン基板ｌｌ上
の導波体構造８１、光ファイバ１４と１５、取り付はブ
ロック１０１と１０２及びシリコンＭ１０３を示す。
の導波体構造８１、光ファイバ１４と１５、取り付はブ
ロック１０１と１０２及びシリコンＭ１０３を示す。
シリコン技術に基づく好適な実施例について上に説明し
たが、本発明は異方性的に作用するエツチング材が利用
できる例えば、ＩＩＩ −Ｖ族及びＩＩ −ｖＩ族の半
導体材料のような他の基板材料に基づ〈実施例を含む。
たが、本発明は異方性的に作用するエツチング材が利用
できる例えば、ＩＩＩ −Ｖ族及びＩＩ −ｖＩ族の半
導体材料のような他の基板材料に基づ〈実施例を含む。
好適な基板は、結晶学的転位及び他の欠点が選択的なエ
ツチングによる所望の溝の形成に干渉しないかぎり、こ
れらの転位及び短所は見逃してもよいという意味で単結
晶又は本質的に単結晶である。■溝の中で光ファイバを
整列させるために、基板の方向はなるべくなら（１００
）にした方が望ましいが、他の基板の向きも除外される
わけではない。例えば、（１１０）の向きには光検出器
及び光源の整列配置に好適となる可能性のある垂直壁を
持つ溝の選択的なエツチングがもたらされる。
ツチングによる所望の溝の形成に干渉しないかぎり、こ
れらの転位及び短所は見逃してもよいという意味で単結
晶又は本質的に単結晶である。■溝の中で光ファイバを
整列させるために、基板の方向はなるべくなら（１００
）にした方が望ましいが、他の基板の向きも除外される
わけではない。例えば、（１１０）の向きには光検出器
及び光源の整列配置に好適となる可能性のある垂直壁を
持つ溝の選択的なエツチングがもたらされる。
第１図は本発明の好適な実施例として、そして、薄膜導
波体と整列されたファイバの４つの場合としての光ファ
イバカプラの略式の頂面図、第２図は第１図の光フアイ
バカプラの略式の断面図、 第３図は第１図の光フアイバカプラに対する４つのファ
イバ結合部の１つの略式の端面図、第４図は第３図のフ
ァイバの結合部の略式の頂面図、 第５図は第３図の結合部の略式の断面図（この断面は基
板に直角で、第２図の断面にも直角である）、 第６図は光学的結合が薄膜の導波体から光検出器ダイオ
ードになされる、本発明の好適な実施例としての検出器
の略式の断面図、 第７図は第５図の実施例の代りとなる好適な実施例を表
す検出器の略式の断面図、 第８図はモールドされたパッケージに含まれる本発明の
装置の略式の断面図、 第９図はセラミックパッケージに含まれる本発明の装置
の略式の断面図、及び 第１Ｏ図はシリコンパッケージに含まれる本発明の装置
の略式の断面図である。 主要部分の符号の説明 １１・・・ ・・・・・ ・・・・・・・・・・・・シ
リコン基板、１２．１３・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・導波体、１４−１７・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・光ファイバ、２１
・・・・・・・・・・・・・・・・・二酸化ケイ素の層
、２２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・シリカカバー層、２３・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・金属化層、３１・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・Ｖ溝、４１・・・・−・・・ ・・・・ ・ ・・
・・ ・・・・・・・・出っ張り、６１・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・光検出器ダイオード、２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・−・・はんだ、３・・・・・・・・・・・・・・・フ
ライングワイヤポンド、４．８１・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・導波体構造、２・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・シリコンゴ
ム、３・・・・・・・・・・・・・・・モールドされた
カプセル、１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・空間、２・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・カプセル、
３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ガラス密閉部、４１・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・コア部、２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・クラディング
部、１１．６１２・・・・・・・・・・・・・・・・接
触金属化層、１３・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・感光領域。 ■ 手続補正書 別紙の通り正式図面を１通提出致しまず。 平成 １年 ４月２７日
波体と整列されたファイバの４つの場合としての光ファ
イバカプラの略式の頂面図、第２図は第１図の光フアイ
バカプラの略式の断面図、 第３図は第１図の光フアイバカプラに対する４つのファ
イバ結合部の１つの略式の端面図、第４図は第３図のフ
ァイバの結合部の略式の頂面図、 第５図は第３図の結合部の略式の断面図（この断面は基
板に直角で、第２図の断面にも直角である）、 第６図は光学的結合が薄膜の導波体から光検出器ダイオ
ードになされる、本発明の好適な実施例としての検出器
の略式の断面図、 第７図は第５図の実施例の代りとなる好適な実施例を表
す検出器の略式の断面図、 第８図はモールドされたパッケージに含まれる本発明の
装置の略式の断面図、 第９図はセラミックパッケージに含まれる本発明の装置
の略式の断面図、及び 第１Ｏ図はシリコンパッケージに含まれる本発明の装置
の略式の断面図である。 主要部分の符号の説明 １１・・・ ・・・・・ ・・・・・・・・・・・・シ
リコン基板、１２．１３・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・導波体、１４−１７・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・光ファイバ、２１
・・・・・・・・・・・・・・・・・二酸化ケイ素の層
、２２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・シリカカバー層、２３・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・金属化層、３１・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・Ｖ溝、４１・・・・−・・・ ・・・・ ・ ・・
・・ ・・・・・・・・出っ張り、６１・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・光検出器ダイオード、２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・−・・はんだ、３・・・・・・・・・・・・・・・フ
ライングワイヤポンド、４．８１・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・導波体構造、２・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・シリコンゴ
ム、３・・・・・・・・・・・・・・・モールドされた
カプセル、１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・空間、２・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・カプセル、
３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ガラス密閉部、４１・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・コア部、２・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・クラディング
部、１１．６１２・・・・・・・・・・・・・・・・接
触金属化層、１３・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・感光領域。 ■ 手続補正書 別紙の通り正式図面を１通提出致しまず。 平成 １年 ４月２７日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ほぼ単結晶の基板（１１）上の光導波体（１２）及
びこの光導波体（１２）と軸方向に整列された光ファイ
バ（１４）を備え、 この整列は基板（１１）における選択的にエッチングさ
れた溝（３１）に前記光ファイバ（１４）を配置したと
きに生ずる装置において、 前記溝（３１）は前記導波体（１２）と前記光ファイバ
（１４）との間の光学的突合せ結合を可能にするに十分
な距離にわたり前記導波体（１２）をアンダーカットし
ており、突合せ結合は前記導波体（１２）と前記光ファ
イバ（１４）との間における物理的接触又は前記光ファ
イバ（１４）のモードの直径よりも小さい前記導波体（
１２）と前記光ファイバ（１４）との間に或距離をもた
らすものとして定義されることを特徴とする基板により
支持された光導波体を有する装置。 ２、請求項１において、前記光ファイバ（１４）は前記
光ファイバ（１４）の少なくともコア領域（１４１）に
わたって、前記光ファイバの軸心にほぼ直角である表面
で終端していることを特徴とする装置。 ３、請求項２において、前記光ファイバ（１４）はテー
パで終端していることを特徴とする装置。 ４、請求項１において、前記基板（１１）は（１００）
のシリコン基板であることを特徴とする装置。 ５、請求項１において、前記溝（３１）はＶ溝であるこ
とを特徴とする装置。 ６、ほぼ単結晶の基板（１１）上の光導波体（６４）及
びこの光導波体（６４）と光結合関係に整列された光学
的要素（６１）を備え、 この整列は基板（１１）における選択的にエッチングさ
れた溝（３１）に前記光学的要素（６１）を配置したと
きに生ずる装置において、 前記溝（３１）の向きは前記光導波体（６４）内の光の
伝ばん方向に直角なかなりの要素を有していることを特
徴とする基板により支持された光導波体を有する装置。 ７、請求項６において、前記光学的要素（６１）は光検
出器であることを特徴とする装置。 ８、請求項６において、前記溝（３１）はＶ溝であるこ
とを特徴とする装置。 ９、請求項６において、前記溝（３１）は垂直溝である
ことを特徴とする装置。 １０、請求項６において、前記光学的要素（６１）は前
記導波体（６４）と突合せ結合の関係にあることを特徴
とする装置。 １１、請求項６において、前記導波体（６４）と前記光
学的要素（６１）との光結合はかなりの距離にわたって
いることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16368688A | 1988-03-03 | 1988-03-03 | |
| US163,686 | 1988-03-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271203A true JPH0271203A (ja) | 1990-03-09 |
Family
ID=22591137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050197A Pending JPH0271203A (ja) | 1988-03-03 | 1989-03-03 | 基板により支持された光導波体を有する装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0331332A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0271203A (ja) |
| KR (1) | KR910005948B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894269B2 (en) | 2001-04-30 | 2005-05-17 | Optun (Bvi) Ltd. | Configuration for detecting optical signals in at least one optical channel in a planar light circuit, attenuator including the configuration, and method for manufacturing the configuration |
| JP2009003096A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法 |
| JP2014186263A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路素子およびその製造方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4002490A1 (de) * | 1989-08-31 | 1991-08-01 | Bodenseewerk Geraetetech | Verfahren zum anbringen von elektrooptischen bauteilen an integriert-optischen wellenleitern |
| US5046809A (en) * | 1989-09-29 | 1991-09-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Coupling arrangement for optically coupling a fiber to a planar optical waveguide integrated on a substrate |
| FR2659148B1 (fr) * | 1990-03-01 | 1993-04-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de connexion entre une fibre optique et un microguide optique. |
| EP0522417A1 (en) * | 1991-07-09 | 1993-01-13 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Light-receiving apparatus with optical fiber connection |
| DE4134940A1 (de) * | 1991-10-23 | 1993-04-29 | Bosch Gmbh Robert | Integriertes optisches bauelement sowie verfahren zu seiner herstellung |
| JP3259742B2 (ja) * | 1993-06-22 | 2002-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 光導波路モジュール |
| JPH0792342A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-04-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路モジュール |
| GB2319335B (en) * | 1996-11-15 | 1998-11-11 | Bookham Technology Ltd | Integrated interferometer |
| CA2253511A1 (en) * | 1996-05-03 | 1997-11-13 | Bookham Technology Plc | Connection between an integrated optical waveguide and an optical fibre |
| FR2744531B1 (fr) * | 1996-02-02 | 1998-04-24 | Bonnel Madeleine | Procede pour la realisation d'une structure comportant un guide optique et une cavite alignee avec precision sur ledit guide |
| IT1286385B1 (it) * | 1996-11-19 | 1998-07-08 | Italtel Spa | Procedimento per realizzare l'accoppiamento in un dispositivo optoelettronico tra una fibra ottica ed una guida d'onda e dispositivo |
| GB2329482B (en) * | 1997-09-23 | 1999-08-11 | Bookham Technology Ltd | An optical circuit |
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| JPS59146004A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積回路 |
| JPS59185306A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-10-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 光集積回路の実装法 |
| JPS60111203A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-17 | Omron Tateisi Electronics Co | 光導波路装置 |
| JPS61267010A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波回路及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
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| US4466696A (en) * | 1982-03-29 | 1984-08-21 | Honeywell Inc. | Self-aligned coupling of optical fiber to semiconductor laser or LED |
| JPS59197184A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-08 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPH077149B2 (ja) * | 1985-10-16 | 1995-01-30 | ブリティシュ・テレコミュニケ−ションズ・パブリック・リミテッド・カンパニ | 放射偏向器アセンブリ |
| JPS6396609A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Nec Corp | 光接続回路 |
-
1989
- 1989-02-22 EP EP19890301711 patent/EP0331332A3/en not_active Withdrawn
- 1989-02-28 KR KR1019890002382A patent/KR910005948B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-03-03 JP JP1050197A patent/JPH0271203A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910005948B1 (ko) | 1991-08-09 |
| EP0331332A3 (en) | 1991-01-16 |
| EP0331332A2 (en) | 1989-09-06 |
| KR890015040A (ko) | 1989-10-28 |
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