JPH0267753A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPH0267753A JPH0267753A JP22010588A JP22010588A JPH0267753A JP H0267753 A JPH0267753 A JP H0267753A JP 22010588 A JP22010588 A JP 22010588A JP 22010588 A JP22010588 A JP 22010588A JP H0267753 A JPH0267753 A JP H0267753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- capacitors
- insulating film
- junction
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路上に作られた、電気信号で直接
制御する可変容量コンデンサーに関し、特に絶縁膜コン
デンサーと半導体接合容量を組合せ、制御素子としてバ
イポーラトランジスタを用いた構造に関する。
制御する可変容量コンデンサーに関し、特に絶縁膜コン
デンサーと半導体接合容量を組合せ、制御素子としてバ
イポーラトランジスタを用いた構造に関する。
従来、この種の可変容量コンデンサーは、可変容量ダイ
オードとして知られる、電圧により変化するＰ−Ｎ接合
容量を利用したものが、多く使われていた。このダイオ
ードは電圧の変化に対する容量の変化率向上のため、空
乏層付近に急峻な不純物濃度勾配を持たせ、大容量を得
るために、接合面積を大きくしていた。
オードとして知られる、電圧により変化するＰ−Ｎ接合
容量を利用したものが、多く使われていた。このダイオ
ードは電圧の変化に対する容量の変化率向上のため、空
乏層付近に急峻な不純物濃度勾配を持たせ、大容量を得
るために、接合面積を大きくしていた。
上述した従来の可変容量ダイオードは、特殊な不純物濃
度勾配が必要であり、またラジオ周波数帯で用いる２０
０〜５００ ｐＦの容量を得るためには、大きな面積を
必要とするため、半導体装置回路には内蔵しにくい欠点
がある。更に容量を可変する信号がアナログ電圧であり
、デジタルで直接制御できないため、マイコン等とのイ
ンターフェイスが複雑になる欠点もある。
度勾配が必要であり、またラジオ周波数帯で用いる２０
０〜５００ ｐＦの容量を得るためには、大きな面積を
必要とするため、半導体装置回路には内蔵しにくい欠点
がある。更に容量を可変する信号がアナログ電圧であり
、デジタルで直接制御できないため、マイコン等とのイ
ンターフェイスが複雑になる欠点もある。
上述した従来の可変容量ダイオードに対し、本発明はバ
イポーラトランジスタと一体化した誘電体絶縁膜コンデ
ンサーを複数個と、接合コンデンサーと一体化した誘電
体絶縁膜コンデンサーとを組合せ、バイポーラトランジ
スタをオンオフすることにより、絶縁膜コンデンサーを
必要分並列接続し、更に接合コンデンサーへの印加電圧
により、容量の微調を行なう独創的内容を有する。
イポーラトランジスタと一体化した誘電体絶縁膜コンデ
ンサーを複数個と、接合コンデンサーと一体化した誘電
体絶縁膜コンデンサーとを組合せ、バイポーラトランジ
スタをオンオフすることにより、絶縁膜コンデンサーを
必要分並列接続し、更に接合コンデンサーへの印加電圧
により、容量の微調を行なう独創的内容を有する。
本発明の可変容量コンデンサーは、半導体基板上に形成
した基板と反対導電型のコレクタコンタクト領域をもつ
バイポーラトランジスタ、及び前記コレクタコンタクト
領域上に成長した絶縁膜を誘電体とし対向電極を備えた
、絶縁膜コンデンサーを複数個有し、更に基板と同じ導
電型のアノード領域と、７ノード領域内に形成した基板
と反対導電型のカソード領域とからなる接合型コンデン
サー、及びカソード領域上に成長した、誘電体絶縁膜コ
ンデンサーを備え、バイポーラトランジスタのベース電
極をデジタル入力端子とし、接合型コンデンサーのカソ
ード電極をアナログ入力端子とする容量可変人力端子を
有している。
した基板と反対導電型のコレクタコンタクト領域をもつ
バイポーラトランジスタ、及び前記コレクタコンタクト
領域上に成長した絶縁膜を誘電体とし対向電極を備えた
、絶縁膜コンデンサーを複数個有し、更に基板と同じ導
電型のアノード領域と、７ノード領域内に形成した基板
と反対導電型のカソード領域とからなる接合型コンデン
サー、及びカソード領域上に成長した、誘電体絶縁膜コ
ンデンサーを備え、バイポーラトランジスタのベース電
極をデジタル入力端子とし、接合型コンデンサーのカソ
ード電極をアナログ入力端子とする容量可変人力端子を
有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図を、第２図は等価
回路図を示す。ＮＰＮ）ランジスタを使用した場合で説
明すると、Ｐ型不純物濃度１ｏ１４〜１０１６ケ／ｄの
Ｐ型半導体基板１上に、不純物濃度１０２０〜１０２１
ケ／ｄのＮ型埋込領域２を形成する。更ニ不純物濃度１
０１ｓ〜１０１６ケ／ｃ！ｌ！のＮ型の気相成長を行い
、気相成長層の表面上に、表面濃度が１０１ｙ〜１０１
９ケ／ｄで深さが０．５〜５μｍのベース領域１１，２
１．及びベース領域内にそれぞれコレクタ領域１２．２
２を形成する。
回路図を示す。ＮＰＮ）ランジスタを使用した場合で説
明すると、Ｐ型不純物濃度１ｏ１４〜１０１６ケ／ｄの
Ｐ型半導体基板１上に、不純物濃度１０２０〜１０２１
ケ／ｄのＮ型埋込領域２を形成する。更ニ不純物濃度１
０１ｓ〜１０１６ケ／ｃ！ｌ！のＮ型の気相成長を行い
、気相成長層の表面上に、表面濃度が１０１ｙ〜１０１
９ケ／ｄで深さが０．５〜５μｍのベース領域１１，２
１．及びベース領域内にそれぞれコレクタ領域１２．２
２を形成する。
一方ベース領域形成と同時か、又は別に表面濃度が１０
１１〜ｔ ｏ １９ケ／ｃＪ、深さが０．５〜５μｍの
Ｐ型アノード領域３と、アノード領域内に形成した表面
濃度が１０２０ケ／ ａｎｔ以上のＮ型カソード領域４
とによりＰ−Ｎ接合コンデンサーを形成する。
１１〜ｔ ｏ １９ケ／ｃＪ、深さが０．５〜５μｍの
Ｐ型アノード領域３と、アノード領域内に形成した表面
濃度が１０２０ケ／ ａｎｔ以上のＮ型カソード領域４
とによりＰ−Ｎ接合コンデンサーを形成する。
更にＴａ２０５．ＴｉＯ□等比誘電率が１０以上の誘電
体絶縁膜を厚さ５０〜２００ｎｍで、コレクタ領域１２
，２２及び接合コンデンサーのカソード領域４の上に堆
積成長させ、それぞれにアルミ等により対向電極１５，
２５．３５を付着し、絶縁膜コンデンサーを形成する。
体絶縁膜を厚さ５０〜２００ｎｍで、コレクタ領域１２
，２２及び接合コンデンサーのカソード領域４の上に堆
積成長させ、それぞれにアルミ等により対向電極１５，
２５．３５を付着し、絶縁膜コンデンサーを形成する。
この際同時にベース電極１４，２４．アノード電極３６
．カソード電極３７も形成し、第２図の等何回路に示す
ように、金属配線を行い外部電極４０．４１に引き出す
。
．カソード電極３７も形成し、第２図の等何回路に示す
ように、金属配線を行い外部電極４０．４１に引き出す
。
第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。
ＮＰＮ）ランジスタを絶縁分離し、最大不純物濃度１０
２０〜１０２１ケ／ｃｄのＮ型コレクタ埋込領域１６．
２６を用い、エミッタ領域１７．２７をベース領域１１
．２１内に形成する。絶縁膜コンデンサーはＮ＋コレク
タコンタクト１９．２９上に誘電体絶縁膜１３．２３を
堆積成長させて作る。
２０〜１０２１ケ／ｃｄのＮ型コレクタ埋込領域１６．
２６を用い、エミッタ領域１７．２７をベース領域１１
．２１内に形成する。絶縁膜コンデンサーはＮ＋コレク
タコンタクト１９．２９上に誘電体絶縁膜１３．２３を
堆積成長させて作る。
この実施例ではコレクターベース接合の不純物濃度を１
０′５〜１０１６ケ／ｃｍにできるためブレークダウン
電圧が高くでき、コンデンサーに印加できる電圧を実施
例１の５ｖ以下に比べ、ＩＯＶ以上に上げられる利点が
ある。
０′５〜１０１６ケ／ｃｍにできるためブレークダウン
電圧が高くでき、コンデンサーに印加できる電圧を実施
例１の５ｖ以下に比べ、ＩＯＶ以上に上げられる利点が
ある。
以上説明したように本発明は、複数の絶縁膜コンデンサ
ーと接合コンデンサーを組合せ、所要の容量に対して必
要な絶縁膜コンデンサーを短絡し、並列接続すると同時
に、微小可変部分は接合コンデンサーに印加する電圧を
変えて調節する。ここで絶縁膜コンデンサーに使用する
誘電体にＴａ。
ーと接合コンデンサーを組合せ、所要の容量に対して必
要な絶縁膜コンデンサーを短絡し、並列接続すると同時
に、微小可変部分は接合コンデンサーに印加する電圧を
変えて調節する。ここで絶縁膜コンデンサーに使用する
誘電体にＴａ。
Ｏｓ ｒ Ｔ １０２等の高誘電率のものを使用し、膜
厚を１０００人程度にすることにより３００μｍ口で５
００〜１０００ｐＦという小面積で、大容量を得ること
ができ、効果が大きい。また容量を可変する信号は、ト
ランジスタをオン、オフするデジタル信号であり、デジ
タル処理系に直結できるとともに、従来のように電圧に
対する容量の変化を利用していないため、急峻な不純物
濃度勾配といった特殊な可変容量ダイオードが不要とな
り、集積回路化し易い効果がある。更にデジタル制御の
欠点である微小変化に対しては、最小容量単位としてア
ナログ信号制御の接合コンデンサーを使用して処理でき
る。使用可能な周波数は、スイッチング素子としてＯＮ
抵抗を数Ωにできるバイポーラトランジスタを使用して
いるため、数ＭＨｚ迄可能である。
厚を１０００人程度にすることにより３００μｍ口で５
００〜１０００ｐＦという小面積で、大容量を得ること
ができ、効果が大きい。また容量を可変する信号は、ト
ランジスタをオン、オフするデジタル信号であり、デジ
タル処理系に直結できるとともに、従来のように電圧に
対する容量の変化を利用していないため、急峻な不純物
濃度勾配といった特殊な可変容量ダイオードが不要とな
り、集積回路化し易い効果がある。更にデジタル制御の
欠点である微小変化に対しては、最小容量単位としてア
ナログ信号制御の接合コンデンサーを使用して処理でき
る。使用可能な周波数は、スイッチング素子としてＯＮ
抵抗を数Ωにできるバイポーラトランジスタを使用して
いるため、数ＭＨｚ迄可能である。
２７・・・・・・エミッタ領域、１８．２８・・・・・
・エミッタ電極、１９．２９・・・・・・コレクタコン
タクト領域、３６・・・・・・アノード電極、３７・・
・・・・カソード電極。
・エミッタ電極、１９．２９・・・・・・コレクタコン
タクト領域、３６・・・・・・アノード電極、３７・・
・・・・カソード電極。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成した、該基板と同じ導電型のベース
領域及び前記ベース領域内に形られた該基板と反対導電
型のコレクタ領域からなるバイポーラトランジスタと、
前記コレクタ領域上の少くとも一部に絶縁膜を成長して
形成した第１の絶縁膜コンデンサとを複数個有し、更に
前記基板上に形成した該基板と同じ導電型のアノード領
域と前記アノード領域内に作られ、該基板と反対導電型
のカソード領域からなる接合コンデンサ、及び前記カソ
ード領域上の少くとも一部に絶縁膜を成長して形成した
第２の絶縁膜コンデンサを有することを特徴とする集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22010588A JPH0267753A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22010588A JPH0267753A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267753A true JPH0267753A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16745992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22010588A Pending JPH0267753A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0267753A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221712B1 (en) * | 1999-08-30 | 2001-04-24 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating gate oxide layer |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP22010588A patent/JPH0267753A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221712B1 (en) * | 1999-08-30 | 2001-04-24 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating gate oxide layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4216451A (en) | Variable capacitance device having a plurality of capacitance elements and a plurality of switching elements therefor formed on a single common substrate | |
| US4285001A (en) | Monolithic distributed resistor-capacitor device and circuit utilizing polycrystalline semiconductor material | |
| US5914513A (en) | Electronically tunable capacitor | |
| US4150344A (en) | Tunable microwave oscillator | |
| JP4509390B2 (ja) | 改善された集積型の発振器及び調整可能な回路 | |
| JPS5940576A (ja) | フオトサイリスタ | |
| US4721985A (en) | Variable capacitance element controllable by a D.C. voltage | |
| US3408542A (en) | Semiconductor chopper amplifier with twin emitters | |
| JPH0267753A (ja) | 集積回路 | |
| US3707656A (en) | Transistor comprising layers of silicon dioxide and silicon nitride | |
| US4005466A (en) | Planar voltage variable tuning capacitors | |
| JP2824329B2 (ja) | 可変容量ダイオード装置 | |
| JPH0145747B2 (ja) | ||
| JPH0437070A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5923569A (ja) | 半導体可変容量素子 | |
| JPS62179162A (ja) | 半導体可変容量素子 | |
| EP0318210A3 (en) | Voltage controlled variable capacitor and oscillator | |
| JP2917428B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5940298B2 (ja) | バイポ−ラ型トランジスタ | |
| JPH06204405A (ja) | 高周波発振器 | |
| JPH11261082A (ja) | 電圧制御可変容量素子 | |
| JPS6411347A (en) | Monolithic integrated circuit | |
| EP0316192A2 (en) | Semi-conductor variable capacitance element | |
| JPS6425452A (en) | Semiconductor device | |
| JPH0456363A (ja) | 可変容量ダイオード装置 |