JPH0264065A - 結晶粒配向性セラミックスの製造方法 - Google Patents
結晶粒配向性セラミックスの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は粉末粒子がある一定の方向に配向したセラミッ
クスの製造方法に関する。
クスの製造方法に関する。
更に詳しくは電気自動車用、電力負荷平滑用としての利
用が期待されているナトリウム−硫黄（Ｎａ−３）電池
に使用する、緻密でナトリウムイオンの伝導度が高く、
かつ優れた機械的強度を有するβ−又はβ′′−アルミ
ナ固体電解質、あるいは小型モーター、スピーカー等に
使用されている強磁場発生用の磁気異方性多結晶焼結バ
リウム又はストロンチウムフェライト磁石（以下、異方
性フェライト磁石という）の製造方法に関する。
用が期待されているナトリウム−硫黄（Ｎａ−３）電池
に使用する、緻密でナトリウムイオンの伝導度が高く、
かつ優れた機械的強度を有するβ−又はβ′′−アルミ
ナ固体電解質、あるいは小型モーター、スピーカー等に
使用されている強磁場発生用の磁気異方性多結晶焼結バ
リウム又はストロンチウムフェライト磁石（以下、異方
性フェライト磁石という）の製造方法に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］β−ア
ルミナは一般的にＮａ２Ｏ・ｌｌＡｌ２Ｏ３で表される
物質で六方晶系に属し、−個のスピネルブロックの繰り
返し構造をとる。そしてＣ軸に垂直なＣ面内に限り、Ｎ
ａ”イオンが移動可能なことがらβ−アルミナは二次元
イオン導電体と呼ばれている。
ルミナは一般的にＮａ２Ｏ・ｌｌＡｌ２Ｏ３で表される
物質で六方晶系に属し、−個のスピネルブロックの繰り
返し構造をとる。そしてＣ軸に垂直なＣ面内に限り、Ｎ
ａ”イオンが移動可能なことがらβ−アルミナは二次元
イオン導電体と呼ばれている。
β−アルミナ単結晶におけ℃面内の電気抵抗（比抵抗）
は３００″Ｃで８Ω・ｃｍと優れており、電流の通ずる
方向に０面の並んだ単結晶の円筒状のものあるいは板状
のものを使用すれば、高い導電性が得られる。しかしな
がら、β−アルミナ単結晶は、０面での襞間が起こりや
すく機械的強度の面で問題があり、更に単結晶の成長が
技術的に困難のため実用に供することは難しい。
は３００″Ｃで８Ω・ｃｍと優れており、電流の通ずる
方向に０面の並んだ単結晶の円筒状のものあるいは板状
のものを使用すれば、高い導電性が得られる。しかしな
がら、β−アルミナ単結晶は、０面での襞間が起こりや
すく機械的強度の面で問題があり、更に単結晶の成長が
技術的に困難のため実用に供することは難しい。
機械的な強度の向上を図ることは結晶粒の小さな多結晶
体を製造することによって達成し得るが、多結晶体では
結晶粒界での電気抵抗が大きく、各粒子の方位は不規則
のためＮａ”イオンの移動の方向も異なる。従って、電
流はジグザグな流路をとり電気抵抗は増大する。例えば
、β−アルミナを焼結した多結晶体の３００°Ｃにおけ
る比抵抗は、２０〜１００Ω・ｃｍと単結晶の比抵抗に
比べかなり高抵抗となるので、Ｎａ−３電池の高性能化
を図るためには、比抵抗を減少させる必要がある。
体を製造することによって達成し得るが、多結晶体では
結晶粒界での電気抵抗が大きく、各粒子の方位は不規則
のためＮａ”イオンの移動の方向も異なる。従って、電
流はジグザグな流路をとり電気抵抗は増大する。例えば
、β−アルミナを焼結した多結晶体の３００°Ｃにおけ
る比抵抗は、２０〜１００Ω・ｃｍと単結晶の比抵抗に
比べかなり高抵抗となるので、Ｎａ−３電池の高性能化
を図るためには、比抵抗を減少させる必要がある。
β″−アルミナはＮａ、Ｏ’５Ａ１ｚ Ｏｘで表される
物質であり、単結晶の比抵抗は０．５〜ｌΩ・ｃｍ、焼
結多結晶体の比抵抗は５〜８Ω・ｃｍ程度である。β−
アルミナの比抵抗に比べかなり改善されているものの、
Ｎａ−３電池の高性能化のためには更に比抵抗の減少を
図る必要がある。
物質であり、単結晶の比抵抗は０．５〜ｌΩ・ｃｍ、焼
結多結晶体の比抵抗は５〜８Ω・ｃｍ程度である。β−
アルミナの比抵抗に比べかなり改善されているものの、
Ｎａ−３電池の高性能化のためには更に比抵抗の減少を
図る必要がある。
従来のβ二又はβ′′−アルミナ固体電解質の抵抗の減
少方法は、Ｎａ”イオンの通路となる固体電解質の厚さ
を薄くする方法である。この方法により現在１ｍｍ程度
の厚さのものが製造されているが、機械的な強度の問題
から１ｍｍ以下の厚さの固体電解質を製造することは難
しく、固体電解質の厚さを薄くするという方法による抵
抗の減少は期待し難い。
少方法は、Ｎａ”イオンの通路となる固体電解質の厚さ
を薄くする方法である。この方法により現在１ｍｍ程度
の厚さのものが製造されているが、機械的な強度の問題
から１ｍｍ以下の厚さの固体電解質を製造することは難
しく、固体電解質の厚さを薄くするという方法による抵
抗の減少は期待し難い。
又、バリウムフェライトやストロンチウムフェライトな
どのＭ型穴方晶フェライトはＣ軸を磁化容易軸とする０
面の発達している六角板状微粒子からなる粉末である。
どのＭ型穴方晶フェライトはＣ軸を磁化容易軸とする０
面の発達している六角板状微粒子からなる粉末である。
この粉末を配向させた異方性フェライト磁石は、磁気回
路用の永久磁石として広く使用されているが、最近のス
ピーカー、小型モーター等の小型化、高性能化の要求に
伴い、フェライト磁石の磁気特性の向上が強く求められ
ている。特に、異方性フェライト磁石を使用する磁気回
路において、強い磁界を発生させるために高い残留磁束
密度（Ｂｒ）と高い保磁力（Ｈｃ）が要望されている。
路用の永久磁石として広く使用されているが、最近のス
ピーカー、小型モーター等の小型化、高性能化の要求に
伴い、フェライト磁石の磁気特性の向上が強く求められ
ている。特に、異方性フェライト磁石を使用する磁気回
路において、強い磁界を発生させるために高い残留磁束
密度（Ｂｒ）と高い保磁力（Ｈｃ）が要望されている。
通常、異方性フェライト磁石としてはバリウムフェライ
トやストロンチウムフェライトが用いられており、その
残留磁束密度（Ｂｒ）は４．０〜４゜４ＫＧ、保磁力（
Ｈｃ）は２．８〜３．３ Ｋ Ｏｅ程度である。上述し
た要求を可能にするために、フェライト組成やフェライ
ト粒子配同法の改良（磁場プレス成形）が行われている
が、満足する磁気特性を得るには至っていない。
トやストロンチウムフェライトが用いられており、その
残留磁束密度（Ｂｒ）は４．０〜４゜４ＫＧ、保磁力（
Ｈｃ）は２．８〜３．３ Ｋ Ｏｅ程度である。上述し
た要求を可能にするために、フェライト組成やフェライ
ト粒子配同法の改良（磁場プレス成形）が行われている
が、満足する磁気特性を得るには至っていない。
［課題を解決するための手段］
本発明の目的は、遠心力を利用してセラミックス原料粉
末の粒子を一定の方向に配向させ、これを焼成すること
により、これまでにない優れた機能性を有する結晶粒の
配向したセラミックスを提供することにある。
末の粒子を一定の方向に配向させ、これを焼成すること
により、これまでにない優れた機能性を有する結晶粒の
配向したセラミックスを提供することにある。
本発明の上記目的は、六方晶である薄板状あるいは葉板
状のセラミックス粉末の０面が応力の方向に垂直に配向
するという性質を利用し、一定の方向に配向させた成形
体を製造し、これを焼成することによって達成すること
ができる。
状のセラミックス粉末の０面が応力の方向に垂直に配向
するという性質を利用し、一定の方向に配向させた成形
体を製造し、これを焼成することによって達成すること
ができる。
本発明で使用するセラミックス原料粉末としては、β、
−又はβ″−アルミナやバリウム及びストロンチウムフ
ェライトを用いるが、その他セラミックス原料粉末を構
成する原料の一部が薄板状あるいは葉板状のカオリンや
タルクであるコージェライトなども使用することができ
る。
−又はβ″−アルミナやバリウム及びストロンチウムフ
ェライトを用いるが、その他セラミックス原料粉末を構
成する原料の一部が薄板状あるいは葉板状のカオリンや
タルクであるコージェライトなども使用することができ
る。
原料として使用するセラミックス原料粉末については特
に制限は無いが、機械的強度を向上させるためには出来
る限り微細であることが好ましく、ハンドリング性、成
形性を考慮すると０．１〜１．０μｍが望ましく、０．
２〜０．６μｍが特に望ましい。
に制限は無いが、機械的強度を向上させるためには出来
る限り微細であることが好ましく、ハンドリング性、成
形性を考慮すると０．１〜１．０μｍが望ましく、０．
２〜０．６μｍが特に望ましい。
又、成形に使用するバインダーについても特に制限は無
いが、例えばパラフィン、ポリエチレングリコール、メ
チルセルロース、エチルセルロース、ポリビニルブチラ
ール等が用いられる。
いが、例えばパラフィン、ポリエチレングリコール、メ
チルセルロース、エチルセルロース、ポリビニルブチラ
ール等が用いられる。
次に、本発明の製造方法を説明する。
型枠の中に、予めバインダーを混合したセラミックス原
料粉末を充填し、これに対して好ましくは２５０ｋｇ／
ｃｍ２以上、さらに好ましくは３５０ｋｇ／ｃｍ”以上
、特に好ましくは４００ｋｇ／ｃｍｚ以上の遠心力を作
用させてセラミックス原料粉末の０面が応力の方向に垂
直に配向した成形体を製造した後、脱型する。脱型後、
例えば５００〜６００°Ｃにて漸次加熱してバインダー
を除去する。 。
料粉末を充填し、これに対して好ましくは２５０ｋｇ／
ｃｍ２以上、さらに好ましくは３５０ｋｇ／ｃｍ”以上
、特に好ましくは４００ｋｇ／ｃｍｚ以上の遠心力を作
用させてセラミックス原料粉末の０面が応力の方向に垂
直に配向した成形体を製造した後、脱型する。脱型後、
例えば５００〜６００°Ｃにて漸次加熱してバインダー
を除去する。 。
次に、β−又はβ″−アルミナ成形体の焼成に際しては
、密閉容器、例えばマグネシア坩堝の中で１５００〜１
７００°Ｃ２好ましくは１５５０〜１６５０°Ｃで焼成
することによってβ−又はβ１′−アルミナ固体電解質
を製造する。
、密閉容器、例えばマグネシア坩堝の中で１５００〜１
７００°Ｃ２好ましくは１５５０〜１６５０°Ｃで焼成
することによってβ−又はβ１′−アルミナ固体電解質
を製造する。
ここで、焼成温度が１５００°Ｃより低い場合には充分
な緻密化が達成されず、機械的強度の低い固体電解質と
なる。又、１７００°Ｃより高い温度で焼成すると、β
−又はβ″−アルミナ粉末中のアルカリ（ＮａｚＯ）が
揮散し、α−アルミナへの転移が起こり、所望のものが
得られない。
な緻密化が達成されず、機械的強度の低い固体電解質と
なる。又、１７００°Ｃより高い温度で焼成すると、β
−又はβ″−アルミナ粉末中のアルカリ（ＮａｚＯ）が
揮散し、α−アルミナへの転移が起こり、所望のものが
得られない。
一方、バリウムフェライト又はストロンチウムフェライ
ト成形体の焼成は、酸化性雰囲気中で１０００〜１３５
０”Ｃ，好ましくは１１００〜１３００°Ｃで行い、異
方性フェライト磁石を製造する。
ト成形体の焼成は、酸化性雰囲気中で１０００〜１３５
０”Ｃ，好ましくは１１００〜１３００°Ｃで行い、異
方性フェライト磁石を製造する。
ここで、１０００°Ｃより低い温度で焼成した場合、充
分な緻密化が起こらず空隙の多いものとなる。又、１３
５０°Ｃより高い温度で焼成した場合には、緻密化より
も粒成長が優先的に起こり、本発明の目的とする磁気特
性の向上は達成できない。
分な緻密化が起こらず空隙の多いものとなる。又、１３
５０°Ｃより高い温度で焼成した場合には、緻密化より
も粒成長が優先的に起こり、本発明の目的とする磁気特
性の向上は達成できない。
本発明において、セラミックス原料粉末に作用させる遠
心力はセラミックス原料粉末の種類によって異なり、充
分な粒子配向を生じさせる上から、好ましくは２５０ｋ
ｇ／ｃｍ”以上、さらに好ましくは３５０ ｋ ｇ／ｃ
ｍ”以上、特に好ましくは４００ｋｇ／ｃｍ”以上であ
る。なお、上限については特に制限はないが、装置上の
問題から１０００ｋｇ／ｃｍ２程度が限度になる。
心力はセラミックス原料粉末の種類によって異なり、充
分な粒子配向を生じさせる上から、好ましくは２５０ｋ
ｇ／ｃｍ”以上、さらに好ましくは３５０ ｋ ｇ／ｃ
ｍ”以上、特に好ましくは４００ｋｇ／ｃｍ”以上であ
る。なお、上限については特に制限はないが、装置上の
問題から１０００ｋｇ／ｃｍ２程度が限度になる。
原料粉末がβ−又はβ゛−アルミナ粉末場合には、４０
０ｋｇ／ｃｍ”以上の遠心力を作用させることが好まし
く、原料粉末がバリウムフェライト又はストロンチウム
フェライト粉末の場合には、３５０ｋｇ／ｃｍ２以上の
遠心力を作用させることが好ましい。また、コージェラ
イト粉末の場合には、２５０ｋｇ／ｃｍ”以上の遠心力
を作用させることが好ましい。
０ｋｇ／ｃｍ”以上の遠心力を作用させることが好まし
く、原料粉末がバリウムフェライト又はストロンチウム
フェライト粉末の場合には、３５０ｋｇ／ｃｍ２以上の
遠心力を作用させることが好ましい。また、コージェラ
イト粉末の場合には、２５０ｋｇ／ｃｍ”以上の遠心力
を作用させることが好ましい。
焼結装置については特に制限は無く、電気炉、ガス炉等
いずれの焼結装置も適宜用いることができるが、充分な
温度制御が可能な装置を用いることが好ましい。
いずれの焼結装置も適宜用いることができるが、充分な
温度制御が可能な装置を用いることが好ましい。
［実施例コ
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが
、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
夫施■よ
平均粒子径０．２μｍのβ−アルミナ粉末９５重量％と
Ｎａｚ ｃｏ３５重四％をバインダー（パラフィンおよ
びメチルセルロース）と共に混合し、得られた混合物４
を、第１図および第２図に示す、外径５０ｍｍΦ、内径
４８ｍｍΦ、高さ５０ｍｍの外枠２と内枠３からなる円
柱状型枠に充填した。
Ｎａｚ ｃｏ３５重四％をバインダー（パラフィンおよ
びメチルセルロース）と共に混合し、得られた混合物４
を、第１図および第２図に示す、外径５０ｍｍΦ、内径
４８ｍｍΦ、高さ５０ｍｍの外枠２と内枠３からなる円
柱状型枠に充填した。
次いで、この型枠をロッドの支点１を中心として、図示
の方向に回転することにより、５００ｋｇ／ｃｍ２の遠
心力を作用させてβ−アルミナ組成の成形体を製造した
。脱型後６００ ’Ｃでバインダーを除去した後、マグ
ネシア坩堝内で１６００°Ｃで１時間の焼成を行い、チ
ューブ状のβ−アルミナ固体電解質を製造した。
の方向に回転することにより、５００ｋｇ／ｃｍ２の遠
心力を作用させてβ−アルミナ組成の成形体を製造した
。脱型後６００ ’Ｃでバインダーを除去した後、マグ
ネシア坩堝内で１６００°Ｃで１時間の焼成を行い、チ
ューブ状のβ−アルミナ固体電解質を製造した。
成形体の製造方法と型枠を図面に示す。遠心力を作用さ
せるために型枠に付与する回転の方向は、支点ｌを中心
に紙面に垂直であるので、第１図に於いて回転方向を矢
印で表す。
せるために型枠に付与する回転の方向は、支点ｌを中心
に紙面に垂直であるので、第１図に於いて回転方向を矢
印で表す。
遠心力の方向と垂直な面のβ−アルミナ固体電解質のＸ
線回折法により求めた配向度Ｆは０．８２、厚さ方向の
比抵抗は１２Ω・ｃｍであった。
線回折法により求めた配向度Ｆは０．８２、厚さ方向の
比抵抗は１２Ω・ｃｍであった。
ここで、β−アルミナ固体電解質のＸ線回折法により求
める配向度Ｆは、Ｆ 、 Ｋ 、Ｌ ｏｔｇｅｒｉｎ
ｇの方法（Ｊ 、 Ｉ ｎｏｒｇ、 Ｎｕｃｌ、 Ｃ
ｈｅｍ、 ９．１１３−２３（１９５９））に依る。
める配向度Ｆは、Ｆ 、 Ｋ 、Ｌ ｏｔｇｅｒｉｎ
ｇの方法（Ｊ 、 Ｉ ｎｏｒｇ、 Ｎｕｃｌ、 Ｃ
ｈｅｍ、 ９．１１３−２３（１９５９））に依る。
Ｆ＝ （Ｐ−Ｐ、）／ （ｔ−Ｐｏ ）Ｐ＝ΣＩ（００
１）／ΣＩ （ｈｋｌ）ΣＩ （００１）： （００
１）面のＸ線回折強度の合計 ΣＩ （ｈｋｌ）： （ｈｋｌ）面のＸ線回折強度の合
計 Ｐ ：配向サンプルのＰ Ｐｏ ：配向していないサンプルのＰ １益■１ 平均粒子径０．２μｍのβパ−アルミナ粉末９５重量％
とＮａ、Ｃｏ、５重量％をバインダーと共に混合し、実
施例１と同じ方法でチューブ状のβ″ −アルミナ固体
電解質を製造した。
１）／ΣＩ （ｈｋｌ）ΣＩ （００１）： （００
１）面のＸ線回折強度の合計 ΣＩ （ｈｋｌ）： （ｈｋｌ）面のＸ線回折強度の合
計 Ｐ ：配向サンプルのＰ Ｐｏ ：配向していないサンプルのＰ １益■１ 平均粒子径０．２μｍのβパ−アルミナ粉末９５重量％
とＮａ、Ｃｏ、５重量％をバインダーと共に混合し、実
施例１と同じ方法でチューブ状のβ″ −アルミナ固体
電解質を製造した。
遠心力の方向と垂直な面のβ″−アルミナ固体電解質の
Ｘ線回折法により求めた配向度Ｆは０．８５、厚さ方向
の比抵抗は２Ω・ｃｍであった。
Ｘ線回折法により求めた配向度Ｆは０．８５、厚さ方向
の比抵抗は２Ω・ｃｍであった。
北較拠土
平均粒子径０．２μｍのβ−アルミナ粉末９５重量％と
Ｎａ２ｃｏ３５重量％をバインダー（パラフィン及びメ
チルセルロース）と共に混合し、外径５０ｍｍΦ、内径
４８ｍｍΦ、高さ５０ｍｍの円柱状型枠に充填した。こ
れに３００ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ２の遠心力を作用させ
てβ−アルミナ組成の成形体を製造した。以下実施例１
−ヲ同様の方法でβ−アルミナ固体電解質を製造し、配
向度Ｆと厚さ方向の比抵抗を測定した。
Ｎａ２ｃｏ３５重量％をバインダー（パラフィン及びメ
チルセルロース）と共に混合し、外径５０ｍｍΦ、内径
４８ｍｍΦ、高さ５０ｍｍの円柱状型枠に充填した。こ
れに３００ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ２の遠心力を作用させ
てβ−アルミナ組成の成形体を製造した。以下実施例１
−ヲ同様の方法でβ−アルミナ固体電解質を製造し、配
向度Ｆと厚さ方向の比抵抗を測定した。
配向度Ｆは０．３６、厚さ方向の比抵抗は３０Ω・ｃｍ
であった。
であった。
実Ｊｄ汁ｌ
平均粒子径０．２μｍのストロンチウムフェライト粉末
１００重量％をバインダーと共に混合し、内径４０ｍｍ
Φ、高さ５０ｍｍのシリンダー状の型枠に充填した。こ
れに４００ ｋ ｇ ／ （ｍ”の遠心力を作用させな
がら、粉末粒子の配向を更に高めるために外部磁場を作
用し成形を行った。脱型後６００°Ｃでバインダーを除
去した後、酸化性雰囲気中で１２５０°Ｃ１２時間の焼
成を行い異方性ストロンチウムフェライト磁石の製造を
行った。
１００重量％をバインダーと共に混合し、内径４０ｍｍ
Φ、高さ５０ｍｍのシリンダー状の型枠に充填した。こ
れに４００ ｋ ｇ ／ （ｍ”の遠心力を作用させな
がら、粉末粒子の配向を更に高めるために外部磁場を作
用し成形を行った。脱型後６００°Ｃでバインダーを除
去した後、酸化性雰囲気中で１２５０°Ｃ１２時間の焼
成を行い異方性ストロンチウムフェライト磁石の製造を
行った。
この磁石の特性は残留磁束密度（Ｂｒ）５．０ＫＧ１保
磁力（Ｈｃ）４．０ＫＯｅであり、従来の磁場プレスに
よる製造方法の異方性ストロンチウムフェライト磁石の
残留磁束密度（Ｂｒ）４、Ｏ〜４゜４ＫＧ、保磁力（Ｈ
ｃ）２．８〜３．３ＫＯｅに比べて優れた特性を示す。
磁力（Ｈｃ）４．０ＫＯｅであり、従来の磁場プレスに
よる製造方法の異方性ストロンチウムフェライト磁石の
残留磁束密度（Ｂｒ）４、Ｏ〜４゜４ＫＧ、保磁力（Ｈ
ｃ）２．８〜３．３ＫＯｅに比べて優れた特性を示す。
［発明の効果１
本発明は、セラミックス原料粉末の粒子に遠心力を作用
して一定方向に配向させ、それを焼成することから成る
、これまでにない優れた機能を有する結晶粒配向性セラ
ミックスの簡便な製造方法に関する。従って、ナトリウ
ム−硫黄電池用のβ又はβ′′−アルミナ固体電解質及
び小型モーターやスピーカー等に使用される磁気異方性
フェライト磁石等への利用が期待でき、極めて工業的価
値の高いものである。
して一定方向に配向させ、それを焼成することから成る
、これまでにない優れた機能を有する結晶粒配向性セラ
ミックスの簡便な製造方法に関する。従って、ナトリウ
ム−硫黄電池用のβ又はβ′′−アルミナ固体電解質及
び小型モーターやスピーカー等に使用される磁気異方性
フェライト磁石等への利用が期待でき、極めて工業的価
値の高いものである。
第１図は実施例１の成形体製造方法と型枠を示す縦断正
面口、第２図は第１図の左側面図である。 第１図 第２図 １・−・−・−・−支点、２−・・−型枠の外枠、３〜
・−一−−−・型枠の内枠、４−−−・・β−アルミナ
粉末とバインダーの混合物
面口、第２図は第１図の左側面図である。 第１図 第２図 １・−・−・−・−支点、２−・・−型枠の外枠、３〜
・−一−−−・型枠の内枠、４−−−・・β−アルミナ
粉末とバインダーの混合物
Claims (3)
- （１）遠心力を利用してセラミックス原料粉末の粒子を
配向させ、焼成することを特徴とする結晶粒配向性セラ
ミックスの製造方法。 - （２）セラミックス原料粉末の粒子形状が薄板状あるい
は葉板状であることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の結晶粒配向性セラミックスの製造方法。 - （３）セラミックス原料粉末がβ−又はβ″−アルミナ
、バリウムフェライト及びストロンチウムフェライトよ
りなる群の中から選ばれる一種であることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項又は第（２）項記載の結晶粒
配向性セラミックスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-124945 | 1988-05-24 | ||
| JP12494588 | 1988-05-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0264065A true JPH0264065A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=14898086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1117489A Pending JPH0264065A (ja) | 1988-05-24 | 1989-05-12 | 結晶粒配向性セラミックスの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4937214A (ja) |
| JP (1) | JPH0264065A (ja) |
| DE (1) | DE3917027A1 (ja) |
| FR (1) | FR2633280A1 (ja) |
| GB (1) | GB2218979B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019006648A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 日本碍子株式会社 | 配向セラミックス焼結体及びその製法 |
| EP3575275A1 (en) | 2018-05-30 | 2019-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing transparent ceramic material for faraday rotator |
| CN112079645A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-12-15 | 广东工业大学 | 一种织构化碳化硅晶须增韧的氧化铝基陶瓷及其制备方法和应用 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2766029B2 (ja) * | 1990-03-12 | 1998-06-18 | 日本碍子株式会社 | セラミックグリーンシート材及び電気化学的素子並びにその製造方法 |
| DE4122586C1 (en) * | 1991-07-08 | 1992-06-25 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De | Prodn. of e.g. potassium beta- or beta alumina powder giving ceramics of good ion conduction etc. - by attrition of cubic densely packed alumina with dopant, calcination in atmos. contg. oxygen@, potassium oxide or rubidium oxide then in atmos. contg. oxygen@ |
| US6008163A (en) * | 1994-11-14 | 1999-12-28 | Purdue Research Foundation | Process for slip casting textured tubular structures |
| JP3667403B2 (ja) * | 1995-10-05 | 2005-07-06 | サンゴバン・ティーエム株式会社 | βアルミナ質電鋳耐火物 |
| DE19712442C2 (de) * | 1997-03-25 | 1999-05-12 | Karlsruhe Forschzent | Verfahren zur Herstellung von mikrostrukturierten keramischen Bauteilen |
| US20020045531A1 (en) * | 2000-10-18 | 2002-04-18 | Toru Suzuki | Oriented sintered ceramic product and manufacturing method thereof |
| TW572866B (en) * | 2001-11-09 | 2004-01-21 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Centrifugal sintering method and use thereof |
| FR2833292B1 (fr) * | 2001-12-12 | 2004-06-18 | Valeo Electronique | Systeme de detection de presence d'un utilisateur notamment pour vehicule automobile |
| IT1400278B1 (it) * | 2010-05-14 | 2013-05-24 | K4Sint S R L | Procedimento per la fabbricazione di manufatti sinterizzati |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB917698A (ja) * | ||||
| GB1070902A (en) * | 1963-02-15 | 1967-06-07 | Plessey Uk Ltd | Improvements in or relating to non-metallic magnetic materials |
| GB1105566A (en) * | 1965-04-28 | 1968-03-06 | Aeroprojects Inc | Mounting member for vibratory device and extrusion apparatus incorporating the same |
| GB1123806A (en) * | 1965-11-10 | 1968-08-14 | Du Pont | Inorganic crystalline powders |
| GB1097235A (en) * | 1966-01-11 | 1968-01-03 | Gen Motors Corp | Oriented-ferrite bodies for permanent magnets |
| DE1932970C3 (de) * | 1969-06-28 | 1978-05-24 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Anwendung des Verfahrens zur Erhöhung der Anisotropie von stranggepreßten Körpern auf die Herstellung von Dauermagneten und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
| US3689614A (en) * | 1970-01-28 | 1972-09-05 | Abex Corp | Centrifugal molding of ceramic tubes containing metal fibers |
| NL7014812A (ja) * | 1970-10-09 | 1972-04-11 | ||
| US4001364A (en) * | 1972-01-17 | 1977-01-04 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for improving the physical properties of ceramics |
| BE795723A (fr) * | 1972-02-24 | 1973-06-18 | Gen Electric | Orientation de poudre magnetique |
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| HU173061B (hu) * | 1976-04-22 | 1979-02-28 | Finomkeramiaipari Muevek | Sposob keramicheskogo,metallokeramicheskogo i/ili metallicheskogo svjazyvanija mineral'nykh i/ili iskusstvennykh zernistykh materialov pri izgotovlenii raznykh, naprimer, shlifoval'nykh, rezhuhhikh, dovodochnykh i sverlil'nykh instrumentov |
| JPS5924111B2 (ja) * | 1980-11-21 | 1984-06-07 | イソライト・バブコツク耐火株式会社 | ムライト質セラミツクフアイバ−の生成方法 |
| US4624808A (en) * | 1984-05-15 | 1986-11-25 | Rockwell International Corporation | Forming a ceramic by flocculation and centrifugal casting |
| DD238542A1 (de) * | 1985-06-26 | 1986-08-27 | Bitterfeld Chemie | Verfahren zur zentrifugation und waschung von schichtsilikaten |
| JPS6292804A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-28 | 松下電器産業株式会社 | セラミツクスの成形方法 |
| GB2196956A (en) * | 1986-11-04 | 1988-05-11 | Toyo Kohan Co Ltd | Process and apparatus for the production of rapidly solidified powders of high melting point ceramics |
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-
1989
- 1989-05-12 JP JP1117489A patent/JPH0264065A/ja active Pending
- 1989-05-22 US US07/354,552 patent/US4937214A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-23 FR FR8906716A patent/FR2633280A1/fr active Pending
- 1989-05-24 GB GB8911930A patent/GB2218979B/en not_active Expired
- 1989-05-24 DE DE3917027A patent/DE3917027A1/de not_active Ceased
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| EP3575275A1 (en) | 2018-05-30 | 2019-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing transparent ceramic material for faraday rotator |
| US11161274B2 (en) | 2018-05-30 | 2021-11-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing transparent ceramic material for faraday rotator |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8911930D0 (en) | 1989-07-12 |
| DE3917027A1 (de) | 1989-11-30 |
| GB2218979B (en) | 1992-07-15 |
| US4937214A (en) | 1990-06-26 |
| FR2633280A1 (fr) | 1989-12-29 |
| GB2218979A (en) | 1989-11-29 |
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