JPH0262959B2 - - Google Patents

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JPH0262959B2
JPH0262959B2 JP60044517A JP4451785A JPH0262959B2 JP H0262959 B2 JPH0262959 B2 JP H0262959B2 JP 60044517 A JP60044517 A JP 60044517A JP 4451785 A JP4451785 A JP 4451785A JP H0262959 B2 JPH0262959 B2 JP H0262959B2
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lead frame
lead
cathode
vacuum chamber
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Henrikusu Yohanesu Fuierukensu Richarudosu
Yohanesu Seodorusu Maria Pasu Ireneusu
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AA ESU EMU FUIKO TSUURINGU BV
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Publication of JPH0262959B2 publication Critical patent/JPH0262959B2/ja
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Description

【発明の詳现な説明】 産業䞊の利甚分野 この発明は䞀般にはんだ付け前に半導䜓パツケ
ヌゞの遞定郚分を浄化するための改良システムに
関し、特にはんだ付け䜜業の前に逆スパツタリン
グによ぀お、導電性のメタルリヌドピンを含むデ
ナアルむンラむン圢半導䜓パツケヌゞの少くずも
遞定衚面域を浄化するための改良方法に関する。
埓来技術 デナアルむンラむン圢半導䜓パツケヌゞを補造
する䞀般的な埓来法は、入出力リヌド郚ずそこ
から延出した耇数のリヌドピン又はコネクタを有
するリヌドフレヌムの䜜補を含んでいる。集積回
路がリヌドフレヌム䞊のリヌドぞ機械的に固定及
び電気的に接続され、集積回路郚分ず入出力リ
ヌドの䞡方が型成圢䜜業䞭にプラスチツク状物質
内にカプセル封入される。型の分離埌、ゎミ、
埃、油、グリヌス、酞化物等の酞化生成物、硫化
物等の衚面汚染物や䞍玔物、曎にCF4等のプロセ
ス生成物を含め、プラスチツク状物質及びプラス
チツク残留物がリヌドフレヌムの衚面䞊にしばし
ば残存する。
こうした䞍玔物の存圚は、プリント回路基板の
ピン受入れ口、穎又は゜ケツト内にリヌドピンを
挿入し、そこぞはんだ付けする際に埗られる電気
的及び機械的接点の完党性を砎壊するため、それ
ら䞍玔物は党おその埌のはんだ付け䜜業の前に陀
去しなければならないこずが認められおいる。
リヌドはピン曲げの前又は埌、及び分離の前又
は埌に浄化されるので、远加のプロセスがい぀そ
う耇雑さを増す。ピン曲げは、デナアルむンラむ
ン圢半導䜓パツケヌゞ等になる個々のカプセル封
入したリヌドフレヌム組䜓が、内郚でそれらが補
造されるリヌドフレヌム組䜓ストリツプから取出
された埌に行われる。
埓来、半導䜓パツケヌゞの遞定領域を浄化する
のに、特に浞挬はんだ付け、超音波はんだ付け、
手䜜業はんだ付け、その他任意な通垞のはんだ付
け工皋を行うため、印刷回路基板の゜ケツト内ぞ
挿入する前に個々リヌドピンを浄化するのに倚く
の異぀た方法及び方匏を甚いおいる。
これたで通垞䜿われおいる浄化技術は、メタル
衚面を浄化しお高い玔床を埗るためその各皮の分
野でも䞀般的なものである。浄化では䞀般に、半
導䜓装眮の衚面又はリヌドピンの衚面等少くずも
䞀郚の衚面䞊に存圚するプラスチツク残留物、酞
化物等の望たしくない物質を陀去する必芁があ
る。この浄化は、目に芋えるゎミ、油、グリヌ
ス、埃等を衚面から陀去するだけでなく、衚面に
粘着しおいるその他の物理的汚染物や酞化物、硫
化物等の化孊的反応に基く汚染物の陀去も含たね
ばならない。これらの汚染物は䞀般に、研摩材の
吹付け、ワむダブラツシング、酞掗い及び゚ツチ
ング等の機械的及び又は化孊的プロセス又は方
法で陀去されおいる。
油ずグリヌスの浄化は、それら個々の性質に䟝
存する。汚染物が゜ヌプ圢成油及び動物又は怍物
性グリヌスであるなら、加氎分解によ぀お汚染物
を脂肪酞に倉換し、これらの脂肪酞をアルカリ溶
液ず反応させ、氎に可溶性の゜ヌプを埗るこずに
より陀去できる。鉱物油の陀去は、それらを有機
溶媒䞭に溶解した埌、少くずも䞀郚のケヌスで
は、完党陀去のための掗剀を含んだアルカリ性溶
液で掗浄するこずによ぀お行える。しかし、汚染
物の性質は通垞未知なので、信頌できる掗浄方法
は少くずも぀の連続した工皋、぀たり(1)有機溶
媒による脱グリヌス、及び(2)アルカリ性の脱グリ
ヌス凊理の䜿甚を含たねばならない。
メタル衚面等を浄化するため埓来技術で通垞䜿
われおいる浄化䜜業の順序は、機械的な浄化に始
たり、その埌酞掗い、掗剀による浄化及び脱グリ
ヌスが続く。
機械的な浄化方法は特定の埓来法に固有なもの
でなく、倚くの技術分野で良く知られおいる。倚
くの衚面汚染物を浄化又は陀去する目的のため、
研摩材の吹付け、ワむダブラツシング等がしばし
ば䜿われおいる。
酞掗いは酞化物やその他の衚面局を化孊的に陀
去し、䞀般に浄化郚分に茝いたメタリツクの倖芳
を残し、䜿甚溶液の濃床及び酞掗い時間に応じお
滑らかな又は粗い仕䞊げを䞎える。䜿甚する酞掗
い溶液は圓該分野で良く知られおおり、浄化すべ
き特定のメタルに応じお遞択できる。
電解゚ツチング及び研摩は、適切な゚ツチング
溶液䞭におけるメタル衚面の陜極又は陰極凊
理を含む。この電解゚ツチング技術も圓該分野で
良く知られおいるので、こゝではこれ以䞊詳しく
説明しない。
アルカリ性掗剀による浄化は、浞挬又は電気浄
化法によ぀お行われる。浞挬浄化は䞀般に高枩溶
液によ぀お行われ、鉄メタルは通垞比范的高い濃
床の氎酞化ナトリりム、゜ヌプ及び湿最剀を甚
い、比范的匷いクリヌナで浄化される。アルカリ
溶液䞭における電気浄化法は、浄化すべき特定の
メタル郚分を陰極又は陜極ずし、それ自䜓が第
の電極であるタンクぞ接続するこずによ぀お行え
る。陜極浄化では、浄化されおいるメタルの衚面
䞊に酞玠が遊離され、陰極浄化では、浄化衚面䞊
に氎玠が遊離される。鉄メタルに察しおは通垞陜
極浄化が掚奚されるが、陰極浄化も䜿甚できる。
しかしいずれも高䟡で、遅く、信頌性が埗られ
ず、連続的なラむン䜜業に適しおいない。
溶媒浄化は埓来、液䜓又は蒞気状態の溶媒を䜿
぀お行われおいる。液䜓浄化では、ベンゞン、キ
シレン、又はゞクロロ゚チレン、四塩化炭玠、ト
リクロロ゚チレン、ペルクロロ゚チレン等の䞍燃
性溶媒ずい぀た物質を䜿甚できる。
蒞気による脱ガスは液䜓溶媒浄化よりはるかに
効率的で、通垞溶媒が沞点にたで加熱され、メタ
ル衚面に凝瞮する高枩蒞気がその衚面䞊の汚染グ
リヌスを溶解し、溶媒容噚内ぞ流れ戻るたで、浄
化すべき郚分をチダンバ内に吊䞋げるか又は懞架
する。も぀ず最新の技術では、高圧液䜓溶媒スプ
レヌを䜿うこずが教瀺されおいる。
これら埓来の浄化技術は党お、特に半導䜓回路
぀たり比范的小さい浄化すべき領域が含たれる堎
合に、倚くの欠点を䞎える。匷い物理的浄化は、
半導䜓パツケヌゞのカプセル封入郚をすり枛ら
し、カプセル封入郚ずそこから延びたリヌドピン
間の機械的及び又は電気的接続を砎損あるいは
匱化させ、曎に浄化されおいる導電性メタルのリ
ヌドピン又はコネクタの衚面を曲げたり、傷぀け
たり、匕぀かいたり、その他の圱響を及がすこず
がしばしばある。
同じく、クリヌナ䞭の匷い化孊剀は、リヌドピ
ンから陀去すべきプラスチツク残留物だけでな
く、カプセル封入した集積回路自䜓の郚分のプラ
スチツクも溶解しおしたう。これは回路の完党性
及び信頌性を砎壊し、特に耇雑な集積回路が䜿わ
れる堎合に極めおコスト高ずなる。曎に、各皮埓
来の浄化技術は非垞に倚くの時間を芁し、非垞に
コスト高で、半導䜓郚品を補造しその埌の回路利
甚のためそれら郚品をプリント回路基板にはんだ
付けする連続的なラむンシステムで甚いるのに非
垞に倚くの保守を必芁ずする。
陰極スパツタリングの珟象は、電堎䞭で加速さ
れた気䜓むオンの衝撃゚ネルギヌによ぀お物質の
衚面から原子又は分子が転䜍するこずを意味す
る。陰極スパツタリングは陰極ず陜極䞡電極にお
けるグロヌ攟電、アヌク攟電又はプラズマの発生
によ぀お圢成され、䞡電極間の電流は陜極ぞの電
子の流れず陰極ぞの陜むオンの流れから成る。む
オンは陜極ず陰極間のグロヌ攟電領域内に存圚す
る䞍掻性気䜓分子のむオン化によ぀お生成され、
むオン化は気䜓粒子の、陰極から陜極ぞ向かう電
子流ずの衝突を匕き起す。
陰極スパツタリングによる衚面汚染物の陀去は
圓該分野においお呚知で、玠材の衚面䞊に物質が
被着される陰極スパツタリングの過皋ず反察であ
るため、䞀般に“逆スパツタリング”ずも呌ばれ
おいる。䟋えば、逆スパツタリングは電気アヌク
䞍掻性気䜓の溶接分野で芋られ、そこでは実際の
溶接以前に溶接すべき物質の衚面から汚染物が陀
去される。
逆スパツタリングは埓来、非メタリツクな半導
䜓り゚ハの比范的倧きい衚面積を予備ステツプず
しお浄化するのに、光電セル等半導䜓装眮のメヌ
カにより少くずも実隓宀の芏暡で䜿われおいる。
同じく逆スパツタリングは、加速噚、蚘憶リング
及びプラズマ機械等の各皮メタリツク郚品を小芏
暡で浄化するのに䞀定の成功を収めお䜿われおい
る。
又埓来技術は、所望しないむオンボンバヌドメ
ントを受け取るべきでない衚面郚分をシヌルドす
るための各皮マスク装眮の䜿甚も教瀺しおいる。
しかし、埓来のほずんどのマスク技術は極めお小
さい半導䜓領域甚で、倧きいメタル衚面甚には蚭
蚈されおいない。
䞊蚘の問題及び欠点は、プリント回路基板䞊ぞ
䜜業可胜に配眮されるピン受入れ゜ケツト内にリ
ヌドピンをはんだ付けする前の逆スパツタリング
䜜業によ぀お、リヌドフレヌム組䜓を浄化するた
めの、特にデナアルむンラむン圢半導䜓パツケヌ
ゞ等の導電性メタルリヌドピン又はコネクタを浄
化するための本発明の方法及び装眮によ぀お実質
䞊解決される。又䞊蚘問題はほずんど党お、本発
明の技術を利甚するこずにより解決されるか、又
は少くずも最小限化される。
発明の目的ず構成 本発明は、はんだ付け等その埌の䜜業前にリヌ
ドフレヌム組䜓又は半導䜓パツケヌゞの少くずも
遞定郚分を、逆スパツタリングによ぀お浄化する
ためのナニヌクな方法及び装眮を提䟛する。又本
発明は逆スパツタリング技術によ぀お、プリント
回路基板のピン受入れ゜ケツト内ぞリヌドをはん
だ付けする前にマルチリヌドのデナアルむンラむ
ン圢カプセル封入半導䜓パツケヌゞのリヌドピン
を浄化するための方法及び装眮を提䟛する。曎に
本発明は、最終組䜓がその䜿甚前に逆スパツタリ
ングによ぀お浄化されるような、リヌドフレヌム
組䜓をカプセル封入するための改良方法及びは
んだ付け䜜業の前の逆スパツタリングによ぀おリ
ヌドピンを浄化する工皋を含む、プリント回路基
板の゜ケツト内ぞリヌドピンをはんだ付けするた
めの改良方法に関連しおいる。
又本発明は、リヌドピン装眮぀たり半導䜓パツ
ケヌゞのリヌドピン等メタル衚面の少くずも䞀郚
をその埌の利甚前に浄化するための装眮及び事
前に補造したリヌドフレヌムが逆スパツタリング
によ぀お、はんだ付けのためプリント回路基板の
゜ケツト内ぞリヌドピンを挿入する前に浄化され
るようなプリント回路基板を補造するための改良
システムを意図しおいる。
プリント回路基板のピン受入れ゜ケツト内ぞリ
ヌドピンをはんだ付けする前にマルチリヌドのデ
ナアルむンラむン半導䜓パツケヌゞのリヌドピン
を浄化する方法は、真空チダンバを蚭ける工皋
デナアルむンラむン半導䜓パツケヌゞを真空チダ
ンバ内ぞ䜜業可胜に配眮する工皋逆スパツタリ
ングによ぀お、デナアルむンラむン半導䜓パツケ
ヌゞのリヌドピン衚面から汚染物を浄化する工
皋及びその埌のはんだ付け䜜業のため浄化した
半導䜓パツケヌゞを真空チダンバから取出す工
皋を含む。
又本発明は、陜極電極を蚭ける工皋デナアル
むンラむン半導䜓パツケヌゞの少くずも導電性リ
ヌドを陰極電極ずしお動䜜可胜に接続する工皋
チダンバを排気する工皋䞍掻性のむオン化可胜
気䜓を真空チダンバ内に導入する工皋陜極ず陰
極䞡電極間に電䜍を加え、䞡者間に電堎を圢成し
お䞍掻性気䜓をむオン化させるグロヌ攟電を発生
する工皋及び䞍掻性気䜓のむオン化によ぀お生
じた陜むオンを電堎を通じお加速し、浄化目的の
ためリヌドピンの少くずも遞定衚面にボンバヌド
する工皋を含むような浄化工皋を意図しおい
る。
曎に本システムは、浄化の前か埌のいずれか、
奜たしくは浄化䜜業の前のある時点におけるリヌ
ド曲げ䜜業及びカプセル封入プロセス時にプラ
スチツク材によ぀おカプセル封入されたリヌドフ
レヌムアセンブリのストリツプから、個々のデナ
アルむンラむン半導䜓パツケヌゞを分離する工皋
を意図しおいる。又本発明は、デナアルむンラむ
ン半導䜓パツケヌゞのカプセル封入郚分をマスク
し、同郚分を望たしくないむオンボンバヌドメン
トからシヌルドする工皋、及び真空チダンバ内を
倧気圧に戻し、チダンバを開き、はんだ付け䜜業
前にプリント回路基板のピン受入れ゜ケツト内ぞ
挿入するために浄化したデナアルむンラむン半導
䜓パツケヌゞを搬送する各最終工皋を意図しおい
る。曎に、浞挬はんだ付け、超音波はんだ付け、
手䜜業はんだ付け、自動はんだ付け等の任意の型
のはんだ付け䜜業を䜿甚できる。各皮異぀たマス
ク技法又はシヌルド技法も意図されおいる。
又本発明は、カプセル封入半導䜓郚分ずこのカ
プセル封入半導䜓郚分から延びた耇数の導電性リ
ヌドピンずを有するリヌドフレヌム組䜓の少くず
も遞定郚分を浄化するための方法であ぀お、真空
チダンバを蚭ける工皋、陜極電極を蚭ける工皋、
浄化すべきリヌドフレヌム組䜓を挿入する工皋、
陰極電極を圢成する工皋、真空チダンバを排気す
る工皋、むオン化可胜な䞍掻性気䜓を真空チダン
バ内ぞ導入する工皋、陜極ず陰極䞡電極間にDC
電䜍を印加し、䞡者間に電堎を圢成する工皋、䞊
蚘電堎内にグロヌ攟電を開始しお維持し、䞊蚘䞍
掻性気䜓をむオン化する工皋、浄化すべきリヌド
フレヌム組䜓の少くずも遞定衚面ぞ向か぀お陜む
オンを加速し、同衚面にボンバヌドさせおそこか
ら衚面汚染物ず䞍玔物を陀去する工皋、真空チダ
ンバ内を平垞圧に戻す工皋、その埌の凊理のため
浄化したリヌドフレヌム組䜓を取出す工皋、等を
含む。
曎に本方法は、リヌドフレヌム組䜓の導電性郚
分を陰極そのものずしお利甚するか、又はリヌド
フレヌム組䜓をマスク装眮内の陰極ず組合せお甚
い、カプセル封入郚分を望たしくないむオンボン
バヌドメントからシヌルドするこずを含む。
又本発明は、その埌の凊理前に逆スパツタリン
グによ぀お少くずもリヌドピンを浄化する工皋に
改良点があるような、リヌドフレヌム組䜓をカプ
セル封入するための改良方法を意図しおいる。実
際の方法の浄化工皋は䞊蚘した工皋ず同じで、そ
の埌に意図されおいる凊理は浞挬、超音波、手䜜
業等のはんだ付けである。
最埌に本発明は、プリント回路基板のリヌドピ
ン受入れ゜ケツト内ぞピンをはんだ付けしその埌
プリント回路を䜿甚する前に、デナアルむンラむ
ン半導䜓パツケヌゞの導電性メタルのリヌドピン
を゜ケツト内ぞはんだ付けするための方法であ぀
お、プリント回路゜ケツト内ぞピンを挿入する前
に、デナアルむンラむン半導䜓パツケヌゞの少く
ずもリヌドピン郚分の衚面汚染物を浄化する工皋
から成る点が改良された方法を意図しおいる。浄
化プロセスの各工皋は前蚘したものず同様なの
で、ここでは繰返さない。
又本発明は、䞊蚘した方法のシステムを利甚可
胜ずするシステム又は装眮を意図しおいる。
本発明のその他の利点及䟡倀ある特城は、以䞋
に瀺す奜たしい実斜䟋、請求の範囲及び図面の説
明から充分理解されよう。
実斜䟋 第図のプロセス流れ図は、半導䜓パツケヌゞ
の補造及び利甚䜜業党䜓のうち、ブロツクで
瀺したようにカプセル封入したリヌドフレヌム組
䜓を䞋型郚分から取出す工皋以降の䞀郚を瀺しお
いる。プロセス矢印は䟋えば、本願ず同時に
出願され、こゝに参考文献ずしお含める共同特蚱
出願「逆スパツタリングによる型浄化方法及び装
眮」に蚘したリヌドフレヌム組䜓をカプセル封入
぀たり型成圢する工皋から続いおいる。
カプセル封入の工皋埌、リヌドフレヌム組䜓を
型から取出したずき、残留プラスチツク材ずプラ
スチツク汚染物がリヌドフレヌム及び導電性メタ
ルの各リヌドピンの衚面䞊に残぀おいる。曎に、
油、グリヌス、埃、酞化物、硫化物、その他の酞
化生成物、CF4等別の汚染物や䞍玔物がリヌドピ
ンの衚面䞊に存圚するこずもある。こうした物質
は半導䜓装眮のその意図した目的の利甚にず぀お
有害で、はんだ付け䜜業前の浄化が絶察的に䞍可
欠である。
プロセスの第枝は参照番号で瀺した円囲
い文字“”で衚わしおあり、これはリヌドフレ
ヌム組䜓のストリツプが個々のカプセル封入した
リヌドフレヌム組䜓から分離されるブロツク
のプロセス工皋に進む。次に、プロセスブロツク
で瀺すように、逆スパツタリング工皋が斜さ
れリヌドピンを浄化しお、プラスチツク残留物及
びその他の衚面汚染物を取陀く。次いで、プロセ
スはブロツクで衚わしたその埌の凊理工皋ぞ
進む。ブロツクはリヌドピンの所望角床ぞの
曲げを衚わし、この工皋は矢印で瀺すように
スパツタリング䜜業の前に行぀おもよいが、矢印
で瀺すようにスパツタリング䜜業埌に行うの
が奜たしい。
第のプロセス路は、参照番号で衚わした
円囲い文字“”のルヌトに沿぀お逆スパツタリ
ングの工皋ぞ進み、ブロツクで瀺すように分
離工皋前にリヌドピンを浄化し、ブラスチツク残
留物及びその他の衚面汚染物を陀去する。ブロツ
クのプロセス工皋を出た凊理品は、ブロツク
で瀺したその埌の凊理ぞ盎接進む。リヌドフ
レヌム組䜓ストリツプを個々のカプセル封入した
リヌドフレヌム組䜓ぞ分離する工皋はブロツク
で衚わしおあり、点線の矢印は分離工皋が
ブロツクの浄化工皋埌又はブロツクの曲
げ工皋前に行い埗るこずを瀺しおいる。
ブロツクで衚わしたその埌の各皮凊理工皋
は、参照番号で瀺す円囲い文字“”で衚わ
された第の埌続凊理路を含む。凊理路䞭に
おいお、各リヌドピンをプリント回路基板のピン
受入れ゜ケツト内ぞ挿入する工皋がブロツク
で衚わしおある。次に、プリント回路基板゜ケツ
ト内のピンは、プロセスブロツク又は工皋で
瀺すように、浞挬はんだ付け、超音波はんだ付
け、手䜜業及び又はロボツトはんだ付け等によ
぀おはんだ付けされる。最埌に、ブロツクは
圓該分野で呚知のように、はんだ付けしたプリン
ト回路PC基板をその埌任意の数の利甚装
眮又は回路に甚いるこずを衚わしおいる。
円囲い文字“”で瀺したプロセス路は、
浄化した半導䜓装眮の貯蔵を衚わすブロツク
ぞ至る。円囲い文字“”で衚わした第のプロ
セス路で瀺すように、ブロツクの埌続凊
理に、ブロツクの梱包工皋ずそれに続くブロ
ツクの茪送及び販売工皋が含たれるこずもあ
る。
貯蔵ブロツクに぀ながる双方向路は、
党䜓のリヌドフレヌム又はリヌドフレヌム組䜓が
プリント回路基板等ぞの挿入前に貯蔵、貯蔵から
の取出し、分離、曲げ及び浄化を行えるように、
各郚品を貯蔵したり、䞊蚘のプロセスぞ戻すため
そこから取出し埗るこずを瀺しおいる。又点線の
矢印で瀺すように、貯蔵した半導䜓パツケヌ
ゞは远加の浄化を行぀おも行わなくおも、ブロツ
クの挿入ステツプぞ䟛絊できる。ブロツク
の貯蔵ステツプからブロツクの茪送ステツ
プぞ向かう点線のプロセス路は、半導䜓パツ
ケヌゞを貯蔵から取出し、販売等のために茪送で
きるこずを意味する。最埌に、点線のプロセス路
は、梱包した装眮を䜿甚又は販売前に貯蔵
ぞ戻せるこずを意味する。
第図は、第図の逆スパツタリング぀たり浄
化工皋であるブロツク内に含たれる各
工皋をい぀そう詳现に瀺しおいる。第図の逆ス
パツタリングプロセスは、ブロツクで瀺し
た真空チダンバを䞎える工皋及びブロツク
で瀺した真空チダンバ内に陜極電極を蚭ける工皋
を含む。陜極を蚭ける工皋のブロツクから
぀のプロセス路に分れ、第流路はで瀺
した円囲い文字“”で衚わしおある。プロセス
路はブロツクで瀺すように、浄化す
べきリヌドフレヌム組䜓を陰極ずしお真空チダン
バ内に接続する工皋ぞ進み、ブロツクはチ
ダンバを排気する工皋を瀺す。工皋はアル
ゎン等のむオン化可胜䞍掻性気䜓を真空チダンバ
内に導入するこずを衚わし、ブロツクは陜
極ず陰極䞡電極間に電堎を圢成するこずを衚わし
おいる。ブロツクは、むオンボンバヌドメ
ントによ぀お衚面汚染物を陀去するため、リヌド
ピンを含めた浄化すべきリヌドフレヌム組䜓の衚
面ぞ向か぀お陜むオンを加速する工皋を瀺す。ブ
ロツクは埌続凊理のため浄化したリヌドフ
レヌム組䜓を茪送する工皋を衚わし、プロセス路
は第図に瀺した曲げ、分離、包装、茪
送、貯蔵及び又ははんだ付け䜜業等の远加䜜業
ぞ至るプロセス路を瀺しおいる。
ブロツクからの第流路は円囲い文字
“”で衚わしおあり、参照番号が付しお
ある。第流路はブロツクの陰極電
極を蚭ける工皋ぞ進み、次にブロツクで瀺
すように䞡電極間の所望䜍眮に浄化すべきリヌド
フレヌム組䜓を接続する工皋ぞ進み、その埌ブロ
ツクの排気工皋で最初のプロセス路ぞ戻
る。䞊蚘プロセスに、ブロツク及び点線の矢
印で瀺すように、リヌドフレヌム組䜓を真
空チダンバぞ茪送しその内郚に挿眮する工皋を含
めおもよい。
曎に、䞊蚘プロセスに、浄化すべきリヌドフレ
ヌム組䜓の遞定領域をマスクし、同領域を望たし
くないむオンボンバヌドメントからシヌルドする
工皋を含めおもよい。この工皋はブロツク
で衚わしおあり、点線の矢印のごずくブロ
ツクの真空チダンバを蚭ける工皋の埌のプ
ロセスぞ接続されるものずしお瀺しおある。
ブロツクの加速工皋ずブロツクの
茪送工皋ずの間に挿入し埗る別の工皋には、ブロ
ツクに瀺したような真空チダンバ内を平垞
圧に戻す工皋ブロツクに瀺したようなチ
ダンバを開ける工皋及びブロツクに瀺し
たような浄化埌のカプセル封入リヌドフレヌム組
䜓を真空チダンバから取出す工皋が含たれる。点
線の矢印は、ブロツク及び
の各工皋がブロツクの茪送工皋の前
でプロセスに含たれるこずを瀺しおいる。
第図は、真空チダンバ、真空゚ンクロヌゞダ
又はベルゞダヌを備えた逆スパツタリング装
眮を瀺しおいる。真空チダンバは、支持
ベヌスず、チダンバのベヌス呚囲に䜍眮
しおそこから゚アが挏れるのを防ぐ圧着シヌル
ずを有する。支持ベヌスは、導管を介
し真空ポンプず連通する真空ポヌトを有
する。真空圧は圓該分野で通垞知られおいるよう
に、真空圧匁及び蚈噚によ぀お枬定制埡され
る。支持ベヌスは又、導管を介しお䞍掻
性気䜓のリザヌバぞ動䜜接続された䞍掻性気
䜓導入ポヌト぀たり入口を有する。奜たしい
実斜䟋においお、䞍掻性気䜓リザヌバは任意
のむオン化可胜な䞍掻性気䜓を含み埗るが、アル
ゎン等“重い”䞍掻性気䜓の方がむオン化過皋䞭
より効率的な浄化のためより倚くのむオンを発生
するので奜たしい。真空チダンバ内ぞ入る䞍
掻性気䜓の量は、入口ポヌトず気䜓リザヌバ
の間の導管䞭に動䜜可胜に蚭けられた通
垞の䞍掻性気䜓匁及び蚈噚によ぀お制埡され
る。非垞に小さい氎銀単䜍の圧力を流定可胜であ
れば、Whitney瀟のマむクロメヌタニヌドル匁
等、呚知な任意の型のマむクロメヌタニヌドル匁
を䜿甚できる。
陰極装眮は、高圧フむヌドスルヌ電極
、シヌル及び䞭空の非導電性陰極支持郚材
又はフレヌムを含むものずしお瀺しおある。
陰極支持フレヌムはその䞭空内郚を介し、陰
極をフむヌドスルヌ端子ぞ物理的に支持
するず共に電気的に接続する。本発明の奜たしい
実斜䟋においお、浄化すべきリヌドフレヌム組䜓
぀たり各リヌドピンのメタル衚面が実際の陰極ず
なるように、陰極が電気的に接続される。䟋
えば第図においお、陰極は半導䜓パツケヌ
ゞのカプセル封入郚を含たなくおもよいが、
少くずもその導電性リヌドピンを含んでい
る。
陜極組䜓は、高圧フむヌドスルヌ電極
シヌル及び党䜓に䞭空の陜極サポヌト又
はフレヌム郚材から成る。陰極はサポヌ
トぞ物理的に固定され、サポヌトの䞭空
郚を介しお高圧ピンぞ電気的に接続されおい
る。
高圧DC電源等の電源の正端子が陜極のフ
むヌドスルヌ電極に接続され、負端子が陰極
のフむヌドスルヌ電極に接続されおいる。こ
れによ぀お、陜極ず陰極組䜓の間に電堎
が圢成される。この電堎が䞡電極間に
グロヌ攟電、アヌク攟電又はプラズマを圢成
し、真空チダンバ内の䞍掻性気䜓をむオ
ン化しお、陜むオンず電子図瀺せずを発
生する。陜むオンは陜極ず陰極間の電堎
により陰極ぞ向か぀お加速され、導電性のメタル
リヌドピン衚面にボンバヌドされお、プラスチツ
ク残留物、酞化物等の衚面汚染物を浄化し残らず
陀去する。
第図は、むオンボンバヌドメントがプラスチ
ツクのカプセル封入郚分等望たしくない衚面郚分
に衝突するのをマスク又はシヌルドずしお、同郚
分が劣化や砎損を生じないように、リヌドフレヌ
ム組䜓぀たりデナアルむンラむン半導䜓パツケヌ
ゞをマスクする䞀぀の方法を瀺しおいる。第図
䞭、第図ず同じ参照番号は同様の郚分を衚わ
し、真空チダンバは远加のマスク組䜓
を含むものずしお瀺しおある。マスク組䜓
は、フむヌドスルヌ電極、シヌル、
及び䞭空のサポヌトから成る。
䞭空サポヌトはそれに取付けられた導電
性マスクを有し、このマスクはサポ
ヌトの䞭空郚を介しおフむヌドスルヌ端子
ぞ電気的に接続されおいる。導電性マスク
は耇数の䞭空郚又は開口を有し、
こゝを通過した陜むオンが浄化されおいるリヌド
フレヌム組䜓の遞定衚面に衝突し、そこを浄化す
る。䞭実郚が、ボンバヌドメントによ぀お
害を受けるリヌドフレヌム組䜓郚分ぞ陜むオンが
マスクを通過しおボンバヌドするのを防ぐ。
第図の回路は、䞭空の陰極サポヌトぞ動
䜜可胜に電気接続されたリヌドフレヌム組䜓
ず、リヌドフレヌム組䜓䞊及び近傍ぞ動
䜜可胜に装着された比范的薄い非導電性の絶瞁マ
スクを瀺しおいる。マスクは開口
を有し、こゝを通぀たむオンが導電性のメタ
ルリヌドピン等リヌドフレヌム組䜓の遞定郚分を
浄化する䞀方、䞭実郚がリヌドフレヌム組
䜓のカプセル封入プラスチツク郚分をむオンボン
バヌドメントからシヌルドする。
第図はリヌドフレヌム組䜓ストリツプの䞀郚
を瀺しおおり、リヌドフレヌムは䜜業可胜に露出
された集積回路郚分を有し、型成圢又はカプセル
封入プロセスを通り、そこでプラスチツク郚分
ずしお瀺すように、入出力リヌド
郚分及び集積回路郚分がカプセル封入される。メ
タルのサむドフレヌムがストリツプを䞀䜓
状に保持し続け、カプセル封入半導䜓パツケヌゞ
がそれぞれ耇数の導電性リヌドピ
ンを有し、これらのリヌドピンは
隣接ピン間で噛合い構成ずなるように亀互に圢成
されおいる。カプセル封入回路の反察偎の
ピン及びカプセル封入郚分の反察偎
のピンは、ストリツプに沿぀た曎に別のカ
プセル封入郚分䞍図瀺ず察応しおいる。
カプセル封入又は型成圢䜜業の完了埌、プラス
チツク材ずプラスチツク残留物曎にゎミ、グリヌ
ス、油、埃等の物理的汚染物や酞化物を含む化孊
的な酞化副生成物、硫化物、及びCF4等プロセス
生成物が、リヌドピン
の衚面䞊に残る。こうしたプラスチツク材
や残留物又は汚染物の存圚ははんだ付けを䞍胜ず
し、回路の性胜をひどく害するため、ピンはどん
な目的にせよ装眮を䜿甚する前に浄化しなければ
ならない。
第図に、呚囲にリヌドフレヌム郚分を
尚有し䞔぀延出した耇数のリヌドピンを有
するカプセル封入郚を含む個のリヌドフ
レヌム組䜓を瀺しおいる。リヌドピン
は、その埌の䜿甚前に浄化しなければならな
い。
最埌に第図は、最終的なデナアルむンラむン
半導䜓パツケヌゞを瀺しおおり、集積回路
を内蔵するカプセル封入本䜓郚分がその反
察䞡偎から延びた耇数のリヌドピンを有す
る。奜たしい実斜䟋においお、リヌドピン
は通垞所定の角床に曲げられ、䞊方郚がカ
プセル封入本䜓郚分の偎方からわずかな距
離だけ延び、゜ケツトず係合する现長いピン郚
がそこから䞋方ぞ延び、はんだ付け又はその
他の電気的接続のためプリント回路基板の゜ケツ
ト又は開口内ぞの挿入に適するようにされおい
る。
発明の効果 本発明の方法及び装眮は、はんだ付け䜜業等の
前に半導䜓パツケヌゞ、リヌドフレヌム等の少く
ずも遞定郚分から衚面汚染物を浄化するための極
めお優れた、也匏の、安䟡で、保守が少くお枈
み、䜎コストのシステムを可胜ずする。こゝで甚
いた逆スパツタリング法は、高速、倧容量の連続
的なラむン工皋で䜿甚できるず共に、はんだ接続
を改善する高床の衚面玔床、䜎い䞍合栌぀たり䞍
良率、及び半導䜓パツケヌゞを甚いた高床回路の
高い歩留りを䞎えるような極めお効率的な浄化方
法を提䟛する。埓来䜿われおいた匷い化孊的及び
機械的な凊理が避けられるため、パツケヌゞぞの
損傷を防ぎ、䜜業コストを枛じるず同時に、プロ
セスの速床を高める。
本発明の奜たしい実斜䟋を瀺す目的で䞊蚘した
特定の方法及び装眮から、特蚱請求の範囲によ぀
おのみ限定される本発明の䞻旚ず範囲を逞脱する
こずなく、各皮の倉曎及び倉圢がこゝに開瀺した
方法及び装眮においお可胜なこずは圓業にず぀お
容易に明らかずなろう。
【図面の簡単な説明】
第図は半導䜓パツケヌゞを補造し、それをプ
リント回路の圢で利甚する党プロセスをブロツク
の圢で瀺したプロセスフロヌ図第図は第図
のブロツクの逆スパツタリング䜜業を
ブロツクの圢で瀺したプロセスフロヌ図第図
は本発明を実斜するための装眮の単玔化した圢の
抂略図で、プロセスが実斜される環境を瀺す図
第図は第図の真空チダンバ装眮で䜿甚可胜な
倉圢陰極組䜓及びマスク装眮の単玔化した圢の郚
分抂略図第図は本発明の方法及び装眮によ぀
お浄化すべきカプセル封入リヌドフレヌム組䜓ス
トリツプの䞀郚の郚分砎断斜芖図第図は本発
明の方法及び装眮によ぀お浄化すべき延出したリ
ヌドピンを有するデナアルむンラむン半導䜓パツ
ケヌゞの郚分砎断斜芖図及び第図は埌続のは
んだ付けのためプリント回路基板内ぞ挿着すべ
く、所望の角床に曲げられたリヌドピンを有する
最終的なデナアルむンラむン半導䜓パツケヌゞの
斜芖図である。   真空チダンバ真空゚ンクロヌゞダ手
段、〜  排気手段、〜  
䞍掻性気䜓䟛絊手段、  陰極接続手段、
  陰極手段リヌドフレヌム組䜓、 
 䞍掻性気䜓、  陜極手段、  陜む
オン、  プラズマ攟電、  電䜍印加
手段、〜 
 リヌドピン、  デナアルむンラむン半
導䜓パツケヌゞ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  カプセル封入半導䜓パツケヌゞず、該カプセ
    ル封入半導䜓パツケヌゞから延びた耇数の導電性
    リヌドピンを有するリヌドフレヌム組䜓の少なく
    ずも遞択された郚分を浄化する浄化方法であ぀
    お、 真空チダンバを蚭ける工皋 陜極を蚭ける工皋 浄化すべき䞊蚘リヌドフレヌム組䜓を真空チダ
    ンバに挿入する工皋 䞊蚘リヌドフレヌム組䜓の少なくずも䞀郚に陰
    極を蚭ける工皋であ぀お、該工皋が䞊蚘リヌドフ
    レヌム組䜓の少なくずも䞀郚を陰極支持手段䞊に
    物理的に配眮し電気的に接続し、か぀負電圧源に
    連結しお陰極を圢成するステツプず、䞊蚘リヌド
    フレヌム組䜓を陰極ずしお接続するステツプ、陜
    極ず陰極の間に導電性マスクを䜜動的に配眮しお
    䞊蚘リヌドフレヌム組䜓の少なくずも䞀郚を奜た
    しくないむオン衝撃から遮蔜するステツプを包含
    するこず 䞊蚘真空チダンバを排気する工皋 むオン化した䞍掻性ガスを䞊蚘真空チダンバに
    導入する工皋 陜極ず陰極の間に盎流電圧を䞎えおその間に電
    堎を぀くる工皋 䞊蚘䞍掻性ガスをむオン化するために䞊蚘電堎
    内にグロり攟電を発生させ維持する工皋 䞊蚘䞍掻性ガスをむオン化しお生じた正むオン
    を䞊蚘リヌドフレヌム組䜓の少なくずも遞択され
    た郚分に向けお加速し、䞊蚘正むオンによ぀お䞊
    蚘リヌドフレヌム組䜓に衝撃を䞎えお衚面の汚れ
    や䞍玔物を取り陀く工皋 䞊蚘真空チダンバを通垞の圧力に戻す工皋 浄化された䞊蚘リヌドフレヌム組䜓を次の凊理
    のために取出す工皋及び 電気的に絶瞁のマスクを䞊蚘リヌドフレヌム組
    䜓の䞊に配眮し、該絶瞁マスクの開口を導電性マ
    スクの開口ず敎列させおリヌドピンのような遞択
    された領域だけが正むオンによ぀お衝撃を受ける
    こずを確保する工皋 を有するこずを特城ずする浄化方法。  集積回路をリヌドフレヌム組䜓の入出力リヌ
    ドに䜜動的に接続するステツプ、導電性金属リヌ
    ドピンがそこから突出させお䞊蚘リヌドフレヌム
    組䜓の集積回路ずリヌド郚分をプラスチツク材料
    によ぀おカプセル封入し、各リヌドフレヌム組䜓
    をリヌドフレヌム組䜓のストリツプから分離する
    ステツプ、各半導䜓パツケヌゞのリヌドピンを予
    め定めた所望の角床に曲げるステツプ、次の凊理
    の前にリヌドピを浄化するステツプを包含する、
    リヌドフレヌム組䜓を回路の䞭で䜿甚するデナア
    ルむンラむン半導䜓パツケむゞの䞀郚ずしお䜿甚
    する方法においお、 真空チダンバを蚭ける工皋 陜極を蚭ける工皋 浄化すべき䞊蚘リヌドフレヌム組䜓を䞊蚘真空
    チダンバに挿入する工皋 䞊蚘リヌドフレヌム組䜓を䜿甚しお陰極を圢成
    する工皋 䞊蚘真空チダンバを排気する工皋 むオン化した䞍掻性ガスを排気された真空チダ
    ンバに導入する工皋 陜極ず陰極の間に盎流電圧を䞎えおその間に電
    堎を぀くる工皋 䞊蚘䞍掻性ガスをむオン化するために䞊蚘電堎
    内にグロり攟電を発生させ維持する工皋 浄化すべき䞊蚘リヌドフレヌム組䜓の少なくず
    も遞択された衚面郚分に向けお正むオンを加速し
    お䞊蚘正むオンによ぀お䞊蚘リヌドフレヌム組䜓
    に衝撃を䞎えお衚面の汚れや䞍玔物を取り陀く工
    皋 䞊蚘真空チダンバを通垞の圧力に戻す工皋 浄化された䞊蚘リヌドフレヌム組䜓を次の凊理
    のために取出す工皋 電気的に絶瞁のマスクを䞊蚘リヌドフレヌム組
    䜓の䞊に配眮し、絶瞁マスクの開口が導電性マス
    クの開口に抂ね察応させか぀敎列させるこずによ
    ぀おリヌドピンのような遞択された領域だけが正
    むオンによ぀お衝撃を受けるこずを確保する工
    皋 䞊蚘半導䜓パツケヌゞの折り曲げられ䞔぀浄化
    されたリヌドピンをプリント回路板のピン受け入
    れ゜ケツトに挿入する工皋さらにその埌 機械的及び電気的はんだ付けによ぀お䞊蚘リヌ
    ドピンを䞊蚘゜ケツト内にはんだ付けする工皋か
    らなり、 䞊蚘陰極を構成する工皋が、(a)䞊蚘リヌドフレ
    ヌム組䜓の少なくずも䞀郚を䞊蚘陜極から間隔を
    おいお電気的に接続し䞔぀物理的に䜍眮決めし、
    䞔぀䞊蚘リヌドフレヌム組䜓の少なくずも䞀郚を
    電気的に接続しお陰極芁玠を構成するこず、(b)侊
    蚘リヌドフレヌム組䜓を陰極芁玠ずしお接続する
    こず、(c)䞊蚘陜極ず䞊蚘陰極の䞭間に、開口を有
    する導電性マスクを䜜動的に配眮しお䞊蚘リヌド
    フレヌム組䜓の少なくずも䞀郚を奜たしくないむ
    オン衝撃から遮蔜するこずを包含するこずを特城
    ずするデナアルむンラむン半導䜓パツケヌゞの䞀
    郚ずしおリヌドフレヌム組䜓を䜿甚する方法。
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GB2159753A (en) 1985-12-11

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