JPH0262853A - 含フッ素酸アミド誘導体及びその製造方法 - Google Patents

含フッ素酸アミド誘導体及びその製造方法

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JPH0262853A
JPH0262853A JP21159588A JP21159588A JPH0262853A JP H0262853 A JPH0262853 A JP H0262853A JP 21159588 A JP21159588 A JP 21159588A JP 21159588 A JP21159588 A JP 21159588A JP H0262853 A JPH0262853 A JP H0262853A
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JP
Japan
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group
carbon atoms
fluorine
formula
acid amide
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Application number
JP21159588A
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English (en)
Inventor
Hideo Sawada
英夫 沢田
Motohiro Mitani
元宏 三谷
Kazuko Akusawa
阿久澤 和子
Masaharu Nakayama
中山 雅陽
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NOF Corp
Original Assignee
Nippon Oil and Fats Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、含フッ素酸アミド誘導体及びその製造方法に
関する。
〈従来の技術〉 有機化合物中に、フルオロアルキル基を含有する化合物
は、生理活性作用等を有するものとして近年注目されて
いる。特に酸アミド化合物中にフルオロアルキル基が導
入された含フッ素酸アミド誘導体は、医薬、農薬、撲水
撲油剤等の合成中間体として有用であると考えられる。
しかしながら、どのようにしてフルオロアルキル基を酸
アミド化合物中に選択的に導入するかが問題であって、
これまでにそうしたフルオロアルキル基の導入を容易か
つ高収率で行なう方法及びその方法によって得られた含
フッ素酸アミド誘導体は殆んど知られていないのが実状
である。
〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、撲水疾油剤、医薬、農薬等の合成中間
体として利用可能な含フッ素酸アミド誘導体及びその製
造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、反応触媒及び特殊な装置を用いず
、高収率かつ容易に含フッ素酸アミド誘導体及びその製
造方法を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 本発明によれば、一般式(I) (式中、Rユは炭素数1〜10のアルキル基若しくはフ
ルオロアルキル基を示し、R2はハロゲン原子、炭素数
1〜4のアルキル基、ニトロ基、シアノ基、炭素数1〜
4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアルコキシカルボニ
ル基、カルボン酸基、水酸基又は炭素数1〜4のアルカ
ンスルホニル基を示す、またXはフッ素原子、塩素原子
又は水素原子を示し、n工は1〜10の整数を、R2は
0〜4の整数を示す。)で表わされる含フッ素酸アミド
誘導体が提供される。
また本発明によれば、一般式(■) を示す。またXはフッ素原子、塩素原子又は水素原子を
示し、nlは1〜10の整数を、n、は0〜2の整数を
、R4はO又は1を示す。)で表わされる含フッ素酸ア
ミド誘導体が提供される。
更に本発明によれば、一般式(III)(式中、Xはフ
ッ素原子、塩素原子、水素原子を示し、R4は1〜10
の整数を示す。)で表わされるジ(ハロアシル)ペルオ
キシドと。
一般式(IV)又は(V) (式中、R□は炭素数1〜10のアルキル基若しくはフ
ルオロアルキル基を示し、R2及びR1はハロゲン原子
炭素数1〜4のアルキル基、ニトロ基、シアノ基、炭素
数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアルコキシカ
ルボニル基、カルボン酸基、水酸基又は炭素数1〜4の
アルカンスルホニル基又は (式中、R1は炭素数1〜10のアルキル基若しくはフ
ルオロアルキル基を示し、R2及びR3はハロケン原子
、炭素数1〜4のアルキル基、ニトロ基、シアノ基、炭
素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアルコキシ
カルボニル基、カルボン酸基、水酸基又は炭素数1〜4
のアルカンスルホニル基を示す。またR2はO〜4の整
数を、n、はO〜2の整数を示す。)で表わされる酸ア
ミド化合物とを反応させて、前記一般式(I)又は(■
)で示される含フッ素酸アミド誘導体を製造することを
特徴とする方法が提供される。
以下本発明を更に詳細に説明する。
本発明の含フッ素酸アミド誘導体は、下記一般式(I)
又は(II)で表わすことができ、式中R工はメチル基
、エチル基、プロピル基、ブチル基、プロピル基、ヘキ
シル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の炭素数1
〜10のアルキル基若しくはペルフルオロメチル基、ペ
ルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフ
ルオロブチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオ
ロエチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノ
ニル基、ペルフルオロデシル基等の炭素数1〜10のフ
ルオロアルキル基を示し、R2及びR1はフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子からなるハロゲン原子
、メチル基、工チル基、n−プロピル基、i−プロピル
基、n−ブチル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4のア
ルキル基、メトキシ基、エトキシ基、i−プロポキシ基
、t−ブトキシ基等の炭素数L〜4のアルコキシ基、メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロ
ポキシカルボニル基、j−プロポキシカルボニル基、n
−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等
の炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基、ニトロ基、
シアノ基、カルボン酸基、水酸基又はメタンスルホニル
基、エタンスルホニル基、n−プロパンスルホニル基。
n−ブタンスルホニル基、t−ブタンスルホニル基等の
炭素数1〜4のアルカンスルホニル基を示す。またXは
フッ素原子、塩素原子又は水素原子を示し、n工は1〜
10の整数を、R2はO〜4の整数を、R3はO〜2の
整数を、R4は0又は1を示す。この際R1のアルキル
基又はフルオロアルキル基の炭素数が11以上、R2及
びR□のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボ
ニル基又はアルカンスルホニル基の炭素数が5以上の場
合には、製造が困難であるので使用できない。前記一般
式(I)又は(It)で示される含フッ素酸アミド誘導
体において、適用可能な含フツ素脂肪族基、即ち一般式
X(CF、)n、−は、CF3F(CF、)、−、F(
CF、)3−、F(CF2)4−F (CFz)s  
、 F (CFIL  、 F (CF2)7−F(C
F2)s−F(CF、)!−1p(cF2)to−CQ
CF2−1CQ (CF2)、−、CQ (CF、)、
−Cfl (CF2)、−1CQ (CF、)s−CQ
 (CF、)、−1Cfl (CF2)7−1CQ (
CF、)。
、CΩ(CF、)、+、CQ(CF2)□。
HCF2−1H(CFり!−1H(CF2)、−H(C
F、)4−1H(CF2)5−1H(CF2)−−(C
F2L−2H(CF 2)I  、 H(CF x)9
−H(CF、)、、−がある。この際、含フツ素脂肪族
基の炭素数、即ちnlが10を超える場合には、溶媒に
対する溶解性が低下するので使用できない。
本発明の製造方法では、特定のジ(ハロアシル)ペルオ
キシドと特定の酸アミド化合物とを反応させて、前記一
般式(I)又は(I1)で示される含フッ素酸アミド誘
導体を製造する。
本発明に用いる下記一般式(III)において、NHd
R工 式中、Xはフッ素原子、塩素原子又は水素原子を示し、
niは1〜10の整数を示す。n工が11以上の場合は
、溶媒の存在下において反応させる際に前記一般式(m
)にて示されるジ(へロアシル)ペルオキシドの溶解性
が不足するので使用できない。前記一般式CDI)で示
されるジ(ハロアシル)ペルオキシドのX (CF 2
)n□−は、前記一般式(I)又は(II)中の含フツ
素脂肪族基から適宜選択して用いることができる。
本発明に用いる前記特定の酸アミド化合物は。
下記一般式(IV)又は(V)で表わすことができ、(
RJnz 式中R□はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
、プロピル基、ヘキシル基、オ゛クチル基、ノニル基、
デシル基等の炭素数1〜10のアルキル基若しくはペル
フルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオ
ロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロプ
ロピル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロオク
チル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基
等の炭素数1〜10のフルオロアルキル基を示し、R2
及びR1は)、ツ素原子、塩素原子、臭素原子。
ヨウ素原子からなるハロゲン原子、メチル基、エチル基
、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、t
−ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基、メトキシ基
、エトキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基等の
炭素数1〜4のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、
i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル
基。
t−ブトキシカルボニル基等の炭素数1〜4のアルコキ
シカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、カルボン酸基、
水酸基又はメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、
n−プロパンスルホニル基。
n−ブタンスルホニル基、t−ブタンスルホニル基等の
炭素数1〜4のフルカンスルホニル基を示す。またR2
はO〜4の整数を、n、は0〜2の整数を示す。この際
R1のアルキル基又はフルオロアルキル基の炭素数が1
1以上、R2及びR1のアルキル基、アルコキシ基、ア
ルコキシカルボニル基又はアルカンスルホニル基の炭素
数が5以上の場合には、製造が困難であるので使用でき
ない。
本発明において、前記ジ(ハロアシル)ペルオキシドと
前記−最大(rV)又は(V)で示される酸アミド化合
物とを′反応させるにあたり、前記ジ(ハロアシル)ペ
ルオキシドと前記酸アミド化合物との仕込みモル比はL
l:0.5〜1oが好ましく、特に1:1〜5であるこ
とが望ましい。前記モル比が0.5未満では生成する含
フツ素芳香族誘導体の収率が低下する傾向にあり、また
10を超えると反応終了後の未反応酸アミド化合物が残
存し、目的とする生成物の単離が困難となるので好まし
くない。また、反応は常圧で行なうことが可能であり、
かつ反応温度は通常O〜150℃、好ましくは10〜1
00℃の範囲であることが望ましい。前記反応温度が0
℃未満では反応時間が長くなる傾向にあり、逆に150
’Cを越えると反応時の圧力が高くなり1反応操作が困
難であるので好ましくない。更に又反応時間は通常30
分〜20時間の範囲で行うことができるが、実用的には
3〜10時間になるように条件を設定することが好まし
い。
本発明の製造法では、前記夫々の反応条件下において、
前記ジ(ハロアシル)ペルオキシドと前記酸アミド化合
物とを反応させることにより、目的の含フッ素酸アミド
誘導体を得ることができるが、前記ジ(ハロアシル)ペ
ルオキシドの取り扱が、前記ジ(ハロアシル)ペルオキ
シドの取り扱い及び反応を、よりすみやかに行うために
溶媒を用いることが好ましい。前記溶媒としては水素原
子を含有しないハロゲン化脂肪族溶媒が特に好ましく、
具体的には例えば2−クロロ−1,2−ジブロモ−1,
1,2−トリフルオロエタン、1゜2−ジブロモへキサ
フルオロプロパン、1.2−ジブロモテトラフルオロエ
タン、1,1−ジフルオロテトラクロロエタン、1,2
−ジフルオロテトラクロロエタン、フルオロトリクロロ
メタン。
ヘプタフルオロ−2,3,3−トリクロロブタン。
1.1.l、3−テトラクロロチ1〜ラフルオロプロパ
ン、l、1.l−トリクロロペンタフルオロプロパン、
1,1.2−トリクロロトリフルオロエタン等を用いる
ことができ、特に工業的には、1.1.2−トリクロロ
トリフルオロエタンを好ましく挙げることができる。前
記溶媒を使用する場合、通常溶媒中の前記ジ(へロアシ
ル)ペルオキシドの濃度が2〜30%程度であることが
望ましい。
知の方法により精製することが可能である。
〈発明の効果〉 本発明の含フッ素酸アミド誘導体は、撲水撲油剤、医薬
、農薬等の合成中間体として利用することができる。ま
た本発明の製造方法により含フッ素酸アミド誘導体を、
短時間で高収率且つ容易に、しかも反応触媒及び特殊な
装置を使用せずに製造することができる。更に本発明の
含フッ素酸アミド誘導体は、アルカリ性条件下で処理す
ることにより容易にフッ素アニリン誘導体に変換するこ
ともできる。
〈実施例〉 以下本発明を実施例及び比較例にもとづいて具体的に説
明する。なお実施例、比較例、参考例の原料、反応条件
、反応生成物を表1に、また反応生成物のGC−MS、
IR,NMR,元素分析データを表2に示す。
失五■上 ビス(ヘプタフルオロブチリル)ペルオキシド0.85
g (2mmoQ)を含む1,1.2−ト0.85g 
(2mmon)を含む1.l、2−トリクロロトリフル
オロエタン溶液25g中にアセトアニリド0.41g 
(3mmoQ)を加え、窒素気流下、40℃、5時間反
応させた0反応終了後反応生成物を30mQの水で洗浄
を行ない、硫酸マグネシウムで乾燥後、反応生成物をガ
スクロマトグラフィー、GC−MS、IR,NMR,元
素分析により分析した結果、ヘプタフルオロプロピルア
セトアニリドが96%の収率で得られた。
失産涯1 ビス(ヘプタフルオロブチリル)ペルオキシドを、ビス
(ペンタデカフルオロオクタノイル)ペルオキシドに代
えた以外は、実施例1と同様に反応を行ない、得られた
生成物の分析を行った。
失胤!二上I アセトアニリドをフェニルプロピオニルアミン、トリフ
ルオロアセトアニリド、m−クロロアセトアニリド、2
−ヒドロキシ−5−クロロアセトアニリド、3−メチル
アセトアニリド、4−ニトロアセトアニリド、3−シア
ノアセトアニリド、3ニルアセトアニリド、アセトアニ
リド−3−カルボン酸、4−メタンスルホニルアセトア
ニリド、1−アセチルアミノナフタレン、1−アセチル
アミノ−7−メチルナフタレン、1−7セチルアミノー
7−ヒドロキシナフタレン、1−アセチルアミノ−4−
クロロ−7−ヒトロキシーナフタレンに代えた以外は表
1に示す条件で実施例1と同様に反応を行ない、得られ
た生成物の分析を行った。
来1■上旦二よ旦 ビス(ヘプタフルオロブチリル)ペルオキシドを、ゼス
(4−クロロへキサフルオロブチリル)ペルオキシド、
ビス(4−H−へキサクロロブチリル)ペルオキシドに
代えた以外は表1に示す条件で実施例1と同様にそれぞ
れ反応を行ない、得られた生成物の分析を行った。
失胤■ス立 ビス(ヘプタフルオロブチリル)ペルオキシドを、ビス
(トリフルオロアセチル)ペルオキシドに代え、反応温
度を40℃から70℃に代えた以外は表1に示す条件で
実施例1と同様に反応を行外は表1に示す条件で実施例
1と同様に反応を告ない、得られた生成物の分析を行っ
た。
よ絞匠エ ビス(ヘプタフルオロブチリル)ペルオキシドをベンゾ
イルペルオキシドに代えた以外は、表1に示す条件で実
施例1と同様に反応を行ない、生成物の分析を行った。
その結果、フェニル基がフェノールに導入された生成物
の収率は2%であった。
従ってフッ素置換されていないジアシルペルオキシドを
用いた場合には、目的とする反応はほとんど進行しない
ことが確認された。
歩」J12 実施例1により得られたヘプタフルオロプロピルアセト
アニリド0.91g (3mmoQ)の塩化メチレン溶
液20mQを20%水酸化ナトリウム水溶液5〇−中に
添加し、撹拌下50℃、5時間反応させた0反応後、常
法に従い生成物の分析を行なった結果、ヘプタフルオロ
プロピルアニリンが98%の収率で得られた。
前述の参考例1より、本発明の含フッ素酸アミド誘導体
をアルカリ溶液と反応させることにより、容易に含フツ
素アニリン誘導体に変換できることが判明した。
(以下余白)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・( I ) (式中、R_1は炭素数1〜10のアルキル基若しくは
    フルオロアルキル基を示し、R_2はハロゲン原子、炭
    素数1〜4のアルキル基、ニトロ基、シアノ基、炭素数
    1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアルコキシカル
    ボニル基、カルボン酸基、水酸基又は炭素数1〜4のア
    ルカンスルホニル基を示す。またXはフッ素原子、塩素
    原子又は水素原子を示し、n_1は1〜10の整数を、
    n_2は0〜4の整数を示す。)で表わされる含フッ素
    酸アミド誘導体。 2)一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・(II) (式中、R_1は炭素数1〜10のアルキル基若しくは
    フルオロアルキル基を示し、R_2及びR_3はハロゲ
    ン原子炭素数1〜4のアルキル基、ニトロ基、シアノ基
    、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアルコ
    キシカルボニル基、カルボン酸基、水酸基又は炭素数1
    〜4のアルカンスルホニル基を示す。またXはフッ素原
    子、塩素原子又は水素原子を示し、n_1は1〜10の
    整数を、n_3は0〜2の整数を、n_4は0又は1を
    示す。)で表わされる含フッ素酸アミド誘導体。 3)一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・(III) (式中、Xはフッ素原子、塩素原子、水素原子を示し、
    n_1は1〜10の整数を示す。)で表わされるジ(ハ
    ロアシル)ペルオキシドと、一般式(IV)又は(V) ▲数式、化学式、表等があります▼・・(IV) 又は ▲数式、化学式、表等があります▼・・(V) (式中、R_1は炭素数1〜10のアルキル基若しくは
    フルオロアルキル基を示し、R_2及びR_3はハロゲ
    ン原子、炭素数1〜4のアルキル基、ニトロ基、シアノ
    基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアル
    コキシカルボニル基、カルボン酸基、水酸基又は炭素数
    1〜4のアルカンスルホニル基を示す。またn_2は0
    〜4の整数を、n_3は0〜2の整数を示す。)で表わ
    される酸アミド化合物とを反応させて、 一般式( I )又は(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・( I ) 又は ▲数式、化学式、表等があります▼・・(II) (式中、R_1は炭素数1〜10のアルキル基若しくは
    フルオロアルキル基を示し、R_2及びR_3はハロゲ
    ン原子、炭素数1〜4のアルキル基、ニトロ基、シアノ
    基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のアル
    コキシカルボニル基、カルボン酸基、水酸基又は炭素数
    1〜4のアルカンスルホニル基を示す。またXはフッ素
    原子、塩素原子又は水素原子を示し、n_1は1〜10
    の整数を、n_2は0〜4の整数を、n_3は0〜2の
    整数を、n_4は0又は1を示す。)で表わされる含フ
    ッ素酸アミド誘導体を製造することを特徴とする方法。
JP21159588A 1988-08-27 1988-08-27 含フッ素酸アミド誘導体及びその製造方法 Pending JPH0262853A (ja)

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