JPH0262797A - Dynamic type shift register - Google Patents
Dynamic type shift registerInfo
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- JPH0262797A JPH0262797A JP63213988A JP21398888A JPH0262797A JP H0262797 A JPH0262797 A JP H0262797A JP 63213988 A JP63213988 A JP 63213988A JP 21398888 A JP21398888 A JP 21398888A JP H0262797 A JPH0262797 A JP H0262797A
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- nand circuit
- signal
- clock
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、論理回路に適用されるダイナミック形シフト
レジスタに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a dynamic shift register applied to logic circuits.
従来の技術
以下に従来のダイナミック形シフトレジスタについて説
明する。2. Description of the Related Art A conventional dynamic shift register will be explained below.
第3図は従来のダイナミック形シフトレジスタの構成図
であり、31はインバータ、16はトランスファーゲー
トである。第4図は従来例の具体的な回路図であり、1
1はデータ入力端子、12はクロック入力端子、13は
逆相クロック入力端子、14はデータ出力端子、21は
電源端子、22は接地端子、23はデイプレッション型
MOSトランジスタ、24はエンハンスメント型MOS
トランジスタである。FIG. 3 is a block diagram of a conventional dynamic shift register, in which numeral 31 is an inverter and numeral 16 is a transfer gate. FIG. 4 is a specific circuit diagram of a conventional example.
1 is a data input terminal, 12 is a clock input terminal, 13 is a negative phase clock input terminal, 14 is a data output terminal, 21 is a power supply terminal, 22 is a ground terminal, 23 is a depletion type MOS transistor, and 24 is an enhancement type MOS transistor.
It is a transistor.
第5図のタイミングチャートのように、クロック入力と
逆相クロック入力とデータ入力が印加されると、ノード
dは、データ入力がローレベルからハイレベルになると
き、ハイレベルからローレベルとなる。その後、クロッ
ク入力がハイレベルになると、ノードeがローレベルと
なり、ノードfがハイレベルとなる。逆相クロック入力
信号がハイレベルとなると、データ出力はハイレベルと
なる。一方、データ入力がハイレベルかθローレベルに
なると、ノードdはハイレベルとなり、その後、クロッ
ク入力がハイレベルとなると、ノードeがハイレベルと
なり、ノードfがローレベルとなる。逆相クロック入力
がハイレベルとなると、データ出力がローレベルとなる
。このように、データ出力はデータ入力から、クロック
入力1周期分遅れたことになる。As shown in the timing chart of FIG. 5, when a clock input, a reverse phase clock input, and a data input are applied, the node d changes from a high level to a low level when the data input changes from a low level to a high level. Thereafter, when the clock input goes high, the node e goes low and the node f goes high. When the reverse phase clock input signal goes high, the data output goes high. On the other hand, when the data input becomes high level or θ low level, the node d becomes high level, and then when the clock input becomes high level, the node e becomes high level and the node f becomes low level. When the reverse phase clock input goes high, the data output goes low. In this way, the data output is delayed by one clock input cycle from the data input.
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の従来の構成では、インバータの入
力がハイレベルの場合、インバータに貫通電流が流れ、
そのために消費電力が大きいという問題点を有していた
。Problems to be Solved by the Invention However, in the above conventional configuration, when the input of the inverter is at a high level, a through current flows through the inverter.
Therefore, there was a problem that power consumption was large.
本発明は上記問題点を解決するもので低消費電力のダイ
ナミック形シフトレジスタを提供することを目的とする
。The present invention solves the above problems and aims to provide a dynamic shift register with low power consumption.
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のダイナミック形シフ
トレジスタは、2入力NAND回路とトランスファーゲ
ートで構成されている。Means for Solving the Problems To achieve this object, the dynamic shift register of the present invention is composed of a two-input NAND circuit and a transfer gate.
作用
この構成によって、貫通電流の流れる期間を短かくし、
それによって低消費電力を実現することができる。Effect: This configuration shortens the period during which the through current flows,
Thereby, low power consumption can be achieved.
実施例
以下に本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例構成図である。第1図におい
て、11はデータ入力端子、12はクロック入力端子、
13は逆相クロック入力端子、14はデータ出力端子、
15は2入力NAND回路、16はトランスファーゲー
トである。第2図は本発明の一実施例の具体的な回路図
であり、11はデータ入力端子、12はクロック入力端
子、13は逆相クロック入力端子、14はデータ出力端
子、21は電源端子、22は接地端子、23はデイプレ
ッション型MOSトランジスタ、24はエンハンスメン
ト型MOSトランジスタである。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 11 is a data input terminal, 12 is a clock input terminal,
13 is a reverse phase clock input terminal, 14 is a data output terminal,
15 is a two-input NAND circuit, and 16 is a transfer gate. FIG. 2 is a specific circuit diagram of an embodiment of the present invention, in which 11 is a data input terminal, 12 is a clock input terminal, 13 is an anti-phase clock input terminal, 14 is a data output terminal, 21 is a power supply terminal, 22 is a ground terminal, 23 is a depletion type MOS transistor, and 24 is an enhancement type MOS transistor.
本実施例の具体的な回路について、その動作を説明する
。The operation of the specific circuit of this embodiment will be explained.
第6図のタイミングチャートのように、クロック入力と
逆相クロック入力とデータ入力が印加されると1、ノー
ドaは、データ入力がローレベルからハイレベルとなリ
フ・ロック入力がハイレベルとなるとき、ハイレベルか
らローレベルとなる。As shown in the timing chart of Fig. 6, when the clock input, reverse phase clock input, and data input are applied, the node a becomes 1, the data input changes from low level to high level, and the ref-lock input changes to high level. When the signal changes from high level to low level.
同時にクロック入力がハイレベルなのでノードbもハイ
レベルからローレベルとなる。その後、逆相クロック信
号がハイレベルとなると、ノードbがローレベルである
ためにノードCはハイレベルとなり、データ出力はハイ
レベルとなる。この時、ノードaはデータ入力にかかわ
らずハイレベルとなっている。一方、データ入力がハイ
レベルからローレベルになりクロック入力がハイレベル
になると、ノードaはハイレベルのままで、ノードbも
ハイレベルとなる。その後逆相クロック信号がハイレベ
ルとなると、ノードCはローレベルとなり、データ出力
もローレベルとなる。従って、従来例と同様に、データ
出力はデータ入力から、クロック入力1周期分遅れたこ
とになる。本実施例によれば、ノードaに流れる貫通電
流は、クロック入力がハイレベルかつデータ入力がハイ
レベルの時のみで、ノードCに流れる貫通電流は逆相ク
ロック信号がハイレベルかつノードbがハイレベルの時
のみとなる。At the same time, since the clock input is at high level, node b also changes from high level to low level. Thereafter, when the reverse phase clock signal becomes high level, node C becomes high level because node b is low level, and the data output becomes high level. At this time, node a is at a high level regardless of data input. On the other hand, when the data input goes from high level to low level and the clock input goes to high level, node a remains at high level and node b also goes to high level. After that, when the reverse phase clock signal becomes high level, the node C becomes low level, and the data output also becomes low level. Therefore, as in the conventional example, the data output is delayed from the data input by one cycle of the clock input. According to this embodiment, the through current flowing to node a occurs only when the clock input is at high level and the data input is at high level, and the through current flowing to node C occurs only when the reverse phase clock signal is at high level and node b is at high level. Only at level.
以上のように本実施例によれば、クロック入力がゲート
であるエンハンスメント型MOSトランジスタをデータ
入力がゲートであるエンハンスメント型MOSトランジ
スタと直列に配置することによって貫通電流が流れる期
間を短(することができる。As described above, according to this embodiment, by arranging the enhancement type MOS transistor whose gate is the clock input in series with the enhancement type MOS transistor whose gate is the data input, the period during which the through current flows can be shortened. can.
なお、上記実施例は2入力NAND回路のロードがデイ
プレッション型MOSトランジスタの場合であるが、ロ
ードが抵抗であってもよい。In the above embodiment, the load of the two-input NAND circuit is a depletion type MOS transistor, but the load may be a resistor.
発明の効果
本発明によれば、データ入力信号とクロック信号とを入
力とする第1の2入力NAND回路と、前記第1の2入
力NAND回路の出力をデータ入力とし、前記クロック
信号をクロック入力とする第1のトランスファーゲート
と、前記第1のトランスファーゲートの出力と前記クロ
ック信号の逆相信号とを入力とする第2の2入力NAN
D回路と、前記第2の2入力NAND回路の出力をデー
タ入力とし、前記逆相信号をクロック入力とする第2の
トランスファーゲートを備えることによって、貫通電流
の流れる期間を短かくして消費電力を低(したダイナミ
ック形シフトレジスタを実現できるものである。Effects of the Invention According to the present invention, a first 2-input NAND circuit receives a data input signal and a clock signal as input, the output of the first 2-input NAND circuit is used as a data input, and the clock signal is used as a clock input. and a second two-input NAN whose inputs are the output of the first transfer gate and an opposite phase signal of the clock signal.
By providing a D circuit and a second transfer gate that uses the output of the second two-input NAND circuit as a data input and the reverse phase signal as a clock input, the period during which a through current flows can be shortened and power consumption can be reduced. (This makes it possible to realize a dynamic shift register.
第1図は本発明の一実施例ダイナミック形シフトレジス
タの構成図、第2図はその具体的な回路図、第3図は従
来のダイナミック形シフトレジスタの構成図、第4図は
その具体的な回路図、第5図は従来のダイナミック形シ
フトレジスタのタイミングチャート、第6図は本発明の
一実施例のダイナミック形シフトレジスタのタイミング
チャートである。
11・・・・・・データ入力、12・・・・・・クロッ
ク入力、13・・・・・・逆相クロック入力、14・・
・・・・データ出力、I5・・・・・・2入力NAND
回路、16・・・・・・トランスファーゲート、21・
・・・・・電源、22・・・・・・接地、23・・・・
・・デイプレッション型MOSトランジスタ、24・・
・・・・エンハンスメント型MOSトランジスタ、31
・・・・・・インバータ。
代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名#−一一デ
ーク、ヘカ
f+−−−データ出力
l4−−−データ出か
第2図
第4図
ゝ22
第
図
第
図FIG. 1 is a block diagram of a dynamic shift register according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a specific circuit diagram thereof, FIG. 3 is a block diagram of a conventional dynamic shift register, and FIG. 4 is a specific diagram thereof. FIG. 5 is a timing chart of a conventional dynamic shift register, and FIG. 6 is a timing chart of a dynamic shift register according to an embodiment of the present invention. 11...Data input, 12...Clock input, 13...Reverse phase clock input, 14...
...Data output, I5...2 input NAND
Circuit, 16...Transfer gate, 21.
...Power supply, 22...Grounding, 23...
・・Depression type MOS transistor, 24・・
...Enhancement type MOS transistor, 31
...Inverter. Name of agent: Patent attorney Shigetaka Awano and 1 other person #-11 Deke, Heka f+---Data output l4---Data output Figure 2 Figure 4ゝ22 Figure Figure
Claims (1)
の2入力NAND回路と、前記第1の2入力NAND回
路の出力をデータ入力とし、前記クロック入力信号を入
力とする第1のトランスファーゲートと、前記第1のト
ランスファーゲートの出力と前記クロック入力信号の逆
相信号とを入力とする第2の2入力NAND回路と、前
記第2の2入力NAND回路の出力をデータ入力とし、
前記クロック入力信号の逆相信号をクロック入力とする
第2のトランスファーゲートを備えたことを特徴とする
ダイナミック形シフトレジスタ。A first input signal receiving a data input signal and a clock input signal.
a 2-input NAND circuit; a first transfer gate having the output of the first 2-input NAND circuit as a data input and the clock input signal as an input; the output of the first transfer gate and the clock input signal; a second 2-input NAND circuit which receives as input the negative phase signal of , and the output of the second 2-input NAND circuit as data input;
A dynamic shift register comprising a second transfer gate whose clock input is a signal with the opposite phase of the clock input signal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63213988A JPH0262797A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Dynamic type shift register |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP63213988A JPH0262797A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Dynamic type shift register |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0262797A true JPH0262797A (en) | 1990-03-02 |
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ID=16648394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63213988A Pending JPH0262797A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Dynamic type shift register |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH0262797A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011103454A (en) * | 2009-10-16 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Logic circuit and semiconductor device |
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1988
- 1988-08-29 JP JP63213988A patent/JPH0262797A/en active Pending
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