JPH0260317U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0260317U JPH0260317U JP13980288U JP13980288U JPH0260317U JP H0260317 U JPH0260317 U JP H0260317U JP 13980288 U JP13980288 U JP 13980288U JP 13980288 U JP13980288 U JP 13980288U JP H0260317 U JPH0260317 U JP H0260317U
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- JP
- Japan
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- field effect
- effect transistor
- terminal
- transistor
- active bias
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例によるアクテイブ
バイアス増幅器の回路図、第２図はＦＥＴのゲー
ト・ドレイン間の電圧／電流特性図、第３図はＦ
ＥＴのゲート電圧／ドレイン電流特性図、第４図
は従来のアクテイブバイアス増幅器の回路図であ
る。 図において、１はＦＥＴ、１ａはＦＥＴのゲー
ト端子、１ｂはＦＥＴのドレイン端子、４はトラ
ンジスタ、４ｂはトランジスタのコレクタ端子、
４はトランジスタのエミツタ端子、１２はツエナ
ーダイオードである。なお、図中、同一符号は同
一、または相当部分を示す。
バイアス増幅器の回路図、第２図はＦＥＴのゲー
ト・ドレイン間の電圧／電流特性図、第３図はＦ
ＥＴのゲート電圧／ドレイン電流特性図、第４図
は従来のアクテイブバイアス増幅器の回路図であ
る。 図において、１はＦＥＴ、１ａはＦＥＴのゲー
ト端子、１ｂはＦＥＴのドレイン端子、４はトラ
ンジスタ、４ｂはトランジスタのコレクタ端子、
４はトランジスタのエミツタ端子、１２はツエナ
ーダイオードである。なお、図中、同一符号は同
一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 電界効果トランジスタと、前記電界効果トラン
ジスタのゲート端子にコレクタ端子が、また前記
電界効果トランジスタのドレイン端子にエミツタ
端子が接続したトランジスタからなるアクテイブ
バイアス増幅器において、前記電界効果トランジ
スタのゲート端子にツエナーダイオードを接続し
たことを特徴とするアクテイブバイアス増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13980288U JPH0260317U (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13980288U JPH0260317U (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260317U true JPH0260317U (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=31403400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13980288U Pending JPH0260317U (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0260317U (ja) |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP13980288U patent/JPH0260317U/ja active Pending