JPH0224615U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0224615U JPH0224615U JP10337388U JP10337388U JPH0224615U JP H0224615 U JPH0224615 U JP H0224615U JP 10337388 U JP10337388 U JP 10337388U JP 10337388 U JP10337388 U JP 10337388U JP H0224615 U JPH0224615 U JP H0224615U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- terminal
- transistor
- active bias
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例によるアクテイブ
バイアス増幅器の回路図、第２図は従来のアクテ
イブバイアス増幅器の回路図、第３図はＦＥＴの
ゲート・ソース間の電圧／電流特性図、第４図は
ＦＥＴのゲート電圧／ドレイン電流特性図である
。 図において、１はＦＥＴ、１ａはＦＥＴのゲー
ト端子、１ｂはＦＥＴのドレイン端子、４はトラ
ンジスタ、４ｂはトランジスタのコレクタ端子、
４ｃはトランジスタのエミツタ端子、１２はダイ
オードである。なお、図中、同一符号は同一、ま
たは相当部分を示す。
バイアス増幅器の回路図、第２図は従来のアクテ
イブバイアス増幅器の回路図、第３図はＦＥＴの
ゲート・ソース間の電圧／電流特性図、第４図は
ＦＥＴのゲート電圧／ドレイン電流特性図である
。 図において、１はＦＥＴ、１ａはＦＥＴのゲー
ト端子、１ｂはＦＥＴのドレイン端子、４はトラ
ンジスタ、４ｂはトランジスタのコレクタ端子、
４ｃはトランジスタのエミツタ端子、１２はダイ
オードである。なお、図中、同一符号は同一、ま
たは相当部分を示す。
Claims (1)
- 電界効果トランジスタと、前記電界効果トラン
ジスタのゲート端子にコレクタ端子が、また前記
電界効果トランジスタのドレイン端子にエミツタ
端子が接続したトランジスタからなるアクテイブ
バイアス増幅器において、前記電界効果トランジ
スタのゲート端子にダイオードを接続したことを
特徴とするアクテイブバイアス増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10337388U JPH0224615U (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10337388U JPH0224615U (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224615U true JPH0224615U (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=31334145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10337388U Pending JPH0224615U (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0224615U (ja) |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP10337388U patent/JPH0224615U/ja active Pending