JPH0259694A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JPH0259694A JPH0259694A JP21073588A JP21073588A JPH0259694A JP H0259694 A JPH0259694 A JP H0259694A JP 21073588 A JP21073588 A JP 21073588A JP 21073588 A JP21073588 A JP 21073588A JP H0259694 A JPH0259694 A JP H0259694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- photoelectric element
- ray
- rays
- radiation
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はX線断層撮影装置のX線検出器に係り、特に、
IMeV以上の高エネルギX線を使用するX線断製撮影
装置(XiICT装置)の検出器に関する。
IMeV以上の高エネルギX線を使用するX線断製撮影
装置(XiICT装置)の検出器に関する。
従来、X線、又は、γ線を検出するためのシンチレーシ
ョン検出器は、例えば、特開昭58−118977号公
報に、シンチレータの、放射線が入射する面の反対側に
光電素子を取りつけるのが一般的であった。
ョン検出器は、例えば、特開昭58−118977号公
報に、シンチレータの、放射線が入射する面の反対側に
光電素子を取りつけるのが一般的であった。
上記従来技術は、X線のエネルギがI M e V以下
の低エネルギの場合は問題ない。しかし、数M e V
の高エネルギX線を検出する場合は、シンチレータの奥
行の長さ(X線ビームに平行な方向の長さ)を十分長く
して、X線を効率よく検出するようにする。この場合、
シンチレータの発光は、X線が入射した部分が最も強く
、奥に行くにしたがって減少する。従って、従来技術の
ように、放射線の入射面の反対側に光電素子を取りつけ
ると、発光量の少ない部分の光を重点に検出することに
なり十分な効率が得られないという問題がある。
の低エネルギの場合は問題ない。しかし、数M e V
の高エネルギX線を検出する場合は、シンチレータの奥
行の長さ(X線ビームに平行な方向の長さ)を十分長く
して、X線を効率よく検出するようにする。この場合、
シンチレータの発光は、X線が入射した部分が最も強く
、奥に行くにしたがって減少する。従って、従来技術の
ように、放射線の入射面の反対側に光電素子を取りつけ
ると、発光量の少ない部分の光を重点に検出することに
なり十分な効率が得られないという問題がある。
本発明の目的は、光電素子を設置する位置を適当に選ぶ
ことにより検出効率を向上することにある。
ことにより検出効率を向上することにある。
上記目的は、シンチレータ内で最も発光量の大きい位置
のなるべく近くに光電素子を取り付けることで報成する
ことができる。
のなるべく近くに光電素子を取り付けることで報成する
ことができる。
以下、本発明を実施例により説明する。第1図は本発明
の一実施例である。1はシンチレータであり、aの方向
から放射線が入る。一般に、数M e V以上の高エネ
ルギのX線を測定する場合には、シンチレータ1の奥行
を5cm〜10■と長くして、入射したX線をシンチレ
ータ1になるべく多く吸収させて発光量を大きくする。
の一実施例である。1はシンチレータであり、aの方向
から放射線が入る。一般に、数M e V以上の高エネ
ルギのX線を測定する場合には、シンチレータ1の奥行
を5cm〜10■と長くして、入射したX線をシンチレ
ータ1になるべく多く吸収させて発光量を大きくする。
2は光電素子で、シンチレータ1で発光した光を電気信
号に変換する。本発明の特徴は、この光電素子2をシン
チレータ1の側面の放射線が入射する面になるべく近い
側に取り付ける。その根拠を第2図を用いて説明する。
号に変換する。本発明の特徴は、この光電素子2をシン
チレータ1の側面の放射線が入射する面になるべく近い
側に取り付ける。その根拠を第2図を用いて説明する。
第2図のグラフは、入射した放射線のシンチレータ1の
中での減衰による発光量の変化を示すものである。たと
えば、CW O(CdWO4)をシンチレータ1に用い
て、3 M e VのX線を入射した場合、その発光量
の相対変化は第2図のグラフの様になる。つまり、発光
量は、放射線が入射する側が最も大きく奥に行くにつれ
て小さくなる。従って、光電素子を取り付ける場所は第
2図の2の位置が最適で、2′→2″→2″′となるに
つれて検出する光量は小さくなる。なお2″′は、シン
チレータの放射線が入射する側の反対側の面に光電素子
を取り付けた状態を示す。なお、光電素子を放射線が入
射する面に取り付けることも可能で、この場合は最も大
きな光量が得られるが、放射線が光電素子に直接光たる
ため、放射線損傷を起こす恐れがあり、放射線強度が強
い場合は回避した方が良い。
中での減衰による発光量の変化を示すものである。たと
えば、CW O(CdWO4)をシンチレータ1に用い
て、3 M e VのX線を入射した場合、その発光量
の相対変化は第2図のグラフの様になる。つまり、発光
量は、放射線が入射する側が最も大きく奥に行くにつれ
て小さくなる。従って、光電素子を取り付ける場所は第
2図の2の位置が最適で、2′→2″→2″′となるに
つれて検出する光量は小さくなる。なお2″′は、シン
チレータの放射線が入射する側の反対側の面に光電素子
を取り付けた状態を示す。なお、光電素子を放射線が入
射する面に取り付けることも可能で、この場合は最も大
きな光量が得られるが、放射線が光電素子に直接光たる
ため、放射線損傷を起こす恐れがあり、放射線強度が強
い場合は回避した方が良い。
本発明によれば、シンチレータで発光した光を最も効率
よく検出でき、信号のS/Nを向上する効果がある。
よく検出でき、信号のS/Nを向上する効果がある。
第1図は本発明の一実施例の斜視図、第2図は本発明の
詳細な説明する図である。 1・・・シンチレータ、2・・・光電素子。
詳細な説明する図である。 1・・・シンチレータ、2・・・光電素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、シンチレータと光電素子を組み合せた、γ線又はX
線の検出器において、 前記シンチレータの放射線が入射する側の端で、かつ、
放射線が直接照射されない位置に前記光電素子を取り付
けることを特徴とする放射線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21073588A JPH0259694A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21073588A JPH0259694A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 放射線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0259694A true JPH0259694A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16594241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21073588A Pending JPH0259694A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0259694A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6114703A (en) * | 1997-10-21 | 2000-09-05 | The Regents Of The University Of California | High resolution scintillation detector with semiconductor readout |
US8735838B2 (en) | 2010-07-07 | 2014-05-27 | Nihon Kessho Koogaku Co., Ltd. | Radiation detecting apparatus |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP21073588A patent/JPH0259694A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6114703A (en) * | 1997-10-21 | 2000-09-05 | The Regents Of The University Of California | High resolution scintillation detector with semiconductor readout |
US8735838B2 (en) | 2010-07-07 | 2014-05-27 | Nihon Kessho Koogaku Co., Ltd. | Radiation detecting apparatus |
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