JPH0259539A - ヒドロカルボニル化によるヒドロキシベンズアルデヒドの製造方法 - Google Patents
ヒドロカルボニル化によるヒドロキシベンズアルデヒドの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/49—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reaction with carbon monoxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、対応するハロフェノールのヒドロカルボニ
ル化によるヒドロキシベンズアルデヒドの製造方法に関
する。
ル化によるヒドロキシベンズアルデヒドの製造方法に関
する。
[従来の技術]
米国特許第3.960.932号には、・第3アミン
及び
・2価のパラジウム誘導体とホスフィン、ホスファイト
若しくはアルシンとの錯体から又は2価のパラジウムの
塩若しくは微細に粉砕された金属パラジウムとホスフィ
ン、ホスファイト若しくはアラジンの群の錯化剤との組
合せ物から成るパラジウム触媒 の存在下で、ハロゲン化アリール若しくはビニル又は複
素環式化合物のハロゲン化物を一酸化炭素と水素との混
合物と反応させることによってアルデヒドの製造するた
めの一般的方法が記載されている。米国特許第3.96
0.932号に従う方法において用いられるハロゲン化
アリールは、未置換又はアルキル、アルコキシ、ニトリ
ル若しくはアルキルカルボキシレート基で置換された臭
化又は沃化フェニル又はナフチルである。
若しくはアルシンとの錯体から又は2価のパラジウムの
塩若しくは微細に粉砕された金属パラジウムとホスフィ
ン、ホスファイト若しくはアラジンの群の錯化剤との組
合せ物から成るパラジウム触媒 の存在下で、ハロゲン化アリール若しくはビニル又は複
素環式化合物のハロゲン化物を一酸化炭素と水素との混
合物と反応させることによってアルデヒドの製造するた
めの一般的方法が記載されている。米国特許第3.96
0.932号に従う方法において用いられるハロゲン化
アリールは、未置換又はアルキル、アルコキシ、ニトリ
ル若しくはアルキルカルボキシレート基で置換された臭
化又は沃化フェニル又はナフチルである。
ヨーロッパ特許第109.606号には、2〜40MP
a (20〜400バール)の圧力及び80℃〜250
℃の温度において操作し且つ多量(触媒のモル量に対し
て2〜10’倍)のホスフィン又はボスファイトを使用
することによって、上記の方法のヒドロカルボニル化反
応速度を増大させることが提唱されている。
a (20〜400バール)の圧力及び80℃〜250
℃の温度において操作し且つ多量(触媒のモル量に対し
て2〜10’倍)のホスフィン又はボスファイトを使用
することによって、上記の方法のヒドロカルボニル化反
応速度を増大させることが提唱されている。
しかしながら、これらの従来技術の方法はハロフェノー
ルのヒドロカルボニル化には適合しないということに留
意すべきである。
ルのヒドロカルボニル化には適合しないということに留
意すべきである。
[発明の目的]
本発明の目的は正確には、第3アミン、貴金属を基とす
る触媒及びホスフィンの存在下でハロフェノールを一酸
化炭素と水素との混合物と反応させることによってヒド
ロキシベンズアルデヒドを製造する方法を提供すること
にある。
る触媒及びホスフィンの存在下でハロフェノールを一酸
化炭素と水素との混合物と反応させることによってヒド
ロキシベンズアルデヒドを製造する方法を提供すること
にある。
[発明の詳細な説明]
より特定的にはこの方法は、貴金属を基とする触媒、第
3アミン及びホスフィンの存在下で一般式(旧: (式中、Xは臭素原子又は沃素原子を表わし、Zは電子
供与基又は電子吸引基を表わし、nは0.1又は2であ
る) のハロフェノールを一酸化炭素と水素との混合物と反応
させることによって一般式(I):HO (式中、nは0.1又は2であり、 Zは電子供与基又は電子吸引基を表わす)のヒドロキシ
ベンズアルデヒドの製造するためのものであり、この方
法は、前記第3アミンがその共役酸のpKaが式(II
)のハロフェノールのpKaより大きいようなものであ
ること及びホスフィンのpKaが5以上であることを特
徴とする。
3アミン及びホスフィンの存在下で一般式(旧: (式中、Xは臭素原子又は沃素原子を表わし、Zは電子
供与基又は電子吸引基を表わし、nは0.1又は2であ
る) のハロフェノールを一酸化炭素と水素との混合物と反応
させることによって一般式(I):HO (式中、nは0.1又は2であり、 Zは電子供与基又は電子吸引基を表わす)のヒドロキシ
ベンズアルデヒドの製造するためのものであり、この方
法は、前記第3アミンがその共役酸のpKaが式(II
)のハロフェノールのpKaより大きいようなものであ
ること及びホスフィンのpKaが5以上であることを特
徴とする。
第3アミンの共役酸の水中での(一般的には25℃にお
ける)pK、は文献に記載された表中に示されている。
ける)pK、は文献に記載された表中に示されている。
また、ホスフィンの水中でのpKaも文献に記載された
表中に示されている。
表中に示されている。
式(LI)のハロフェノールのpKaは、「水溶液中に
おける有機酸のイオン化定数(Ionisationc
onstants of organic acids
in aqueoussolutions) Jと題
するIUPAC法Ezbg (ペルガモン・プレス(
Pergamon Press)社発行、1979年)
に従って測定される。
おける有機酸のイオン化定数(Ionisationc
onstants of organic acids
in aqueoussolutions) Jと題
するIUPAC法Ezbg (ペルガモン・プレス(
Pergamon Press)社発行、1979年)
に従って測定される。
従って、式(n)のハロフェノールをヒドロカルボニル
化して式(I)のヒドロキシベンズアルデヒドを製造す
るためには、一方で用いる第3アミンの共役酸のpKa
が用いるハロフェノール(II )のpKaと同じか又
はそれより大きくなければならず、他方でホスフィンの
pK、が5以上でなければならない。
化して式(I)のヒドロキシベンズアルデヒドを製造す
るためには、一方で用いる第3アミンの共役酸のpKa
が用いるハロフェノール(II )のpKaと同じか又
はそれより大きくなければならず、他方でホスフィンの
pK、が5以上でなければならない。
用いる第3アミン又はホスフィンがこれらの条件に合わ
ない場合、実質的にポリマー状化合物が生成し、ヒドロ
キシベンズアルデヒドは実際上全く生成しない。
ない場合、実質的にポリマー状化合物が生成し、ヒドロ
キシベンズアルデヒドは実際上全く生成しない。
本発明に適用される式(II)のハロフェノールは、よ
り特定的には、記号2がヒドロキシル基、臭素原子、沃
素原子、アルキル基、アルコキシ基、1個以上の塩素又
は弗素原子で置換されたアルキル又はアルコキシ基、シ
クロアルキル基、フェニル基、シクロアルコキシ基、フ
ェノキシ基、アルコキシカルボニル基、シクロアルコキ
シカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アルキルカ
ルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基
、フェニルカルボニルオキシ基或いは1個以上の弗素及
び(若しくは)塩素原子又はニトリル基で置換された上
記の基の1種を表わし且つ記号Xが臭素原子又は沃素原
子を表わすものである。
り特定的には、記号2がヒドロキシル基、臭素原子、沃
素原子、アルキル基、アルコキシ基、1個以上の塩素又
は弗素原子で置換されたアルキル又はアルコキシ基、シ
クロアルキル基、フェニル基、シクロアルコキシ基、フ
ェノキシ基、アルコキシカルボニル基、シクロアルコキ
シカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アルキルカ
ルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基
、フェニルカルボニルオキシ基或いは1個以上の弗素及
び(若しくは)塩素原子又はニトリル基で置換された上
記の基の1種を表わし且つ記号Xが臭素原子又は沃素原
子を表わすものである。
より特定的には、式(I)及び(II )において、
・Xは臭素原子を表わし、
O2は
・ヒドロキシル基;
・臭素原子;
・1〜20個の炭素原子を有する直鎖状若しくは分枝鎖
状のアルキル基又は1個以上の弗素及び(若しくは)塩
素原子で置換されたアルキル基、例えばメチル、エチル
、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、
デシル、トリフルオルメチル、ジフルオルクロルメチル
及びトリクロルメチル基、好ましくは低級(即ち1〜4
個の炭素原子を有する)アルキル基又は1〜3個の弗素
及び(若しくは)塩素原子によって置換された低級アル
キル基; ・1〜20個の炭素原子を有する直鎖状若しくは分枝鎮
状のアルコキシ基又は1個以上の弗素及び(若しくは)
塩素原子で置換されたアルコキシ基、好ましくは低級(
1〜4個の炭素原子を有する)アルコキシ基又は1〜3
個の弗素及び(若しくは)塩素原子で置換された低級ア
ルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、イソプロポキ
シ、ジフルオルクロルメトキシ又はトリクロルメトキシ
基: ・シクロペンチル、シ、クロヘキシル又はシクロオクチ
ル基; ・フェニル基又は1〜3個の低級アルキル若しくはアル
コキシ基で置換されたフェニル基、例えばキシリル、ト
リル、メトキシフェニル又はエトキシフェニル基; ・2〜11個の炭素原子、好ましくは2〜5個の炭素原
子を有するアルコキシカルボニル基、例えばメトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル
及びブトキシカルボニル基; ・アルコキシカルボニル部分が前記のようなものであり
且つアルキル部分が1〜4個の′炭素原子を有するアル
コキシカルボニルアルキル基; ・シクロペンチルオキシカルボニル又はシクロへキシル
オキシカルボニル基; ・フェノキシカルボニル又はメチルフェノキシカルボニ
ル基; ・2〜11個の炭素原子、好ましくは2〜5個の炭素原
子を有するアルキルカルボニルオキシ基、例えばアセト
キシ、プロピオニルオキシ又はブチリルオキシ基; ・シクロペンタノイルオキシ又はシクロヘキサノイルオ
キシ基; 或いは ・ベンゾイルオキシ、メチルベンゾイルオキシ又はジメ
チルベンゾイルオキシ基 を表わす。
状のアルキル基又は1個以上の弗素及び(若しくは)塩
素原子で置換されたアルキル基、例えばメチル、エチル
、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、
デシル、トリフルオルメチル、ジフルオルクロルメチル
及びトリクロルメチル基、好ましくは低級(即ち1〜4
個の炭素原子を有する)アルキル基又は1〜3個の弗素
及び(若しくは)塩素原子によって置換された低級アル
キル基; ・1〜20個の炭素原子を有する直鎖状若しくは分枝鎮
状のアルコキシ基又は1個以上の弗素及び(若しくは)
塩素原子で置換されたアルコキシ基、好ましくは低級(
1〜4個の炭素原子を有する)アルコキシ基又は1〜3
個の弗素及び(若しくは)塩素原子で置換された低級ア
ルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、イソプロポキ
シ、ジフルオルクロルメトキシ又はトリクロルメトキシ
基: ・シクロペンチル、シ、クロヘキシル又はシクロオクチ
ル基; ・フェニル基又は1〜3個の低級アルキル若しくはアル
コキシ基で置換されたフェニル基、例えばキシリル、ト
リル、メトキシフェニル又はエトキシフェニル基; ・2〜11個の炭素原子、好ましくは2〜5個の炭素原
子を有するアルコキシカルボニル基、例えばメトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル
及びブトキシカルボニル基; ・アルコキシカルボニル部分が前記のようなものであり
且つアルキル部分が1〜4個の′炭素原子を有するアル
コキシカルボニルアルキル基; ・シクロペンチルオキシカルボニル又はシクロへキシル
オキシカルボニル基; ・フェノキシカルボニル又はメチルフェノキシカルボニ
ル基; ・2〜11個の炭素原子、好ましくは2〜5個の炭素原
子を有するアルキルカルボニルオキシ基、例えばアセト
キシ、プロピオニルオキシ又はブチリルオキシ基; ・シクロペンタノイルオキシ又はシクロヘキサノイルオ
キシ基; 或いは ・ベンゾイルオキシ、メチルベンゾイルオキシ又はジメ
チルベンゾイルオキシ基 を表わす。
式(I)においてZは追加的にアルデヒド基を表わすこ
ともできる。
ともできる。
本発明に従う方法によって得ることのできる式(I)の
ヒドロキシベンズアルデヒドの特定的な非限定的な例と
しては、次のものを挙げることができる:4−ヒドロキ
シベンズアルデヒド、2−ヒドロキシベンズアルデヒド
、バニリン(即ち4−ヒドロキシ−3−メトキシベンズ
アルデヒド)、2−ヒドロキシ−5−メトキシベンズア
ルデヒド、2−ヒドロキシ−3−メトキシベンズアルデ
ヒド、4−ヒドロキシ−3−エトキシベンズアルデヒド
、2−ヒドロキシ−3−エトキシベンズアルデヒド、2
−ヒドロキシ−5−エトキシベンズアルデヒド、3.5
−ジメトキシ−4−ヒドロキシベンズアルデヒド、3.
4−ジヒドロキシベンズアルデヒド、2.5−ジヒドロ
キシベンズアルデヒド、2.3−ジヒドロキシベンズア
ルデヒド、3.5−ジブロム−4−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、3−ブロム−4−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド及び3−ホルミル−4−ヒドロキシベンズアルデヒド
。
ヒドロキシベンズアルデヒドの特定的な非限定的な例と
しては、次のものを挙げることができる:4−ヒドロキ
シベンズアルデヒド、2−ヒドロキシベンズアルデヒド
、バニリン(即ち4−ヒドロキシ−3−メトキシベンズ
アルデヒド)、2−ヒドロキシ−5−メトキシベンズア
ルデヒド、2−ヒドロキシ−3−メトキシベンズアルデ
ヒド、4−ヒドロキシ−3−エトキシベンズアルデヒド
、2−ヒドロキシ−3−エトキシベンズアルデヒド、2
−ヒドロキシ−5−エトキシベンズアルデヒド、3.5
−ジメトキシ−4−ヒドロキシベンズアルデヒド、3.
4−ジヒドロキシベンズアルデヒド、2.5−ジヒドロ
キシベンズアルデヒド、2.3−ジヒドロキシベンズア
ルデヒド、3.5−ジブロム−4−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、3−ブロム−4−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド及び3−ホルミル−4−ヒドロキシベンズアルデヒド
。
本発明に従う方法において用いることのできる式(II
)のハロフェノールの特定的な非限定的な例としては、
次のものを挙げることができる=4−ブロムフェノール
、2−ブロムフェノール、4−ブロム−2−メトキシフ
ェノール、2−ブロム−4−メトキシフェノール、6−
ブロム−2−メトキシフェノール、4−ブロム−2−エ
トキシフェノール、2−ブロム−4−エトキシフェノー
ル、6−ブロム−2−エトキシフェノール、4−ブロム
−2,6−シメトキシフエノール、4−ブロム−1,2
−ジヒドロキシベンゼン、2−ブロム−1,4−ジヒド
ロキシベンゼン、3−ブロム−1,2−ジヒドロキシベ
ンゼン、2.4−ジブロムフエノル及び2.4.6−
)リブロムフェノール。
)のハロフェノールの特定的な非限定的な例としては、
次のものを挙げることができる=4−ブロムフェノール
、2−ブロムフェノール、4−ブロム−2−メトキシフ
ェノール、2−ブロム−4−メトキシフェノール、6−
ブロム−2−メトキシフェノール、4−ブロム−2−エ
トキシフェノール、2−ブロム−4−エトキシフェノー
ル、6−ブロム−2−エトキシフェノール、4−ブロム
−2,6−シメトキシフエノール、4−ブロム−1,2
−ジヒドロキシベンゼン、2−ブロム−1,4−ジヒド
ロキシベンゼン、3−ブロム−1,2−ジヒドロキシベ
ンゼン、2.4−ジブロムフエノル及び2.4.6−
)リブロムフェノール。
本発明に従う方法を実施するための触媒としては、パラ
ジウム、ロジウム及びイリジウムのような元素周期律表
第■族の微細に粉砕された貴金属又はそれらの無機若し
くは有機酸塩を用いることができる。
ジウム、ロジウム及びイリジウムのような元素周期律表
第■族の微細に粉砕された貴金属又はそれらの無機若し
くは有機酸塩を用いることができる。
本発明の方法にはパラジウム誘導体が特に好適である。
パラジウム誘導体の特定的な例としては、カルボン酸塩
、特に酢酸パラジウム(II)、プロピオン酸パラジウ
ム(■)、酪酸パラジウム(II)又は安息香酸パラジ
ウム(II )及び塩化パラジウム(11)を挙げるこ
とができる。
、特に酢酸パラジウム(II)、プロピオン酸パラジウ
ム(■)、酪酸パラジウム(II)又は安息香酸パラジ
ウム(II )及び塩化パラジウム(11)を挙げるこ
とができる。
また、無機又は有機パラジウム塩とホスフィンとの錯体
を用いることもできる。
を用いることもできる。
後者の場合、この鏡体は一般的に存在するホスフィン及
びパラジウム誘導体の間で現場で製造される。しかしな
がら、この錯体はまた、即時に製造して反応混合物中に
導入することもできる。次いで追加量のホスフィンを添
加してもよく、添加しな(でもよい。
びパラジウム誘導体の間で現場で製造される。しかしな
がら、この錯体はまた、即時に製造して反応混合物中に
導入することもできる。次いで追加量のホスフィンを添
加してもよく、添加しな(でもよい。
式(I)のハロフェノール1モル当たりの金属原子のモ
ル数又は金属誘導体のモル数で表わした触媒の量は、広
い範囲内で変化し得る。
ル数又は金属誘導体のモル数で表わした触媒の量は、広
い範囲内で変化し得る。
しかして、この量は10−5〜10−1モル1モル、好
ましくは10−4〜10−2モル1モルの範囲であって
よい。
ましくは10−4〜10−2モル1モルの範囲であって
よい。
遊離の及び(又は)触媒との錯体の形のホスフィンの量
は、(ホスフィン)/(触媒の貴金属)のモル比が少な
くとも2であるような量である。
は、(ホスフィン)/(触媒の貴金属)のモル比が少な
くとも2であるような量である。
ホスフィン/貴金属の比は10.000はど高い値に達
してもよい。
してもよい。
FIQ的には、ホスフィン/貴金属の比は4〜1.00
0の範囲であるのが特に好適である。
0の範囲であるのが特に好適である。
pKaが5以上であるボスフィンは一般的に脂肪族、環
状脂肪族又はアリール脂肪族ホスフィンである。
状脂肪族又はアリール脂肪族ホスフィンである。
また、脂肪族及び(又は)環状脂肪族及び(又は)アリ
ール脂肪族及び(又は)芳香族混合ホスフィンを使用す
ることもできる。
ール脂肪族及び(又は)芳香族混合ホスフィンを使用す
ることもできる。
これらホスフィンは特に一般式(■):R,−P−R3
(nl ) (式中、記号R*、Rx及びR4は同一であっても異な
っていてもよく、 ・1〜12個の炭素原子を有するアルキル基、・5又は
6個の炭素原子を有するシクロアルキル基、 ・5又は6個の炭素原子を有し且つ1〜4個の炭素原子
を有する1個以上のアルキル又はアルコキシ基で置換さ
れたシクロアルキル基、・脂肪族部分が1〜6個の炭素
原子を有するフェニルアルキル基 を表わし、そして、 ・基R2,R3及びR4の1又は2種はフェニル基又は
1〜4個の炭素原子を有する1個以上のアルキル若しく
はアルコキシ基で置換されたフェニル基を表わしてもよ
い) に相当するものである。
(nl ) (式中、記号R*、Rx及びR4は同一であっても異な
っていてもよく、 ・1〜12個の炭素原子を有するアルキル基、・5又は
6個の炭素原子を有するシクロアルキル基、 ・5又は6個の炭素原子を有し且つ1〜4個の炭素原子
を有する1個以上のアルキル又はアルコキシ基で置換さ
れたシクロアルキル基、・脂肪族部分が1〜6個の炭素
原子を有するフェニルアルキル基 を表わし、そして、 ・基R2,R3及びR4の1又は2種はフェニル基又は
1〜4個の炭素原子を有する1個以上のアルキル若しく
はアルコキシ基で置換されたフェニル基を表わしてもよ
い) に相当するものである。
このようなホスフィンの非限定的な例としては、トリシ
クロヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ
エチルホスフィン、トリーn −ブチルホスフィン、ト
リイソブチルホスフィン、トリーt−ブチルホスフィン
、トリベンジルホス・フィン、ジシクロへキシルフェニ
ルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジエチル
フェニルホスフィン及びジーt−プチルフェニルホスフ
インを挙げることができる。
クロヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ
エチルホスフィン、トリーn −ブチルホスフィン、ト
リイソブチルホスフィン、トリーt−ブチルホスフィン
、トリベンジルホス・フィン、ジシクロへキシルフェニ
ルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジエチル
フェニルホスフィン及びジーt−プチルフェニルホスフ
インを挙げることができる。
本発明の方法において用いられる第3アミンは、一般式
(IV): N−(R,) 。
(IV): N−(R,) 。
(式中、
・基R,は同一であっても異なっていてもよく、1〜2
0個の炭素原子を有する炭化水素残基1例えばアルキル
、シクロアルキル、アリール又は複素環式基を表わし、 ・2個の基R3は一緒になって窒素原子と共に4〜6個
の炭素原子を存する複素環を形成することもできる) のアミンであってよい。
0個の炭素原子を有する炭化水素残基1例えばアルキル
、シクロアルキル、アリール又は複素環式基を表わし、 ・2個の基R3は一緒になって窒素原子と共に4〜6個
の炭素原子を存する複素環を形成することもできる) のアミンであってよい。
より特定的には、
・記号R0は1−10個、好ましくは1〜4個の炭素原
子を有するアルキル基又はシクロペンチル若しくはシク
ロヘキシル基又はピリジル基を表わし、 ・2個の基R1は一緒になって窒素原子と共にピペリジ
ン又はピロリジン環を形成することもできる。
子を有するアルキル基又はシクロペンチル若しくはシク
ロヘキシル基又はピリジル基を表わし、 ・2個の基R1は一緒になって窒素原子と共にピペリジ
ン又はピロリジン環を形成することもできる。
このようなアミンの例としては、トリエチルアミン、ト
リーn−プロピルアミン、トリーn−ブチルアミン、メ
チルジブチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、
エチルジイソプロピルアミン、N、 N−ジエチルシク
ロヘキシルアミン、4−ジメチルアミノピリジン、N−
メチルピペリジン、N−エチルピペリジン、N−n−ブ
チルピペリジン、1.2−ジメチルピペリジン、N−メ
チルピロリジン及び1.2−ジメチルピロリジンを挙げ
ることができる。
リーn−プロピルアミン、トリーn−ブチルアミン、メ
チルジブチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、
エチルジイソプロピルアミン、N、 N−ジエチルシク
ロヘキシルアミン、4−ジメチルアミノピリジン、N−
メチルピペリジン、N−エチルピペリジン、N−n−ブ
チルピペリジン、1.2−ジメチルピペリジン、N−メ
チルピロリジン及び1.2−ジメチルピロリジンを挙げ
ることができる。
2−ブロムフェノール、4−ブロムフェノール、4−ブ
ロム−2−メトキシフェノール又は4−ブロム−2−エ
トキシフェノールのようなハロフェノール(これらは非
常に重要なヒドロキシベンズアルデヒドを生成し、4−
ブロムフェノール及び4−ブロム−2−メトキシフェノ
ールの場合にはそのpKa (25℃において)は9
.5であり、4−ブロム−2−エトキシフェノールの場
合にはそのpK、はこの値に近く、そして2−ブロムフ
ェノールの場合にはそのpKaは8.55である)を用
いる場合、トリエチルアミンのようなその共役酸のpK
aが9.5より大きい式(IV)の第3アミンが好適で
ある。
ロム−2−メトキシフェノール又は4−ブロム−2−エ
トキシフェノールのようなハロフェノール(これらは非
常に重要なヒドロキシベンズアルデヒドを生成し、4−
ブロムフェノール及び4−ブロム−2−メトキシフェノ
ールの場合にはそのpKa (25℃において)は9
.5であり、4−ブロム−2−エトキシフェノールの場
合にはそのpK、はこの値に近く、そして2−ブロムフ
ェノールの場合にはそのpKaは8.55である)を用
いる場合、トリエチルアミンのようなその共役酸のpK
aが9.5より大きい式(IV)の第3アミンが好適で
ある。
第3アミンの使用量は反応によって放出される水素酸を
中和するのに充分でなければならない。
中和するのに充分でなければならない。
さらに、混合物中の第3アミンの濃度は反応期間の間、
少な(とも2モル/βでなければならない。
少な(とも2モル/βでなければならない。
第3アミンの量についての臨界的な上限はなく、従って
水素酸を中和するのに理論的に必要な量に対して大過剰
で用いてもよい。
水素酸を中和するのに理論的に必要な量に対して大過剰
で用いてもよい。
反応期間の間、第3アミンの濃度を少なくとも前記の限
定値と同等に保つためには、反応終了時のこの濃度が少
なくともこの値と同等であるようにアミンの導入量を計
算しなければならない。また、水素酸の中和によって消
費された量のアミンを補うために、反応の進行に合わせ
て追加量の第3アミンを添加してもよい。
定値と同等に保つためには、反応終了時のこの濃度が少
なくともこの値と同等であるようにアミンの導入量を計
算しなければならない。また、水素酸の中和によって消
費された量のアミンを補うために、反応の進行に合わせ
て追加量の第3アミンを添加してもよい。
Co/H2混合物は種々の気体モル比で用いることがで
きる。Co/H2モル比は一般的に0.1〜10の範囲
で変化する。
きる。Co/H2モル比は一般的に0.1〜10の範囲
で変化する。
また、反応を実施する圧力も非常に広く変化する。この
圧力は一般的にO,1〜30MPa (1〜300バー
ル)の範囲、好ましくは1〜15MPa(10〜150
バール)の範囲である。
圧力は一般的にO,1〜30MPa (1〜300バー
ル)の範囲、好ましくは1〜15MPa(10〜150
バール)の範囲である。
本発明に従う方法は液相状で実施される。
また、ヒドロカルボニル化反応条件下において不活性で
ある溶媒を用いることもできる。しかして、ヘキサン若
しくはシクロヘキサンのような飽和脂肪族若しくは環状
脂肪族炭化水素又はベンゼン、トルエン及びキシレンの
ような芳香族炭化水素:安息香酸メチル、テレフタル酸
メチル、アジピン酸メチル及びフタル酸ジブチルのよう
なエステル;テトラエチレングリコールジアセテートの
ようなポリオールエステル又はエーテル;並びにテトラ
ヒドロフラン又はジオキサンのような環状エーテルを用
いることができる。
ある溶媒を用いることもできる。しかして、ヘキサン若
しくはシクロヘキサンのような飽和脂肪族若しくは環状
脂肪族炭化水素又はベンゼン、トルエン及びキシレンの
ような芳香族炭化水素:安息香酸メチル、テレフタル酸
メチル、アジピン酸メチル及びフタル酸ジブチルのよう
なエステル;テトラエチレングリコールジアセテートの
ようなポリオールエステル又はエーテル;並びにテトラ
ヒドロフラン又はジオキサンのような環状エーテルを用
いることができる。
溶媒中での式(II )のハロフェノールの使用濃度は
、操作条件下での飽和まで、非常に広い範囲内で変化し
得る。一般的に、溶媒の容量に対して重量で表わして5
%より少ない量のハロフェノールを用いることは経済的
に有利でない。
、操作条件下での飽和まで、非常に広い範囲内で変化し
得る。一般的に、溶媒の容量に対して重量で表わして5
%より少ない量のハロフェノールを用いることは経済的
に有利でない。
溶媒の容量に対するハロフェノールの重量濃度は一般的
に5%〜50%の範囲、好ましくは10%〜40%の範
囲である。
に5%〜50%の範囲、好ましくは10%〜40%の範
囲である。
実際上、本発明に従う方法は次のようにして実施するこ
とができる。即ち、不活性オートクレーブ中に式(II
)のハロフェノール、第3アミン、触媒、ホスフィン及
び溶媒を導入し、次いで通常のパージの後にこのオート
クレーブに適宜な圧力のCO/82混合物を供給し、次
いでオートクレーブの内容物を適宜な温度に加熱して、
吸収が停止するまで撹拌する。オートクレーブ中の圧力
は、気体混合物溜め(これが気体混合物を選択した圧力
において供給する)によって反応期間を通じて一定に保
持することができる。
とができる。即ち、不活性オートクレーブ中に式(II
)のハロフェノール、第3アミン、触媒、ホスフィン及
び溶媒を導入し、次いで通常のパージの後にこのオート
クレーブに適宜な圧力のCO/82混合物を供給し、次
いでオートクレーブの内容物を適宜な温度に加熱して、
吸収が停止するまで撹拌する。オートクレーブ中の圧力
は、気体混合物溜め(これが気体混合物を選択した圧力
において供給する)によって反応期間を通じて一定に保
持することができる。
試験が終了したら、オートクレーブを冷却してガス抜き
し、反応混合物を回収する。
し、反応混合物を回収する。
非常に簡単な処理方法は、反応混合物にアルカリ金属水
酸化物の水溶液を添加して成る。
酸化物の水溶液を添加して成る。
撹拌し、次いでデカンテーションした後に、水相及び有
機相が得られる。この有機相は実質的に触媒、ホスフィ
ン及び少な(とも一部の第3アミンを含有する。この有
機溶液は、ハロフェノール及び所望ならば補充分の第3
アミンの新たな装入物を添加した後に、新たなヒドロカ
ルボニル化反応に容易に再循環することができる。
機相が得られる。この有機相は実質的に触媒、ホスフィ
ン及び少な(とも一部の第3アミンを含有する。この有
機溶液は、ハロフェノール及び所望ならば補充分の第3
アミンの新たな装入物を添加した後に、新たなヒドロカ
ルボニル化反応に容易に再循環することができる。
水相は実質的に生成したアルカリ金属フェノラートの形
のヒドロキシベンズアルデヒド並びに任意の副生成物及
び未転化ハロフェノール(これらもまたアルカリ金属誘
導体の形である)を含有する。
のヒドロキシベンズアルデヒド並びに任意の副生成物及
び未転化ハロフェノール(これらもまたアルカリ金属誘
導体の形である)を含有する。
単純に酸性にするか又は生成物が固体である場合には再
結晶、生成物が液体である場合には蒸留によって、純粋
なヒドロキシベンズアルデヒドを回収することができる
。
結晶、生成物が液体である場合には蒸留によって、純粋
なヒドロキシベンズアルデヒドを回収することができる
。
この方法は不連続的に又は前記のように触媒、ホスフィ
ン及び第3アミンを再循環しながら連続的に実施するこ
とができる。
ン及び第3アミンを再循環しながら連続的に実施するこ
とができる。
[実施例]
以下の実施例は本発明を例示するためのものである。
l び2並びに −A
加熱装置及び攪拌装置を備えた、r Hastello
yB2Jの商品名の合金製の125cm’のオートクレ
ーブ中に、下記のものを装入した: 4−ブロムー2−メトキシフェノール;10.15g(
50ミリモル) 二酢酸パラジウム:0.22g (1ミリモル)・下
記の表に示したホスフィン= 5ミリモル・4−ジメチ
ルアミノピリジン 110ミリモル ・トルエン: 17.5crr(。
yB2Jの商品名の合金製の125cm’のオートクレ
ーブ中に、下記のものを装入した: 4−ブロムー2−メトキシフェノール;10.15g(
50ミリモル) 二酢酸パラジウム:0.22g (1ミリモル)・下
記の表に示したホスフィン= 5ミリモル・4−ジメチ
ルアミノピリジン 110ミリモル ・トルエン: 17.5crr(。
4−ブロム−2−メトキシ
フェノールのpK、: 9.5アミンの共
役酸のpK、: 9.55゜このオートクレー
ブを密閉し、CO及びH2の等モル混合物でパージした
。
役酸のpK、: 9.55゜このオートクレー
ブを密閉し、CO及びH2の等モル混合物でパージした
。
このCo/H!混合物を次いで0.1MPa(1バール
)の圧力で装入した。オートクレーブの内容物を攪拌し
ながら100℃に加熱した。CO/H2の圧力を3MP
a (30バール)に調節し、次いで温度を150℃に
上げた。
)の圧力で装入した。オートクレーブの内容物を攪拌し
ながら100℃に加熱した。CO/H2の圧力を3MP
a (30バール)に調節し、次いで温度を150℃に
上げた。
CO/H,混合物の吸収が終了するまで、温度を150
℃に、圧力を3MPaに保持した。
℃に、圧力を3MPaに保持した。
次いでオートクレーブを冷却し、ガス抜きした。
液体クロマトグラフィーによる測定のために試料を取り
出した後に、反応混合物に水酸化ナトリウム水溶2ff
140crr+’(水酸化ナトリウム6g)を添加し、
周囲温度において1時間オートクレーブを撹拌した。
出した後に、反応混合物に水酸化ナトリウム水溶2ff
140crr+’(水酸化ナトリウム6g)を添加し、
周囲温度において1時間オートクレーブを撹拌した。
水相を相分離によって単離し、HCβによってpH1の
酸性にし、そして100cn(ずつのエーテルで3回抽
出した。
酸性にし、そして100cn(ずつのエーテルで3回抽
出した。
得られたエーテル溶液を50ctrfずつの20%炭酸
水素ナトリウム水溶液で2回処理した。次いでエーテル
溶液を分離し、エーテルを留去した。
水素ナトリウム水溶液で2回処理した。次いでエーテル
溶液を分離し、エーテルを留去した。
得られた茶色の固体をトルエンから、次いで水から再結
晶して、純粋なバニリンを得た。
晶して、純粋なバニリンを得た。
下記の表(I)に、各試験についてホスフィン、時間、
4−ブロム−2−メトキシフェノール(BMPH)の転
化率(DC,’%)、転化した4−プロムー2−メトキ
シフェノールに対する4−ヒドロキシ−3−メトキシベ
ンズアルデヒド(バニリン、HMBZ)の収率(CY、
%)並びに生成したグアヤコール及び4−ヒドロキシ−
3−メトキシ安息香酸(HMBQ)の収率(CY、%)
に関するデータを示す。
4−ブロム−2−メトキシフェノール(BMPH)の転
化率(DC,’%)、転化した4−プロムー2−メトキ
シフェノールに対する4−ヒドロキシ−3−メトキシベ
ンズアルデヒド(バニリン、HMBZ)の収率(CY、
%)並びに生成したグアヤコール及び4−ヒドロキシ−
3−メトキシ安息香酸(HMBQ)の収率(CY、%)
に関するデータを示す。
100%と上記のCYの合計との間の差は、次の構造の
ポリマー状化合物の生成に相当する:(ここで、nは1
以上であり、RはCHOlH又はBrを表わす)。
ポリマー状化合物の生成に相当する:(ここで、nは1
以上であり、RはCHOlH又はBrを表わす)。
ホスフィンのpK、が5より小さい場合にはアルデヒド
の収率が低い(比較試験A)ということがわかった。
の収率が低い(比較試験A)ということがわかった。
13〜5 び ・ B
加熱装置及び撹拌装置を備えた、r Hastello
yB2Jの商品名の合金製の125ctrl’のオート
クレーブ中に、下記のものを装入した: 二酢酸パラジウム:0.22g (1ミリモル)・下
記の表に示したホスフィン: 5ミリモル・トリエチル
アミン= 110ミリモル・トルエン:
17.5cポ。
yB2Jの商品名の合金製の125ctrl’のオート
クレーブ中に、下記のものを装入した: 二酢酸パラジウム:0.22g (1ミリモル)・下
記の表に示したホスフィン: 5ミリモル・トリエチル
アミン= 110ミリモル・トルエン:
17.5cポ。
アミンの共役酸のpKa: 11.1゜このオー
トクレーブを密閉し、CO及びH2の等モル混合物でパ
ージした。
トクレーブを密閉し、CO及びH2の等モル混合物でパ
ージした。
このCo/H1混合物を次いで0.1MPa(1バール
)の圧力で装入した。オートクレーブの内容物を撹拌し
ながら100℃に加熱した。Co/H2の圧力を3MP
a (30バール)に調節し、次いで温度を150℃に
上げた。
)の圧力で装入した。オートクレーブの内容物を撹拌し
ながら100℃に加熱した。Co/H2の圧力を3MP
a (30バール)に調節し、次いで温度を150℃に
上げた。
Co/H1混合物の吸収が終了するまで、温度を150
℃に、圧力を3MPaに保持した。
℃に、圧力を3MPaに保持した。
次いでオートクレーブを冷却し、ガス抜きした。
液体クロマトグラフィーによる測定のために試料を取り
出した。処理は例1及び2の場合に記載したものである
。
出した。処理は例1及び2の場合に記載したものである
。
下記の表(II)に、各試験についてホスフィン、時間
、4−ブロム−2−メトキシフェノール(BMPH)の
転化率(DC1%)、転化した4−ブロム−2−メトキ
シフェノールに対する4−ヒドロキシ−3−メトキシベ
ンズアルデヒド(バニリン、HMBZ)の収率(CY、
%)並びに生成したグアヤコール及び4−ヒドロキシ−
3−メトキシ安息香酸の収率(CY、%)に関するデー
タを示す。
、4−ブロム−2−メトキシフェノール(BMPH)の
転化率(DC1%)、転化した4−ブロム−2−メトキ
シフェノールに対する4−ヒドロキシ−3−メトキシベ
ンズアルデヒド(バニリン、HMBZ)の収率(CY、
%)並びに生成したグアヤコール及び4−ヒドロキシ−
3−メトキシ安息香酸の収率(CY、%)に関するデー
タを示す。
100%と上記のCYの合計との間の差は、例1及び2
で示したポリマー状化合物に相当する。
で示したポリマー状化合物に相当する。
ホスフィンのpK、が5より小さい場合にはアルデヒド
の収率は0である(比較試験B)ということがわかった
。
の収率は0である(比較試験B)ということがわかった
。
16 び゛ 8C
加熱装置及び攪拌装置を備えた、r Hastello
yB2Jの商品名の合金製の125ctrl’のオート
クレーブ中に、下記のものを装入した: ・2−ブロムフェノール: 8.65g(50ミリモル) 二酢酸パラジウム:0.22g (1ミリモル)・下
記の表に示したホスフィン= 5ミリモル・トリエチル
アミン= 110ミリモル・トルエン:
17.5cイ。
yB2Jの商品名の合金製の125ctrl’のオート
クレーブ中に、下記のものを装入した: ・2−ブロムフェノール: 8.65g(50ミリモル) 二酢酸パラジウム:0.22g (1ミリモル)・下
記の表に示したホスフィン= 5ミリモル・トリエチル
アミン= 110ミリモル・トルエン:
17.5cイ。
2−ブロムフェノールのpK、: 8.55アミンの
共役酸のT)K、: 11.1゜このオートクレ
ーブを密閉し、CO及びH2の等モル混合物でパージし
た。
共役酸のT)K、: 11.1゜このオートクレ
ーブを密閉し、CO及びH2の等モル混合物でパージし
た。
このCO/ H2C合物を次いで0.1MPa(1バー
ル)の圧力で装入した。オートクレーブの内容物を撹拌
しながら100°Cに加熱した。CO/°H2の圧力を
3MPa (30バール)に調節し、次いで温度を15
0℃に上げた。
ル)の圧力で装入した。オートクレーブの内容物を撹拌
しながら100°Cに加熱した。CO/°H2の圧力を
3MPa (30バール)に調節し、次いで温度を15
0℃に上げた。
CO/H2混合物の吸収が終了するまで、温度を150
℃に、圧力を3MPaに保持した。
℃に、圧力を3MPaに保持した。
次いでオートクレーブを冷却し、ガス抜きした。
液体クロマトグラフィーによる測定のために試料を取り
出した。処理は例1及び2の場合に記載したものである
。
出した。処理は例1及び2の場合に記載したものである
。
下記の表(III )に、各試験についてホスフィン、
時間、2−ブロムフェノール(2BPH)の転化率(D
C1%)、転化した2−ブロムフェノールに対する2−
ヒドロキシベンズアルデヒド即ちサリチルアルデヒド(
SAL)の収率(CY、%)並びに生成したフェノール
及びサリチル酸(SAC)の収率(CY、%)に関する
データを示す。
時間、2−ブロムフェノール(2BPH)の転化率(D
C1%)、転化した2−ブロムフェノールに対する2−
ヒドロキシベンズアルデヒド即ちサリチルアルデヒド(
SAL)の収率(CY、%)並びに生成したフェノール
及びサリチル酸(SAC)の収率(CY、%)に関する
データを示す。
100%と上記のCYの合計との間の差は、例1及び2
において示したタイプの構造を有するポリマー状化合物
に相当する。
において示したタイプの構造を有するポリマー状化合物
に相当する。
ホスフィンのpKaが5より小さい場合にはアルデヒド
の収率が低い(比較試験C)ということがわかった。
の収率が低い(比較試験C)ということがわかった。
7 び ・ D
加熱装置及び撹拌装置を備えた、r Hastello
yB2Jの商品名の合金製の125crrrのオートク
レーブ中に、下記のものを装入した: ・4−ブロムフェノール: 8.65g(50ミリモル) 二酢酸パラジウム:0.22g (1ミリモル)・下
記の表に示したホスフィン= 5ミリモル・トリエチル
アミン= 110ミリモル・トルエン:
17.5cd。
yB2Jの商品名の合金製の125crrrのオートク
レーブ中に、下記のものを装入した: ・4−ブロムフェノール: 8.65g(50ミリモル) 二酢酸パラジウム:0.22g (1ミリモル)・下
記の表に示したホスフィン= 5ミリモル・トリエチル
アミン= 110ミリモル・トルエン:
17.5cd。
4−ブロムフェノールのpKa:9.5アミンの共役酸
のpKa: 11.1゜このオートクレーブを密
閉し、CO及びH2の等モル混合物でパージした。
のpKa: 11.1゜このオートクレーブを密
閉し、CO及びH2の等モル混合物でパージした。
このCo/H,混合物を次いで0.1MPa(1バール
)の圧力で装入した。オートクレーブの内容物を撹拌し
ながら100℃に加熱した。Co/H2の圧力を3MP
a (30バール)に調節し、次いで温度を150℃に
上げた。
)の圧力で装入した。オートクレーブの内容物を撹拌し
ながら100℃に加熱した。Co/H2の圧力を3MP
a (30バール)に調節し、次いで温度を150℃に
上げた。
Co/H1混合物の吸収が終了するまで、温度を150
℃に、圧力を3MPaに保持した。
℃に、圧力を3MPaに保持した。
次いでオートクレーブを冷却し、ガス抜きした。
液体クロマトグラフィーによる測定のために試料を取り
出しな。処理は例1及び2の場合に記載したものである
。
出しな。処理は例1及び2の場合に記載したものである
。
下記の表(TV )に、各試験についてホスフィン、時
間、4−ブロムフェノール(4BPH)の転化率(DC
1%)、転化した4−ブロムフェノールに対する4−ヒ
ドロキシベンズアルデヒド(4HBZ)の収率(CY、
%)並びに生成したフェノール及び4−ヒドロキシ安息
香酸(4HBQ)の収率(CY、%)に関するデータを
示す。
間、4−ブロムフェノール(4BPH)の転化率(DC
1%)、転化した4−ブロムフェノールに対する4−ヒ
ドロキシベンズアルデヒド(4HBZ)の収率(CY、
%)並びに生成したフェノール及び4−ヒドロキシ安息
香酸(4HBQ)の収率(CY、%)に関するデータを
示す。
100%と上記のCYの合計との間の差は、例1及び2
において示したタイプの構造を有するポリマー状化合物
に相当する。
において示したタイプの構造を有するポリマー状化合物
に相当する。
ホスフィンのpKaが5より小さい場合にはアルデヒド
の収率が非常に低い(比較試験D)ということがわかっ
た。
の収率が非常に低い(比較試験D)ということがわかっ
た。
Claims (9)
- (1)貴金属を基とする触媒、第3アミン及びホスフィ
ンの存在下で一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Xは臭素原子又は沃素原子を表わし、Zは電子
供与基又は電子吸引基を表わし、nは0、1又は2であ
る) のハロフェノールを一酸化炭素と水素との混合物と反応
させることによって一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、nは0、1又は2であり、 Zは電子供与基又は電子吸引基を表わす) のヒドロキシベンズアルデヒドを製造する方法であって
、前記第3アミンはその共役酸のpK_aが式(II)の
ハロフェノールのpK_aより大きいようなものである
こと及びホスフィンのpK_aは5以上であることを特
徴とする前記製造方法。 - (2)式(II)において ・記号Zがヒドロキシル基、臭素原子、沃素原子、アル
キル基、アルコキシ基、1個以上の塩素又は弗素原子で
置換されたアルキル又はアルコキシ基、シクロアルキル
基、フェニル基、シクロアルコキシ基、フェノキシ基、
アルコキシカルボニル基、シクロアルコキシカルボニル
基、フェノキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキ
シ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、フェニルカ
ルボニルオキシ基或いは1個以上の弗素及び(若しくは
)塩素原子又はニトリル基で置換された上記の基の1種
を表わし且つ ・記号Xが臭素原子又は沃素原子を表わす ハロフェノールを用いることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の方法。 - (3)用いられる触媒がパラジウム、ロジウム及びイリ
ジウムのような元素周期律表第VIII族の微細に粉砕され
た貴金属又はそれらの無機若しくは有機酸塩であり且つ
その量が式( I )のハロフェノール1モル当たりの金
属原子のモル数又は金属誘導体のモル数で表わして10
^−^5〜10^−^1モル/モルの範囲、好ましくは
10^−^4〜10^−^2モル/モルの範囲であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1又は2項記載の方法
。 - (4)用いられるホスフィンが脂肪族ホスフィン、環状
脂肪族ホスフィン、アリール脂肪族ホスフィン又は脂肪
族及び(若しくは)環状脂肪族及び(若しくは)アリー
ル脂肪族及び(若しくは)芳香族混合ホスフィンであり
且つ遊離の及び(又は)触媒との錯体の形のホスフィン
の量が、(ホスフィン)/(触媒の貴金属)のモル比が
2〜10,000の範囲、好ましくは4〜1,000の
範囲であるような量であることを特徴とする特許請求の
範囲第1〜3項のいずれかに記載の方法。 - (5)用いられる第3アミンが一般式(IV):N−(R
_1)_3(IV) (式中、 ・基R_1は同一であっても異なっていてもよく、アル
キル、シクロアルキル、アリール又は複素環式基のよう
な1〜20個の炭素原子を有する炭化水素残基を表わし
、 ・2個の基R_1は一緒になって窒素原子と共に4〜6
個の炭素原子を有する複素環を形成することもできる) のアミンであること及びその量が反応によって放出され
る水素酸を中和するのに充分な量であり且つ好ましくは
混合物中の第3アミンの濃度が反応期間の間少なくとも
2モル/lであることを特徴とする特許請求の範囲第1
〜4項のいずれかに記載の方法。 - (6)採用される圧力が0.1〜30MPa(1〜30
0バール)の範囲、好ましくは1〜15MPa(10〜
150バール)の範囲であることを特徴とする特許請求
の範囲第1〜5項のいずれかに記載の方法。 - (7)ヘキサン若しくはシクロヘキサンのような飽和脂
肪族若しくは環状脂肪族炭化水素又はベンゼン、トルエ
ン及びキシレンのような芳香族炭化水素;安息香酸メチ
ル、テレフタル酸メチル、アジピン酸メチル及びフタル
酸ジブチルのようなエステル;テトラエチレングリコー
ルジアセテートのようなポリオールエステル又はエーテ
ル;並びにテトラヒドロフラン又はジオキサンのような
環状エーテルから選択される、ヒドロカルボニル化反応
条件下において不活性である溶媒中で実施されることを
特徴とする特許請求の範囲第1〜6項のいずれかに記載
の方法。 - (8)用いられる式(II)のハロフェノールの濃度が溶
媒の容量についてのハロフェノールの重量で表わして5
%〜50%の範囲、好ましくは10%〜40%の範囲で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1〜7項のいず
れかに記載の方法。 - (9)試験が終了したら反応混合物をアルカリ金属水酸
化物の水溶液で処理することを特徴とする特許請求の範
囲第1〜8項のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8809765A FR2634195B1 (fr) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | Procede de preparation d'hydroxybenzaldehydes par hydrocarbonylation |
FR88/09765 | 1988-07-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0259539A true JPH0259539A (ja) | 1990-02-28 |
JPH0532377B2 JPH0532377B2 (ja) | 1993-05-14 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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EP (1) | EP0351336B1 (ja) |
JP (1) | JPH0259539A (ja) |
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ES (1) | ES2052956T3 (ja) |
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---|---|---|---|---|
DE19926621A1 (de) * | 1999-06-11 | 2000-12-14 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Benzylalkoholen und deren Verwendung |
CN114516784B (zh) * | 2020-11-18 | 2023-05-30 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种新的香兰素合成工艺 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE3242582A1 (de) * | 1982-11-18 | 1984-05-24 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur formylierung von arylhalogeniden |
US4605749A (en) * | 1985-06-20 | 1986-08-12 | State Of Israel, Prime Minister's Office, Atomic Energy Commission | Production of aldehydes |
FR2597862B1 (fr) * | 1986-04-28 | 1988-10-21 | Rhone Poulenc Chimie | Procede de preparation d'aldehydes aromatiques |
-
1988
- 1988-07-13 FR FR8809765A patent/FR2634195B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-29 IL IL90438A patent/IL90438A0/xx unknown
- 1989-07-04 JP JP1171327A patent/JPH0259539A/ja active Granted
- 1989-07-11 EP EP89420251A patent/EP0351336B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-11 ES ES89420251T patent/ES2052956T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-11 AT AT89420251T patent/ATE81842T1/de not_active IP Right Cessation
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- 1989-07-12 IE IE892251A patent/IE892251L/xx unknown
- 1989-07-13 US US07/379,556 patent/US4933497A/en not_active Expired - Fee Related
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DE68903304T2 (de) | 1993-05-13 |
ATE81842T1 (de) | 1992-11-15 |
EP0351336B1 (fr) | 1992-10-28 |
IL90438A0 (en) | 1990-01-18 |
FR2634195A1 (fr) | 1990-01-19 |
US4933497A (en) | 1990-06-12 |
FR2634195B1 (fr) | 1991-01-11 |
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ES2052956T3 (es) | 1994-07-16 |
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