JPH0255925A - ロードセル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 開示技術は小母計量等の際に作用する重量等の荷重を電
気信号に変換して計測することが出来る、所謂荷車変換
器のロードセル等の起歪体に添設するゲージの構造、及
び、製）青の技術分野に属する。

く要旨の概要〉 而して、この出願の発明はジエラルミン製等の所定金属
等の起歪体ビーム等の歪部分の側面にポリイミド、エポ
キシ、アミドイミド、エポキシ変成ポリイミド等の耐熱
絶縁性の有機樹脂製の耐熱絶縁皮膜を塗布する等して添
設さＵｌその上に小イー１〜ストーンブリツジを形成覆
るゲージパターンを成づ金属薄膜層が蒸着法やスパッタ
リング法等により所定に形成された後、フ第１〜リソ、
エツチング等によりゲージパターンが所定に形成されて
いるロードセル、及び、該ロードセルの製造方法に関す
る発明であり、特に、ブリッジ出力の零点の温度係数が
、所定値以下となるように金属薄膜の成長時の条件、或
は、熱処理時の処理条件を所定に設定して、ゲージパタ
ーンと導体用パターンとが１層、或は、２層で３層以上
にはならないような簡単な構造になるようにしたロード
セル及びその製造方法に係る発明である。

〈従来技術〉 周知の如く、現代は市民社会、産業社会に於いても科学
技術に負うところが（※めて人であり、そして、これら
を支えているものに機械装置類が多いこともまた否定し
難いところでおる。

而して、かかる機械装置類には重力等の印加荷弔を用い
るものが４※めて多く、そして、各種の機構の関係から
当該装置類は勿論のこと、他の装造装首等に於いても印
加する荷重を正確に測定しておくことが必要な場合が著
しく多い。

例えば、近時隆盛になってきている流通市場等に於ける
商品に対する重量肘足装置や、各種の産業施設に於ける
制御機構等に於【プる重力等を電気信号に変換する所謂
ロードセル等のｖｉ重変ｊ＆器が広く用いられている。

かかるロードセル等の荷重変換器は当業者に周知の如く
、ジエラルミン製等の起歪体のビーム等の歪の生じ易い
側面部分に当該ビーム等の歪に応じて電気抵抗体の抵抗
値が変化する原理を利用して入力電圧に対する出力電圧
の変化を用いて電気的に荷重を正確に測定する技術が用
いられており、日米はかかるロードセルの製造に際し、
当該ビームの歪発生部分にポリイミド、エポキシ樹脂等
の絶縁フィルムにコンスタンタンやニッケル、ニクロム
等による抵抗体を接着した後当該絶縁フィルムを歪発生
部分に接着する技術が用いられていたが、各種の機械装
首等の精度向上、コス］・ダウンの趨勢に伴いホイート
ス１−−ンブリッジを成ず抵抗体のパターン形成がマイ
クロ化することを強く要求されるようになり、抵抗体の
ゲージパターンを所謂機械加工による成形では精度上対
応しきれなくなり、これに対処するべく、例えば、特開
昭５７−９３２２０＠公報発明に示されている様なビー
ム体の歪発生部分に絶縁層を付設形成した後に当該絶縁
層上に真空蒸着法ヤスバッタリング法により所定の金ｆ
ｆｌａＷｗＡ層を形成させてフォトリソ、エツチング等
の手段により厚さミクロン単位のゲージパターンを形成
させる精巧な高度技術が開発され、ロードセルのコンパ
クト化、■産体制による低コスト化、そして、微弱電流
導通による精密な測定データが飛躍的に向上する等の態
様で現出されることが可能であるようになってさた。

しかしながら、近時電子機器装置類の超精密度が図られ
るようになると、上記ロードセル等の荷重変換器の精度
に対する要求が更に高まり、基礎的に開発された蒸着法
やスパッタリング、そして、フ第１〜リソ、エツチング
等の手段による金属薄膜層のゲージパターンや導体用パ
ターン等に対し、ゼロ点補正等の抵抗体やビームに対す
るゲージパターン等の終段に於ける安定定着状態を保持
させる温度処理等に伴うゲージパターン等の温度補正用
のトリミング抵抗体をゲージパターンに介装させる等の
超精密技術が求められるようになり、これに対し、例え
ば、特公昭６２−２５９７７Ｍ公報発明等の技術が開発
されて基本的には実用に供されるようにはなってきた。

さりながら、該種従来技術においては薄膜歪ゲージは、
例えば、特公昭６２−５９７６７Ｍ公報発明の如く、起
歪体に絶縁層を形成し、その上に所定の各機（ＪＦ、を
有する金属薄膜を真空蒸着ヤスバッタリング、フオＩ〜
リソ、エツチング処理を介して積層するのが一般的であ
る。

該接層の薄膜層としては、第１層に、例えば、Ｎ　ｉ　
Ｃｒ、Ｔａｚ　Ｎ等の金属ノケーシ部、及ヒ、Ｕロバラ
ンス用のトリミングパターン（無負荷時の出力電圧を一
定以内に押えるための１〜リミング用パターン）を形成
し、第２層としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属のゼ
ロ点温度補正用のトリミング用パターンを形成し、更に
、第３層に、例えば、Ｃｕ、ＡノーＣＬＪ、ＡＬＪ等の
金属の導体用パターンを形成する等による各層が機能別
に必要とされている。

更に、各パターン層の間の密着強度を上げるために各層
間に結晶構造の差が市ると、剥離を生ずる虞がおるため
、類似結晶構造のバッファー層を介装して設け、相互に
なじみ易い金属を順次積み重ねるという３層以上の多層
構造としている。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、かかる在来技術によりロードビルの′Ｊ
ＩＪ造においては次のような問題がめった。

叩も、まず、第一に、零点の温度補正を行わねばならな
いが、それには各ロードセルを恒温槽内に収納して、各
単体のブリッジ出力の零点の温度による出力変化を測定
し、それに基づいて各単体ｆＩｊに、その出ツノ変化を
補償し得る温１哀補正用低抗体の抵抗値を粋出し、それ
に基づいて、温度補正用抵抗体の抵抗値をカッティング
等によって調整しなければならないという煩瑣性がある
。

又、第二に多くの薄膜金属層を蒸着やスパッタリングを
介して積層する必要があり、そのため、各金属基板（例
えば、Ｃｕ、Ｎ＊Ｃｒスパッタリング等の際のターゲッ
ト物質）を用意しなければならず、高価となる不利点が
あり、又、金属の金属薄膜の積層を順次反復するので分
光たり１００オングストローム単位程度の積層厚しか出
来ないことから、ミクロン単位の層厚みにするには数十
分もの多くの時間を費し作業能率が悪くなる不具合があ
る。

しかしながら、かかる点は装置側の処理にＪ３いて解決
出来る点もめるが、第三に各金属簿膜層のパターン形成
のために上側からフォトリソ、エツチングプロセスによ
り順次加工する必要があり、レジスト塗布に次いで、乾
燥のキュア作業を行い、続いて、マスクによるパターン
焼き付けの露光作業を行い、その後、現像、定着を行っ
て未露光のレジストを除去し、エツチング用の金属面を
露出させ、レジスト硬化を行い、エッチセント、酸、又
は、アルカリによるエツチングを行って不要なレジスト
を除去する作業を繰り返し、層の数だけ同じプロセスを
たどらざるを冑ず、したがって、多くの工程と治具部品
を必要とする煩瑣性があつＩこ　。

又、第四に上述各層の処理プロセスにおいて、各金属ご
とに選択エツチングしなければならず、そのため、エツ
チング用のバス等をエッヂヤントごとに用意しなければ
ならないという不具合がおり、更に、選択エツチング用
のエッチ！・ントを見い出Ｊのが難しいという難点があ
る。

蓋し、その際本来的に金属が全くエッヂヤントに犯され
ないということはなく、進行速度が遅いたけであるのが
通例でおる点に鑑みれば、下側からの第１層、第２層の
エツチング中に第３層（最上層）がエッヂヤントに犯さ
れ、特性に微妙に影響する欠点がある。

特に、前記特公昭６２−２５９７７号公報発明の如く、
第３層がＣｕであり、該Ｃｕはほとんどあらゆるニップ
ヤントに犯され、層間に入り込んだ洗浄不充分な弱酸、
又は、弱アルカリによって薄膜金属の抵抗値の経時変化
が甚だしい場合は、導体用パターン層の腐蝕にまで発展
する可能性がある不都合さが５つだ。

そして、このことはエッチャントを用いる処理回数が増
Ｕば増す程大ぎくなる厄介さがあった。

そして、第五に異種の薄膜金属を接層に積層しているた
め、その相互の境界部の接触部分では不可避的にイオン
化傾向の相違による接触電位の存在により微弱な信号電
流を再現性良く取り出ｔ！ない不都合さがあり、又、経
時的湿度変化を介しての熱挙動による熱起電力を発生し
温度に対して弱く、微弱な信号電流を同様に再現性良く
取り出せないきらいがある。

そして、薄膜金属相互が密着していてし接触抵抗を右づ
ることから稼動中の各種の揺振動や挙動によってその抵
抗値が安定しないことからもデリケートな信号電流を取
り出Ｕないうらみがある。

又、第六に、通例、ゲージ部の低抗体は最終工程で熱処
理しないと安定しないが、同一起歪体上に２種類以上の
抵抗を作ると、各抵抗の最適な熱ＬＩ　Ｊ！［！条件が
異なるのが一１ｑ的であり、例えば、２つの抵抗体に同
時にマツチングする最適な熱処理条例は設定出来ず、し
たがって、いづれか一方の特性がデバイスとしての特性
になることになるマイナスが必り、このため、結果的に
ロードセルの特性の経１時変化や不安定性を生じ、良好
な再現性が維持出来ないデメリッ１〜がある等のコスト
、及び、’ｔ、ｌ性向で解決Ｊべぎ点が多々ある。

〈発明の目的〉 この出願の発明の「目的は上述従来技術に基づく［Ｊ−
ドセル等の荷車変換装置の起歪体に添着するゲージパタ
ーンの金属薄膜層形成における、フォトリソ、エツチン
グによるパターン処理プロレスでの問題点や摺点温度補
正のトリミングにおける問題点を解決で−べき技術的課
題とし、能率的にゲージパターン、及び、導体用パター
ンの形成能率を向上Ｃ￥ｌるとともに、零点湿度補正の
ためのトリミングを不要として、低コストで高精度の信
頼性の＾い測定データが再現性良く得られるようにして
各種産業における濾測技術利用分野に益する優れたロー
ドセル及びぞの製造方法を提供せんとり−るものである
。

く課題を解決づるための手段・作用〉 上述目的に沿い先述特許請求の範囲を要旨とするこの出
願の発明の構成は前述課題を解決するために、ロードセ
ル等の荷重変換器の起歪体の所定の歪部側面にポリイミ
ド、エポキシ等の耐熱絶縁性のＮ機側ｊ指を塗布し、加
熱硬化さμて薄膜状の絶縁層を形成した後、蒸着、或は
、スパッタリング等の手段により小イートス１〜−ンブ
リツジのゲージパターン、及び、ゼロ点補正、導体用パ
ターンを形成し、次いで、フォトリソ、エツチング、レ
ジスト除去を行って所定の金属薄膜層を形成させるに際
し、その金属簿膜成長時の処理条件、例えば、スパッタ
リングの投入パワーのワット数を所定値に維持すること
により、或は、Ａｒの流量と圧力を５２定条件に維持す
ることにより、又、基板の温度を所定条件に維持するこ
とにより、又は、或は、プラズマ密度を所定条件に保つ
ようにすることにより、或は、加えるに後工程の熱処理
条件をコントロールすることにより、ブリッジ出力の零
点の温度係数が所定値以下となるようにするか、各ゲー
ジパターンの１氏抗体の温度係数の値を可及的にゼロに
等しいようにするようにして金属薄膜層を１層、或は、
ぜいぜい２層に抑えることが出来るようにして、以後、
零点の温度補償を行わなくても高いデータ精度の再現性
を正６「に維持することが出来るようにしてゲージパタ
ーン、導体用パターンの製作工数を低減し低コストで製
造することが出来るようにした技術的手段を講じたもの
でおる。

〈発明の基礎的前日〉 次に、この出願の発明の基礎的背景を説明すると、第３
図に示すホイートストーンブリッジについてその出力式
は となるのは当業者に周知のものであるが、金属歪休に歪
の加わらないゼロ点の時だけに注目すると、Ｒａ−Ｒｄ
、の各抵抗Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄには該抵抗の温度係
数αａ、αｂ、αＣ１αｄのみが温度Ｔによる変動要素
として入ってくることが分っている。

即も、 Ｒａ’　　−Ｒａ　（１＋αａＴ） Ｒｂ’　　−Ｒｂ　（１＋αｂＴ） ＲＣ′−ＲＣ（１＋αＣＴ） １又ｄ’　−Ｒｄ　（１＋αｄＴ） として（１）式に代入すると、 ｏｕｔ Ｒｄ（１＋ａｄ−Ｔ−） Ｒｄ　（１＋αｄＴ）＋Ｒｂ（１＋αｂＴ）Ｒｃ　（１
＋αｃＴ） Ｒｃ　（１＋αＣＴ）　十Ｒａ　（１＋αａＴ）ｅｘ となる。

この（２）式を温度Ｔの項に関して（但し、王の２乗項
は無視）マクロ−リン級数展開すると、となる。

該（３）式の［］の第１．２項目は通常のブリッジバラ
ンスの出力式でおり、第３項目以後が温度Ｔに従って変
動する要素の温度項でおる。

そこで、（３）式に於いて項式 ＲｄＲｂ　＜ａｄ−ｃｚｂ＞ ＲＣＲａ　（αＣ−αａ） （ＲＣ＋Ｒａ）’ が満足されると、出力は温度と無関係となることが分る
。

第３．４項をゼロにするには以下の２通りの方法が考え
られろ。

叩ら、 １）上記（４）式が成立づるように各抵抗値（Ｒａ、Ｒ
ｂ、Ｒｃ、Ｒｄ）を作り上ケル。

２）温度係数はゲージが出来上がった時に確定Ｊること
になるので、Ｒａ−Ｒｄの各抵抗体を（４）式を満足覆
るように１−リミングする。

しかし、この方法は以下のａ）、ｂ）の２点で現実性が
ない。

ａ）ブリッジの初期出力（ゼロ黒山ｈ）が保証されない
。

即ち、ブリッジバランスを取りながら （４）式を満足ざＵることは出来ず、 又、現実には非常に大きなトリミング 量どなる。

ｂ）各抵抗体（Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ）の温度係数（
αａ、αｂ、αＧ、ａｄ）を全て独立に測定しなければ
トリミン グ出来ないため、測定に多大な時間と 労力を貸すことになり、管理操作が（※めて煩雑となる
。

そこで、上述１）の方法についてこの出願の発明では検
問されたものである。

前記（３）式の第１．２項よりブリッジバランスは取ら
な（プればならないので、 Ｒａ＝Ｒｂ＝Ｒｃ＝Ｒｄ になるようにトリミングしたとづると（３）式は更に簡
略化されて Ｖｏｕｔ’　＝１／４　（αａ＋αｄ−αｂ−αｃ）１
’−ｘＶｅｘ　　　　　　　（５） 該（５）式の（αａ＋αｄ−αｂ−αＣ）を温度項とす
る。

叩ら、該温度項について［αａ十αｄ−αｂ−αＣ］が
可及的に小ざくなるように各抵抗体Ｒａ、Ｒｂ、ＲＣ，
Ｒｄを作り込めば良いこととなる。

又、多少この数字が規定値をオーバーしても抵抗値（Ｒ
ａ、Ｒｂ、ＲＣ，Ｒｄ）をバランスｈ唯Ｉれない程度に
トリミングして修正することも可能である。

例えば、±１１００９ｔ）／℃のピロ点温度係数に抑え
ようとすると、［αａ十αｄ−αｂ−αＣ］≦０．８ｐ
ｐｍ　／’Ｃ以下になるように各抵抗体（Ｒａ、Ｒｂ、
Ｒｃ、Ｒｄ＞を作り込めば良い。

核種態様はＣ１，Ｊ−Ｎｉの場合、ａ　＝　−４０〜６
０ｐｐｍ／°Ｃが通例であり、したがって、このバラつ
きをいかに小さく抑えられるかの条件を探Ｕば良いこと
になる。

作り込み条件についてはこのうち、温度係数（ａａ、α
ｂ１αＣ１αｄ）をバラつぎなくコントロール覆るには
以下の１＞、２）の２つのプロセスの条件をうまく制御
覆れば実現化可能であることが分った。

１）金属膜成長時の処理プロセス ２）熱処理時の処理プロセス まず、１）の金属膜成長時の処理プロセスについて金属
薄膜製作プロセスは色々あるが、スパッタリング態様を
例にして示すと ・スパッタ時のパワー（イ１効面積に苅りる投入ワット
数）が一定の条件を保つこと ・Ａｒ流催と圧力（装石のパターン用の合金塊に対する
イオン化Ａｒの条件）の条件を保つこと ・基板温度を保つこと ・プラズマ密度を保つこと の上記４条件を種々組み合けると、前記温度係数条件［
αａ＋αｄ−ａｂ−ｃｒｃ］≦０．８ｐｐｍ　／’Ｃに
作り込むことが可能な条件がある。

しかし、これだけでは充分とは言えないために、２）の
熱処理時の処理プロセスにおいて、熱処理温度とその保
持０４間により抵抗値と（Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｅ、Ｒｄ）と
抵抗温度係数（ａａ、αｂ、αＧ、αｄ）をコントロー
ル出来る。

上記１）の条件と２）の条件の１，４適な組み合ぜを求
めて １）［αａ＋αｄ−ａｂ−αｃ］≦　０．８にするか、 ２）ａａ、ａ’ｏ　　ｃｘｃ　　αｄ　　ＯになるＪ：
うへ最適条件を限定Ｍ“れば良く、これは現状の技術で
可能であり、現にそれは見つけられる。

〈実施例〉 次に、この出願の発明の実施例を図面を参照して説明す
れば以下の通りである。

第１図に示す実施例において、１は、例えば、スーパー
マーケットのバック八７−ドに於いて用いられる徂ω］
　ｔｌ装置に用いられるロードセルであり、そのジエラ
ルミン製等の起歪体２は面対称的に歪部形成用の抜き孔
３が形成されて、その片面の歪発生部分には在来態様同
様に起歪体２の成形仕上げ研磨後に洗浄作用を付与し、
ポリイミド、エポキシ樹脂等の耐熱絶縁性有機樹脂製の
塗布液を所定厚さに均一に塗イロした後、窒素ガス雰囲
気中に所定温度に加熱して塗イ［シ、樹脂を熱硬化ざせ
て、例えば、６ミクロン程度の耐熱絶縁性皮膜４を形成
ざぜ、次いで、銅−ニッケルのスパッタリングを行い在
来態様同様にレジスト塗イ５を行い、プリベークして露
光させ現像し、リンス（＝ｌ与してポストベークしてフ
ォトリソ、エツチングによりレジメ１〜除去を行い、ゲ
ージパターンを形成させる。

基本的なプロセスは前記特公昭６２−２５９７７号公報
発明に示されているプロセスと同様で必るが、金属薄膜
形成時の薄膜成長時に先述した事前的背景に示されてい
るように、スパッタリング口、１に単位有効面積に投入
するワツ！〜数を一定条件に保つことと、銅−ニラクル
合金１先に対するイオン化されたアルゴンの流ｆ４と圧
力を一定条イ１に保つようにしたり、基板の温度を一定
に保つようにしたり、プラズマ密度を一定に保つように
する等の条件を組み合せて先述（５）式の温度項の絶対
値を、例えば、０．８に等しいか小さくなるようにし、
そして、かかる金属薄膜の成長時の条件付与が充分でな
い場合には更に最終熱硬化処理プロセスにおける温度と
該温度の保持１４間をコントロールすることにより上記
温度項の絶対値を、例えば、０．８に等しいか小さいに
うにするか、又は、各ゲージパターンの抵抗体の温度係
数を可及的にピロに等しくするようにすることと組み合
せることにより、ゲージパターン層５と導体用パターン
層６とを２層にすることが出来る。

そして、最終的に該導体用パターン層６の上部に保護膜
層７を形成させて完成する。

又、第２図に示すロードセル１′の態様においては、絶
縁層４上にゲージパターン５を１層にして導体用パター
ン６□ｂ４ＪｎＬ形成させて、実質的に１層にすること
か出来るようにした態様でおる。

当該実施例においても最終的に保ぬ膜７が仝休をカバー
している。

而して、１層にする時は、導体用パターン６部分とゲー
ジパターン５部分とは両者が同一結晶物質であることか
らゲージパターンの横幅と導体用パターンの横幅とを調
整することにより形成でき、例えば、通常ゲージパター
ンの横幅を１０〜５０ミクロンミリとし、導体用パター
ンの幅を１〜５１１ｍとして５キロオームのゲージを製
作すると導体用パターンの抵抗値は１０オ一ム程度にな
り、充分実用に耐えるものが出来る。

尚、この出願の発明の実施態様は上述実施例に限るもの
でないことは勿論であり、例えば、荷重変換器について
はロードセル以外のものにも適用可能で゛あり、更に、
ロードセルについてはスーパーマーケットの千４計吊装
置に適用する以外の各秤測定機器に適用出来る等種々の
態様か採用可能でおる。

〈発明の効果〉 以上、この出願の発明によれば、基本的にジエラルミン
製の起歪体のビームの歪発生部分に絶縁層を塗イ５硬化
させて形成した後、蒸着法やスパッタリング法による所
定金属薄膜をゲージパターン、導体用パターンとして形
成させ、更に、フ第１〜リソ、エツチングによる処理を
介して最終パターンを（＝Ｊ与されたロードセルにおい
て、ブリッジ出力の零点の温度係数が所定値以下となる
ように、各ゲージパターンの抵抗体を作り込むので、完
成後に零点の温度補償を行う必要がなく、しかも人手を
介さずに同一特性のものを大組に生産できるので製造工
数を少くして特性面、及び、コスト的に（粗めて有利な
条件を引き出すことが出来るという優れた効果が奏され
る。

而して、その製造方法において連続薄膜の成長時、又は
、熱処理プロセス時にスパッタリング時の投入パワー、
アルゴン流Ｔと圧力、基板の温度、プラズマ密度を一定
条件に維持するようにしたり、温度と該温度の保持時間
を所定にコン１〜口！−ルすることにより、ブリッジ出
力の零点の温度係数が所定値以下となるようにし、又、
各抵抗体の温度係数が可及的にゼロに等しくなるように
して、金属薄膜層の形成時にフォトリソ、エツチングプ
ロセスでの工数削減、各プロセスにおける測定管理等に
多大な時間やエネルギーを要することなく、しかも、精
度の高く再現性の良い微弱な測定データを取り出すこと
が出来るという優れた効果が秦される。

そのため、起歪体の歪発生部分に添着する薄膜金属層を
従来の如く３層以上にせず１層、或は、２層程度にする
ことによる工数削減、精度管理の煩瑣な手続きを著しく
省略させ、製品精度に対する信頼を向上させ、コストダ
ウンを導き出すことが出来るという優れた効果が奏され
る。

このようにすることにより、起歪体に添設するゲージパ
ターン、及び、導体用パターンのＰｌ造を従来の３層以
上のものから２層椙造への変更によることから前述した
如く、温度補正用の抵抗体が各ゲージのブリッジの各辺
ごとに所定の態様で作り込まれることにより不要となる
ことが可能となる。

特に、フォトリソプロセスを２回反復することにより、
加工出来、又、還択するエツチングを行いたくなければ
導体用パターンの膜体はゲージパターン加工成形後にシ
ャドーマスクを被Ｕてスパッタリング等で成膜すること
が得られる効果がある。

而して、第１層だけで導体用パターン、ゲージパターン
部についてトリミング用のパターンを作れば良く、これ
により１層構造への変更が可能となる効果もある。

【図面の簡単な説明】

図面はこの出願の発明の詳細な説明図であり、第１．２
図はロードセルの＊略模式側面図、第３図はボイートス
＋−−ンブリッジの回路図である。 ？・・・起歪体、　　５・・・ゲージパターン、１・・
・ロードセル

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）起歪体の歪部側面に耐熱絶縁皮膜を介してホイー
   トストーンブリッジ形成用のゲージパターンを成す金属
   薄膜層が形成されているロードセルにおいて、４つのゲ
   ージパターンの抵抗体が、ブリッジ出力の零点の温度係
   数が所定値以下となる値に作り込まれていることを特徴
   とするロードセル。
2. （２）上記ブリッジ出力の零点の温度係数が１００ｐｐ
   ｍ／℃以下に抑えられていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載のロードセル。
3. （３）上記ゲージパターンと導体用パターンとが１層又
   は２層で形成されていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載のロードセル。
4. （４）起歪体の歪部側面に耐熱絶縁皮膜を介してブリッ
   ジ形成用のゲージパターンを成す金属薄膜層が形成され
   ているロードセルの製造方法において、４つのゲージパ
   ターンの抵抗体を、上記金属薄膜成長時の処理条件の調
   整により、ブリッジ出力の零点の温度係数が所定値以下
   となるように作り込むことを特徴とするロードセルの製
   造方法。
5. （５）上記金属薄膜成長時にスパッタリングの投入パワ
   ーの入力数を一定条件に保つようにしたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第４項記載のロードセルの製造方法。
6. （６）上記金属薄膜成長時にスパッタリングのＡｒの流
   量と圧力を一定条件に保つようにしたことを特徴とする
   特許請求の範囲第４項記載のロードセルの製造方法。
7. （７）上記金属薄膜成長時に基板の温度を一定条件に保
   つようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記
   載のロードセルの製造方法。
8. （８）上記金属薄膜成長時にスパッタリングのプラズマ
   密度を一定条件に保つようにしたことを特徴とする特許
   請求の範囲第４項記載のロードセルの製造方法。
9. （９）上記第５項乃至第８項の条件を組み合せるように
   したことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のロー
   ドセルの製造方法。
10. （１０）上記第４項の条件に加えて後工程の熱処理条件
    をコントロールするようにしたことを特徴とする特許請
    求の範囲第４項記載のロードセルの製造方法。