JPH0254664B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0254664B2 JPH0254664B2 JP5523583A JP5523583A JPH0254664B2 JP H0254664 B2 JPH0254664 B2 JP H0254664B2 JP 5523583 A JP5523583 A JP 5523583A JP 5523583 A JP5523583 A JP 5523583A JP H0254664 B2 JPH0254664 B2 JP H0254664B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- bonding
- work window
- bonding work
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 57
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 49
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明は酸化し易い銅又は銅にニツケル、銀、
銅等のメツキを施したリードフレームにダイボン
デイング又はワイヤボンデイングを行うボンデイ
ング装置用加熱装置に関する。
銅等のメツキを施したリードフレームにダイボン
デイング又はワイヤボンデイングを行うボンデイ
ング装置用加熱装置に関する。
（発明の背景）
従来、リードフレームの酸化を防止する加熱装
置として、第１図、第２図に示す構造が知られて
いる。リードフレーム１０をガイドするガイドレ
ール１１は相対向して配設されており、このガイ
ドレール１１の上面にはガイド溝１１ａが形成さ
れている。またガイドレール１１には、上面に上
板１２が、下面にカバー１３が固定されている。
前記ガイドレール１１の内側にはカートリツジヒ
ータ１４を内蔵した加熱体１５が配設されてお
り、加熱体１５は図示しない上下駆動機構によつ
て上下動する加熱体ホルダー１６に固定されてい
る。前記加熱体１５には窒素ガス等の不活性ガス
または不活性ガスに酸化還元ガスを５〜10体積％
程度混合したホーミングガス等を流すガス孔１５
ａが加熱体１５の長手方向に形成され、このガス
孔１５ａより加熱体１５の上面に向つて多数個の
細い孔１５ｂが形成されている。また前記上板１
２及び加熱体１５の上方にはボンデイング作業に
必要なボンデイング作業窓１７ａが形成された押
え板１７が配設されており、この押え板１７は図
示しない上下駆動機構によつて上下動する押え板
ホルダー１８に固定されている。また前記押え板
ホルダー１８の側方にはXY方向に駆動されるボ
ンデイングヘツド２０が配設され、このボンデイ
ングヘツド２０には上下動可能にボンデイングア
ーム２１が取付けられている。このボンデイング
アーム２１の一端には前記ボンデイング作業窓１
７ａを通してダイボンデイング又はワイヤボンデ
イングするボンデイングツール２２が固定されて
いる。
置として、第１図、第２図に示す構造が知られて
いる。リードフレーム１０をガイドするガイドレ
ール１１は相対向して配設されており、このガイ
ドレール１１の上面にはガイド溝１１ａが形成さ
れている。またガイドレール１１には、上面に上
板１２が、下面にカバー１３が固定されている。
前記ガイドレール１１の内側にはカートリツジヒ
ータ１４を内蔵した加熱体１５が配設されてお
り、加熱体１５は図示しない上下駆動機構によつ
て上下動する加熱体ホルダー１６に固定されてい
る。前記加熱体１５には窒素ガス等の不活性ガス
または不活性ガスに酸化還元ガスを５〜10体積％
程度混合したホーミングガス等を流すガス孔１５
ａが加熱体１５の長手方向に形成され、このガス
孔１５ａより加熱体１５の上面に向つて多数個の
細い孔１５ｂが形成されている。また前記上板１
２及び加熱体１５の上方にはボンデイング作業に
必要なボンデイング作業窓１７ａが形成された押
え板１７が配設されており、この押え板１７は図
示しない上下駆動機構によつて上下動する押え板
ホルダー１８に固定されている。また前記押え板
ホルダー１８の側方にはXY方向に駆動されるボ
ンデイングヘツド２０が配設され、このボンデイ
ングヘツド２０には上下動可能にボンデイングア
ーム２１が取付けられている。このボンデイング
アーム２１の一端には前記ボンデイング作業窓１
７ａを通してダイボンデイング又はワイヤボンデ
イングするボンデイングツール２２が固定されて
いる。
次に作動について説明する。リードフレーム１
０の送りは、加熱体１５が下降し、押え板１７が
上昇した状態において行われる。そして、リード
フレーム１０のボンデイング部がボンデイング作
業窓１７ａの真下に位置すると、加熱体１５が上
昇し、押え板１７が下降してリードフレーム１０
をクランプし、この状態でボンデイングが行われ
る。また不活性ガス等はガス孔１５ａ、細い孔１
５ｂを通る間に十分に加熱され、加熱体１５の上
面から吹き出していてリードフレーム１０の酸化
を防止している。
０の送りは、加熱体１５が下降し、押え板１７が
上昇した状態において行われる。そして、リード
フレーム１０のボンデイング部がボンデイング作
業窓１７ａの真下に位置すると、加熱体１５が上
昇し、押え板１７が下降してリードフレーム１０
をクランプし、この状態でボンデイングが行われ
る。また不活性ガス等はガス孔１５ａ、細い孔１
５ｂを通る間に十分に加熱され、加熱体１５の上
面から吹き出していてリードフレーム１０の酸化
を防止している。
しかしながら、かかる構造はリードフレーム１
０を加熱体１５と押え板１７との間でクランプし
ているので、細い孔１５ｂから吹き出す不活性ガ
スがボンデイング作業窓１７ａに導かれる通路
は、加熱体１５と押え板１７間にはさまれたリー
ドフレーム１０の厚み分しか空間が存在しなく、
かつその空間の大部分にはリードフレーム１０が
存在してふさいでいる。このため、細い孔１５ｂ
から吹出した不活性ガスの雰囲気はボンデイング
作業窓１７ａの内部まで回り込んでこない。また
リードフレーム１０及び不活性ガスも加熱体１５
によつて加熱されているので、前記したわずかな
空間からボンデイング作業窓１７ａに吹出した不
活性ガスが熱のために上昇気流となつており、す
ぐに上昇してしまう。これらのことにより、ボン
デイング作業窓１７ａの内部が十分な不活性ガス
雰囲気中になく、十分にリードフレーム１０の酸
化を防止することができないという欠点があつ
た。
０を加熱体１５と押え板１７との間でクランプし
ているので、細い孔１５ｂから吹き出す不活性ガ
スがボンデイング作業窓１７ａに導かれる通路
は、加熱体１５と押え板１７間にはさまれたリー
ドフレーム１０の厚み分しか空間が存在しなく、
かつその空間の大部分にはリードフレーム１０が
存在してふさいでいる。このため、細い孔１５ｂ
から吹出した不活性ガスの雰囲気はボンデイング
作業窓１７ａの内部まで回り込んでこない。また
リードフレーム１０及び不活性ガスも加熱体１５
によつて加熱されているので、前記したわずかな
空間からボンデイング作業窓１７ａに吹出した不
活性ガスが熱のために上昇気流となつており、す
ぐに上昇してしまう。これらのことにより、ボン
デイング作業窓１７ａの内部が十分な不活性ガス
雰囲気中になく、十分にリードフレーム１０の酸
化を防止することができないという欠点があつ
た。
（発明の目的）
本発明の目的は、ボンデイング作業窓１７ａの
内部を十分な不活性ガス雰囲気中にすることがで
きるボンデイング装置用加熱装置を提供すること
にある。
内部を十分な不活性ガス雰囲気中にすることがで
きるボンデイング装置用加熱装置を提供すること
にある。
（発明の実施例）
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第３図は本発明になるボンデイング装置用加熱装
置の一実施例を示す平面図、第４図は第３図の４
−４線断面図、第５図は第４図の５−５線断面拡
大図、第６図は第５図の６−６線断面図である。
第３図及び第４図に示すように、カートリツジヒ
ータ３０を内蔵する加熱体３１の上面にはリード
フレーム１０をガイドするガイド溝３１ａが形成
されている。また加熱体３１には不活性ガス等を
流すガス孔３１ｂが加熱体３１の長手方向に形成
され、このガス孔３１ｂより加熱体３１の上面に
向つて多数個の細いガス孔３１ｃが形成されてい
る。また加熱体３１の上面には加熱体カバー３２
が固定されており、カバー３２にはこのカバー３
２の上方に配設された押え板３３の押え部３３ａ
が入り込む開口部３２ａが形成されている。前記
押え板３３にはボンデイング作業に必要なボンデ
イング作業窓３３ｂが形成されており、この押え
板３３は図示しない上下駆動機構によつて上下動
する押え板ホルダー３４に固定されている。前記
押え部３３ａは第５図及び第６図より明らかなよ
うに、リードフレーム１０を押える部分のみ下方
に突出して形成され、他の部分は大きく逃げてガ
ス吹出口３３ｃが形成されている。
第３図は本発明になるボンデイング装置用加熱装
置の一実施例を示す平面図、第４図は第３図の４
−４線断面図、第５図は第４図の５−５線断面拡
大図、第６図は第５図の６−６線断面図である。
第３図及び第４図に示すように、カートリツジヒ
ータ３０を内蔵する加熱体３１の上面にはリード
フレーム１０をガイドするガイド溝３１ａが形成
されている。また加熱体３１には不活性ガス等を
流すガス孔３１ｂが加熱体３１の長手方向に形成
され、このガス孔３１ｂより加熱体３１の上面に
向つて多数個の細いガス孔３１ｃが形成されてい
る。また加熱体３１の上面には加熱体カバー３２
が固定されており、カバー３２にはこのカバー３
２の上方に配設された押え板３３の押え部３３ａ
が入り込む開口部３２ａが形成されている。前記
押え板３３にはボンデイング作業に必要なボンデ
イング作業窓３３ｂが形成されており、この押え
板３３は図示しない上下駆動機構によつて上下動
する押え板ホルダー３４に固定されている。前記
押え部３３ａは第５図及び第６図より明らかなよ
うに、リードフレーム１０を押える部分のみ下方
に突出して形成され、他の部分は大きく逃げてガ
ス吹出口３３ｃが形成されている。
前記押え板３３の上面にはガスカバー４０が固
定されている。ガスカバー４０には前記ボンデイ
ング作業窓３３ｂに対応した部分に前記ボンデイ
ング作業窓３３ｂと同様にボンデイング作業窓４
０ａが形成されており、底面の内周側は押え板３
３の上面との間にボンデイング作業窓３３ｂの全
周にわたつて若干の空間４０ｂが形成され、この
空間４０ｂの周りにガス溜め部４０ｃが形成され
ている。そして、ガス溜め部４０ｃには図示しな
いガス供給源より不活性ガスがガス供給パイプ４
１，４２を通して供給されるようになつている。
定されている。ガスカバー４０には前記ボンデイ
ング作業窓３３ｂに対応した部分に前記ボンデイ
ング作業窓３３ｂと同様にボンデイング作業窓４
０ａが形成されており、底面の内周側は押え板３
３の上面との間にボンデイング作業窓３３ｂの全
周にわたつて若干の空間４０ｂが形成され、この
空間４０ｂの周りにガス溜め部４０ｃが形成され
ている。そして、ガス溜め部４０ｃには図示しな
いガス供給源より不活性ガスがガス供給パイプ４
１，４２を通して供給されるようになつている。
またリードフレーム１０を位置決めする位置決
めピン５０が図示しない上下動機構で上下動する
ように設けられており、前記加熱体３１、加熱体
カバー３２及び押え板ホルダー３４には前記位置
決めピン５０用の逃げ穴３１ｄ，３２ａ，３４ａ
がそれぞれ形成されている。前記逃げ穴３１ｄの
下面には位置決めピン５０に摺動自在に嵌挿され
た逃げ穴カバー５１が配設され、この逃げ穴カバ
ー５１はスプリング５２で加熱体３１に押付けら
れている。
めピン５０が図示しない上下動機構で上下動する
ように設けられており、前記加熱体３１、加熱体
カバー３２及び押え板ホルダー３４には前記位置
決めピン５０用の逃げ穴３１ｄ，３２ａ，３４ａ
がそれぞれ形成されている。前記逃げ穴３１ｄの
下面には位置決めピン５０に摺動自在に嵌挿され
た逃げ穴カバー５１が配設され、この逃げ穴カバ
ー５１はスプリング５２で加熱体３１に押付けら
れている。
次に作用について説明する。リードフレーム１
０の送りは押え板３３の押え部３３ａの下面の加
熱体カバー３２の下面と同一か、または若干上昇
した状態において行われる。そして、リードフレ
ーム１０のボンデイング部がボンデイング作業窓
３３ｂ，４０ａの真下に位置すると、位置決めピ
ン５０が上昇してリードフレーム１０の位置決め
穴に挿入される。次に押え板ホルダー３４と共に
押え板３３が下降して押え部３３ａによつてリー
ドフレーム１０をクランプし、この状態でボンデ
イングが行われる。
０の送りは押え板３３の押え部３３ａの下面の加
熱体カバー３２の下面と同一か、または若干上昇
した状態において行われる。そして、リードフレ
ーム１０のボンデイング部がボンデイング作業窓
３３ｂ，４０ａの真下に位置すると、位置決めピ
ン５０が上昇してリードフレーム１０の位置決め
穴に挿入される。次に押え板ホルダー３４と共に
押え板３３が下降して押え部３３ａによつてリー
ドフレーム１０をクランプし、この状態でボンデ
イングが行われる。
ところで、ガス供給パイプ４１，４２からガス
溜め部４０ｃに溜められた不活性ガスはボンデイ
ング作業窓４０ａの全周の空間４０ｂからボンデ
イング作業窓３３ｂの上面に吹き出しているの
で、ボンデイング作業窓３３ｂの上面にはガスカ
ーテンが形成され、外気とボンデイング作業面と
を遮断する。このため、ボンデイング作業窓４０
ａからボンデイング作業窓３３ｂへの空気の進入
は防止される。またガス孔３１ｃから吹出し、押
え板３３のガス吹出口３３ｃを通つてボンデイン
グ作業窓３３ｂに供給された不活性ガスが熱によ
つて昇温しても、前記した空間４０ｂから不活性
ガスによるガスカーテンによつて上昇気流となる
のが防止される。
溜め部４０ｃに溜められた不活性ガスはボンデイ
ング作業窓４０ａの全周の空間４０ｂからボンデ
イング作業窓３３ｂの上面に吹き出しているの
で、ボンデイング作業窓３３ｂの上面にはガスカ
ーテンが形成され、外気とボンデイング作業面と
を遮断する。このため、ボンデイング作業窓４０
ａからボンデイング作業窓３３ｂへの空気の進入
は防止される。またガス孔３１ｃから吹出し、押
え板３３のガス吹出口３３ｃを通つてボンデイン
グ作業窓３３ｂに供給された不活性ガスが熱によ
つて昇温しても、前記した空間４０ｂから不活性
ガスによるガスカーテンによつて上昇気流となる
のが防止される。
また押え板３３には、リードフレーム１０を押
えるに必要な押え部３３ａが形成され、他の部分
は大きく逃げてガス吹出口３３ｃとなつているの
で、ガス孔３１ｃから吹出された不活性ガスはガ
ス吹出口３３ｃを通つてスムーズにボンデイング
作業窓３３ｂにすることができる。
えるに必要な押え部３３ａが形成され、他の部分
は大きく逃げてガス吹出口３３ｃとなつているの
で、ガス孔３１ｃから吹出された不活性ガスはガ
ス吹出口３３ｃを通つてスムーズにボンデイング
作業窓３３ｂにすることができる。
更に本実施例のように加熱体３１にガイド溝３
１ａを形成し、このガイド溝３１ａを覆うように
カバー３２を設けると、ガイド溝３１ａ部に進入
する空気は、ボンデイング作業窓３３ｂを除いて
はカバー３２の開口部３２ａ部分の隙間及び加熱
体３１の逃げ穴３１ｄのみとなる。前記カバー３
２の開口部３２ａの部分の隙間は極めて小さくで
きるので、この部分からの空気進入は十分に抑え
られる。また加熱体３１の逃げ穴３１ｄからの空
気進入は逃げ穴３１ｄの下面に逃げ穴カバー５１
を配設することにより防止される。
１ａを形成し、このガイド溝３１ａを覆うように
カバー３２を設けると、ガイド溝３１ａ部に進入
する空気は、ボンデイング作業窓３３ｂを除いて
はカバー３２の開口部３２ａ部分の隙間及び加熱
体３１の逃げ穴３１ｄのみとなる。前記カバー３
２の開口部３２ａの部分の隙間は極めて小さくで
きるので、この部分からの空気進入は十分に抑え
られる。また加熱体３１の逃げ穴３１ｄからの空
気進入は逃げ穴３１ｄの下面に逃げ穴カバー５１
を配設することにより防止される。
（発明の効果）
本発明によれば、押え板の上面には、押え板の
ボンデイング作業窓の上面に不活性ガス等を供給
するガスカバーを設け、このガスカバーにもボン
デイング作業窓を設けてなるので、押え板のボン
デイング作業窓の上面にはガスカーテンが形成さ
れ、外気とボンデイング作業面とが遮断されると
共に、前記加熱体からの不活性ガス等の上昇気流
が抑えられる。またガスカバーにより形成された
ガス溜め部の周囲は密閉されているので、全く空
気を吸い込むことがなく、ガスカーテンの機能が
低下することもない。これらのことにより、ボン
デイング作業窓の内部は十分な不活性ガス雰囲気
となり、リードフレームの酸化が防止される。ま
た押え板には、加熱体のガス孔より吹出された不
活性ガス等をボンデイング作業窓に導くガス吹出
口が形成されているので、加熱体から吹出された
ガス吹出口はスムーズにボンデイング作業窓に達
することができる。
ボンデイング作業窓の上面に不活性ガス等を供給
するガスカバーを設け、このガスカバーにもボン
デイング作業窓を設けてなるので、押え板のボン
デイング作業窓の上面にはガスカーテンが形成さ
れ、外気とボンデイング作業面とが遮断されると
共に、前記加熱体からの不活性ガス等の上昇気流
が抑えられる。またガスカバーにより形成された
ガス溜め部の周囲は密閉されているので、全く空
気を吸い込むことがなく、ガスカーテンの機能が
低下することもない。これらのことにより、ボン
デイング作業窓の内部は十分な不活性ガス雰囲気
となり、リードフレームの酸化が防止される。ま
た押え板には、加熱体のガス孔より吹出された不
活性ガス等をボンデイング作業窓に導くガス吹出
口が形成されているので、加熱体から吹出された
ガス吹出口はスムーズにボンデイング作業窓に達
することができる。
第１図は従来のボンデイング装置用加熱装置の
平面図、第２図は第１図の２−２線断面図、第３
図は本発明になるボンデイング装置用加熱装置の
一実施例を示す平面図、第４図は第３図の４−４
線断面図、第５図は第４図の５−５線断面拡大
図、第６図は第５図の６−６線断面図である。 １０……リードフレーム、３１……加熱体、３
１ａ……ガイド溝、３１ｂ，３１ｃ……ガス孔、
３３……押え板、３３ａ……押え部、３３ｂ……
ボンデイング作業窓、３３ｃ……ガス吹出口、４
０……ガスカバー、４０ａ……ボンデイング作業
窓、４０ｂ……空間、４０ｃ……ガス溜め部、４
１，４２……ガス供給パイプ。
平面図、第２図は第１図の２−２線断面図、第３
図は本発明になるボンデイング装置用加熱装置の
一実施例を示す平面図、第４図は第３図の４−４
線断面図、第５図は第４図の５−５線断面拡大
図、第６図は第５図の６−６線断面図である。 １０……リードフレーム、３１……加熱体、３
１ａ……ガイド溝、３１ｂ，３１ｃ……ガス孔、
３３……押え板、３３ａ……押え部、３３ｂ……
ボンデイング作業窓、３３ｃ……ガス吹出口、４
０……ガスカバー、４０ａ……ボンデイング作業
窓、４０ｂ……空間、４０ｃ……ガス溜め部、４
１，４２……ガス供給パイプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ リードフレームに当接して該リードフレーム
を加熱する加熱体と、前記リードフレームを前記
加熱体に押付ける押え部が形成され、かつ押え部
の内側にボンデイング作業窓が形成され、前記加
熱体と相対的に上下動する押え板とを備え、前記
加熱体には前記ボンデイング作業窓に不活性ガス
等を供給するガス孔が形成されたボンデイング装
置用加熱装置において、前記押え板の上面には、
押え板のボンデイング作業窓の上面に不活性ガス
等を供給するための周囲が密閉されたガス溜め部
を有するガスカバーを設け、このガスカバーにも
ボンデイング作業窓を設け、前記ガスカバーのガ
ス溜め部に不活性ガス等を供給するようにガスカ
バーにガス供給部材を接続してなるボンデイング
装置用加熱装置。 ２ リードフレームに当接して該リードフレーム
を加熱する加熱体と、前記リードフレームを前記
加熱体に押付ける押え部が形成され、かつ押え部
の内側にボンデイング作業窓が形成され、前記加
熱体と相対的に上下動する押え板とを備え、前記
加熱体には前記ボンデイング作業窓に不活性ガス
等を供給するガス孔が形成されたボンデイング装
置用加熱装置において、前記加熱体のガス孔の吹
出口は、前記押え板の押え部の外側に形成され、
前記押え板には、前記加熱体のガス孔より吹出さ
れた不活性ガス等を前記ボンデイング作業窓に導
くガス吹出口が形成され、前記押え板の上面に
は、押え板のボンデイング作業窓の上面に不活性
ガス等を供給するための周囲が密閉されたガス溜
め部を有するガスカバーを設け、このガスカバー
にもボンデイング作業窓を設け、前記ガスカバー
のガス溜め部に不活性ガス等を供給するようにガ
スカバーにガス供給部材を接続してなるボンデイ
ング装置用加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055235A JPS59182532A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | ボンデイング装置用加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055235A JPS59182532A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | ボンデイング装置用加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182532A JPS59182532A (ja) | 1984-10-17 |
| JPH0254664B2 true JPH0254664B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=12992937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055235A Granted JPS59182532A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | ボンデイング装置用加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182532A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6234429U (ja) * | 1985-08-17 | 1987-02-28 | ||
| JPS63142642A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Kuwano Denki Kk | フレ−ムの酸化防止装置 |
| EP1415328A2 (en) | 2001-08-01 | 2004-05-06 | Lilogix, Inc. doing business as RD Automation | Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor |
| JP5884448B2 (ja) * | 2011-12-01 | 2016-03-15 | 富士電機株式会社 | はんだ接合装置およびはんだ接合方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49126265A (ja) * | 1973-04-04 | 1974-12-03 | ||
| JPS55127030A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Toshiba Corp | Assembling apparatus for semiconductor |
| JPS5687331A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-15 | Toshiba Corp | Reducing furnace for solder-treatment |
| JPS56163423A (en) * | 1980-04-15 | 1981-12-16 | Commissariat Energie Atomique | Seismic gauge |
| JPS5742175U (ja) * | 1980-08-14 | 1982-03-08 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742175Y2 (ja) * | 1977-05-25 | 1982-09-17 |
-
1983
- 1983-04-01 JP JP58055235A patent/JPS59182532A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49126265A (ja) * | 1973-04-04 | 1974-12-03 | ||
| JPS55127030A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Toshiba Corp | Assembling apparatus for semiconductor |
| JPS5687331A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-15 | Toshiba Corp | Reducing furnace for solder-treatment |
| JPS56163423A (en) * | 1980-04-15 | 1981-12-16 | Commissariat Energie Atomique | Seismic gauge |
| JPS5742175U (ja) * | 1980-08-14 | 1982-03-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59182532A (ja) | 1984-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0245337B2 (ja) | ||
| KR940002761B1 (ko) | 와이어 본딩 방법 및 장치 | |
| JPH0254664B2 (ja) | ||
| KR100278484B1 (ko) | 다이본딩장치 | |
| JPH0319223Y2 (ja) | ||
| JPH0669050B2 (ja) | ボンデイング装置用加熱装置 | |
| JPS62276840A (ja) | ボンデイング装置 | |
| JPH0648694B2 (ja) | ボンデイング装置用加熱装置 | |
| JPS6158246A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPH051980B2 (ja) | ||
| JPS5925232A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| CN218695475U (zh) | 一种焊接治具 | |
| JPH0236063B2 (ja) | ||
| JPH0432539B2 (ja) | ||
| JPH0230151A (ja) | ボンデイング装置 | |
| JP3282367B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JP2005072033A (ja) | インナーリードボンディング装置 | |
| JPH07153783A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0635470Y2 (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JP2696712B2 (ja) | インナーリードボンディング装置 | |
| JPH0527977B2 (ja) | ||
| JPH02303138A (ja) | ワイヤボンディング装置及び方法 | |
| JPS58102022U (ja) | ワイヤ−カツト放電加工機 | |
| JPH0680692B2 (ja) | ボンデイング装置 | |
| JPS6046779U (ja) | 自動車用窓ガラスのガイド装置 |