JPH0251420A - 超電導物質の製造方法 - Google Patents
超電導物質の製造方法Info
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- JPH0251420A JPH0251420A JP63201142A JP20114288A JPH0251420A JP H0251420 A JPH0251420 A JP H0251420A JP 63201142 A JP63201142 A JP 63201142A JP 20114288 A JP20114288 A JP 20114288A JP H0251420 A JPH0251420 A JP H0251420A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は超電導物質の作製技術に係わり、特に、エレク
トロニクス素子に好適な高いＴＣ（ｇｓｒｏ）特性を有
するＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超電導体を作製するための
超電導物質の製造方法に関する。
トロニクス素子に好適な高いＴＣ（ｇｓｒｏ）特性を有
するＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超電導体を作製するための
超電導物質の製造方法に関する。
（従来技術）
超電導現象を生じる超電導体は、臨界温度Ｔｃ。
上部臨界磁界Ｈｃ２、電流密度Ｊｃの３つの臨界値が大
きい値を示し、更に、各々の臨界値が均整のとれた数値
を示すことによって超電導材料として評価されている。
きい値を示し、更に、各々の臨界値が均整のとれた数値
を示すことによって超電導材料として評価されている。
前記の評価基準を前提として、既にＮｂ系、Ｌａ−Ｂａ
−Ｃｕ−り系、Ｌａ−３ｒ −Ｃｕ−０系、Ｙ −Ｂａ
−Ｃｕ−０系等の種々の超電導体が発見されている。
−Ｃｕ−り系、Ｌａ−３ｒ −Ｃｕ−０系、Ｙ −Ｂａ
−Ｃｕ−０系等の種々の超電導体が発見されている。
超電導材料の開発においては、常温に近い高い臨界温度
Ｔｃで超電導を生じる高温超電導体の開発が盛んに行わ
れており、特に、Ｙ −Ｂａ、 −Ｃｕ、 −低系酸化
物の超電導体が安定して液体窒素より高いＴｃを示す超
電導体として注目されている。
Ｔｃで超電導を生じる高温超電導体の開発が盛んに行わ
れており、特に、Ｙ −Ｂａ、 −Ｃｕ、 −低系酸化
物の超電導体が安定して液体窒素より高いＴｃを示す超
電導体として注目されている。
Ｙ Ｂａｔ Ｃｕ＊ ０１１の臨界値はＴｃ（ｚ
ａｒａ） ＝ 〜９０Ｋが確認されている。そこで更に
、前記Ｔｃを向上させる研究が行われており、Ｙ Ｂａ
２Ｃｕ、 ０□−８の基材に硫化銅（ＣｕＳ）を加えて
焼成し、超電導特性を向上させた例が発表されている。
ａｒａ） ＝ 〜９０Ｋが確認されている。そこで更に
、前記Ｔｃを向上させる研究が行われており、Ｙ Ｂａ
２Ｃｕ、 ０□−８の基材に硫化銅（ＣｕＳ）を加えて
焼成し、超電導特性を向上させた例が発表されている。
詳細には、Ｙ２Ｏ３、ＢａＣ０，、ＣｕＯ、ＣｕＳをＹ
Ｂａ２Ｃｕ＊ Ｏｓ、 ４ Ｓｏ、 ６のモル比とな
るように混合し、大気中の９５０℃で数時間の焼成によ
って、Ｔｃ （、。。、臨界値を１０８Ｋに向上させた
例［Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏ
ｗｔｈ８５６２８ （１９８７））があった。
Ｂａ２Ｃｕ＊ Ｏｓ、 ４ Ｓｏ、 ６のモル比とな
るように混合し、大気中の９５０℃で数時間の焼成によ
って、Ｔｃ （、。。、臨界値を１０８Ｋに向上させた
例［Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏ
ｗｔｈ８５６２８ （１９８７））があった。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、前述した技術では、■高価な硫化銅を用
いる必要があること、■銅や硫黄の量を的確に分量して
混合するのに難があること、■数回、常伝導状態にした
だけでＴＣ（ｚｅｒｏ）は９０以下に下がり、安定した
臨界値が得られないという問題があり、実用化を妨げる
原因となっていた。
いる必要があること、■銅や硫黄の量を的確に分量して
混合するのに難があること、■数回、常伝導状態にした
だけでＴＣ（ｚｅｒｏ）は９０以下に下がり、安定した
臨界値が得られないという問題があり、実用化を妨げる
原因となっていた。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するために、本発明は、超電導材料の
Ｙ Ｓ３ａ、 Ｃ１ｌ、 Ｏ元素から成る化合物を所定
の分量で混合する中に、粉末状硫黄（Ｓ）を所定量で添
加し混合して、高温で焼成してＹ ３ａ２Ｃｕ３Ｏ，ｘ
Ｓｙで表される超電導物質を製造することを特徴とする
。
Ｙ Ｓ３ａ、 Ｃ１ｌ、 Ｏ元素から成る化合物を所定
の分量で混合する中に、粉末状硫黄（Ｓ）を所定量で添
加し混合して、高温で焼成してＹ ３ａ２Ｃｕ３Ｏ，ｘ
Ｓｙで表される超電導物質を製造することを特徴とする
。
なお１．としては０．０５程度が特に好ましい。
（作 用）
硫黄粉末を加えることによりＹ Ｂａ２Ｃｕ、 ０７一
イ超電導体の電気抵抗を下げ、臨界温度ＴＣ（ｚｅｒｏ
）を上昇させ、７７Ｋにおける超電導流をＹ Ｂａ、
Ｉ：ｕ。
イ超電導体の電気抵抗を下げ、臨界温度ＴＣ（ｚｅｒｏ
）を上昇させ、７７Ｋにおける超電導流をＹ Ｂａ、
Ｉ：ｕ。
０７−Ｘに比べて５倍多く流すことができた。Ｓの添加
により特性の向上したＹ Ｂａ２Ｃｕ、 Ｌ−）ｌ Ｓ
ｏ、 ｏｓは、軸長が１１．６ ＡとＹ ８ａ２ＣｔＪ
３０７−Ｈの１１．６９Ａに比べて短く、Ｘ線光電子ス
ペクトルでは、Ｃｕの２ｐ軌道の大きなサテライトビー
クが観測されたことから、超電導をつかさどるＣｕ−０
面又は鎖の０がＳにＷ換し、Ｃｕの３ｄ軌道とＳの３ｐ
軌道の強い混成軌道が形成されたことによって７ｃ（ｚ
ｅｒｏ）が向上したと考えられる。
により特性の向上したＹ Ｂａ２Ｃｕ、 Ｌ−）ｌ Ｓ
ｏ、 ｏｓは、軸長が１１．６ ＡとＹ ８ａ２ＣｔＪ
３０７−Ｈの１１．６９Ａに比べて短く、Ｘ線光電子ス
ペクトルでは、Ｃｕの２ｐ軌道の大きなサテライトビー
クが観測されたことから、超電導をつかさどるＣｕ−０
面又は鎖の０がＳにＷ換し、Ｃｕの３ｄ軌道とＳの３ｐ
軌道の強い混成軌道が形成されたことによって７ｃ（ｚ
ｅｒｏ）が向上したと考えられる。
（発明の効果）
本発明によれば、安価な硫黄の粉末をそのまま利用でき
るので、使用する硫黄のコストを約１７４に下げること
ができる。また、高いＴｃを安定して保つことができる
。
るので、使用する硫黄のコストを約１７４に下げること
ができる。また、高いＴｃを安定して保つことができる
。
（実施例）
以下に本発明の詳細な説明する。
ＢａＣ０ｚ ５．２９ｇ、ｙｚｏ：＋ １．５１ｇ
５Ｃｕ０３．２ｇに粉末硫黄（Ｓ）を０〜３ｇ加え、メ
ノウ乳鉢で混合した。以上の試料を９５０℃で８時間大
気中で加熱してテトラゴナル（正方晶系） Ｙ ８ａ２
ＣＬＩ３０７−、 Ｓｙを合成した。その後、粉砕し
て直径１３ｍｍ、厚さｌ＋ｎｍのベレットとした。
５Ｃｕ０３．２ｇに粉末硫黄（Ｓ）を０〜３ｇ加え、メ
ノウ乳鉢で混合した。以上の試料を９５０℃で８時間大
気中で加熱してテトラゴナル（正方晶系） Ｙ ８ａ２
ＣＬＩ３０７−、 Ｓｙを合成した。その後、粉砕し
て直径１３ｍｍ、厚さｌ＋ｎｍのベレットとした。
これらのペレットを酸素雰囲気中において９５０℃で５
時間、５００℃で５時間の条件で焼成し、オルンロンビ
ック（斜方晶系） Ｙ ８ａ、Ｃｕ３０７−ｘ Ｓｙ合
成した。前記、の値として、０．０．００１．０．０５
．０．１．０，６、■、２．１．７ｇの７種類を作製し
た。Ｔ−Ｒ（温度−電気）特性を４端子法で測定した結
果を第１Ａ図から第１Ｄ図に示す。
時間、５００℃で５時間の条件で焼成し、オルンロンビ
ック（斜方晶系） Ｙ ８ａ、Ｃｕ３０７−ｘ Ｓｙ合
成した。前記、の値として、０．０．００１．０．０５
．０．１．０，６、■、２．１．７ｇの７種類を作製し
た。Ｔ−Ｒ（温度−電気）特性を４端子法で測定した結
果を第１Ａ図から第１Ｄ図に示す。
、を０（第１Ａ図）から０．０１（第１Ｂ図）、０．０
５（第ｔＣ図）、と増加させるとＴｃ（□、。、は上昇
し、第１Ｃ図に示す、＝０．０５において９３． ＯＫ
に達した。更に、第１Ｄ図に示すように硫黄比を増加さ
せると１．＝０．１では特性が悪くなり。更に。
５（第ｔＣ図）、と増加させるとＴｃ（□、。、は上昇
し、第１Ｃ図に示す、＝０．０５において９３． ＯＫ
に達した。更に、第１Ｄ図に示すように硫黄比を増加さ
せると１．＝０．１では特性が悪くなり。更に。
≧０．６では絶縁体となり超電導特性は失われた。
第１Ａ図は１．−〇の時のＴ−Ｒ特性を示すグラフ。
第１Ｂ図は、ア＝０．００１の時のＴ−Ｒ特性を示すグ
ラフ。 第１Ｃ図は１．−０．０５の時のＴ−Ｒ特性を示すグラ
フ。 第１Ｄ図は１．＝０．１の時のＴ−Ｒ特性を示すグラフ
。 第１Ａ図 第１Ｂ図 Ｔ／に ＋２０ ７゜ 第１Ｃ図 第１Ｄ図 Ｔ／に ＋２０
ラフ。 第１Ｃ図は１．−０．０５の時のＴ−Ｒ特性を示すグラ
フ。 第１Ｄ図は１．＝０．１の時のＴ−Ｒ特性を示すグラフ
。 第１Ａ図 第１Ｂ図 Ｔ／に ＋２０ ７゜ 第１Ｃ図 第１Ｄ図 Ｔ／に ＋２０
Claims (1)
- 粉末状硫黄を含んだ超電導材料を焼結して、ＹＢａ＿
２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘＳ＿ｙで表される超電導物質
を製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201142A JPH0251420A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 超電導物質の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201142A JPH0251420A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 超電導物質の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251420A true JPH0251420A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16436098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201142A Pending JPH0251420A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 超電導物質の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0251420A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472956A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Seiko Epson Corp | Superconductive material |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63201142A patent/JPH0251420A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472956A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Seiko Epson Corp | Superconductive material |
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