JPH0250436A - 高速半導体装置 - Google Patents
高速半導体装置Info
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- JPH0250436A JPH0250436A JP20160288A JP20160288A JPH0250436A JP H0250436 A JPH0250436 A JP H0250436A JP 20160288 A JP20160288 A JP 20160288A JP 20160288 A JP20160288 A JP 20160288A JP H0250436 A JPH0250436 A JP H0250436A
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- Japan
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- emitter
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- type emitter
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- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
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- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高速半導体装置に関し、特に共鳴トンネル効果
を利用した高速半導体装置に関する。
を利用した高速半導体装置に関する。
（従来の技術）
共鳴トンネリング現象は電子の通過に要する遅延時間が
著しく小さく、かつ顕著な微分負性抵抗を示すことから
、超高速、新機能三端子素子への応用が極めて有望であ
り、各所で研究開発が行なわれるようになってきた。例
えば従来の共鳴トンネル現象を利用した三端子素子の一
例としては、二本らによりインターナショナル・エレク
トロン・デバイス・ミーティング（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌ ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔ
ｉｎｇ １９８６． Ｔｅｃｈ、Ｄｉｇ、ｐ２８６）に
おいて報告された共鳴トンネリングバイボーラトランジ
スタ（ＲＢＴ ； Ｒｅ５ｏｎａｎｔ Ｔｕｎｎｅｌｉ
ｎｇ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｉｒａｎｉｓｉｓｔｏｒ）があ
る。第８図はＲＢＴを説明する為の図であり（ａ）は要
部構造断面図、（ｂ）は図（ａ）の構造におけるＡ１組
成を示した図をそれぞれ表わしている。図において１は
コレクタ電極、２はｎ”−ＧａＡｓコレクタコンタクト
層、３はｎ−ＧａＡｓコレクタ層、４はｐ”−ＧａＡｓ
ベース層、５はベース電極、６ａおよび６ｂは障壁層、
７はＧａＡｓ量子井戸層、８はｎ−ＡｌＧａＡｓエミッ
タ層、９はｎ＋−ＧａＡｓｍミッタコンタクト層、１０
はエミッタ電極である。
著しく小さく、かつ顕著な微分負性抵抗を示すことから
、超高速、新機能三端子素子への応用が極めて有望であ
り、各所で研究開発が行なわれるようになってきた。例
えば従来の共鳴トンネル現象を利用した三端子素子の一
例としては、二本らによりインターナショナル・エレク
トロン・デバイス・ミーティング（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌ ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔ
ｉｎｇ １９８６． Ｔｅｃｈ、Ｄｉｇ、ｐ２８６）に
おいて報告された共鳴トンネリングバイボーラトランジ
スタ（ＲＢＴ ； Ｒｅ５ｏｎａｎｔ Ｔｕｎｎｅｌｉ
ｎｇ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｉｒａｎｉｓｉｓｔｏｒ）があ
る。第８図はＲＢＴを説明する為の図であり（ａ）は要
部構造断面図、（ｂ）は図（ａ）の構造におけるＡ１組
成を示した図をそれぞれ表わしている。図において１は
コレクタ電極、２はｎ”−ＧａＡｓコレクタコンタクト
層、３はｎ−ＧａＡｓコレクタ層、４はｐ”−ＧａＡｓ
ベース層、５はベース電極、６ａおよび６ｂは障壁層、
７はＧａＡｓ量子井戸層、８はｎ−ＡｌＧａＡｓエミッ
タ層、９はｎ＋−ＧａＡｓｍミッタコンタクト層、１０
はエミッタ電極である。
尚、８のｎ−ＡＩＧａＡｓ−ｒ−ミッタ層のＡ１組成は
、第８図（ｂ）に示す様に設定されている。
、第８図（ｂ）に示す様に設定されている。
第９図はＲＢＴの動作原理を説明するためのエネルギー
バンド図であり、適当なベース、エミッタ間電圧ＶＢＥ
、ベース、コレクタ間電圧ＶＢＣが印加されている。図
中第８図と同記号は同部分あるいは同じ意味を持つもの
である。またＥｆはフェルミ準位、Ｅｏは伝導帯下端、
Ｅｖは価電子上端を示し、ＥｘｉＱ＝１＋２、・・・）
はＧａＡｓ量子井戸７中に生成される量子準位を示す。
バンド図であり、適当なベース、エミッタ間電圧ＶＢＥ
、ベース、コレクタ間電圧ＶＢＣが印加されている。図
中第８図と同記号は同部分あるいは同じ意味を持つもの
である。またＥｆはフェルミ準位、Ｅｏは伝導帯下端、
Ｅｖは価電子上端を示し、ＥｘｉＱ＝１＋２、・・・）
はＧａＡｓ量子井戸７中に生成される量子準位を示す。
この構造においては、ベース；エミッタ間電圧ＶＢＥを
印加するとエミッタ層８のフェルミ準位Ｅｆと、基底電
子準位Ｅｘｌが一致する所で共鳴条件が満たされ、電子
がホットエレクトロンとなりベースに注入された後コレ
クタ電極に達する。さらにＶＢＥを増加させると共鳴条
件からはずれ、電子は注入されなくなる。従って第１０
図に同素子のコレクタ電流のベース・エミッタ間電圧Ｖ
ＢＨの依存性を示す如く、同素子は負性伝達コンダクタ
ンスを有する。
印加するとエミッタ層８のフェルミ準位Ｅｆと、基底電
子準位Ｅｘｌが一致する所で共鳴条件が満たされ、電子
がホットエレクトロンとなりベースに注入された後コレ
クタ電極に達する。さらにＶＢＥを増加させると共鳴条
件からはずれ、電子は注入されなくなる。従って第１０
図に同素子のコレクタ電流のベース・エミッタ間電圧Ｖ
ＢＨの依存性を示す如く、同素子は負性伝達コンダクタ
ンスを有する。
（発明が解決しようとする問題点）
前記説明から判る様に、従来例では、そのコレクタ電流
特性には負性伝達コンダクタンスが得られ、同素子を例
えば周波数逓倍機、多値論理素子等の新機能素子に応用
することが可能となった。
特性には負性伝達コンダクタンスが得られ、同素子を例
えば周波数逓倍機、多値論理素子等の新機能素子に応用
することが可能となった。
ここでさらに負性伝達コンダクタンスを有する素子の応
用を考えた場合、素子に２個以上の複数の負性伝達コン
ダクタンスを特性良く得ることが望まれる。しかしなが
ら従来素子では得られる負性伝達コンダクタンスは高々
−個である。なぜなら、従来素子においても励起準位（
Ｅｘｉ、ｉ≧２）を更に用い、複数の負性伝達コンダク
タンスを得ることが原理的には考えられるが、励起準位
においては、電子の閉じ込めが充分でなく、現実的には
もはや大きな負性伝達コンダクタンスを得ることは不可
能だからである。
用を考えた場合、素子に２個以上の複数の負性伝達コン
ダクタンスを特性良く得ることが望まれる。しかしなが
ら従来素子では得られる負性伝達コンダクタンスは高々
−個である。なぜなら、従来素子においても励起準位（
Ｅｘｉ、ｉ≧２）を更に用い、複数の負性伝達コンダク
タンスを得ることが原理的には考えられるが、励起準位
においては、電子の閉じ込めが充分でなく、現実的には
もはや大きな負性伝達コンダクタンスを得ることは不可
能だからである。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、その
伝達コンダクタンスに所望の複数の数の負性伝達コンダ
クタンスを特性良く得られる高速半導体装置を提供する
ことにある。
伝達コンダクタンスに所望の複数の数の負性伝達コンダ
クタンスを特性良く得られる高速半導体装置を提供する
ことにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の高速半導体装置は、量子準位が生成される量子
井戸が少なくとも２つ以上形成され、かつ該量子井戸間
には導電層が形成されたー導電型エミッタ層と、該−導
電型エミッタ層からキャリアが導入される反対導電型ベ
ース層と、該−導電型エミッタ層と同一の導電型層を含
むコレクタ層とを備えることを特徴とする。
井戸が少なくとも２つ以上形成され、かつ該量子井戸間
には導電層が形成されたー導電型エミッタ層と、該−導
電型エミッタ層からキャリアが導入される反対導電型ベ
ース層と、該−導電型エミッタ層と同一の導電型層を含
むコレクタ層とを備えることを特徴とする。
（作用）
前記手段を採ると、ベースに電子を注入するエミッタ部
分において、所望の数の特性の良い負性抵抗特性を生ぜ
しめることが可能であり、従って明瞭な複数の負性伝達
コンダクタンスを有する素子が得られる。
分において、所望の数の特性の良い負性抵抗特性を生ぜ
しめることが可能であり、従って明瞭な複数の負性伝達
コンダクタンスを有する素子が得られる。
（実施例）
第１図（ａ）は本発明の一実施例の半導体装置における
要部の構造断面図であり、第１図（ｂ）は第１図（ａ）
におけるエミッタ量子井戸部２７を詳しく説明するため
の２７を拡大した構造断面図である。第１図（ａ）にお
いて、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２はｎ”−Ｇａ
ＡＢコレクタコンタクト層、２３はコレクタ電極、２４
はｎ−ＧａＡｓコレクタ層、２５はｐ”−ＧａＡｓベー
ス層、２６はベース電極、２７はエミッタ量子井戸部、
２８はｎ＋−ＧａＡｓエミッタコンタクト層、２９はエ
ミッタ電極をそれぞれ示している。さらにエミッタ量子
井戸部２７は、第１図（ｂ）に示す如く、３２のノンド
ープＧａＡｓ井戸層が、３１のノンドープＡ）Ａｓ障壁
層ではさまれた量子井戸を基本単位とし、この量子井戸
がＮ個、３３のｎ−ＧａＡｓ層で接続された構造からな
り、さらに最上部に３４のｎ−ＧａＡｓエミッタ層が積
層された構造からなっている。従って本構造では、従来
例におけるＲＢＴのエミッタ部分が、負性抵抗を生せし
める量子井戸３１．３２がｎ−ＧａＡｓ３３でＮ個直列
に接続された構造に置き変わっている。
要部の構造断面図であり、第１図（ｂ）は第１図（ａ）
におけるエミッタ量子井戸部２７を詳しく説明するため
の２７を拡大した構造断面図である。第１図（ａ）にお
いて、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２はｎ”−Ｇａ
ＡＢコレクタコンタクト層、２３はコレクタ電極、２４
はｎ−ＧａＡｓコレクタ層、２５はｐ”−ＧａＡｓベー
ス層、２６はベース電極、２７はエミッタ量子井戸部、
２８はｎ＋−ＧａＡｓエミッタコンタクト層、２９はエ
ミッタ電極をそれぞれ示している。さらにエミッタ量子
井戸部２７は、第１図（ｂ）に示す如く、３２のノンド
ープＧａＡｓ井戸層が、３１のノンドープＡ）Ａｓ障壁
層ではさまれた量子井戸を基本単位とし、この量子井戸
がＮ個、３３のｎ−ＧａＡｓ層で接続された構造からな
り、さらに最上部に３４のｎ−ＧａＡｓエミッタ層が積
層された構造からなっている。従って本構造では、従来
例におけるＲＢＴのエミッタ部分が、負性抵抗を生せし
める量子井戸３１．３２がｎ−ＧａＡｓ３３でＮ個直列
に接続された構造に置き変わっている。
以下本実施例の動作原理を最も簡単なＮ＝２の場合、つ
まりエミッタ量子井戸部分は２個の負性抵抗素子の直列
構造からなる場合を例に説明する。この場合エミッタ量
子井戸部は、例えば第２図に示す様な電流−電圧特性を
持つ微分負性抵抗素子ＤＩ。
まりエミッタ量子井戸部分は２個の負性抵抗素子の直列
構造からなる場合を例に説明する。この場合エミッタ量
子井戸部は、例えば第２図に示す様な電流−電圧特性を
持つ微分負性抵抗素子ＤＩ。
Ｄ２が第３図に示す如く接続されているとして等測的に
書ける。
書ける。
ここで第３図の口路の端子４１．４２は、それぞれ＋Ｖ
、−■の電位であるとし、第３図中のＡ点より見た動作
点の特性図を、第４図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）に示
す。端子印加電圧（２ｖ）が２Ｖｔより小さい場合は、
第４図（ａ）のようにＡ点はａの動作点をとり、印加電
圧の増大に伴い電流は増大する。印加電圧が２Ｖｔを越
えた瞬間に微分負性抵抗素子Ｄ１、Ｄ２のうち一方が高
電圧状態で、他方が低電圧状態となる双安定状態に遷移
し電流は減少する。更に印加電圧を増加すると第４図（
ｂ）の様にＡ点はｂまたはｂ′の双安定点を動作点とし
てとりながら電流は増大する。さらに印加電圧を増加す
ると電流値が負性抵抗のピーク電流に一致１−た瞬間に
Ｄｌ、Ｄ２は双安定状態を脱し、電流はほとんど流れな
くなる。更に印加電圧を増すと、第４図（ｅ）の様にＡ
点はｄの動作点をとりながら電流は増大する。したがっ
てエミッタ量子井戸部の電流−電圧特性は第５図に示す
様に、２個の明瞭な負性抵抗特性を示す。ここで第５図
ａ、 ｂ、 ｄで示した点は第４図（ａ）、 （ｂ）、
（ｃ）で示した動作点に対応する。さらにより一般の
場合、つまり、エミッタ量子井戸部分２７がＮ個の負性
抵抗の直列構造からなる場合の動作原理も、全く同様に
説明され、そのエミッタ部分の電流−電圧特性はＮ個の
明瞭な負性抵抗特性が得られる。
、−■の電位であるとし、第３図中のＡ点より見た動作
点の特性図を、第４図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）に示
す。端子印加電圧（２ｖ）が２Ｖｔより小さい場合は、
第４図（ａ）のようにＡ点はａの動作点をとり、印加電
圧の増大に伴い電流は増大する。印加電圧が２Ｖｔを越
えた瞬間に微分負性抵抗素子Ｄ１、Ｄ２のうち一方が高
電圧状態で、他方が低電圧状態となる双安定状態に遷移
し電流は減少する。更に印加電圧を増加すると第４図（
ｂ）の様にＡ点はｂまたはｂ′の双安定点を動作点とし
てとりながら電流は増大する。さらに印加電圧を増加す
ると電流値が負性抵抗のピーク電流に一致１−た瞬間に
Ｄｌ、Ｄ２は双安定状態を脱し、電流はほとんど流れな
くなる。更に印加電圧を増すと、第４図（ｅ）の様にＡ
点はｄの動作点をとりながら電流は増大する。したがっ
てエミッタ量子井戸部の電流−電圧特性は第５図に示す
様に、２個の明瞭な負性抵抗特性を示す。ここで第５図
ａ、 ｂ、 ｄで示した点は第４図（ａ）、 （ｂ）、
（ｃ）で示した動作点に対応する。さらにより一般の
場合、つまり、エミッタ量子井戸部分２７がＮ個の負性
抵抗の直列構造からなる場合の動作原理も、全く同様に
説明され、そのエミッタ部分の電流−電圧特性はＮ個の
明瞭な負性抵抗特性が得られる。
第６図は本実施例のトランジスターとしての動作原理を
説明するためのエネルギーバンド図であり、適当なベー
ス、エミッタ間電圧ＶＢＥ、ベース、コレクタ間電圧Ｖ
ＢＣが印加されている。図中第１図（ａ）、（ｂ）と同
記号は同部分あるいは同じ意味を持つものである。また
Ｅｆはフェルミ準位、Ｅｏは伝導帯下端、Ｅｖは価電子
帯上端を示している。本実施例では、エミッタ量子井戸
部分からベースに注入される電子は第５図に示す様な２
個の負性抵抗を持つ電流−電圧特性を有するため、従っ
て第７図に示す如く、コレクタ電流のベース、エミッタ
間電圧依存性は明瞭な２個の負性伝達コンダクタンスを
示す。
説明するためのエネルギーバンド図であり、適当なベー
ス、エミッタ間電圧ＶＢＥ、ベース、コレクタ間電圧Ｖ
ＢＣが印加されている。図中第１図（ａ）、（ｂ）と同
記号は同部分あるいは同じ意味を持つものである。また
Ｅｆはフェルミ準位、Ｅｏは伝導帯下端、Ｅｖは価電子
帯上端を示している。本実施例では、エミッタ量子井戸
部分からベースに注入される電子は第５図に示す様な２
個の負性抵抗を持つ電流−電圧特性を有するため、従っ
て第７図に示す如く、コレクタ電流のベース、エミッタ
間電圧依存性は明瞭な２個の負性伝達コンダクタンスを
示す。
また一般の、エミッタ量子井戸部分２７がＮ個の負性抵
抗素子の直列構造からなる場合も全く同様にして、Ｎ個
の明瞭な負性伝達コンダクタンスが得られる。
抗素子の直列構造からなる場合も全く同様にして、Ｎ個
の明瞭な負性伝達コンダクタンスが得られる。
第１図に示した半導体素子はより具体的には以下の様に
作製される。まず例えば分子線エピタキシャル成長法に
より半絶縁性ＧａＡｓ基板２１上に下表成長後、通常の
リソグラフィー技術を用い、ベース層２６、およびコレ
クタコンタクト層２２をウェットエツチングにより露出
させ、オーミック性電極２３、２６．２９を形成するこ
とにより作製される。
作製される。まず例えば分子線エピタキシャル成長法に
より半絶縁性ＧａＡｓ基板２１上に下表成長後、通常の
リソグラフィー技術を用い、ベース層２６、およびコレ
クタコンタクト層２２をウェットエツチングにより露出
させ、オーミック性電極２３、２６．２９を形成するこ
とにより作製される。
以上の実施例においては、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系に
ついて素子を作製したが、本発明はこれに限らず量子井
戸を形成できる材料系例えば ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓやＩｎＰ／ＧａＩ
ｎＡｓなどでも適用可能である。また半導体層の成長方
法は分子線成長方法に限らず、原子層エピタキシャル成
長方法、化学気相成長方法など各種成長方法で良い。
ついて素子を作製したが、本発明はこれに限らず量子井
戸を形成できる材料系例えば ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓやＩｎＰ／ＧａＩ
ｎＡｓなどでも適用可能である。また半導体層の成長方
法は分子線成長方法に限らず、原子層エピタキシャル成
長方法、化学気相成長方法など各種成長方法で良い。
（発明の効果）
本発明ｐ高速半導体装置においては、所望のＮ個の負性
伝達コンダクタンスを特性良く有する素子を簡単に得る
ことができ、負性抵抗特性を有する新機能素子の応用範
囲を大きく広げることが可能である。
伝達コンダクタンスを特性良く有する素子を簡単に得る
ことができ、負性抵抗特性を有する新機能素子の応用範
囲を大きく広げることが可能である。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明一実施例における要
部の構造断面図であり、第２図、第３図、第４図（ａ）
〜（Ｃ）、第５図は実施例におけるエミッタ部の電流−
電圧特性を説明するための図、第６図は実施例の動作原
理を説明するためのエネルギーバンド図、第７図は実施
例の電流−電圧特性を示す図、第８図（ａ）。 （ｂ）は従来例における要部の構造断面図、第９図は従
来例の動作原理を説明するためのエネルギーバンド図、
第１０図は従来例の電流−電圧特性を示す図それぞれ表
している。 図において、１及び２３はコレクタ電極、２及び２２は
ｎ＋−ＧａＡｓコレクタコンタクト層、３及び２４はｎ
。 ＧａＡｓコレクタ層、４及び２５はｐ”−ＧａＡｓベー
ス層、５及び２６はベース電極、６ａ、 ６ｂ及び３１
はＡｌＡｓ障壁層、７及び３２はＧａＡｓ井戸層、８は
ｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層、３３はｎ−ＧａＡｓ層、
３４はｎ−ＧａＡｓエミッタ層、９及び２８はｎ”−Ｇ
ａＡｓエミッタコンタクト層、１０及び２９はエミッタ
電極、２７はエミッタ量子井戸部、２１は半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板、４１及び４２は等何回路における端子をそれ
ぞれ示している。
部の構造断面図であり、第２図、第３図、第４図（ａ）
〜（Ｃ）、第５図は実施例におけるエミッタ部の電流−
電圧特性を説明するための図、第６図は実施例の動作原
理を説明するためのエネルギーバンド図、第７図は実施
例の電流−電圧特性を示す図、第８図（ａ）。 （ｂ）は従来例における要部の構造断面図、第９図は従
来例の動作原理を説明するためのエネルギーバンド図、
第１０図は従来例の電流−電圧特性を示す図それぞれ表
している。 図において、１及び２３はコレクタ電極、２及び２２は
ｎ＋−ＧａＡｓコレクタコンタクト層、３及び２４はｎ
。 ＧａＡｓコレクタ層、４及び２５はｐ”−ＧａＡｓベー
ス層、５及び２６はベース電極、６ａ、 ６ｂ及び３１
はＡｌＡｓ障壁層、７及び３２はＧａＡｓ井戸層、８は
ｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層、３３はｎ−ＧａＡｓ層、
３４はｎ−ＧａＡｓエミッタ層、９及び２８はｎ”−Ｇ
ａＡｓエミッタコンタクト層、１０及び２９はエミッタ
電極、２７はエミッタ量子井戸部、２１は半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板、４１及び４２は等何回路における端子をそれ
ぞれ示している。
Claims (1)
- 量子準位が生成される量子井戸構造を有する半導体装
置において少なくとも２つ以上の量子井戸が形成され、
かつ該量子井戸間には導電層が形成された導電型エミッ
タ層と、該導電型エミッタ層からキャリアが導入される
反対導電型ベース層と、該導電型エミッタ層と同一の導
電型層を含むコレクタ層とを備えることを特徴とする高
速半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20160288A JP2655424B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 高速半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20160288A JP2655424B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 高速半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250436A true JPH0250436A (ja) | 1990-02-20 |
| JP2655424B2 JP2655424B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=16443771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20160288A Expired - Lifetime JP2655424B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 高速半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2655424B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007277869A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 杭打機のリーダ装置 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP20160288A patent/JP2655424B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007277869A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 杭打機のリーダ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2655424B2 (ja) | 1997-09-17 |
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