JPH0250392A - Memory - Google Patents
MemoryInfo
- Publication number
- JPH0250392A JPH0250392A JP63201546A JP20154688A JPH0250392A JP H0250392 A JPH0250392 A JP H0250392A JP 63201546 A JP63201546 A JP 63201546A JP 20154688 A JP20154688 A JP 20154688A JP H0250392 A JPH0250392 A JP H0250392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refresh
- temperature
- ram
- memory
- refresh cycle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 235000000396 iron Nutrition 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はメモリ装置に関し、より具体的には、記憶保持
のためのリフレッシュ動作を必要とするメモリ素子を用
いるメモリ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a memory device, and more specifically to a memory device using a memory element that requires a refresh operation to retain memory.
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(D−RA
M)を使ったメモリ装置では、記憶保持のためにリフレ
ッシュ動作を所定期間毎に行う必要がある。D−RAM
のリフレッシュ・サイクルは、第2図に示すように、各
素子の使用最高温度などによって決定され、実際のメモ
リ装置では、使用範囲内においてビット誤りが生じない
ようなリフレッシュ・サイクルに固定されている。Dynamic Random Access Memory (D-RA)
In a memory device using M), it is necessary to perform a refresh operation at predetermined intervals in order to maintain memory. D-RAM
As shown in Figure 2, the refresh cycle is determined by the maximum operating temperature of each element, etc., and in actual memory devices, the refresh cycle is fixed at a refresh cycle that does not cause bit errors within the operating range. .
しかし、このようなメモリ装置を電池駆動とし、記憶デ
ータを長時間にわたり保持しようとする場合、各素子を
そのワースト値のリフレッシュ・サイクルで動作させる
と、消費電力が大きく、データ保持時間が制限されると
いう欠点がある。However, if such a memory device is battery-powered and the stored data is to be retained for a long period of time, operating each element at its worst value refresh cycle will consume a large amount of power and limit the data retention time. It has the disadvantage of being
また、電池は一般に低温でその能力が低下する傾向があ
るので、メモリ装置を電池駆動する場合には、低温にな
るほど、記憶データの保持時間が短くなるという欠点が
ある。In addition, since batteries generally tend to lose their performance at low temperatures, when a memory device is driven by batteries, there is a drawback that the retention time of stored data becomes shorter as the temperature decreases.
そこで、本発明はこれらの欠点を解消したメモリ装置を
提示することを目的とする。Therefore, it is an object of the present invention to provide a memory device that eliminates these drawbacks.
本発明に係るメモリ装置は、リフレッシュ動作の必要な
メモリ素子からなるメモリ装置であって、温度感知手段
と、当該温度感知手段の出力に応じたサイクルのリフレ
ッシュ信号を出力するリフレッシュ信号発生手段とを具
備することを特徴とする。A memory device according to the present invention is a memory device comprising a memory element that requires a refresh operation, and includes a temperature sensing means and a refresh signal generating means for outputting a refresh signal of a cycle according to the output of the temperature sensing means. It is characterized by comprising:
リフレッシュ信号のサイクルは、通常、使用環境の最大
温度に応じて設定され、実際の使用温度は、それ以下で
ある。使用温度が低ければ、リフレッシュ・サイクルは
一般に長くてよいので、周囲温度に応じてリフレッシュ
・サイクルを変更することにより、リフレッシュによる
電力消費をより少なくできる。The refresh signal cycle is usually set according to the maximum temperature of the usage environment, and the actual usage temperature is lower than that. If the operating temperature is low, the refresh cycle can generally be long, so by changing the refresh cycle depending on the ambient temperature, power consumption due to refresh can be further reduced.
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は、固体カメラのメモリ装置に本発明を適用した
一実施例の構成ブロック図を示す、10は光学レンズ、
12は固体盪像素子、14は映像信号処理回路、16は
A/D変換器、18はD−RAMを用いたメモリ装置、
20はD/A変換器、22はクロック・ノイズ除去用の
ロー・バス・フィルタ(LPF) 、24は制御回路で
ある。この実施例では、A/D変換器16は6ビントの
ディジタル・データを出力し、D/A変換器20はメモ
リ装置18からの6ビツト・ディジタル・データをアナ
ログ信号に変換する。制御回路22の機能は後述する。FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment in which the present invention is applied to a memory device of a solid-state camera, in which 10 is an optical lens;
12 is a solid-state image element, 14 is a video signal processing circuit, 16 is an A/D converter, 18 is a memory device using D-RAM,
20 is a D/A converter, 22 is a low bus filter (LPF) for removing clock noise, and 24 is a control circuit. In this embodiment, A/D converter 16 outputs 6 bits of digital data and D/A converter 20 converts the 6 bits of digital data from memory device 18 to an analog signal. The functions of the control circuit 22 will be described later.
第1図の装置の信号の流れを簡単に説明すると、盪像素
子12から出力される信号は映像信号処理回路14で公
知の信号処理を施され、A/D変換器16によりディジ
タル化されたメモリ装置18に一時記憶される。メモリ
装置18から読み出された信号はD/A変換器20でア
ナログ信号に変換され、LPF22でクロック・ノイズ
を除去される。Briefly explaining the signal flow of the device shown in FIG. It is temporarily stored in the memory device 18. A signal read from the memory device 18 is converted into an analog signal by a D/A converter 20, and clock noise is removed by an LPF 22.
メモリ装置18において、26はD−RAM、28はD
−RAM26のリフレッシュ周期の発生並びに、データ
の書込及び続出のタイミングを制御するメモリ制御回路
、30は温度センサとしてのサーミスタである。D−R
AM26は、6ビツト・データの各ビット毎にブロック
化されており、従って、メモリ装置18には6個のブロ
ック(#0〜5)が存在する。メモリ制御回路28はサ
ーミスタ30で感知した温度に応じたリフレッシュ・サ
イクルで、各ブロックにリフレッシュ・パルスを供給す
る。第3図は、メモリ制御回路28の中にあって、リフ
レッシュ・パルスを形成する部分のブロック図を示す。In the memory device 18, 26 is a D-RAM, and 28 is a D-RAM.
- A memory control circuit that controls the generation of the refresh cycle of the RAM 26 and the timing of data writing and successive output; 30 is a thermistor as a temperature sensor; D-R
AM26 is divided into blocks for each bit of 6-bit data, and therefore, six blocks (#0 to #5) exist in memory device 18. Memory control circuit 28 supplies refresh pulses to each block in a refresh cycle responsive to the temperature sensed by thermistor 30. FIG. 3 shows a block diagram of a portion of memory control circuit 28 that forms refresh pulses.
第3図において、32は、温度によるサーミスタ30の
抵抗変化を、その温度を示す電気信号に変換して出力す
る温度感知回路、34は感知回路32の出力をテーブル
変換するテーブル回路、36は可変周期の発振回路であ
る。発振回路36の出力パルスが、リフレッシュ・パル
スとして各D−RAM26に印加される。テーブル回路
34は、感知回路32から出力される温度信号から、使
用するD−RAMZ6の特性に合わせたリフレッシュ・
サイクルを得るためのテーブルを保有しており、これに
より、使用時の温度に応じた適切なリフレッシュ・サイ
クルを動作させうる。使用温度がt (’c)のときに
は、第2図から、リフレッシュ・サイクルはτ(m s
)に設定される。In FIG. 3, 32 is a temperature sensing circuit that converts the resistance change of the thermistor 30 due to temperature into an electrical signal indicating the temperature and outputs it, 34 is a table circuit that converts the output of the sensing circuit 32 into a table, and 36 is a variable This is a periodic oscillation circuit. The output pulse of the oscillation circuit 36 is applied to each D-RAM 26 as a refresh pulse. The table circuit 34 uses the temperature signal output from the sensing circuit 32 to generate a refresh signal based on the characteristics of the D-RAMZ6 used.
It has a table for obtaining cycles, which allows it to operate an appropriate refresh cycle depending on the temperature at the time of use. When the operating temperature is t ('c), the refresh cycle is τ(m s
) is set.
テーブル回路34で考慮されるのは、D−R″AM26
の6個のブロックの内、最悪の特性であり、設定される
リフレッシュ・サイクルも幾分余裕を持たせであること
はいうまでもない。What is considered in the table circuit 34 is the D-R″AM26
It goes without saying that this has the worst characteristics among the six blocks, and that the refresh cycle that is set has some leeway.
第3図に示した実施例では、D−RAM26の全てに対
して同じ周期のリフレッシュ・パルスを印加しているが
、使用する各D−RAMの温度特性に応じて、個別に適
切なリフレッシュ・パルスを印加するようにしてもよい
、第4図はその変更実施例の構成ブロック図を示す、4
0はサーミスタ、42は温度感知回路であり、この部分
は第3図と同じである。44はテーブル回路、46は発
振回路46.48は第1図のD−RAM26に対応する
D−RAMである。テーブル回路44及び発振回路46
は、D−RAM48のブロック(又はデータ・ビット数
)に応じた個数だけ用意してあり、テーブル回路44は
、各対応するD−RAM4Bの温度特性(第2図参照)
に応じたテーブルを具備し、発振回路46は、各対応す
るテーブル回路44の出力に応じて周期でリフレッシュ
・パルスを出力する。In the embodiment shown in FIG. 3, refresh pulses of the same cycle are applied to all D-RAMs 26, but appropriate refresh pulses are applied individually depending on the temperature characteristics of each D-RAM used. A pulse may be applied. FIG. 4 shows a block diagram of a modified embodiment.
0 is a thermistor, 42 is a temperature sensing circuit, and these parts are the same as in FIG. 44 is a table circuit, 46 is an oscillation circuit 46, and 48 is a D-RAM corresponding to the D-RAM 26 in FIG. Table circuit 44 and oscillation circuit 46
are prepared in a number corresponding to the blocks (or number of data bits) of the D-RAM 48, and the table circuit 44 shows the temperature characteristics of each corresponding D-RAM 4B (see Fig. 2).
The oscillation circuit 46 outputs refresh pulses at intervals according to the outputs of the corresponding table circuits 44.
第2図に示すリフレッシュ・サイクルの温度特性は、各
D−RAMによりかなりばらつくが、第4図に示すよう
に、各D−RAMに応じた適切なリフレッシュ・サイク
ルを選択することにより、データ保持期間を長くでき、
消費電力を更に低減できる。第4図の例では、各D−R
AMにテーブル回路を関連させたが、勿論、特性の近領
したD−RAMをグループ化してもよい。The temperature characteristics of the refresh cycle shown in Figure 2 vary considerably depending on each D-RAM, but as shown in Figure 4, data retention can be achieved by selecting an appropriate refresh cycle for each D-RAM. The period can be lengthened,
Power consumption can be further reduced. In the example in Figure 4, each D-R
Although table circuits are associated with AMs, it is of course possible to group D-RAMs with similar characteristics.
上記実施例では、テーブルを用いて温度に応じたリフレ
ッシュ・サイクルを設定したが、本発明はこてに限定さ
れない0例えば、発振回路36゜46の時定数に可変抵
抗温度素子を用いて、同様の作用効果を期待することが
できる。In the above embodiment, the refresh cycle is set according to the temperature using a table, but the present invention is not limited to irons. You can expect the following effects.
以上の説明から容易に理解できるように、本発明によれ
ば、リフレッシュに付随する電力消費を少なくでき、ま
た、−時に流れる電流量も少なくなるので、総合的な消
費電力を少なくできる。従って、電池駆動の場合には、
より長時間のデータ保持が可能になる。As can be easily understood from the above description, according to the present invention, the power consumption associated with refreshing can be reduced, and the amount of current flowing during the - time can also be reduced, so that the overall power consumption can be reduced. Therefore, in the case of battery drive,
Data can be retained for longer periods of time.
第1図は本発明の一実施例の構成ブロック図、第2図は
D−RAMのリフレッシュ・サイクルの温度特性、第3
図は第1図のメモリ制御回路3゜におけるリフレッシュ
・サイクル変更回路の構成ブロック図、第4図は第3図
の変更例である。FIG. 1 is a block diagram of the configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the temperature characteristics of a D-RAM refresh cycle, and FIG.
This figure is a block diagram of a refresh cycle changing circuit in the memory control circuit 3° of FIG. 1, and FIG. 4 is a modification of FIG. 3.
Claims (1)
置であって、温度感知手段と、当該温度感知手段の出力
に応じたサイクルのリフレッシュ信号を出力するリフレ
ッシュ信号発生手段とを具備することを特徴とするメモ
リ装置。A memory device comprising a memory element that requires a refresh operation, characterized by comprising a temperature sensing means and a refresh signal generating means for outputting a refresh signal of a cycle according to the output of the temperature sensing means. Device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63201546A JPH0250392A (en) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63201546A JPH0250392A (en) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0250392A true JPH0250392A (en) | 1990-02-20 |
Family
ID=16442845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63201546A Pending JPH0250392A (en) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Memory |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0250392A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5278796A (en) * | 1991-04-12 | 1994-01-11 | Micron Technology, Inc. | Temperature-dependent DRAM refresh circuit |
JP4700223B2 (en) * | 2001-05-18 | 2011-06-15 | 株式会社バッファロー | DRAM device and DRAM device refresh method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01279494A (en) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Olympus Optical Co Ltd | Picture signal recorder and memory cartridge |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63201546A patent/JPH0250392A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01279494A (en) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Olympus Optical Co Ltd | Picture signal recorder and memory cartridge |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5278796A (en) * | 1991-04-12 | 1994-01-11 | Micron Technology, Inc. | Temperature-dependent DRAM refresh circuit |
JP4700223B2 (en) * | 2001-05-18 | 2011-06-15 | 株式会社バッファロー | DRAM device and DRAM device refresh method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3715716B2 (en) | Semiconductor memory device clock generation circuit | |
JP2000298982A5 (en) | ||
JPS6432489A (en) | Memory device | |
JP2002014651A5 (en) | ||
JPH0250392A (en) | Memory | |
JPH03207084A (en) | Dynamic semiconductor memory | |
JP4366968B2 (en) | Temperature detection circuit and storage device | |
JPS5927624A (en) | Integrated circuit possible for logical change | |
JPH0250391A (en) | Memory | |
JPS6055916B2 (en) | timing circuit | |
JPS5990139A (en) | Converting circuit of plural data | |
JPS6430933U (en) | ||
JPS61160896A (en) | Control system for memory refresh action of dynamic ram | |
JP2004079093A (en) | Timing circuit, and variation method of clock period | |
JP2730240B2 (en) | Microcomputer system | |
JPH09321624A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2845038B2 (en) | Timing control device | |
JP2595243Y2 (en) | Microcomputer | |
JPH07115365A (en) | Semiconductor circuit device | |
JP2005018666A (en) | Controller and printer using it | |
JPS62233976A (en) | Thermosensitive recorder | |
JPH03121403U (en) | ||
JP2000295101A (en) | Semiconductor device | |
JPH04195604A (en) | Control signal generating circuit | |
JPH07130167A (en) | Semiconductor storage device |