JPH02503084A - アルキルジアリールホスファイト類およびジアリールハロホスフェート類の製造方法 - Google Patents
アルキルジアリールホスファイト類およびジアリールハロホスフェート類の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
アルキルジアリールホスファイト類およびジアリールハロホスフェート類の製造
方法本発明は、アルキルジアリールホスファイト類およびジアリールハロホスフ
ェート類を、副生物の生成および反応物の損失°を抑えて高収率で製造するため
の新規な方法に関する。
発明の背景
ジアリールクロロホスフェートはイミペネム（ｉｍｉｐｅｎｅｍ）のような抗生
物質産物の製造およびペプチド合成において、広く使用されることがわかってい
る。フィーザー アンドフィーザー、リエージエンツ フォー オーガニックシ
ンセシス、ワイリー（Ｆｉｅｓｅｒ ａｎｄ Ｆｉｅｓｅｒ 、 粗並印旦Ｆｏ
ｒ Ｏｒ ａｎｉｃ Ｓ ｎｔｈｅｓｉｓ、 Ｗｉｌｅｙ）、 １９６７、 ｐ
３４６゜ジアリールクロロホスフェートの製造についての過去の方法には、ＰＯ
Ｃｌ３を化学量論量のフェノールと反応させることを含む、フェノールに対する
ＰＯＣｌ３の１：１のモル比を用いてすら、３つの生成物、すなわち、フェニル
ジクロロホスフェート、シフ、エニルモノクロロホスフェートおよびトリフェニ
ルホスフェートが形成され、ならびに未反応ＰＯ（１！ ３が存在する。第１の
化合物は優勢な量である。ＰＯ（、ｌ！ ３は留去し、そして再循環することが
できる。一方、フェニルジクロロホスフェートは分離が困難であり、そして分離
されてさえ、所望の生成物を作る際にほとんど有用性が見出されない。トリフェ
ニルホスフェートは蒸留によって分離することができるが、生成物の形成には使
用できない。したがって、ホスフェートならびにフェノールの価値は失なわれる
。
米国特許第３，９６５，２２０号では、まずホスホリルクロリドを、アミンの存
在下で約８５℃から約１３５℃の温度範囲で等モルのフェノールと反応させてア
リールホスホロジクロリデートを製造し、次いで生成物を等モルの同一または別
のフェノールとより高温で反応させることによりジアリールホスホロクロリデー
トを製造することが提案された。この方法を用いて高収率のホスホロクロリデー
トが特許請求されているが、この反応はなおトリアリールホスフェートおよび他
の有用でない副生物を形成するであろう。
ヨウ化アルキルの製造では以下の反応図式が説明される＝（Ｃｓ Ｈｓ Ｏ）
２ Ｐ ＯＲ＋ Ｉ ２→（Ｃ６Ｈｓ Ｏ） ２ Ｐ （０） Ｉ ＋ ＲＩ
これは「リン酸のフェニルエステルとヨウ素との反応ｐｐ、 ３１４５−３１４
８に示されている。出発反応物質は、ピリジンおよびエーテル溶媒の存在下でジ
フェニルクロロホスファイトをシクロヘキサノールと反応させることにより製造
される。この方法によってシクロへキシルジフェニルホスファイトが製造される
。この生成物はヨウ素と反応させると、ヨウ化アルキルを与える。この反応は先
に論じた反応と同じ固有の問題を有している。ジアリールクロロホスファイトは
ｐｃｕ ３を２モルのフェノールと反応させて製造する。モノ−、ジーおよびト
リフェニルホスファイトの混合物が製造され、純粋な出発物質を得るためにこれ
らを分離することが必要とされる。アリール置換基の重さの故に分子量が増加す
るので、蒸留で生成物を分離する上での困難さが増加する。このことは、アリー
ル基がジハロ置換の場合のように置換されていると特に真実である。
この問題の一部は、ジフェニルクロロホスファイトをカテコールから製造した０
−フェニレンクロロホスファイトと反応させて、アルコールをヨウ化物に転化す
る別の方法で回避される。この場合、０−フェニレンクロロホスファイトは安定
な試薬であり、蒸留で容易に分離できる形で製造される〔「アルコールのヨウ化
物への転化のための有用な方法（Ａ Ｕｓｅｆｕｌ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｔ
ｈｅ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｏｆ ＡｌｃｏｈｏｌＩｎｔｏ Ｉｏｄｉｄｅｓ
） Ｊという標題の論文、 Ｅ、 Ｊ、コーリー（Ｃｏｒｅｙ）ら、 ＪＡＣ３
，３２（１９６７） ｐｐ、４１６０−４１６１を見よ〕。
アルキルジアリールホスファイト類、およびジアリールハロホスフェート類が、
副生物の形成を減少させ、生成物の高収率での回収を許す条件の下に容易に製造
できることがここで見出された。
発明の要約
本発明により、高純度のアルキルジアリールホスファイトを製造する方法が提供
される。この方法は、酸受容体および溶媒の存在下で実質的に純粋なアルキルジ
ハロホスファイトをフェノールと反応させ（このとき酸受容体はアルキルジハロ
ホスファイトと反応しない塩基である）、酸受容体およびハロ酸副生物の反応生
成物を例えば濾過により分離し、そして過剰のアミンおよびフェノールを除去し
て所望のアルキルジアリールホスファイトを得る、ことを含む。この方法により
、広範囲のアルキルジアリールホスファイトが高純度で製造できる。これらのア
ルキルジアリールホスファイト類のあるものは、アルキルジアリールホスファイ
トを遊離のハロゲンでハロゲン化することにより、ジアリールハロホスフェート
類に転化されることができる。
アルキルジアリールホスファイト類の他の用途は置換基に依存する。
アルキルジハロホスファイトは容易に合成されそして低分子量の故に蒸留で実質
的に純粋な物質に分離することができる。その生成物のフェノールとの反応では
、ＰＣＪ ３が存在するときのみ形成されるトリアリールホスファイトを形成し
得ない。Ｐ（Ｊ ３は蒸留で容易に分離できるので、アルキルジハロホスファイ
トは２モルのフェノールと反応して実質的に純粋なアルキルジアリールホスファ
イトおよび次いで実質的に純粋なジアリールハロホスフェートを与える。
発明の詳細な説明
ここで用いられているように、「アルキル」、「アリール」および「ハロゲン」
の定義は論じられている反応に依存する。アルキルジハロホスファイトの製造に
おいては、ハロゲンは塩素および臭素であることができる。アルキルジアリール
ホスファイトのハロゲン化においては、塩素、臭素またはヨウ素を使用すること
ができる。あるアルキルおよびアリール基はアルキルジアリールホスファイトを
のいくつかについては、ハロゲン化反応には妥当しない。
アルキルジハロホスファイトおよびアルキルジアリールホスファイトを定義する
際、引き続くハロゲン化反応がなければ、式Ａ−０−ＰＸ２およびＡ ＯＰ
（ＯＡｒ）２が使用される。アルキルジアリールホスファイトおよびそれからハ
ロゲン化により製造されるジアリールハロホスファイトを定義する際には、（反
応物として）式Ａ１−０−Ｐ （ＯＡｒ ）２および（Ａｒ１０）２ Ｐ （
０）Ｙが使用される。これらの基はこの後で完全に定義される。
アルキルジハロホスファイト（Ａ”ＯＰＸ２ ）は多くの公知の技術により製造
することができる。１つには、過剰のＰＸ３ （ここでＸは塩素または臭素）を
無水の条件下で、冷却例えば好ましくは１０℃より下で、アルコール（Ａ−ＯＨ
）と反応させることができる。反応は不活性な溶媒中で行なうことができるが、
反応の最後での溶媒の除去はこの方法をあまり好ましくないものにする。
ここで用いられるように、「Ａ」はアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロ
アルキル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、ヘテロサイクリル、アラルキ
ルおよびそれらの例えばハロゲンで置換された誘導体を表す。このように、アル
キルはアルキル、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、アミル、ヘキシル
、ヘプチル、オクチル、デシル、ウンデシル、ドデシル、ペンタデシル、ヘキサ
デシル、オクタデシル、ノナデシルおよびエイコシルで、直鎖または分校のいず
れの配座もとり；シクロアルキル、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シク
ロペンチル、エチルシクロプロピル、シクロヘキシル、メチルシクロペンチル、
メチルシクロヘキシル、デカヒドロナフチル、ビシクロヘキシル（シクロへキシ
ルシクロヘキシル）、テトラデ力ヒドロフエナントリル、トリシクロヘキシルメ
チル；アルケニル、例えばエチニル、プロペニル、ブテニル、インブテニル、ペ
ンテニル、メチルブテニル、トリメチルエチニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オ
クテニル、・ノネニル、デセニル、ドデセニル、トリデセニル、ヘキサデセニル
、オクタデセニル、エイコセニル；シクロアルケニル、例えばシクロプロペニル
、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロへキシルシクロへキセニル；ア
ルキニル、例えばエチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、
ヘプテニル、オクテニル、ノニニル、デシニル、トリデシニル、オクタデシニル
、エイコシニル；シクロアルキニル、例えば１−シクロテン−４−イル；複素環
中に酸素またはイオウを含む複素環式基、例えばチオフェニル、フラニル、テト
ラヒドロフラニル、ピラニル、スルホラニル；アラルキル、例えばベンジル等を
表す。
また別の技術では、過剰のＰＸ３を次式：ここでＲは水素である（エチレンオキ
シド）かまたは上記で定義したような「Ａ」でありうる、のエポキシドと無水の
条件下で反応させることができる。
この反応は冷却して、好ましくは１０℃より下にして行なわれ、反応の完成の際
に溶媒を除去しなければならないのでこのことはあまり好ましくはないのである
が、不活性な溶媒中で反応を行なうことができる。
また他の一連の反応では、トリアルキルホスファイト（Ａ−０）３ＰおよびＰＸ
３は平衡になるまで互いに反応されることができる。良い収率が得られるが長い
反応時間が必要とされる。
たとえこれらの反応に制御された条件が用いられるとしても生成物は痕跡量のジ
アルキルハロホスファイト、トリアルキルホスファイトおよびＰＸ３を含んでし
まう、これらの不純物は主反応を通して伝わるので、さらなる反応に先立ってこ
れらの痕跡の生成物をアルキルジハロホスファイトから分離することは必須であ
る。この不純物は低分子量のアルキル基に基づくので、蒸留のような通常の手段
で容易に分離できる。アルキル基が最終生成物の一部であることが意図されてい
ないのであれば、副生物からアルキルジハロホスファイトを分離することの容易
さのみに基づいて、アルキル基を選択することができる。アルキル基はメチルで
あることができるが、より高分子量のアルキル基は置き換えられたハロゲンの数
が増加するにつれて分子量がより大きく異なる生成物を与える０分子量の差は沸
点のより大きな差において明白にされ、かくしてより容易な分別蒸留を許す、好
ましくはｒＡＪは炭素原子０１〜Ｃ４のアルキル基およびその八日置換された誘
導体である０分別蒸留は最も便利で有効な方法であると考えられるが、この分離
はいかなる手段によっても可能である。
アルキル基が後の反応工程中に除去され、最終生成物の一部にならないとすると
、アルキル基は反応工程、例えばハロゲン化によって除去されることができなく
てはならない、アルキル基は分離できない副生物を形成したり、または反応する
のが危険であるようにはなり得ない、この理由のために、第３級アルコール類は
あまり好ましくない、アルキルまたは「Ａ」の定義はハロゲン化によって除去さ
れ得るこれらの基に限定される。
アルキルジハロホスファイト（Ａ−０−ＰＸ、２ ＞は次に、フェノール（Ａｒ
ＯＨ）と反応して以下の関係によって理解されるような所望のアルキルジアリー
ルホスファイト（Ａ ＯＰ （ＯＡｒ＞２＞を形成する：Ａ ＯＰ Ｘ２
＋Ａ ｒ ＯＨ→
Ａ ＯＰ（ＯＡｒ）２
ここで、「Ａ「」は１またはそれ以上の、そして好ましくは１〜２アリール環で
あり、それにはベンゼンおよびナフタレン、ビフェニルおよびそのハロゲン、ア
ルコキシ例えばメトキシ、アルキル例えば０１〜Ｃ２ｏもしくはアルキルジハロ
ホスファイトまたはハロゲンと反応性でない任意の他の置換基で置換された誘導
体を含む、このように、ｒＡＩＪはフェニル、アルキルフェニル、八口フェニル
、アリールフェニル、シクロアルキルフェニル、ナフチル、ビフェニル、フエナ
ントリル、アントラシル、ターフェニル、クラオーターフェニルであることがで
きる。
ｒＡｒ Ｊの中には、フェノール、Ｏ，ｌ、 ｐ−クレゾール、０−エチルフェ
ノール、ｏ、 ｍ、 ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−ターシャリ−ブチルフ
ェノール、ｐ−ターシャリ−アミルフェノール、ノニルフェノール、キシレノー
ル、ｏ、 ｍ、 ｐ−り四口フェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｐ−ヨードフ
ェノール、ジクロロフェノール、トリクロロフェノール、ペンタクロロフェノー
ル、ｐ−クミルフェノール、０−シクロヘキシルフェノール、ナフトール、メト
キシフェノール、エトキシフェノール、フェノキシフェノール、ニトロフェノー
ル、トリフルオロメチルフェノール、アリルフェノール、ベンジルフェノール、
バニリン、４−クロロ−３，５−ジメチルフェノール、４−クロロ−１−ナフト
ール、２−クロロ−４−ニトロフェノール、シアノフェノール、ジ−ターシャリ
−ブチルフェノール、ジメトキシフェノール、メチルサリシレート、フルオロフ
ェノールにより示される特定のフェノールを含む、この基の特に好ましいものは
、フェノール、クレゾール、シミルフェノール（ｃｙｍｙｌｐｈｅｎｏｌ）、ノ
ニルフェノール、クロロフェノール、ジクロロフェノール、ターシャリ−ブチル
フェノール、キシレノール、フェニルフェノール、イソプロピルフェノールおよ
びそれらの混合物である。いくつかの用途では、アリール基はイミベネムの製造
中に後に除去される保護基とスフエートのさらなる反応選択性に基づいて選択す
ることができる。“ｒＡｒＪはより好ましくは単一のアリール環であり、最も好
ましくは１個または２個のハロゲンで置換された単一のアリール環である。
アルキル「Ａ」およびアリール（’ＡＩＪ ）基は上記しで置換されることがで
きる。
以下の基はアルキル（’ＡＪ ）およびアリール（ｒＡｒＪ ）で表される基に
生じ得る置換基の説明となるものである：アルキル、シクロアルキル、アルケニ
ル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニルおよび上述したようなア
リール、また、ハロ、例えばり四日、ブロモ、フルオロ、ヨード；アルコキシ、
例えばメトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ヘキソキシ、デコキシ：シクワアルコ
キシ、例えばシクロヘキソキシ、シクロブトキシ；アルケノキシ、例えばプロペ
ノキシ；シクロアルケノキシ、例えばシクロペンテノキシ；アリールオキシ、例
えばフェノキシ、ナフトキアルコキシ力ルボニル、例えばメトキシカルボニル：
アリールオキシカルボニル、例えばフェノキシカルボニル；アルキルカルボニル
オキシ、例えばアセチル；アルコキシカルボニルオキシ、例えばアセトキシ；ア
リールカルボニルオキシ、例えばベンゾイル；アルキルチオ、例えばエチルチオ
；アリールチオ、例えばフェニルチオ、ナフチルチオ；トリハロアルキル、例え
ばトリフルオロメチル：アルキルスルフィニル、例えばブチルスルフィニル：ア
リールスルフィニル、例えばフェニルスルフィニル：アルキルスルホニル、例え
ばプロピルスルホニル；アリールスルホニル、例えばフェニルスルホニルである
。
ジアリールアルキルホスファイトは、実質的に純粋なアルキルジハロホスファイ
トを、酸受容体、例えばトリエチルアミンまたはピリジンを含む第３級アミンの
存在下で、発熱を制御するために十分に冷却して、フェノールと反応させること
により製造することができる。反応は比較的速いが反応物の添加後に、分析によ
り容易に決定され得るような望ましい反応度をもたらすに十分な時間、反応を継
続することが望ましい。酸受容体および反応中に生成するハロ酸との間の反応生
成物はアルキルジアリールホスファイトの加水分解を促進するので、酸受容体反
応生成物は水洗の必要なしに分離可能でなければならない。好ましくは、酸受容
体とハロ酸の反応生成物は、濾過手段により反応溶液から分離することができる
沈殿である。酸受容体は、トリエチルアミンならびにピリジンを含む第３級アミ
ン類、または酸量外の反応に影響を与えることなく反応中に使用することができ
る、そして水洗なしに分離することのできる酸受容体反応生成物を形成すること
ができる任意の他の酸受容体によって説明され得る。酸受容体は反応中に生成す
る酸を受容するのに十分な量で使用される。
酸受容体と八ツ酸との反応生成物が除去された後、生成物を洗浄して不純物を除
去することができる。生成物は弱い塩基溶液（例えば１０％までのアルカリ金属
水酸化物）で洗浄して未反応のフェノールおよび他の不純物を除去することがで
きる。所望ならば、（酸受容体−ハロ酸生成物の除去後に）塩基洗浄の前に任意
的な水洗を行なうことができる。
酸性洗浄（例えば１０％までのＨＣｌ２ ）を過剰のアミンを除去するために行
なうことができる。いかなる過剰の酸をも除去するために水洗を用いることがで
き、そしていかなる過剰の水をも除去するために食塩水（ｂｒｉｎｅ）洗浄を用
いることができる。
アルキルジアリールホスファイトは他の組成物を製造するのに使用したり、また
は中間体として使用したりすることができる０本発明の一部として、あるアルキ
ルジアリールホスファイトはハロゲン化されて高純度でジアリールホスホロバラ
イデートを形成する。最終生成物の純度は反応物の純度に依存する。本発明は高
められた純度のアルキルジアリールホスファイトの製造に向けられ、そしてこの
純度は最終生成物の純度に反映される。高純度でジアリールホスホロバライデー
トを製造するために適していない方法で、種々の広い置換体と反応するというハ
ロゲンの傾向の故に、ハロゲン化反応は次のように表される：ここでＹは塩素、
臭素またはヨウ素のハロゲンであり；「Ａ１」はアルキル、シクロアルキル、複
素環、アラルキルおよびそれらの置換された誘導体で、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、デシル、ドデシル、オク
タデシル、エイコシルの直鎖または分枝鎖のいずれかニジクロアルキル、例えば
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、エチルシクロプロピル、シク
ロヘキシル、メチルシクロペンチル、メチルシクロペンチル、デカヒドロナフチ
ル、ビシクロヘキシル、テトラデ力ヒドロフエナントリル、トリシクロヘキシル
メチル；複素環中に酸素原子を含む複素環基、例えばテトラヒドロフラニル、お
よびアラルキル例えばベンジルを含む。アルクニル、シクロアルケニル、アルキ
ニル、シクロアルキニル、アルケノキシおよびシクロアルケノキシ、シアノ、ア
ルデヒド、アルキルチオ、アリールチオ、アルキルスルフィニルおよびアリール
スルフィニルのような基は、ハロゲン化反応の反応生成物が分離不可能であるが
または反応を進めるのに安全でないなら、回避されねばならない、そして、ここ
でｒＡｒｌＪはアルキルジアリールホスファイトおよびジアリールホスホロバラ
イデートのアリール部分を表し、１〜２アリール環であることができ、これには
ベンゼン、ナフタレン、ビフェニルおよびハロゲン、アルコキシ例えばメトキシ
、アルキル例えばＣ１〜Ｃ２ｏまたはアルキルジハロホスファイトまたはハロゲ
ンと反応性でない任意の他の置換基で置換されたその誘導体をル、へ口フェニル
、アリールフェニル、シクロアルキルフェニルミナフチル、ビフェニル、フエナ
ントリル、アントラシル、ターフェニル、クラオーターフェニルであることがで
きる。
ｒＡｒ」の中には、フェノール、ｏ、 ｍ、 ｐ−クレゾール、０−エチルフェ
ノール、ｏ、 ｍ、 ｐ−イソプロピルフェノール、Ｐ−ターシャリ−ブチルフ
ェノール、′Ｐ−ターシャリーアミルフェノール、ノニルフェノール、キシレノ
ール、ｏ、 ｍ、 ｐ−クロロフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｐ−ヨード
フェノール、ジクロロフェノール、トリクロロフェノール、ペンタクロロフェノ
ール、ｐ−クミルフェノール、０−シクロヘキシルフェノール、ナフトール、メ
トキシフェノール、エトキシフェノール、フェノキシフェノール、ニトロフェノ
ール、トリフルオロメチルフェノール、アリルフェノール、ベンジルフェノール
、バニリン、４−り四ロー３，５−ジメチルフェノール、４−クロロ−１−ナフ
トール、２−クロロ−４−二トロフェノール、ジ−ターシャリ−ブチルフェノー
ル、ジメトキシフェノール、メチルサリシレート、フルオロフェノールにより示
される特定のフェノールを含む。この基の特に好ましいものは、フェノール、ク
レゾール、クミルフェノール（ｃｙｍｙ ｌ ｐｈｅｎｏ ｌ ）、ノニルフェ
ノール、クロロフェノール、ジクロロフェノール、ターシャリ−ブチルフェノー
ル、キシレノール、フェニルフェノール、イソプロピルフェノールおよびそれら
の混合物である。いくつかの用途では、アリール基はイミペネムの製造中に後に
除去される保護基として最終化合物において使用される。アリール基はクロロホ
スフェートのさらなる反応選択性に基づいて選択することができる。’Ａｒ’
」は好ましくは単一のアリール環であり、より好ましくは例えば２，４位がハロ
ゲンで置換された単一のアリール環である。
アルキル（’ＡＪ）およびアリール（’Ａｒ１Ｊ ）基は上記したように置換さ
れていなくてもよいか、またはアルキル（’Ａ１Ｊ ）およびアリール（’Ａｒ
１Ｊ ）で表されな基がハロゲン化反応を妨害しない任意の基で置換されること
ができる。
以下の基はアルキル（’Ａ１Ｊ ）およびアリール（’Ａｒ’、、＋）で表され
る基に生じる置換基の説明となるものである：アルキル、シクロアルキルおよび
上述したようなアリール。
また、ハロ、例えばクロロ、ブロモ、フルオロ、ヨード；アルコキシ、例えばメ
トキシ、１０ボキシ、ブトキシ、ヘキソキシ、デコキシ；シクロアルコキシ、例
えばシクロへキソキシ、シクロブトキシ；アリールオキシ、例えばフェノキシ、
ナフトキシ：ニトロ：イソニトロ；ケトン、アルコキシカルボニル、例えばメト
キシカルボニル；アリールオキシカルボニル、例えばフェノキシカルボニル；ア
ルキルカルボニルオキシ、例えばアセチル；アルコキシカルボニルオキシ、例え
ばアセトキシ；アリールカルボニルオキシ、例えばベンゾイル；トリハロアルキ
ル、例えばトリフルオロメチル；アルキルスルホニル、例えばプロピルスルホニ
ル；アリールスルホニル、例えばフェニルスルホニルである。
ハロゲン化反応はハロゲンに対して反応性をもたない溶媒を用いて行なうことが
できる。ハロゲンは発熱を制御するために必要な速度で、そして十分な冷却下お
よび撹拌下で添加される０反応温度は約０℃と約１０℃の間が提案される。生成
物は蒸留により溶媒およびアルキルハライドを除去して精製することができる。
本発明のこの段階の生成物はジアリールハロホスフェートであり、初期のアルキ
ルジハロホスファイトの純度に依存して、著しく高純度で製造することができる
。アルキルジハロホスファイトが著しく純粋ならば、最終生成物は著しく純粋で
あろう０本発明の方法は、リン酸のトリクロライドまたはリン酸のオキシクロラ
イドのアリール化合物との反応で典型的な副産物の自動的な形成を回避するもの
である。
抗生物質の製造に本発明の化合物を使用することに加えて、本発明のホスファイ
ト類は抗酸化剤として使用することができ、そしてハロホスフェート類は難燃剤
および潤滑剤添加物の製造における中間体として使用することができる。
本発明を以下の実施例でさらに完全に説明する。
実施例１
エチルビス（２，４−ジクロロフェニル）ホスファイトの調整
２．４−ジクロロフェノール１０９．８ｇ （０，６７４モル）を溶融し、添加
ロート、磁気撹拌棒、温度計および窒素スパージを備えた三日反応フラスコ中に
仕込んだ。２５０ｐｐｍの水を含有するトルエン１００ｍ１、および６５０ｐｐ
ｍの水を含有するトリエチルアミン７４．３ ｇをまた、仕込んだ。これらの物
質の添加が発熱溶解反応を引き起こし、温度が５５℃に上昇した。
予め蒸留して純度９６％としたエチルジクロロホスファイト４９．４ ｇ （０
，３３６モル）を氷水で冷却しながら、添加ロートを通じて１〜１／４時間に渡
って、反応フラスコに仕込んだ。添加の間、温度は約２４℃から約７０℃の間で
変化した。
添加時間の終わり近くの濃厚なスラリーの撹拌を促進するため、さらなるトルエ
ン２００ｍ１を加えた。該スラリーは週末に亘って撹拌させた。
次の月曜、生成物を濾過し、それぞれの洗浄につき１ｏ。
ｍｌのトルエンで２回洗浄し、涙液を分液ロートに移しな。
そして、涙液を５％Ｈ（，１１１００ｍ１で２回；５％水酸化ナトリウム溶液１
００ｍ１で２回；水１００ｍ１で１回；および食塩水１００ ｍｌで１回洗浄し
た。有機層を硫酸マグネシウム上で乾燥、硫酸マグネシウムを炉別し、涙液を減
圧下回転蒸発させて揮発分を除去しな、生成物の収量は１３２．１ｇ、すなわち
初めの反応物の重量に対して９８％であった。
ガスクロマトグラフィーの面積パーセントは、生成物がエチルビス（２，４−ジ
クロロフェニル）ホスファイト９２．５％、ジクロロフェノール０．７％、エチ
ルビス（２，４−ジクロロフェニル）ホスフェート３．２％およびトリス（２，
４−ジクロロフェニル）ホスファイト２．３％を含有することを示した。
実施例２
ビス（２，４−ジクロロフェニル）クロロホスフェートの調製
温度計、磁気撹拌棒、および窒素スパージを備えた５００ｍ！のフラスコに、Ｃ
Ｃ１ａ １５０ｍ１およびエチルビス（２，４−ジクロロフェニル）ホスファ
イト１２９．８ ｔｒ （０，３２４モル）を、スパージ管を通じて仕込んだ。
反応混合物に窒素をスパージし、氷水浴にて冷却しな。スパージ、氷水冷却およ
び撹拌の下、塩素を初めは０．１ｇ／分の速度で、後に０．２ ｇ ７分に増加
して、反応混合物中に薄い緑色が認められるまで加えた。添加には１０℃未満の
温度にて約４時間要した。約２３ｇの塩素が加えられた。
生成物を風袋を計った１ｐのフラスコに移した。ロートバブ（Ｒｏｔｏｖａｐ）
ロータリーエバポレーターを用い、全ての揮発分を減圧下で蒸発させた。生成物
の収量は１２９．２ ｇ、すなわち初めの出発物質の重量に対して９８．１％の
収率であった。
蒸発乾燥した生成物における、面積パーセントに基づくガスクロマトグラフ分析
は、次のことを示した：９３．１％のビス（２，４−ジクロロフェニル）クロロ
ホスフェート；４％のトリ（２，４−ジクロロフェニル）ホスフェート：０．４
％の２．４−ジクロロフェニルジクロロホスフェート；ｏ、１％の２．４−ジク
ロロフェノール；および２．３％の未知物質（３）。
内部標準に対する生成物のガスクロマトグラフ分析は９４．５％の純度を示した
。
実施例３
ビス（２，４−ジクロロフェニル）クロロホスフェートの調整
窒素スパージ、添加ロート、機械的撹拌機および反応温度を監視するための熱電
対を備えた１ｆＩの三ロモートン（＋ｏｒｔｏｎ ）フラスコに、クロロベンゼ
ン４００＝１を仕込んだ。
２．４−ジクロロフェノール（２，６−ジクロロフェノールを約１．４％含有）
１４０．６ｇ （０，８６２モル）を溶融し、加えた。直ちに、トリエチルアミ
ン８７．１ 、 （０，８６２モル）を加えた。温度は５４℃に上昇した。
反応フラスコを氷水浴で１５℃に冷却し、予め蒸留して純度を約９７％としたり
四日エチルジクロロホスファイト７８．２ｇを、添加ロートを用い、１０分間に
渡って添加した。追加的に、クロロベンゼン５０ｍ１を、撹拌を促進するために
加えた。ジクロロホスファイトの添加の間に、温度は３８℃に上昇した。ロート
を追加的な３０ｍ１のりロウベンゼンで洗った。
濃厚なスラリーが得られた。
拌した。スラリーを次に濾過した。塩酸トリエチルアミン反応生成物を１５０ｍ
１のクロロベンゼンで、次に１００ｍ１のクロロベンゼンで洗浄、洗液を涙液と
合わせた。この時点でのガスクロマトグラフィーの面積パーセントは、ジクロロ
フェノール２％、ビス（クロロエチル）（ジクロロフェニル）ホスファイト０．
４％、ビス（ジクロロフェニル）クロロエチルホスファイト９６．４％、トリス
（ジクロロフェニル）ホスファイト０．２％およびトリス（ジクロロフェニル）
ホスフェート０．１％を示した。
涙液を５％ＨＣｊｌで１回、Ｈ２０１００ｍ１で１回、５％Ｎ ａ ＯＨ１５０
ｍ１で１回、５％Ｎ ａ ＯＨ１００ｍ１で１回およびＨ２０１００ｍ１で１回
洗浄した。ガスクロマトグラフィーの面積パーセントは、０．５％より少ないジ
クロロフェノールを示した。無水硫酸マグネシウム（後に濾過により分離する）
で水分を除いた。
クロロベンゼン溶液の体積をロータリーエバポレーターにて約６００ｍ１に減縮
し、磁気撹拌棒、塩素および窒素添加のためのスパージ管、窒素の出口および熱
電対を備えた１１のフラスコに仕込んだ。フラスコを氷水浴中に浸し、溶液を３
℃に冷却した。窒素で希釈した塩素を、約０．３ｇ／分の速度にて、薄い緑色が
認められるまで加えた。添加には約２時間を要し、２８．８５ ｇの塩素が加え
られた。添加の間の温度は約３℃から約８℃の範囲であった。
ロータリーエバポレーターにて溶媒を除去し、淡黄色の、放置すると固化するオ
イル１６５ｇ （収率９４％）を得た。
ガスクロマトグラフの面積パーセントは、０．９％のりロワベンゼン、９５％の
ビス（２，４−ジクロロフェニル）クロロホスフェート、１．４％の２，４−ジ
クロロフェニル−２，６−ジクロロフエニルクロロホスフエート、および１．２
％のトリス（２，４−ジクロロフェニル）ホスフェートを示した。ビス（２，４
−ジクロロフェニル）クロロホスフェートの真の分析は、内部標準に対するガス
クロマトグラフィーにより、９６．２％と決定された。
国際調査報告 −１
Claims (17)
- １．モノ置換ジハロホスファイト（ここで、該モノ置換基は、不純物から分離さ れ得るモノ置換ジハロホスファイトを形成する残基である）と、改善された純度 のジアリールホスファイトを与えるのに十分な量のフェノール類とを反応させる ことを含む、改善された純度のジアリールホスファイトを製造する方法。
- ２．モノ置換基がアルキル基である第１項記載の方法。
- ３．フェノールが２，４−ジハロフェノールである第１項記載の方法。
- ４．ハロ残基が塩素または臭素であり得るアルキルジハロホスファイトとフェノ ール類とを反応させてアルキルジアリールホスファイトを作ることを包含し、こ こで、アルキルはアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロ アルケニル、シクロアルキニル、ヘテロサイクリル、アルアルキルおよびそれら の被置換誘導体を包含し、アリールは、１またはそれより多いアリール環、ビフ ェニルおよびそれらの被置換誘導体の残基を包含するところの、アルキルジアリ ールホスファイトを製造する方法。
- ５．アルキルがＣ１〜Ｃ４のアルキル基およびそのハロゲン置換された誘導体で ある、第４項の方法。
- ６．ハロゲンが塩素である第４項の方法。
- ７．アリールがフェノールの残基である第４項の方法。
- ８．アリールが２，４−ジハロフェノールの残基である第４項の方法。
- ９．アルキルジハロホスファイトの化合物が９０％より高い純度にて用いられる 第４項の方法。
- １０．フェノールとの反応に先立ち、アルキルジハロホスファイトを−精製する 工程をさらに包含する第４項の方法。
- １１．式Ａ１−Ｏ−ＰＹ２のアルキルジハロホスファイトと式Ａｒ１ＯＨのフェ ノール類とを反応させて式Ａ１−Ｏ−Ｐ（ＯＡｒ１）２のアルキルジアリールホ スファイトを作ること、および 該アルキルジアリールホスファイトをハロゲン化して式（Ａｒ１Ｏ）２Ｐ（Ｏ） Ｙのジアリールハロホスフェートを調製すること （ここで、Ａ１はアルキル、シクロアルキル、ヘテロサイクリル、アルアルキル およびそれらの被置換誘導体を表し、Ａｒ１は１またはそれより多いアリール環 、ビフェニル、およびハロゲン化反応の間にハロゲンと非反応性であるそれらの 誘導体を表し、またＹは塩素、臭素またはヨウ素である） を含む、ジアリールハロホスフェートを製造する方法。
- １２．Ａ１がＣ１〜Ｃ４のアルキル基およびそのハロゲン置換された誘導体であ る第１１項の方法。
- １３．Ｙが塩素である第１１項の方法。
- １４．Ａｒ１がフェノールの残基である第１１項の方法。
- １５．Ａｒ１が２，４−ジハロフェノールである第１１項の方法。
- １６．アルキルジハロホスファイトの化合物を９０％より高い純度で使用する、 第１１項の方法。
- １７．フェノールとの反応に先立ち、アルキルジハロホスファイトを−精製する 工程をさらに包含する第１１項の方法。
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