JPH02501429A - 高反射レーザ共振空洞 - Google Patents
高反射レーザ共振空洞Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
高反射レーザ共振空洞
この発明は、レーザに関するものであり、特にフラッシュランプポンプ固体レー
ザにおけるボンピング空洞として使用される改善されたセラミック構造に関する
ものである。
2、関連技術の説明
ネオジミウムドープイツトリウムアルミニウムガーネット(Nd : YAG)
またはネオジミウムドープガドリニウムスカンジウムガリウムガーネット(Nd
: GSGG)のようなある種の高利得レーザ材料が例えばQスイッチングを
行うために大集団反転状態ヘポンブされるとき、飽和効果が生じて、それが入力
ボンピングエネルギのレベルと関係なく得られるレーザ出力エネルギを制限する
。この飽和は、レーザ波長における蛍光放射の可成りの量がレーザロッドから周
囲のボンピング空洞中へ横方向へ逃げ、ポンピング空洞で反射されてレーザロッ
ドへ戻ることから生じるレーザデポンピング現象上部レーザ転移レベルからの減
衰を刺激し、それによってそのレベルを占めることができる励起されたイオンの
数を実効的に制限し、その結果レーザから得られることのできる最大出力エネル
ギを制限する。
上記の開面を克服するために、固体レーザは典型的にレーザロッドとボンビング
フラフシニランプの両者がサマリウムドープガラスチューブ内に収容されるよう
に構成されている。
サマリウムド=ブガラスチューブはレーザ波長(1,0Bミクロン)における放
射の吸収を行い、一方ではボンピング放射を透過する。
サマリウムドープガラスチューブはボンピング放射によりレーザロッドの表面の
均一な照射が得られるように高い拡散反射率を譬する材料によって囲まれている
。所望の高い拡散反射率を与えるために使用される典型的な材料は硫酸バリウム
である。硫酸バリウム粉末が使用されるときそれは通常サマリウムドープチュー
ブと外側に同心に配置されたアルミニウムチューブとの間に堅く詰込まれる。そ
の代わりに、硫酸バリウム粉末が通常の可塑剤またはバインダーと混合され、焼
結されてサマリウムドープガラスチューブを囲むために使用されるセラミック体
を形成する。これらのセラミック体は通常ポンプ空洞体または単にポンプ空洞と
呼ばれる。
米国特許3,979.898号明細書にはNd:YAGポンプ空洞が開示されて
おり、それにおいては溶融石英またはボロシリケートガラスチューブがサマリウ
ム酸化物ような多結晶粉末で被覆されている。サマリウム酸化物被覆チューブは
サマリウムドープガラスチューブと同様の望ましい吸収を行うが、ずっと安価で
ある。この特許明細書の内容はここで参考文献とされる。
上記のポンプ空洞はそれらの意図されている目的に対しては適当であるようであ
るが、通常使用されている硫酸バリウムを置換するために高い拡散反射率を有す
る新しい材料を開発する必要性は依然として存在している。硫酸バリウムは高い
拡散反射率を有するけれども、本質的に脆弱な材料であり、1平方インチ当り6
00ボンド(40,li3気圧)の曲げ強度を有するに過ぎない。製造が安価な
硫酸バリウムを使用するポンプ空洞体はほこりになりやすく、光学系を汚染し、
容易に破壊やひび割れを生じる。
したがって現在、特にNd:YAGレーザポンプ空洞において拡散反射材料とし
て硫酸バリウムに代わる新しい材料を提供することが必要になっている。新しい
材料は硫酸バリウムに匹敵する高レベルの拡散反射レベルを有していなければな
らず、同時に容易にモールドまたは成型され、焼結されて強いポンプ空洞体を形
成し、はこりがつきにくく、破壊や割れに対する抵抗が大きくなければならない
。
発明の要約
この発明により、固体レーザポンプ空洞中の拡散反射材料として使用するための
新しい材料が発見された。この新しい材料は硫酸バリウムに匹敵する拡散反射率
を有し、同時に破壊や割れに対する抵抗がはるかに大きく、はこりの付着も生じ
ない。
この発明は、粉末アルミナがモールドされ、焼結されて構造的に強固なポンプ空
洞を生成することができ、それはNd:YAGのような選択されたレーザ材料の
レーザ波長の高い拡散反射率を与えるものであり、それは硫酸バリウムに近いか
ほぼ等しいことを発見したことに基づくものである。
粉末アルミナは種々の多くのセラミック物体を形成するために広く使用されてい
る。典型的に粉末アルミナは各種の可塑剤および/またはバインダーと混合され
、注入モールドその他の通常の技術によって所望の形に形成される。成型された
物体はそれから1600乃至1700℃に温度を上昇させて焼結される。このよ
うな高い温度での焼結、または加熱は、比較的粒が大きく、非常に密度が高く、
非常に強いアルミナセラミックを生じる。この発明によれば、アルミナ粉末は1
300乃至1425℃の温度で焼結され、約0.3乃至0.5ミクロンの範囲の
比較的小さい粒寸法を有する。これらのセラミック体はレー′ ザボンブ空洞と
して成型されたとき硫酸バリウムに匹敵する拡散反射率を与え、同時に構造強度
を増加させることが発見された。
この発明の付加的な特徴は、焼結されたアルミナポンプ空洞がサマリウム酸化物
を含むフリットで被覆されてグレイズを形成し、戻って来る放射によるレーザの
デポンピングを減少させるためにレーザ波長の吸収を行うことである。
上述の、およびその他の多くのこの発明の特徴および附随する利点は添附図面を
参照にした以下の詳細な説明が理解されることによって明白になるであろう。
図面の簡単な説明
第1図は、この発明によるレーザポンプ装置の部分的側部断面図である。
第2図は、第1図の■−Hに沿った断面図である。
第3図は、この発明の別の好ましい実施例の断面図である。
好ましい実施例の説明
この発明の実施例のレーザポンプ装置が第1図よび第2図で全体を10として示
されている。装置10はレーザ材料ロッド12およびポンピング用フラッシュラ
ンプ14を有している。レーザ材料は0.4乃至2.0マイクロメータの範囲内
のポンプバンドを有するNd:YAGまたはNd : GSGG或いはその他材
料からなる。ロッド12およびフラッシニランブ14は焼結されたアルミナ体1
6の内部に設置されている。アルミナ体16はポンプ空洞20を定める内部表面
18を具備し、その内部にレーザロッド12およびフラッシニランブ14が収容
されている。
アルミナ体16は1.06 ミクロン前後の寄生波長の所望の吸収を行うために
サマリウム酸化物グレイズの被at22を有していることが好ましい。
フラッシニランブ14はポンピング放射を行い、それはロッド12の材料をレー
ザ材料のエネルギレベル対間集団反転が設定される条件に励起する。その結果問
題のエネルギレベル対間のエネルギ差に対応する波長でレーザロッド12の端部
からレーザ放射が行われる。1例として、レーザロッド12がNd:YAGまた
はNd : GSGGから作られるとき、所望のポンピング放射はクセノンフラ
ッシュランプ14によって与えられることができ、ネオジニウムの4F3/2お
よび4F11/2工ネルギ状態間めレーザ転移により約1.0Bミクロンの波長
でレーザ放射が生成される。
1対の整列した反射器24.28がレーザロッド12の両端に近接して配置され
、再生的にロッド12中に放射されたレーザ放射を反射して戻すための光学的共
振器を与える。Qスイッチング動作はロッド12の1端と反射器24のような反
射器の一つとの間に通常のQスイッチング素子を位置させることによって行われ
る。Qスイッチング素子カーセルまたはボッケルセルのような電気−光装置28
およびニコル偏光器またはグラン・トムソンプリズムのような偏光器30を含ん
でいてもよい。
上記のレーザ素子は全て通常のものであり、この発明によるセラミック構造を除
いてよく知られている。このセラミック構造は焼結したアルミナ体1Bとサマリ
ウム酸化物ズ22からなる。このセラミック構造の詳細については以下説明する
が、セラミック構造は上記の特定の実施例以外の広範囲の各種レーザ装置におい
て使用することができることが理解されるであろう。
焼結されたアルミナ体1Bは、最終のセラミック体18の粒寸法が0.3乃至0
.5ミクロンの範囲であるかぎり任意の通常の焼結過程によって製造されること
ができる。最良の粒寸法はポンプされる放射波長の関数であり、最良の拡散反射
率および強度を得るために調整されることができる。0.4乃至2.0マイクロ
メータのポンプ波長に対しては、0.3乃至0.5ミクロンの範囲の粒寸法が最
良である。所要の粒寸法は、第1図および第2図に示された所望のチューブ形状
を有する°グリーン′体を形成するために通常の方法にしたがってモールドされ
ることができるサーモセツティング混合物を形成するためにアルミナ粉末を適当
なバインダーおよび少なくとも一つの可塑剤と混合することによって得られる。
標準注入モールド装置が通常のモールド方法と同様に使用できる。最初のアルミ
ナ粉末が約0.6ミクロンより小さい粒子寸法であることが重要である。好まし
くはアルミナ粉末は約0.28乃至0.5ミクロンの範囲の粒子寸法を存してい
なければなない。アルミナ粉末は所望の範囲の粒子寸法を有し、99.911量
%以上の純度であることが好ましい市販の粉末であることができる。適切な市販
の粉末はグレードA−16SGのようなアメリカアルミニウム社(ALCOA)
から入手できるものが含まれる。グレードA−16sGは好ましい材料である。
他の市販のアルミナ粉末としてはALCOAから入手できるALUMALUX3
9のようなものも使用できる。
アルミナ粉末は好ましくは2以上のバインダーおよび1以上の可塑剤と混合され
る。バインダーは200℃以下で熱硬化することが好ましい。充分なバインダー
および可塑剤が添加され、そのため混合物は70乃至90%の固体率であり約2
00乃至800℃の温度で非常に流動性(低い粘度)である。通常のように熱い
アルミナスラリーがこの温度および30psl (2,04気圧)乃至15,0
00ps! (1020,7気圧)の圧力範囲で適当な成形型中に注入される。
流体またはスラリーは型中で冷却され、100乃至200℃の範囲の温度で固体
になる。形成された部品は型から排出される。
上記の基本的なアルミナモールド方法は所望ならば非常に複雑な形状の部品を生
成することを可能にする。所望ならば標準注入モールド装置が使用できる。適当
なバインダーにはポリエチレンバインダーおよびポリビニールアルコールノ(イ
ングーのようなアルミナのモールドに使用される通常のバインダーが含まれる。
使用される可搬剤にはまたステアリン酸のような通常の可塑剤が含まれる。使用
されるバインダーおよび再製剤の量および数は注入混合物が70乃至90重量%
の固体率であり200乃至350℃の温度で非常に流動性(低い粘度)であるか
ぎり変化可能である。さらにバインダーおよび可塑剤はモールド中できるだけ型
空洞の完全な複製に近くなり、焼結中モールドされたアルミナ体を保持するため
に充分な量で与えられなければならない。
典型的にモールドされたアルミナ体は可塑剤を除去するために焼結に先立って液
相または気相抽出にさらされる。焼結または加熱処理中必要な接着性と構造一体
性を与えるために一つのバインダーだけがモールドされたアルミナ体中に残され
ることが許容される。モールドされたアルミナ体の焼結または加熱は大気圧で空
気中で行われることが好ましい。アルミナ加熱の通常の技術として知られている
他の加熱圧力および雰囲気もまた使用可能である。
この発明によれば、アルミナ体の加熱温度は1800乃至1425℃であり、1
400℃が好ましい。加熱期間は1乃至4時間であり、好ましい加熱時間は0.
8乃至1.2時間である。焼結温度および時間は最大の拡散反射性を与える約0
.3乃至0.5ミクロンの粒寸法を育する最終の焼結されたアルミナ体を与える
ように変化される。約0.45ミクロンの粒寸法が好ましい。加熱温度はセラミ
ック体の形成に必要な時間を減少させるために1400℃に近く維持されること
が好ましい。所望の粒寸性範囲は走査電子顕微鏡または他の適当な技術によって
実証されることができる。
最終の焼結されたアルミナ体に対する詰込み密度は約70乃至87%の範囲でな
ければならない。好ましい詰込み密度は約85%である。
粒成長反応抑制剤が焼結処理中に使用されてもよい。市販されている多くのアル
ミナ粉末は酸化マグネシウムのような通常の粒成長反応抑制剤を含んでいる。粒
成長反応抑制剤のアルミナ中の存在量はは2000部/100万(ppm)より
少ないことが好ましい。ALCOAグレード16Gのようなアルミナ粉末は約2
00ppmの酸化マグネシウムを有しておりこの発明によるアルミナ体の形成に
適切に使用することができる。粒成長反応抑制剤の量は、加熱温度および時間が
対応して調節される限り特に臨界的ではなく、そのため焼結されたアルミナ体の
最終の粒寸法は約0.3乃至0.5ミクロンの範囲にある。
最終生成物が上記の粒寸法を含んでいれば他の通常の方法もアルミナポンプ空洞
を形成するために使用することができる。例えばアルミナは、所望の粒寸法、詰
込み密度、拡散反射率および強度を有するアルミナセラミック体を形成するため
に高圧力(すなわち約5000psi程度)で冷間ブレスされることができる。
典型的な冷間ブレス方法はトリクロロエタン中のパラフィンワックスの3%溶液
のような適当なバインダーとアルミナの混合を含む。アルミナ体の冷間ブレス形
成は通常のものであり、よく知られた任意の技術が使用されて、粒寸法および詰
込み密度に関する所望の基準が上記のように達成される。
前述のよう1こ、サマリウム酸化物のグレイズ22がアルミナポンプ空洞1Bの
内部表面18に施されることが好ましい。サマリウム酸化物グレイズは1 /1
000乃至5 /1000インチ(0,025乃至0.127 ミリメータ)の
厚さが好ましい。サマリウム酸化物グレイズは透明なガラスまたはグレイズ層を
形成するために約1300℃の温度で加熱されるフリットの形態で施されること
が好ましい。1.08 ミクロンの放射の効率のよい吸収を行うフリット(粉末
ガラス)の組成は次の表で与えられる。
Al2O314,16
Si02 33.38
B20. 9.68
SrO14,40
S m2 o、 24. 22
フリツトはペイントまたはペーストとしてAl2O3ポンプ空洞上に塗布される
。ペーストはNI CROBRAZセメント(1,1,1−トリクロロエタン中
の8v10ポリエチルメタアクリレート)のような一時的バインダーを使用する
。フリットは1300℃でAl2O3$M造上へ溶融され、平滑で透明なグレイ
ズを形成する。
セラミック材料に酸化物グレイズまたはガラスフリットの層を設けるための技術
はよく知られている。好ましくはサマリウムフリットが任意の市販のセメントと
混合されてペーストまたは懸濁液が形成され、それはスプレーその他の適当な方
法によってアルミナ体の全表面に被覆される。典型的な市販のセメントは1,1
.1−)リクロロエチレン中に8重量%のポリエチルメタアクリレートを含む。
焼結されたアルミニウム酸化物構造全体はグレイズによって被覆されることが好
ましい。何故ならばそれは材料の強度を増加させ、さらに処理および使用中構造
体を清潔に維持するからである。
こ発明の別の実施例が第3図に示されている。この実施例において、サマウムド
ーブガラスライニング32がアルミニウムポンプ空洞36の内部表面34上に設
けられている。サマウムドーブガラスはNd、YAGレーザで広く使用され、ま
たこの発明の焼結されたアルミニウムポンプ空洞と関連しても使用できる。米国
特許3,979.696号明細書によるサマウム酸化物ガラスチューブもまた使
用できる。
この発明により構成された構造によって得られる改善された反射特性が表1に示
されている。表1の反射率値は拡散反射率に対する補正1,25%を冑する積分
球形スペクトロフォトメータから直接読取られる。表1の項目4に示されるよう
にALCOA 165Gグレードアルミニウム酸化物から注入モールドおよび1
400℃で1時間の焼結により形成された平均粒寸法的0.45マイクロメータ
のこの発明による構造は96.8%の反射率を有する。この値は反射率に対する
許容できる標準である硫酸バリウムの構造から得られた97%の反射率(表1の
項目1)と比較された。これに対して従来の技術により形成されたアルミニウム
酸化物構造は表1の項目2および3に示すように94,0%および94.3%の
反射率を有していた。さらに、冷間プレスおよびそれに続く焼結によるこの発明
により構成された構造は、約23,000psi (1565,2気圧)の曲げ
強度を有することが認められた。この値は類似した硫酸バリウムの構造の約60
0 psi (40,8気圧)の21倍である。
1 基準標準−13aS0.3
イーストマン−6091
平均粒子寸法−1,5±0.5ミクロン注入モールド
1050℃で焼結 97 %
900℃で焼結 98.8%
2 アルミニウム酸化物純度99,7%(R&W社のA973 グレード)
平均粒子寸法−4〜5ミクロン
冷間プレス
1700〜1710℃で焼結 94.3%3 アルミニウム酸化物純度99.7
96(バーマチック社のセラロックス)
平均粒子寸法−4〜5ミクロン
冷間プレス
1700〜171O℃で焼結 94.0%4 本発明
アルミニウム酸化物
(ALCOA 163Gグレード)
平均粒子寸法−0,45ミクロン
注入モールド
1400℃、1時間で焼結 96.8%*700ナノメータにおいて
例1
平均粒寸法0.3乃至0.5ミクロンのAlcoaのグレードA165Gアルミ
ニウム酸化物(A l 203)が溶媒1立方am当り0.1gのパラフィンワ
ックスを含む1,1.1. )リクロロエタン′溶媒)を有するスラリーに形成
された。溶媒の容積は乾燥して溶媒が消失したときAl2O3中に3重量%(W
lo )のパラフィンワックスを有するように計算された。スラリーは充分に混
合されるまでボールミル中で溶媒に湿らされた。
溶媒は蒸発され、Al2O3は5000ps! (340,2気圧)の圧力で直
径1.13インチ厚さ0.140インチのディスクに冷間プレスされた。ディス
クは60分間1400℃で焼かれ、または加熱された。最終の部品の密度は理論
値の84%であった。ディスクの拡散反射率は700ナノメータの波長で積分球
形スペクトロフォトメータ中で測定された。拡散反射率はイーストマン・コダッ
ク標準BaSO4(カタログ# 8091バッチ#502−1 )の1019c
iであることが認められた。
(平均粒寸法0.3乃至0.5 ミクロン)が酸化マグネシウム(MgO)(粒
成長反応抑制剤)の適当量と混合されて700ppmのMgO含有量を与えた。
A l 203 ・0.07w/。
MgO混合物は上記例1のように3ν10のパラフィンワックスで飽和された。
混合物はゴムの容器中に入れられ、30.000psi (2041,5気圧)
の等方向性静止圧力で冷間プレスされた。
部品は第1図に示されるような形状に加工された。部品は60分間1425℃で
熱処理された。最終の密度は理論値の78%であった。拡散反射率の測定は上記
例1と同様に行われ、拡散反射率は標準B a S 04の100%であること
が認められた。
例3
AlcoaグレードALUMULUX−39(高純度グレードA 1203−9
9.9%)は平均粒寸法0.3乃至0.5ミクロンであり、以下に示す材料と混
合された。
重量%
A ALUMULUX−39−A I2O3g5.0B ポリスチレン 6.0
Cポリエチレン 0.75
D ウエッソン(警esson)オイル 6.0E ステアリン酸 2.25
上記混合物は第2図に示す形状の型中へ5.000 psl(340,2気圧)
の圧力で170℃でモールドされた。再製剤はエチルアルコールにより除去され
、ポリスチレンは1,1.1. トリクロロエタンにより除去された。
の78%であった。拡散反射率の測定は上記例1と同様に行われ、拡散反射率は
標準B a S 04の100.2%であることが認められた。
例4
例1に説明した方法によって製造されたアルミニウム酸化物ディスク[直径0.
9イチン(2,29cm)厚さ0.12イチン(0,30cm) ]がサマリウ
ムグレイズを評価するために選択された。o、ootインチ(0,025mm)
、0.003インチ(0,078IIIO+)、0.005インチ(0,127
mm)、0.00フインチ(0,178++oe)、および0.009インチ(
0,229mm)の厚さのサマリウムグレイズをAl2O,ディスク上に生成す
るサマリウム酸化物フリットの重量を与えるためにサマリウムグレイズの密度(
3,2g/cw3)とAl2O3の表面積に基づいて計算がされた。計算された
歪量のサマリウムフリットが各ディスクの中心に置かれた。このフリットを有す
るAl2O3ディスクは炉中に置かれ、80分にわたって1300℃に加熱され
た。フリットは溶融してディスクの上面に流れ、均一の厚さのグレイズを与えた
。それは非常に平滑で可視光線スペクトルに対して透明である。このグレイズに
ついて続いて行われた試験は基体の公称1596の多孔率によって非常に強固に
Al2O3基体に結合されていることを示している。さらにグレイズが非常に平
滑であるために表面は匹或いは砕片を集めることがなく、またガラス窓のように
きれいに拭くことができる。吸収測定は5個のディスク(0,001乃至0.0
09インチ、すなわち0.0254乃至0.229011の厚さ)全てについて
220乃至2400ナノメータの積分球形スペクトロフォトメータで行われた。
吸収は正確に1.06ミクロンであることが認められた。BaSO4標準および
被覆されない(グレイズのない)A1203デイスクに対してゼロ吸収であった
。0.001インチの厚さのグレイズに対する吸収は顕著であり、厚さが0.0
01インチ(0,025a+s )、0.002インチ(0,076ma+ )
、0.005インチ(0,127c+++ )、0.00フインチ(0,17
8a+a ) 、0.009インチ(0,229a+i )と増加するにしたが
って教科書のように順次増加する。
5個のディスクは520から800ナノメータの範囲で非常に低い吸収を示す。
グレイズは紫外線領域(350nm )で吸収せず、それはある種のレーザシス
テムにおいて望ましいものである。したがって前述のようにいくつかの好ましい
機能を遂行する。
以上、この発明の例示的実施例について記載したが、当業者はこれらの開示は単
なる例示に過ぎず、種々のその他の変形、適応、変更がこの発明の技術的範囲内
で行われてもよいことを注意すべきである。したがって、この発明はここに示さ
れた特定の実施例に限定されるものではなく、請求の範囲の記載によってのみ制
限されるべきものである。
国際調査報告
国際調査報告
Claims (16)
- (1)レーザ波長においてレーザ放射が生成されるポンプ空洞を与えるためにレ ーザ中で使用するセラミック構造において、 このセラミック構造は前記ポンプ空洞を定める内部表面を有するセラミック体を 具備し、このセラミック体は約0.3乃至0.5マイクロメータの範囲の粒寸法 を有する焼結されたアルミナを具備しているセラミック構造。
- (2)前記焼結されたアルミナは約70乃至87%の範囲の詰込み密度を有する ように形成されている請求の範囲1記載のセラミック構造。
- (3)前記レーザはNd:YAGレーザである請求の範囲1記載のセラミック構 造。
- (4)前記レーザはNdドーブガドリニウムスカンジウムガリウムガーネットレ ーザである請求の範囲1記載のセラミック構造。
- (5)前記レーザは約0.4乃至2.0マイクロメータの範囲のポンピング放射 を有する請求の範囲1記載のセラミック構造。
- (6)前記粒寸法は約0.45マイクロメータである請求の範囲3記載のセラミ ック構造。
- (7)前記内部表面上に前記レーザ波長における放射を吸収するグレイズの被覆 をさらに含んでいる請求の範囲1記載のセラミック構造。
- (8)前記グレイズがサマリウム酸化物を含む請求の範囲7記載のセラミック構 造。
- (9)前記詰込み密度が約85%である請求の範囲2記載のセラミック構造。
- (10)請求の範囲1記載のセラミック構造を形成する方法において、 約0.3乃至0.5マイクロメータの範囲の粒寸法を有する焼結されたアルミナ セラミック体を形成するために、約1300乃至1425℃の範囲の温度で充分 な時間にわたってアルミナ粉末を焼結する過程を有することを特徴とするセラミ ック構造の形成方法。
- (11)前記セラミック体は前記ポンプ空洞を定める内部表面を有し、前記方法 はこの内部表面を前記レーザ波長における放射を吸収するグレイズで被覆する追 加の過程を含んでいる請求の範囲10記載の方法。
- (12)前記グレイズはサマリウム酸化物を含んでいる請求の範囲11記載の方 法。
- (13)前記グレイズは、ほぼ4〜5重量%のしi20と、14〜15重量%の Al2O3と、33〜34重量%のSi02と、9〜10重量%のB203と、 14〜15重量%のSrOと、24〜25重量%のSm203とを含む粉末ガラ スから形成される請求の範囲12記載の方法。
- (14)前記グレイズは、約0.001乃至0.009インチ(0.0254乃 至0.229mm)の範囲の厚さに形成される請求の範囲13記載の方法。
- (15)前記アルミナは、約0.45マイクロメータの粒寸法を有する焼結され たアルミナセラミック体を形成するのに充分の時間にわたって焼結される請求の 範囲10記載の方法。
- (16)前記アルミナ粉末は、重量で99.9%以上の純度を有している請求の 範囲10記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102564A (ja) * | 1991-04-04 | 1993-04-23 | Electrox Inc | 高出力NdYAGレーザ |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4858243A (en) * | 1987-06-12 | 1989-08-15 | Raycon Corporation | Laser pumping cavity |
US4993038A (en) * | 1988-09-05 | 1991-02-12 | Kawasaki Steel Corporation | Laser devices, laser system including the laser devices and output mirror for the laser system |
US5081636A (en) * | 1989-06-15 | 1992-01-14 | Electrox, Inc. | High power NdYAG laser |
US4933946A (en) * | 1989-08-14 | 1990-06-12 | Allied-Signal Inc. | Conductively cooled solid-state slab laser |
KR950006318B1 (ko) * | 1990-07-16 | 1995-06-13 | 미쓰이세끼유 가가꾸고오교오 가부시끼가이샤 | 확산반사체(diffusion reflector) 및 그를 이용한 고체레이저 장치 |
DE69221130T2 (de) * | 1992-05-06 | 1998-04-09 | 600 Uk Ltd | System zum Kombinieren von Laserstrahlen |
DE4345404C2 (de) * | 1992-09-16 | 2001-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Verwendung eines Festkörperlasersystems zur Erzeugung eines Laserstrahls in einer Materialbearbeitungsvorrichtung |
JP3083688B2 (ja) * | 1992-09-16 | 2000-09-04 | 三菱電機株式会社 | 固体レーザ装置 |
ES2078147B1 (es) * | 1993-06-11 | 1997-08-16 | Univ Pais Vasco | Sistema de ensayo de un material solido mediante bombeo de radiaciones por lamparas flash. |
US5553092A (en) * | 1994-05-17 | 1996-09-03 | Alliedsignal Inc. | Solid state laser with integral optical diffuser plate to homogenize optical pumping |
US5905594A (en) * | 1995-01-06 | 1999-05-18 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Light reflectant surface in a recessed cavity substantially surrounding a compact fluorescent lamp |
US5982542A (en) * | 1995-01-06 | 1999-11-09 | W. L. Gore & Associates, Inc. | High light diffusive and low light absorbent material and method for making and using same |
US6015610A (en) * | 1995-01-06 | 2000-01-18 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Very thin highly light reflectant surface and method for making and using same |
US5596450A (en) * | 1995-01-06 | 1997-01-21 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Light reflectant surface and method for making and using same |
US5892621A (en) * | 1995-01-06 | 1999-04-06 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Light reflectant surface for luminaires |
US5689364A (en) * | 1995-01-06 | 1997-11-18 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Light reflectant surface for photoinduction chambers |
US5781342A (en) * | 1995-01-06 | 1998-07-14 | W.L. Gore & Associates, Inc. | High light diffusive and low light absorbent material and method for making and using same |
US5838406A (en) * | 1995-08-29 | 1998-11-17 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Light reflectant surface of expanded polytetrafluoroethylene with nodes and fibrils for backlit liquid crystal displays |
US5836677A (en) * | 1997-02-05 | 1998-11-17 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Retrofit compact fluorescent lamp |
US5982548A (en) * | 1997-05-19 | 1999-11-09 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Thin light reflectant surface and method for making and using same |
KR20040036105A (ko) * | 2002-10-23 | 2004-04-30 | 한국전기연구원 | 고효율 반사체를 이용한 레이저 여기용 글라스 세라믹공진기 및 그 제조방법 |
CN1316695C (zh) * | 2002-12-31 | 2007-05-16 | 中国建筑材料科学研究院 | 陶瓷聚光腔材料、陶瓷聚光腔及其制造方法 |
CN101180557B (zh) * | 2005-03-29 | 2013-03-13 | 京瓷株式会社 | 发光装置以及照明装置 |
CN100381391C (zh) * | 2006-03-31 | 2008-04-16 | 北京工业大学 | 高反射率陶瓷腔体的制备方法 |
US8509272B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-08-13 | Lee Laser, Inc. | Laser beam combining and power scaling device |
WO2011071819A1 (en) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Regents Of The University Of California | Optical-cavity phase plate for transmission electron microscopy |
JP2013007610A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Canon Inc | 測色器及び画像形成装置 |
EP3751684A1 (en) * | 2013-03-15 | 2020-12-16 | Cynosure, Inc. | Picosecond optical radiation systems and methods of use |
CN103414096A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-11-27 | 安徽环巢光电科技有限公司 | 一种激光谐振腔的制造方法 |
JP6891648B2 (ja) | 2017-06-07 | 2021-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、波長変換装置、光源装置およびプロジェクター |
CN110642606A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-03 | 天津城建大学 | 一种提高氧化铝陶瓷聚光腔反射率的方法 |
CN113075148B (zh) * | 2021-03-22 | 2023-06-16 | 久泰能源(准格尔)有限公司 | 一种mto工艺中催化剂表面碳含量的测定方法 |
CN114122885A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-03-01 | 北京卓镭激光技术有限公司 | 一种灯泵浦激光器的聚光腔及灯泵浦激光器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3582822A (en) * | 1968-11-21 | 1971-06-01 | James L Karney | Laser flash tube |
US4032862A (en) * | 1974-02-14 | 1977-06-28 | The Perkin-Elmer Corporation | High power electrodeless gas arc lamp for pumping lasers |
US3979696A (en) * | 1975-06-30 | 1976-09-07 | Hughes Aircraft Company | Laser pumping cavity with polycrystalline powder coating |
US4096450A (en) * | 1977-04-22 | 1978-06-20 | Hughes Aircraft Company | Conductively cooled flashlamp |
DE3711776A1 (de) * | 1987-04-08 | 1988-10-27 | Huels Chemische Werke Ag | Verwendung von n-polyhydroxyalkylfettsaeureamiden als verdickungsmittel fuer fluessige waessrige tensidsysteme |
JPH03246265A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-11-01 | Kao Corp | 脂肪酸アミドの製造方法 |
US5174927A (en) * | 1990-09-28 | 1992-12-29 | The Procter & Gamble Company | Process for preparing brightener-containing liquid detergent compositions with polyhydroxy fatty acid amines |
KR0184850B1 (ko) * | 1990-09-28 | 1999-05-01 | 자코버스 코넬리스 라써 | 알킬 설페이트 및 폴리하이드록시 지방산 아미드 계면활성제 함유 세제 |
CA2090238C (en) * | 1990-09-28 | 1998-09-01 | Sandra L. Honsa | Polyhydroxy fatty acid amides in polycarboxylate-built detergent |
-
1987
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1991
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102564A (ja) * | 1991-04-04 | 1993-04-23 | Electrox Inc | 高出力NdYAGレーザ |
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Publication number | Publication date |
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