JPH0249710Y2 - - Google Patents

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JPH0249710Y2
JPH0249710Y2 JP11405284U JP11405284U JPH0249710Y2 JP H0249710 Y2 JPH0249710 Y2 JP H0249710Y2 JP 11405284 U JP11405284 U JP 11405284U JP 11405284 U JP11405284 U JP 11405284U JP H0249710 Y2 JPH0249710 Y2 JP H0249710Y2
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JP
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wall
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holder
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JP11405284U
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JPS6130238U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は半導体レーザーを製作するプロセスに
おいて、壁開バー状態の結晶端面に保護膜とし
て、絶縁物を被覆する場合に使用する基板ホルダ
ーで、蒸着、スパツタ、CVD等のいずれの装置
を使用しても対応できるパツシベーシヨン用基板
ホルダーに関するものである。
(従来の技術) 通常、半導体レーザーを製作するプロセスにお
いて、壁開バー状態の結晶端面に保護膜として絶
縁物を被覆する場合、真空槽内で、壁開バーを設
置したホルダーを真空槽内の平且なステージの上
に置き、対向した上方より、真空中にて、主にス
パツタ法により絶縁膜を被覆していた。すなわ
ち、壁開バーを1本ずつ専用ホルダーに設置しそ
のホルダーを真空槽内の平且なステージの上にで
きるだけたくさん置いて被覆していた。
(考案が解決しようとする問題点) このような方法では、大量処理ができない。又
各ホルダー毎のセツトの方法によつては膜厚のバ
ラツキ及び膜質の差が大きくなり、安定した、再
現性の良い特性を持つた半導体レーザができな
い。平且なステージに置くだけのホルダー(従来
のホルダー)では、蒸着、CVD法によつて被覆
しようとした場合に使用出来ないという問題があ
つた。
(問題点を解決するための手段) 本考案によれば、まず壁開バーを1本ずつセツ
トする場合に真空吸着を用い、壁開バーの片端面
を吸着しながら設置する。次に両電極面へコーテ
イング膜が回り込まないために、Siのダミーバー
を壁開バーのコーテイング面が影にならない高さ
のものを選んで壁開バーに押し付ける。この繰り
返しによつて所望の数だけ壁開バーを設置する。
最後にSiのダミーバーを設置したら、押し板を固
定し、設置した壁開バー及びSiダミーバーが動か
ないように、又バラバラにならないようにしつか
り固定し、最後に真空吸着をはずす。このように
して設置したものは、この後、逆さにしても、立
てても壁開バー及びSiバーが、動いたり、外れた
りしない。このような基板ホルダーであると、上
方蒸着、サイドスパツタ、種々のCVD装置にも
容易に設置することが可能であり、大量処理がで
き又壁開バーが密接して設置できるので、1本1
本での膜厚のバラツキ及び膜質等のバラツキがな
く、従来に比較し、非常に大きな処理能力向上及
び膜厚分布及び膜質の向上による歩留りUP又、
再現性の良い高出力の半導体レーザーが得られる
ものである。
(実施例) 以下本考案の実施例を図面によつて説明する。
第1図において、基板ホルダー1に壁開バー2
をセツトするわけである。基板ホルダー1には溝
部7があり、この溝部7により、真空に引く場
合、真空引き口8より真空引きし、なおかつ基板
押え板4が基板ホルダー1上をスライドするとき
のガイド的な役割をも有している。基板押え板4
はにスライドするときに使用する握り5が付けら
れる。これは基板設置が完了したら取り外しが可
能なように、ネジ止メ方式になつている。又基板
押え板4には、基板セツトが完了したときに固定
するための押え板固定ネジ6が2ケ付いており、
基板を設置している間は、ゆるめておき、基板押
え板4は円滑にスライドできるものとする。
次にセツトの方法を具体的に説明する。
まず、真空状態にする。これで真空引き口8よ
り溝部7が真空に引かれる。基板ホルダー先端部
11の部分は設置される基板の受けの部分であ
る。ダミーバー3を基板ホルダー先端部11に押
し付ける。次にパツシベーシヨンすべき端面を上
面にして壁開バー2を設置する。これを繰り返し
行なう。この時ダミーバー毎に、基板押え板4の
バー押え部10を、押し付けて、きちんと整列し
ながら壁開バー2及びダミーバー3が倒れたり、
割れたりしないように注意する。特に壁開バーは
0.26mm×0.45mm×7mm(1例)のように、非常に
小さいものであるから注意が必要である。最後の
壁開バー2を設置し、その後にダミーバー3を設
置したら、基板押え板4の握り5にてバー押え部
10を押し付ける。その状態で押え板固定ネジ6
を回して基板ホルダー1に基板押え板4をしつか
りと固定する。固定完了したら握り5は外してお
く。これで処理すべき壁開バー2が全て設置完了
したから溝状態を解除し、真空引き口8より真空
ホース12を取外す。これで、基板ホルダー1へ
の壁開バー2の設置は完了する。この状態で、こ
の後、蒸着、スパツタ、CVD等の装置にセツト
し、所望の絶縁膜を結晶端面に被覆するものであ
る。尚、各々の装置に固定する時に、基板ホルダ
ー1にネジ止め用のバカ穴9を4ケ所付けてい
る。
(考案の効果) 以上のように、本考案によれば、基板ホルダー
1に壁開バー2を設置するときに、真空吸着を設
けたことにより、壁開バー2の取り付けの簡略化
が計れ、又、この基板ホルダー1で設置したもの
は、蒸着スパツタ、CVD等のどの装置に設置し
て使用しても、壁開バー2とダミーバー3が基板
ホルダー1から外れたり、割れたり、落下したり
しないで、大量処理ができ、又、取り付け上の問
題による割れ、落下がなくなることでの大幅な歩
留向上が可能となつた。
これにより、バツチ内、バツチ間での膜質の
差、膜厚のバラツキ等がなくなり、又、今後、多
層パツシベーシヨンの適用等を行なう上で、非常
に大きな効果があり、現状よりもさらに高性能、
高出力の半導体レーザーが生産できるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図a,bは本考案の一実施例を示す平面図
および側面図である。 1……基板ホルダー、2……壁開バー、3……
Siダミーバー、4……基板押え板、5……握り、
6……押え板固定ネジ、7……溝部、8……真空
引き口、9……ネジ止め用バカ穴、10……バー
押え部、11……基板ホルダー先端部、12……
真空ホース。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 上面に開口を有し一端が真空引き口に接続され
    る真空引き部と、該真空引き部に沿つて複数の壁
    開バーをその壁開面を上面として裁置できる壁開
    バー裁置部とを具備する基板ホルダーと、該基板
    ホルダーの一端に前記複数の壁開バーの一端を位
    置決めすべく設けられたホルダー先端部と、前記
    基板ホルダーの他端に前記複数の壁開バーの他端
    を押えるべく往復自在に取り付けられた基板押え
    板とを有することを特徴とするパツシベーシヨン
    用基板ホルダー。
JP11405284U 1984-07-26 1984-07-26 パツシベ−シヨン用基板ホルダ− Granted JPS6130238U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11405284U JPS6130238U (ja) 1984-07-26 1984-07-26 パツシベ−シヨン用基板ホルダ−

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11405284U JPS6130238U (ja) 1984-07-26 1984-07-26 パツシベ−シヨン用基板ホルダ−

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6130238U JPS6130238U (ja) 1986-02-24
JPH0249710Y2 true JPH0249710Y2 (ja) 1990-12-27

Family

ID=30673080

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JP11405284U Granted JPS6130238U (ja) 1984-07-26 1984-07-26 パツシベ−シヨン用基板ホルダ−

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JPS6130238U (ja) 1986-02-24

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