JPH0249567B2 - Danseihyomenhafuiruta - Google Patents
DanseihyomenhafuirutaInfo
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- JPH0249567B2 JPH0249567B2 JP8822683A JP8822683A JPH0249567B2 JP H0249567 B2 JPH0249567 B2 JP H0249567B2 JP 8822683 A JP8822683 A JP 8822683A JP 8822683 A JP8822683 A JP 8822683A JP H0249567 B2 JPH0249567 B2 JP H0249567B2
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- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- unidirectional
- transducers
- transducer
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- RDYMFSUJUZBWLH-UHFFFAOYSA-N endosulfan Chemical compound C12COS(=O)OCC2C2(Cl)C(Cl)=C(Cl)C1(Cl)C2(Cl)Cl RDYMFSUJUZBWLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
- H03H9/02629—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the edges
-
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02685—Grating lines having particular arrangements
- H03H9/0274—Intra-transducers grating lines
- H03H9/02755—Meandering floating or grounded grating lines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/02—Details
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- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02795—Multi-strip couplers as track changers
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
- H03H9/14508—Polyphase SAW transducers
Landscapes
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、従来必要とされた移相器を使用する
ことなく、一方向性電極を駆動することにより挿
入損失を減少せしめ、かつ良好なろ波周波数特性
を有する弾性表面波フイルタに関する。
ことなく、一方向性電極を駆動することにより挿
入損失を減少せしめ、かつ良好なろ波周波数特性
を有する弾性表面波フイルタに関する。
近年、伝搬速度が電磁波に比べて5桁程度小さ
いという弾性表面波の特徴を生かした弾性表面波
フイルタ素子が注目を集めており、また実用化さ
れてきている。弾性表面波フイルタ素子は、従来
のLCフイルタ等と比較すると、小型軽量となる
ばかりでなく無調整で振動に強く、またLCフイ
ルタでは実現できなかつた特性を持たせることも
可能である。しかし、これらの特徴を有する反
面、弾性表面波素子は挿入損失が比較的大きいと
いう欠点を持つていた。このため、弾性表面波フ
イルタ素子の損失を低減させるための研究が多く
なされている。以下に、従来の弾性表面波フイル
タ素子の損失の原因を述べ、また損失を低減する
ために従来行われている対策の概略2つの例を示
す。
いという弾性表面波の特徴を生かした弾性表面波
フイルタ素子が注目を集めており、また実用化さ
れてきている。弾性表面波フイルタ素子は、従来
のLCフイルタ等と比較すると、小型軽量となる
ばかりでなく無調整で振動に強く、またLCフイ
ルタでは実現できなかつた特性を持たせることも
可能である。しかし、これらの特徴を有する反
面、弾性表面波素子は挿入損失が比較的大きいと
いう欠点を持つていた。このため、弾性表面波フ
イルタ素子の損失を低減させるための研究が多く
なされている。以下に、従来の弾性表面波フイル
タ素子の損失の原因を述べ、また損失を低減する
ために従来行われている対策の概略2つの例を示
す。
第1図は、従来の弾性表面波フイルタの一例で
ある。1は圧電基板、2及び3は、圧電基板1上
に設けられた、正及び負極の2相単位電極要素よ
り成る双方向性のすだれ状トランスデユーサであ
る。また、7及び8は基板端面からの反射波を抑
圧する吸収体である。電気信号をすだれ状トラン
スデユーサ2に加えることにより、圧電基板1の
圧電性によつて電気信号は双方向性の弾性表面波
4及び5に変換される。弾性表面波4は、圧電基
板1の表面を伝搬し、すだれ状トランスデユーサ
3にて電気信号に変換される。この際すだれ状ト
ランスデユーサ2及び3の単位電極要素の形状に
よつて決まるエレメントフアクタと、トランスデ
ユーサ全体の形状によつて決まるアレイフアクタ
により弾性表面波フイルタの周波数特性が決定さ
れる。また、すだれ状トランスデユーサ3にて、
弾性表面波4が電気信号に変換される際に、再励
起効果によつて、弾性表面波6が励振される。こ
こで、弾性表面波5及び6は電気信号に変換され
ることなく、吸収体7及び8にて吸収される。こ
のためによる弾性表面波フイルタの挿入損失は約
6dBあり、双方向性損失と呼ばれている。この種
の弾性表面波フイルタおいては、このような双方
向性損失は避けられないものである。
ある。1は圧電基板、2及び3は、圧電基板1上
に設けられた、正及び負極の2相単位電極要素よ
り成る双方向性のすだれ状トランスデユーサであ
る。また、7及び8は基板端面からの反射波を抑
圧する吸収体である。電気信号をすだれ状トラン
スデユーサ2に加えることにより、圧電基板1の
圧電性によつて電気信号は双方向性の弾性表面波
4及び5に変換される。弾性表面波4は、圧電基
板1の表面を伝搬し、すだれ状トランスデユーサ
3にて電気信号に変換される。この際すだれ状ト
ランスデユーサ2及び3の単位電極要素の形状に
よつて決まるエレメントフアクタと、トランスデ
ユーサ全体の形状によつて決まるアレイフアクタ
により弾性表面波フイルタの周波数特性が決定さ
れる。また、すだれ状トランスデユーサ3にて、
弾性表面波4が電気信号に変換される際に、再励
起効果によつて、弾性表面波6が励振される。こ
こで、弾性表面波5及び6は電気信号に変換され
ることなく、吸収体7及び8にて吸収される。こ
のためによる弾性表面波フイルタの挿入損失は約
6dBあり、双方向性損失と呼ばれている。この種
の弾性表面波フイルタおいては、このような双方
向性損失は避けられないものである。
第2図は、上述したような双方向性損失を避け
るため、一方向性トランスデユーサを用いた従来
の方法の一例を示す。1は第1図のものと同様圧
電基板、9及び10は、圧電基板1上に設けられ
た3相一方向性トランスデユーサで、第3図もし
くは第4図のような構造を有している。11は移
相器である。このような構成にすると、一方向性
トランスデユーサ9に加えられた電気信号は、弾
性表面波4のみに変換され、従つて一方向のみに
進行する。また、一方向性トランスデユーサ10
において、弾性表面波4は電気信号に変換される
がこのとき弾性表面波6の方向に再励起されるこ
とはない。このように、フイルタとして不要な弾
性表面波5及び6が励振されないため理論的には
挿入損失0dBのフイルタが実現可能となる。
るため、一方向性トランスデユーサを用いた従来
の方法の一例を示す。1は第1図のものと同様圧
電基板、9及び10は、圧電基板1上に設けられ
た3相一方向性トランスデユーサで、第3図もし
くは第4図のような構造を有している。11は移
相器である。このような構成にすると、一方向性
トランスデユーサ9に加えられた電気信号は、弾
性表面波4のみに変換され、従つて一方向のみに
進行する。また、一方向性トランスデユーサ10
において、弾性表面波4は電気信号に変換される
がこのとき弾性表面波6の方向に再励起されるこ
とはない。このように、フイルタとして不要な弾
性表面波5及び6が励振されないため理論的には
挿入損失0dBのフイルタが実現可能となる。
ここで、必要なフイルタの周波数特性を得るた
めに、特殊なアレイフアクタを持つたトランスデ
ユーサ、即ち特殊な形状をしたトランスデユーサ
が必要となる。これを一般にトランスデユーサを
重み付けすると言う。一方向性トランスデユーサ
においては、双方向性であるすだれ状トランスデ
ユーサほど重み付けは容易ではない。例えば、第
4図のようなグループ形一方向性トランスデユー
サに対して重み付けを施した第5図の例において
は、各グループ間に交差幅の違いが生じ、完全な
一方向性は得られない。また、弾性表面波の伝搬
方向に対して垂直方向の弾性表面波のパワー分布
を一様にすることが困難であり、一般に重み付け
損失と呼ばれているものが出る。以上のように、
一方向性トランスデユーサの重み付けは難かし
く、またそのための損失が出る。また、一方向性
トランスデユーサは、電気的に3相を使用してい
るため、外部に90゜あるいは120゜移相器11を必
要とし、弾性表面波フイルタ素子の構成を複雑化
しているという欠点を有していた。
めに、特殊なアレイフアクタを持つたトランスデ
ユーサ、即ち特殊な形状をしたトランスデユーサ
が必要となる。これを一般にトランスデユーサを
重み付けすると言う。一方向性トランスデユーサ
においては、双方向性であるすだれ状トランスデ
ユーサほど重み付けは容易ではない。例えば、第
4図のようなグループ形一方向性トランスデユー
サに対して重み付けを施した第5図の例において
は、各グループ間に交差幅の違いが生じ、完全な
一方向性は得られない。また、弾性表面波の伝搬
方向に対して垂直方向の弾性表面波のパワー分布
を一様にすることが困難であり、一般に重み付け
損失と呼ばれているものが出る。以上のように、
一方向性トランスデユーサの重み付けは難かし
く、またそのための損失が出る。また、一方向性
トランスデユーサは、電気的に3相を使用してい
るため、外部に90゜あるいは120゜移相器11を必
要とし、弾性表面波フイルタ素子の構成を複雑化
しているという欠点を有していた。
第6図は、反射器によつて、双方向性損失を軽
減せんとする従来例を示す。1は圧電基板、2及
び3は、第1図に述べたと同様、圧電基板1上に
設けられた正及び負極の2相単位電極要素より成
るすだれ状トランスデユーサである。12〜15
は反射器である。このような構成によれば、すだ
れ状トランスデユーサ2に加えられた電気信号
は、弾性表面波4及び5に変換されるが、これら
は、反射器12及び14,13及び15によつて
進行方向を変更され、進行方向が逆向きとなつた
弾性表面波16及び17となる。すだれ状トラン
スデユーサ3の左右から同相で受信する弾性表面
波16及び17が電気信号に変換される。したが
つて、双方向性損失はなく、これも理論的には、
挿入損失を0dBとすることが可能である。しか
し、実際には完全な反射器を作ることは難しく、
また、反射器そのものの大きさが大きくなり不要
なスペースを必要とするという欠点があつた。
減せんとする従来例を示す。1は圧電基板、2及
び3は、第1図に述べたと同様、圧電基板1上に
設けられた正及び負極の2相単位電極要素より成
るすだれ状トランスデユーサである。12〜15
は反射器である。このような構成によれば、すだ
れ状トランスデユーサ2に加えられた電気信号
は、弾性表面波4及び5に変換されるが、これら
は、反射器12及び14,13及び15によつて
進行方向を変更され、進行方向が逆向きとなつた
弾性表面波16及び17となる。すだれ状トラン
スデユーサ3の左右から同相で受信する弾性表面
波16及び17が電気信号に変換される。したが
つて、双方向性損失はなく、これも理論的には、
挿入損失を0dBとすることが可能である。しか
し、実際には完全な反射器を作ることは難しく、
また、反射器そのものの大きさが大きくなり不要
なスペースを必要とするという欠点があつた。
本発明は、これら従来技術の欠点を解消するも
ので、従来一方向性電極を使用する場合に必要と
された移相器を全く使用することなく、双方向性
トランスデユーサの両側に配置された一方向性電
極を駆動することにより、挿入損失の小さいかつ
ろ波周波数特性において優れた弾性表面波フイル
タを提供するものである。
ので、従来一方向性電極を使用する場合に必要と
された移相器を全く使用することなく、双方向性
トランスデユーサの両側に配置された一方向性電
極を駆動することにより、挿入損失の小さいかつ
ろ波周波数特性において優れた弾性表面波フイル
タを提供するものである。
以下図面に示す本発明の実施例につき詳説す
る。
る。
第7図において、1は圧電基板、2及び3は、
圧電基板1上に設けられた正及び負極の2相単位
電極要素より成るすだれ状トランスデユーサであ
る。18〜21は圧電基板1上の一方向性トラン
スデユーサで、例えば第4図のようなグループ形
一方向性トランスデユーサとする。一方向性トラ
ンスデユーサ18〜21の接続は、弾性表面波4
及び5が、弾性表面波16及び17のそれぞれ一
方向に放射されるように移相器を介さず接続す
る。接続例を第8図及び第9図に示す。このよう
な構成にすると、圧電基板1上のすだれ状トラン
スデユーサ2に加えられた電気信号は、弾性表面
波4,5に変換され、左右両方向の双方向に伝搬
される。一方向性トランスデユーサ18及び19
によつて弾性表面波4および5は電気信号に変換
され、3相の信号に分けられ、一方向性トランス
デユーサ20及び21に接続される。一方向性ト
ランスデユーサ20及び21で弾性表面波16お
よび17に変換され、それぞれ一方向に放射され
る。弾性表面波16及び17は、すだれ状トラン
スデユーサ3にて同相で重ね合せられることによ
り、電気信号に変換される。一方向性トランスデ
ユーサ18〜21の接続に関して、それぞれ接続
された相手の一方向性トランスデユーサを見たイ
ンピーダンスがともに虚数部を持たないように各
一方向性トランスデユーサを設計する。もしく
は、第10図のように接続される一方向性電極間
に整合回路22を挿入するなどしてインピーダン
スを決めることにより、弾性表面波4及び5を
100%弾性表面波16及び17に変換することが
できる。第11図は、本発明の前述実施例におけ
る周波数特性の実測値を示すグラフで、図から明
らかなとおり、中心周波数283MHz、挿入損失
3.5dB、帯域外減衰量70dBの優れた特性が得られ
る。
圧電基板1上に設けられた正及び負極の2相単位
電極要素より成るすだれ状トランスデユーサであ
る。18〜21は圧電基板1上の一方向性トラン
スデユーサで、例えば第4図のようなグループ形
一方向性トランスデユーサとする。一方向性トラ
ンスデユーサ18〜21の接続は、弾性表面波4
及び5が、弾性表面波16及び17のそれぞれ一
方向に放射されるように移相器を介さず接続す
る。接続例を第8図及び第9図に示す。このよう
な構成にすると、圧電基板1上のすだれ状トラン
スデユーサ2に加えられた電気信号は、弾性表面
波4,5に変換され、左右両方向の双方向に伝搬
される。一方向性トランスデユーサ18及び19
によつて弾性表面波4および5は電気信号に変換
され、3相の信号に分けられ、一方向性トランス
デユーサ20及び21に接続される。一方向性ト
ランスデユーサ20及び21で弾性表面波16お
よび17に変換され、それぞれ一方向に放射され
る。弾性表面波16及び17は、すだれ状トラン
スデユーサ3にて同相で重ね合せられることによ
り、電気信号に変換される。一方向性トランスデ
ユーサ18〜21の接続に関して、それぞれ接続
された相手の一方向性トランスデユーサを見たイ
ンピーダンスがともに虚数部を持たないように各
一方向性トランスデユーサを設計する。もしく
は、第10図のように接続される一方向性電極間
に整合回路22を挿入するなどしてインピーダン
スを決めることにより、弾性表面波4及び5を
100%弾性表面波16及び17に変換することが
できる。第11図は、本発明の前述実施例におけ
る周波数特性の実測値を示すグラフで、図から明
らかなとおり、中心周波数283MHz、挿入損失
3.5dB、帯域外減衰量70dBの優れた特性が得られ
る。
したがつて、本発明に係る構成によれば、理論
的に挿入損失が0dBとなるばかりではなく、入出
力の一方もしくは両方のすだれ状トランスデユー
サに重み付けをする際にも、従来の方法によつて
簡単に重み付けが可能となる。また、これらのト
ランスデユーサ両方に重み付けする際には、全体
の伝達関数が、入出力すだれ状トランスデユーサ
それぞれの伝達関数の積となるので、入出力トラ
ンスデユーサの重み付けをそれぞれ独立に設計で
きるという利点がある。加えて、フイルタの帯域
外減衰量を大きくとることができるなど、弾性表
面波素子に持たせる周波数特性の自由度を増すこ
とができる。以上述べたように、本発明では一方
向性トランスデユーサを使用するにもかかわら
ず、移相器を全く必要としない利点がある。ま
た、弾性表面波を一度電気信号に変換し、再び弾
性表面波に変換しているため、圧電基板の種類を
変えるなど、基板が不連続であつてもよい。また
一方向性トランスデユーサは、グループ形に限ら
ず、例えば、第3図のような一方向性トランスデ
ユーサを用いても同様な効果が得られる。以上の
ように一方向性電極を移相器を用いず駆動するこ
とにより、挿入損失を減少せしめ、かつ周波数特
性の良好な弾性表面波フイルタが実現可能とな
る。
的に挿入損失が0dBとなるばかりではなく、入出
力の一方もしくは両方のすだれ状トランスデユー
サに重み付けをする際にも、従来の方法によつて
簡単に重み付けが可能となる。また、これらのト
ランスデユーサ両方に重み付けする際には、全体
の伝達関数が、入出力すだれ状トランスデユーサ
それぞれの伝達関数の積となるので、入出力トラ
ンスデユーサの重み付けをそれぞれ独立に設計で
きるという利点がある。加えて、フイルタの帯域
外減衰量を大きくとることができるなど、弾性表
面波素子に持たせる周波数特性の自由度を増すこ
とができる。以上述べたように、本発明では一方
向性トランスデユーサを使用するにもかかわら
ず、移相器を全く必要としない利点がある。ま
た、弾性表面波を一度電気信号に変換し、再び弾
性表面波に変換しているため、圧電基板の種類を
変えるなど、基板が不連続であつてもよい。また
一方向性トランスデユーサは、グループ形に限ら
ず、例えば、第3図のような一方向性トランスデ
ユーサを用いても同様な効果が得られる。以上の
ように一方向性電極を移相器を用いず駆動するこ
とにより、挿入損失を減少せしめ、かつ周波数特
性の良好な弾性表面波フイルタが実現可能とな
る。
第1図は従来の弾性表面波フイルタ素子の概観
図、第2図は従来の一方向性トランスデユーサを
用いて低損失化を図つた弾性表面波フイルタ素子
の概観図、第3図及び第4図は一方向性トランス
デユーサの概観図であつて、第3図a,bは120゜
移相器による3相形一方向性トランスデユーサ、
第4図は、90゜移相器によるグループ形一方向性
トランスデユーサを示す。第5図はグループ形一
方向性トランスデユーサに重み付けを施したもの
の概観図、第6図は、従来の反射器を用いて低損
失化を図つた弾性表面波フイルタ素子の概観図。
第7図は本発明の一実施例を示す概観図、第8図
〜第10図は本発明にグループ形一方向性トラン
スデユーサを用いた場合の、接続方法を示す概観
図、および第11図は、本発明による弾性表面波
フイルタの周波数特性の実測値を示すグラフであ
る。 1…圧電体基板、2,3…すだれ状トランスデ
ユーサ、4,5,6,16,17…弾性表面波、
7,8…アブソーバ、9,10…一方向性トラン
スデユーサ、11…移相器、12,13,14,
15…反射器、18,19,20,21…一方向
性トランスデユーサ、22…整合回路。
図、第2図は従来の一方向性トランスデユーサを
用いて低損失化を図つた弾性表面波フイルタ素子
の概観図、第3図及び第4図は一方向性トランス
デユーサの概観図であつて、第3図a,bは120゜
移相器による3相形一方向性トランスデユーサ、
第4図は、90゜移相器によるグループ形一方向性
トランスデユーサを示す。第5図はグループ形一
方向性トランスデユーサに重み付けを施したもの
の概観図、第6図は、従来の反射器を用いて低損
失化を図つた弾性表面波フイルタ素子の概観図。
第7図は本発明の一実施例を示す概観図、第8図
〜第10図は本発明にグループ形一方向性トラン
スデユーサを用いた場合の、接続方法を示す概観
図、および第11図は、本発明による弾性表面波
フイルタの周波数特性の実測値を示すグラフであ
る。 1…圧電体基板、2,3…すだれ状トランスデ
ユーサ、4,5,6,16,17…弾性表面波、
7,8…アブソーバ、9,10…一方向性トラン
スデユーサ、11…移相器、12,13,14,
15…反射器、18,19,20,21…一方向
性トランスデユーサ、22…整合回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた少
くとも2個の弾性表面波双方向性トランスデユー
サと、該弾性表面波双方向性トランスデユーサの
各々に対して、それぞれ両側に対向して配置され
た2個の弾性表面波一方向性トランスデユーサと
を具備し、前記両側のそれぞれの側に配置された
前記弾性表面波一方向性トランスデユーサ同士が
移相器を介することなく接続され、それによつて
挿入損失の小さいかつ優れたろ波周波数特性を有
することを特徴とする弾性表面波フイルタ。 2 特許請求の範囲第1項のフイルタであつて、
前記それぞれの側に配置された前記弾性表面波一
方向性トランスデユーサ同士が、互いに相手の弾
性表面波一方向性トランスデユーサをみたインピ
ーダンスの虚数部が零となるか、もしくは前記弾
性表面波一方向性トランスデユーサ間に整合回路
を挿入することにより、互いに相手の弾性表面波
一方向性トランスデユーサをみたインピーダンス
の虚数部が零となるように構成されたことを特徴
とする弾性表面波フイルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8822683A JPH0249567B2 (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | Danseihyomenhafuiruta |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8822683A JPH0249567B2 (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | Danseihyomenhafuiruta |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59214314A JPS59214314A (ja) | 1984-12-04 |
JPH0249567B2 true JPH0249567B2 (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13936952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8822683A Expired - Lifetime JPH0249567B2 (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | Danseihyomenhafuiruta |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0249567B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5296824A (en) * | 1991-12-02 | 1994-03-22 | Motorola, Inc. | Low loss wide bandwidth parallel channel acoustic filter |
WO2000033461A1 (en) * | 1998-12-03 | 2000-06-08 | Cts Corporation | Low ripple hybrid surface acoustic wave filter apparatus for improved signal-to-noise ratio |
-
1983
- 1983-05-19 JP JP8822683A patent/JPH0249567B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59214314A (ja) | 1984-12-04 |
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