JPH0247550Y2 - - Google Patents
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- JPH0247550Y2 JPH0247550Y2 JP18150381U JP18150381U JPH0247550Y2 JP H0247550 Y2 JPH0247550 Y2 JP H0247550Y2 JP 18150381 U JP18150381 U JP 18150381U JP 18150381 U JP18150381 U JP 18150381U JP H0247550 Y2 JPH0247550 Y2 JP H0247550Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass panel
- cathode ray
- stud pin
- coefficient
- thermal expansion
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- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 6
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
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Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はガラスパネルのスカート部にスタツド
ピンを配し、これにより色選択電極たとえばアパ
チユアグリルを保持固定する陰極線管に関し、と
くに機械的衝撃により色選択電極の取付精度が劣
化しないようにしたものである。
ピンを配し、これにより色選択電極たとえばアパ
チユアグリルを保持固定する陰極線管に関し、と
くに機械的衝撃により色選択電極の取付精度が劣
化しないようにしたものである。
陰極線管としてスタツドピンを介してアパチユ
アグリルをガラスパネルに取り付けるものが知ら
れている。この陰極線管では、たとえば第１図に
示すように、アパチユアグリル１がフレーム２に
固定して取り付けられ、このフレーム２に３箇所
取付用スプリング即ちばね性を有する支持片３，
４，５が取り付けられる。これら支持片３，４，
５にはそれぞれ三角形状の穴３ａ，４ａ，５ａが
形成されている。他方、ガラスパネル６のスカー
ト部には支持片３，４，５に対応させて３箇所ス
タツドピン７等（３つのうち２つのスタツドピン
は図では隠れている）が設けられる。この取り付
けは低融点ガラスの封着で行われる。そして、支
持片５の穴５ａが第２図に示すようにスタツドピ
ン７に係合され、同様に支持片３，４のそれぞれ
の穴３ａ，４ａが他のスタツドピンに係合され
る。こうしてアパチユアグリル１がガラスパネル
６に取り付けられる。
アグリルをガラスパネルに取り付けるものが知ら
れている。この陰極線管では、たとえば第１図に
示すように、アパチユアグリル１がフレーム２に
固定して取り付けられ、このフレーム２に３箇所
取付用スプリング即ちばね性を有する支持片３，
４，５が取り付けられる。これら支持片３，４，
５にはそれぞれ三角形状の穴３ａ，４ａ，５ａが
形成されている。他方、ガラスパネル６のスカー
ト部には支持片３，４，５に対応させて３箇所ス
タツドピン７等（３つのうち２つのスタツドピン
は図では隠れている）が設けられる。この取り付
けは低融点ガラスの封着で行われる。そして、支
持片５の穴５ａが第２図に示すようにスタツドピ
ン７に係合され、同様に支持片３，４のそれぞれ
の穴３ａ，４ａが他のスタツドピンに係合され
る。こうしてアパチユアグリル１がガラスパネル
６に取り付けられる。
そして、このような陰極線管では、スタツドピ
ン７等の材料としてフオルステライト（2MgO・
SiO2）またはフエライト系ステンレスの一種で
あるAISINo.430Ti（18Cr−0.4Ti−BalFe）が用い
られている。なお後者ではフリツト付でなく予備
酸化ののちにガラスパネル６を局部的に加熱し、
これによる金属酸化膜を介して結合を行う。そし
て、フオルステライトでは熱膨張率が94〜102×
10-7／℃（40〜400℃）であり、AISINo.430Tiで
はそれが110〜119×10-7／℃（30〜500℃）であ
り、ともにガラスパネル６の約100×10-7／℃
（０〜300℃）と近似している。このため、熱変化
によるクラツクを回避できる。
ン７等の材料としてフオルステライト（2MgO・
SiO2）またはフエライト系ステンレスの一種で
あるAISINo.430Ti（18Cr−0.4Ti−BalFe）が用い
られている。なお後者ではフリツト付でなく予備
酸化ののちにガラスパネル６を局部的に加熱し、
これによる金属酸化膜を介して結合を行う。そし
て、フオルステライトでは熱膨張率が94〜102×
10-7／℃（40〜400℃）であり、AISINo.430Tiで
はそれが110〜119×10-7／℃（30〜500℃）であ
り、ともにガラスパネル６の約100×10-7／℃
（０〜300℃）と近似している。このため、熱変化
によるクラツクを回避できる。
ところで、近年高精細度画面が要望されるにい
たつて、このようなフオルステライトやAISINo.
430Tiではアパチユアグリル１を許容範囲内の取
付精度でガラスパネル６に取り付けることが困難
になつてきている。すなわち、フオルステライト
もAISINo.430Tiもそれぞれ1100〜1200Hvおよび
125〜140Hv（ビツカース硬度）とかなり硬度を有
するが、それでもアパチユアグリル・アセンブリ
の重量によつては陰極線管単体またはテレビジヨ
ンセツトに対し行われる落下衝撃試験や振動試験
によりスタツドピン７等にくぼみができてしま
う。具体的には、陰極線管単体またはテレビジヨ
ンセツトに対して行われる落下衝撃試験や振動試
験により、支持片５がスタツドピン７に対して振
動・衝突し、これによつてスタツドピン７にくぼ
みが生じるのである。他のスタツドピンについて
も同様である。そして、このようなくぼみにより
アパチユアグリル１の取り付けにずれが生じる
と、それがわずかであつても高精細度画面の陰極
線管ではミスランデイングを招来してしまうので
ある。
たつて、このようなフオルステライトやAISINo.
430Tiではアパチユアグリル１を許容範囲内の取
付精度でガラスパネル６に取り付けることが困難
になつてきている。すなわち、フオルステライト
もAISINo.430Tiもそれぞれ1100〜1200Hvおよび
125〜140Hv（ビツカース硬度）とかなり硬度を有
するが、それでもアパチユアグリル・アセンブリ
の重量によつては陰極線管単体またはテレビジヨ
ンセツトに対し行われる落下衝撃試験や振動試験
によりスタツドピン７等にくぼみができてしま
う。具体的には、陰極線管単体またはテレビジヨ
ンセツトに対して行われる落下衝撃試験や振動試
験により、支持片５がスタツドピン７に対して振
動・衝突し、これによつてスタツドピン７にくぼ
みが生じるのである。他のスタツドピンについて
も同様である。そして、このようなくぼみにより
アパチユアグリル１の取り付けにずれが生じる
と、それがわずかであつても高精細度画面の陰極
線管ではミスランデイングを招来してしまうので
ある。
このような問題を解決するには、スタツドピン
７等をより硬度の高い材質で形成することが考え
られる。しかしながら、一般に硬度の高いものほ
ど熱膨張率が小さくなり、このため、ガラスパネ
ル６に封着するとクラツクが生じるおそれがあ
る。
７等をより硬度の高い材質で形成することが考え
られる。しかしながら、一般に硬度の高いものほ
ど熱膨張率が小さくなり、このため、ガラスパネ
ル６に封着するとクラツクが生じるおそれがあ
る。
本考案はこのような事情を考慮してなされたも
のであり、スタツドピンを２層以上とし、これに
よつて、硬度および熱膨張率における矛循する要
請をともに解消しようとするものである。
のであり、スタツドピンを２層以上とし、これに
よつて、硬度および熱膨張率における矛循する要
請をともに解消しようとするものである。
以下、本考案陰極線管の一実施例について第３
図を参照しながら説明しよう。
図を参照しながら説明しよう。
第３図は本考案陰極線管のスタツドピン１１を
示し、このスタツドピン１１は第１図に示すよう
にガラスパネル６に固着され、このスタツドピン
１１を介してアパチユアグリル１がガラスパネル
６に取り付けられる。この点は従前と同様であ
る。
示し、このスタツドピン１１は第１図に示すよう
にガラスパネル６に固着され、このスタツドピン
１１を介してアパチユアグリル１がガラスパネル
６に取り付けられる。この点は従前と同様であ
る。
第３図において、スタツドピン１１は全体とし
て円錐台状をしており、このスタツドピン１１を
上部層１２および下部層１３から構成する。下部
層１３をガラスパネル６の熱膨張率とほぼ等しい
熱膨張率の材質たとえばフオルステライトから構
成する。他方、上部層１２を高硬度の材質、たと
えばアルミナ（Al2O3）、サーメツト（TiC−Cr
−Mo−Fe）等から構成する。これらの材質の硬
度はともに1200Hv以上である。そして、アルミ
ナ、サーメツトはそれぞれ67〜73×10-7／℃、65
×10-7／℃の熱膨張率を有する。
て円錐台状をしており、このスタツドピン１１を
上部層１２および下部層１３から構成する。下部
層１３をガラスパネル６の熱膨張率とほぼ等しい
熱膨張率の材質たとえばフオルステライトから構
成する。他方、上部層１２を高硬度の材質、たと
えばアルミナ（Al2O3）、サーメツト（TiC−Cr
−Mo−Fe）等から構成する。これらの材質の硬
度はともに1200Hv以上である。そして、アルミ
ナ、サーメツトはそれぞれ67〜73×10-7／℃、65
×10-7／℃の熱膨張率を有する。
これら上部層１２および下部層１３の接合は結
晶性低融点ガラス１４で行う。この場合、この低
融点ガラス１４の熱膨張率を上部層１２および下
部層１３のそれぞれのものの中間の値とすること
が好ましい。
晶性低融点ガラス１４で行う。この場合、この低
融点ガラス１４の熱膨張率を上部層１２および下
部層１３のそれぞれのものの中間の値とすること
が好ましい。
本例では下部層１３の下端を円錐状凸部とし、
上部層１２の上端をこれに対応した凹部としてい
る。このため、接合に際し芯出しが容易である。
また、上部層１２の凹部に、低融点ガラスにバイ
ンダを混合したものを予め少量流しておき、この
のち、上部層１２の凹部に下部層１３の凸部を係
合させておけば、加熱により容易に封着を行うこ
とができる。この場合、無機セメントでも封着が
可能である。
上部層１２の上端をこれに対応した凹部としてい
る。このため、接合に際し芯出しが容易である。
また、上部層１２の凹部に、低融点ガラスにバイ
ンダを混合したものを予め少量流しておき、この
のち、上部層１２の凹部に下部層１３の凸部を係
合させておけば、加熱により容易に封着を行うこ
とができる。この場合、無機セメントでも封着が
可能である。
また、本例では上部層１２および下部層１３の
突端に面取りを施し、これによつてそれぞれの欠
けを防止できるようにしている。
突端に面取りを施し、これによつてそれぞれの欠
けを防止できるようにしている。
斯る構成によれば、支持片と当接する上部層１
２の硬度が1200Hv以上と高いため、機械的衝撃
によりスタツドピン１１（具体的にはその上部層
１２）に実効的なくぼみができるのを回避しえ、
高精細度画面の陰極線管においてもミスランデイ
ングの発生を防止できる。また、ガラスパネルと
結合する下部層13の熱膨張率をガラスパネルのそ
れとほぼ等しくしているため、クラツクが発生す
るおそれがない。また、上部層１２と下部層１３
は共に金属以外の材料を使用するため、材料費の
点で有利である。
２の硬度が1200Hv以上と高いため、機械的衝撃
によりスタツドピン１１（具体的にはその上部層
１２）に実効的なくぼみができるのを回避しえ、
高精細度画面の陰極線管においてもミスランデイ
ングの発生を防止できる。また、ガラスパネルと
結合する下部層13の熱膨張率をガラスパネルのそ
れとほぼ等しくしているため、クラツクが発生す
るおそれがない。また、上部層１２と下部層１３
は共に金属以外の材料を使用するため、材料費の
点で有利である。
また、本例では上部層１２および下部層１３の
接合部をそれぞれ凹部および凸部としているた
め、芯出しが容易である。また、両者の封着も容
易である。
接合部をそれぞれ凹部および凸部としているた
め、芯出しが容易である。また、両者の封着も容
易である。
なお、上部層１２および下部層１３の形状を第
４図〜第６図に示すようにもできる。この場合に
も第３図例と同様の効果を期待しうる。
４図〜第６図に示すようにもできる。この場合に
も第３図例と同様の効果を期待しうる。
なお、低融点ガラスとしては旭硝子(株)製の
ASF−1307、ASF−1304Z、ASF−1350を用いう
る。これらの熱膨張率は99×10-7／℃、99×
10-7／℃、75×10-7／℃である。上部層１２とし
てアルミナを用いる場合には、アルミナの封着を
も行えるASF−1350を採用する。
ASF−1307、ASF−1304Z、ASF−1350を用いう
る。これらの熱膨張率は99×10-7／℃、99×
10-7／℃、75×10-7／℃である。上部層１２とし
てアルミナを用いる場合には、アルミナの封着を
も行えるASF−1350を採用する。
以上説明したように本考案陰極線管によれば、
スタツドピン１１を２層以上とし、支持片と当接
する上部層１２を高硬度とし、他方ガラスパネル
と接合する下部層１３の熱膨張率をガラスパネル
のそれとほぼ等しくしている。したがつて、クラ
ツクを招来することなく、スタツドピン１１のく
ぼみを実効的に回避できる。このため、色選択電
極の取付精度を向上させることができ、この結
果、高精細度画面の陰極線管におけるミスランデ
イングをも防止できる。
スタツドピン１１を２層以上とし、支持片と当接
する上部層１２を高硬度とし、他方ガラスパネル
と接合する下部層１３の熱膨張率をガラスパネル
のそれとほぼ等しくしている。したがつて、クラ
ツクを招来することなく、スタツドピン１１のく
ぼみを実効的に回避できる。このため、色選択電
極の取付精度を向上させることができ、この結
果、高精細度画面の陰極線管におけるミスランデ
イングをも防止できる。
つぎに本考案陰極線管の他の実施例について第
７図を参照しながら説明しよう。
７図を参照しながら説明しよう。
第７図例では、スタツドピン２１を上部層２
２、中央層２３および下部層２４の３層で構成し
ている。そして、熱膨張率が上部層２２、中央層
２３および下部層２４の順にガラスパネルのそれ
に近づくようにしている。たとえば、上部層２２
をサーメツト（京都セラミツク(株)製のTC−30）
とし、中央層２３をステアタイト（同Ｓ−211）
とし、下部層２４をフオルステライト（同Ｆ−
1120）とする。これらの熱膨張率はそれぞれ6.5
×10-6／℃、8.1×10-6／℃および9.8×10-6／℃
（40〜400℃）である。
２、中央層２３および下部層２４の３層で構成し
ている。そして、熱膨張率が上部層２２、中央層
２３および下部層２４の順にガラスパネルのそれ
に近づくようにしている。たとえば、上部層２２
をサーメツト（京都セラミツク(株)製のTC−30）
とし、中央層２３をステアタイト（同Ｓ−211）
とし、下部層２４をフオルステライト（同Ｆ−
1120）とする。これらの熱膨張率はそれぞれ6.5
×10-6／℃、8.1×10-6／℃および9.8×10-6／℃
（40〜400℃）である。
第７図例によれば、各部材の熱膨張率がわずか
ずつ変化するので、これらの接合が極めて堅固に
なる。なお、本例においても第３図例と同様の効
果を期待しうることは容易に理解しうるであろ
う。
ずつ変化するので、これらの接合が極めて堅固に
なる。なお、本例においても第３図例と同様の効
果を期待しうることは容易に理解しうるであろ
う。
なお、本考案は上述実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更
が可能である。たとえば、シヤドウマスクで色選
択電極を構成した場合にも本考案を適用しうる。
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更
が可能である。たとえば、シヤドウマスクで色選
択電極を構成した場合にも本考案を適用しうる。
第１図および第２図は本考案の説明に供する線
図、第３図は本考案陰極線管を説明するための断
面図、第４図〜第６図は第３図例の変形例をそれ
ぞれ示す断面図、第７図は本考案陰極線管の他の
実施例を説明するための断面図である。 １はアパチユアグリル、６はガラスパネル、１
１，２１はスタツドピン、１２，２２は上部層、
１３，２４は下部層である。
図、第３図は本考案陰極線管を説明するための断
面図、第４図〜第６図は第３図例の変形例をそれ
ぞれ示す断面図、第７図は本考案陰極線管の他の
実施例を説明するための断面図である。 １はアパチユアグリル、６はガラスパネル、１
１，２１はスタツドピン、１２，２２は上部層、
１３，２４は下部層である。
Claims (1)
- ガラスパネルのスカート部内部の所定箇所に低
融点ガラスの融着により配されて色選択電極の支
持片を保持固定するスタツドピンを有する陰極線
管において、前記スタツドピンは複数の部材を多
段に積み重ねて構成し、前記スタツドピンの前記
パネルに固定する下部材を前記ガラスパネルの熱
膨張率に近い熱膨張率を有する材料で形成し、ま
た前記色選択電極の支持片と当接する上部材を
1200HV（ビツカース硬度）以上のサーメツト又
はセラミツク材料で形成すると共に、上下の部材
の接合部には係合し合う凸部又は凹部を形成した
ことを特徴とする陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18150381U JPS5885749U (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18150381U JPS5885749U (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 陰極線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885749U JPS5885749U (ja) | 1983-06-10 |
| JPH0247550Y2 true JPH0247550Y2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=29979040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18150381U Granted JPS5885749U (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885749U (ja) |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP18150381U patent/JPS5885749U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5885749U (ja) | 1983-06-10 |
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