JPH0246788A - 面発光型半導体レーザー装置 - Google Patents
面発光型半導体レーザー装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、埋め込み構造を有する面発光型半導体レーザ
ー装置に関する。
ー装置に関する。
第２図は、” Ｃ１ｒｃｕｌａｒ Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅ
ｔｅｒｏＳｔｒｕｃｔｕｒｅ（ＣＢＩＩ） ＧａＡｌ
八ｓ／へａＡｓ ５ｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎ
ｇ Ｌａ５ｅｒｓ（ＩＥＥε、 Ｊ、Ｑ、Ｅ、、
ｖｏｌ、ＧＥ−２３，Ｎｏ、６． ｐｐ、６−１２ ｂ
ｙＳｕｓｕｍｕ Ｋｉｎｏｓｈｉｔａ ａｎｄ Ｋｅｎ
ｉｃｈｉ Ｉｇａ＞ に示される如き従来の面発光型半
導体レーザー装置の構成を模式的に示す断面図である。
ｔｅｒｏＳｔｒｕｃｔｕｒｅ（ＣＢＩＩ） ＧａＡｌ
八ｓ／へａＡｓ ５ｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎ
ｇ Ｌａ５ｅｒｓ（ＩＥＥε、 Ｊ、Ｑ、Ｅ、、
ｖｏｌ、ＧＥ−２３，Ｎｏ、６． ｐｐ、６−１２ ｂ
ｙＳｕｓｕｍｕ Ｋｉｎｏｓｈｉｔａ ａｎｄ Ｋｅｎ
ｉｃｈｉ Ｉｇａ＞ に示される如き従来の面発光型半
導体レーザー装置の構成を模式的に示す断面図である。
図中１はｃａＯ，６ＡＩｏ、４＾Ｓからなるロークラッ
ド層であって、ｎ−クラッド層ｌの上部には、Ｇａ０９
ＡＩＯ，ｌ Ａｓからなるｐ−活性層２、ＧａＯ，６八
１０．４＾Ｓからなるｐ−クラッド層３及びＧａｏ、３
ＡｌＯ，１八Ｓからなるオーミックコンタクト層とし
てのキャンプ層７２をこの順に積層した円柱形のメサ部
が設けられている。メサ部は、ＧａＯ，ＳＳへ１０．４
ｓ八Ｓからなる第１ｐ−）′ロック層４ ＋ Ｇａ ０
．５５八Ｉ ０．４５八Ｓからなるｎ−ブロック層５及
びＧａ ０．５５ＡＩ ０．４５ＡＳからなる第２ｐ−
ブロック層１０が積層され、ρ−活性層２からの電流を
阻止する電流狭窄部に埋め込まれている。
ド層であって、ｎ−クラッド層ｌの上部には、Ｇａ０９
ＡＩＯ，ｌ Ａｓからなるｐ−活性層２、ＧａＯ，６八
１０．４＾Ｓからなるｐ−クラッド層３及びＧａｏ、３
ＡｌＯ，１八Ｓからなるオーミックコンタクト層とし
てのキャンプ層７２をこの順に積層した円柱形のメサ部
が設けられている。メサ部は、ＧａＯ，ＳＳへ１０．４
ｓ八Ｓからなる第１ｐ−）′ロック層４ ＋ Ｇａ ０
．５５八Ｉ ０．４５八Ｓからなるｎ−ブロック層５及
びＧａ ０．５５ＡＩ ０．４５ＡＳからなる第２ｐ−
ブロック層１０が積層され、ρ−活性層２からの電流を
阻止する電流狭窄部に埋め込まれている。
さらに、キャップ層７２には、Ａｕ／Ｚｎ／＾Ｕからな
るリング形状の電極８がその一部をキャンプ層７２に接
して積層されている。電極８が接していないキャンプ層
７２及び前記電流狭窄部には、５ｉ０２膜からなる反射
ｔ、ＩＩ １１が設けられている。
るリング形状の電極８がその一部をキャンプ層７２に接
して積層されている。電極８が接していないキャンプ層
７２及び前記電流狭窄部には、５ｉ０２膜からなる反射
ｔ、ＩＩ １１が設けられている。
即ち、キャップ層７２の上部には、電極８と反射鏡１１
との両方が積層されているため、反射鏡１１にて反射さ
れた光がキャップ層に吸収されるのを防止するために、
キャップ層に数パーセントのＡ１組成をもたせている。
との両方が積層されているため、反射鏡１１にて反射さ
れた光がキャップ層に吸収されるのを防止するために、
キャップ層に数パーセントのＡ１組成をもたせている。
ところで、前述のように、キャンプ層にＡ１組成をもた
せて発振光の吸収を防止する方法では、発振光の波長を
短くするにつれてキャップ層のへ１含有量を増加しなけ
ればならない。しかし、キャップ層の＾１含有量が増加
すると、キャンプ層と接している電極との抵抗が増大し
、所要のオーミック接触をとりにくくなるという問題が
ある。
せて発振光の吸収を防止する方法では、発振光の波長を
短くするにつれてキャップ層のへ１含有量を増加しなけ
ればならない。しかし、キャップ層の＾１含有量が増加
すると、キャンプ層と接している電極との抵抗が増大し
、所要のオーミック接触をとりにくくなるという問題が
ある。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
であって、電極でのオーミック接触の増大を防止すると
ともに、電極を大面積化した面発光型半導体レーザー装
置の提供を目的とする。
であって、電極でのオーミック接触の増大を防止すると
ともに、電極を大面積化した面発光型半導体レーザー装
置の提供を目的とする。
本発明の面発光型半導体レーザー装置は、活性層が電流
狭窄層に埋め込まれ、該活性層の外部へ拡散する光を活
性層へ反射する反射鏡が設けられ、また、オーミックコ
ンタクト層が電極に対接して設けられてなる面発光型半
導体レーザー装置において、オーミックコンタク］・層
及び活性層に対接し、電極とオーミックコンタクト層と
のオーミック接触によって注入されるキャリアを活性層
へ注入する注入層と、反射鏡に対応する部分以外の注入
層に対接して設けられたオーミックコンタクト層とを備
えたことを特徴とする。
狭窄層に埋め込まれ、該活性層の外部へ拡散する光を活
性層へ反射する反射鏡が設けられ、また、オーミックコ
ンタクト層が電極に対接して設けられてなる面発光型半
導体レーザー装置において、オーミックコンタク］・層
及び活性層に対接し、電極とオーミックコンタクト層と
のオーミック接触によって注入されるキャリアを活性層
へ注入する注入層と、反射鏡に対応する部分以外の注入
層に対接して設けられたオーミックコンタクト層とを備
えたことを特徴とする。
本発明の面発光型半導体レーザー装置は、電極に電圧が
印加されると、電極とオーミックコンタクト層とのオー
ミック接触によって注入層へキャリアが注入され、注入
されたキャリアが、注入層を介して活性層へ注入される
。また、反射鏡が、活性層の外部へ拡散する光を活性層
へ反射する。
印加されると、電極とオーミックコンタクト層とのオー
ミック接触によって注入層へキャリアが注入され、注入
されたキャリアが、注入層を介して活性層へ注入される
。また、反射鏡が、活性層の外部へ拡散する光を活性層
へ反射する。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき詳述する
。第１図は本発明に係る面発光型半導体レーザー装置の
構成を模式的に示す断面図である。
。第１図は本発明に係る面発光型半導体レーザー装置の
構成を模式的に示す断面図である。
図中１は、ｎ−クラフト層（成分比Ｇａ０．６ ＡｌＯ
，４＾ｓ。
，４＾ｓ。
膜厚１．θμｍ、ドープ率２Ｘ１０’θｃｍ’）であっ
て、ｎ−クラッド層１の上に、ｐ−活性層２ （成分比
Ｇａ ０．５ＡＩＱ、ｌ ＡＳＩ １１５’！厚３．０
ｐｍ 、 ドープ率２Ｘ １０１８ｃ＋ｏ−３）及
びｐ−クラッド層３ （成分比ＧａＯ，５ＡＩｏ、４
ＡＳＩ 膜厚２．０ μｍ 、 ドープ率７Ｘ １０
１７ｃｍ−３）を積層した円柱形のメサ部分（径１０μ
ｍφ）が設けられている。メサ部分は、電流狭窄のため
に積層されたｐｎの各ブロック層４． ５ （Ｇａｏ
、ｓｓ八へ ０．４ＳＡＳ）に埋め込まれ、埋め込み構
造の半導体レーザー装置を形成している。
て、ｎ−クラッド層１の上に、ｐ−活性層２ （成分比
Ｇａ ０．５ＡＩＱ、ｌ ＡＳＩ １１５’！厚３．０
ｐｍ 、 ドープ率２Ｘ １０１８ｃ＋ｏ−３）及
びｐ−クラッド層３ （成分比ＧａＯ，５ＡＩｏ、４
ＡＳＩ 膜厚２．０ μｍ 、 ドープ率７Ｘ １０
１７ｃｍ−３）を積層した円柱形のメサ部分（径１０μ
ｍφ）が設けられている。メサ部分は、電流狭窄のため
に積層されたｐｎの各ブロック層４． ５ （Ｇａｏ
、ｓｓ八へ ０．４ＳＡＳ）に埋め込まれ、埋め込み構
造の半導体レーザー装置を形成している。
さらに、メサ部分及びこれを囲む電流狭窄層の上に、電
流注入層６ （成分比Ｇａｏ、７ Ａｌ Ｏ，３Ａｓ＋
膜厚２．０ μｍ、ドープ率７Ｘ １０Ｉ７１０ｌ７０
が設けられる。メサ相当部分を除く電流注入層６の上に
は、キャンプ層７１（成分ＧａＡｓ、膜厚１．０ μｍ
、ドープ率２Ｘ １０”ａｍ−１）が設けられるととも
に、メサ相当部分の電流注入層６の上には、ＴｉＯ２／
５ｉ０２からなる反射鏡９が設けられる。また、Ａｕ／
Ｚｎ／Ａｕからなる電極８がキャップ層７１の上にのみ
１ｊｌｌＮされる。
流注入層６ （成分比Ｇａｏ、７ Ａｌ Ｏ，３Ａｓ＋
膜厚２．０ μｍ、ドープ率７Ｘ １０Ｉ７１０ｌ７０
が設けられる。メサ相当部分を除く電流注入層６の上に
は、キャンプ層７１（成分ＧａＡｓ、膜厚１．０ μｍ
、ドープ率２Ｘ １０”ａｍ−１）が設けられるととも
に、メサ相当部分の電流注入層６の上には、ＴｉＯ２／
５ｉ０２からなる反射鏡９が設けられる。また、Ａｕ／
Ｚｎ／Ａｕからなる電極８がキャップ層７１の上にのみ
１ｊｌｌＮされる。
なお、反射鏡９の形成は、電流注入層６全面にキャップ
層７１を積層し、これを選択エツチングによって除去し
た後に行われる。
層７１を積層し、これを選択エツチングによって除去し
た後に行われる。
次に、動作につき説明する。電極８に電圧が印加される
と、キャップ層７１とのオーミック接触によって電流注
入層６にキャリアが注入され、電流注入Ｎ６を介してキ
ャリアがメサ部分に注入される。一方、メサ部分周辺に
Ｆ１２Ｎされたｐ、ｎの各ブロック層４．５はｐ−ｎ逆
バイアスによって電流を阻止し、キャリアはメサ部分に
閉じ込められる。
と、キャップ層７１とのオーミック接触によって電流注
入層６にキャリアが注入され、電流注入Ｎ６を介してキ
ャリアがメサ部分に注入される。一方、メサ部分周辺に
Ｆ１２Ｎされたｐ、ｎの各ブロック層４．５はｐ−ｎ逆
バイアスによって電流を阻止し、キャリアはメサ部分に
閉じ込められる。
本発明の面発光型半導体レーザー装置は、反射鏡がキャ
ップ層と完全に分離されているので、オーミックコンタ
クト層としてのキャンプ層にＡ１を添加する必要がない
ため、電極とキャップ層との間の抵抗が増大せずに良好
なオーミック接触が得られ、また、注入されたキャリア
を活性層へ注入する注入層をオーミックコンタクト層と
活性層との間に設けることにより、電極の大面積化を実
現するという優れた効果を奏する。
ップ層と完全に分離されているので、オーミックコンタ
クト層としてのキャンプ層にＡ１を添加する必要がない
ため、電極とキャップ層との間の抵抗が増大せずに良好
なオーミック接触が得られ、また、注入されたキャリア
を活性層へ注入する注入層をオーミックコンタクト層と
活性層との間に設けることにより、電極の大面積化を実
現するという優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る面発光型半導体レーザー装置の構
成を示す模式的断面図、第２図は従来の面発光型半導体
レーザー装置の構成を示す模式的断面図である。 ■・・・ｎ−クラッド層 ２・・・ｐ−活性層 ３・・
・ｐ−クラッド層 ４・・・ｐ−ブロック層 ５・・・
ｎ−ブロック層６・・・電流注入層 ８・・・電極 ９
・・・反射鏡 ７１・・・キャンプ層 特 許 出願人 新技術開発事業団 外２名代理人
弁理士 河 野 登 人 相 図
成を示す模式的断面図、第２図は従来の面発光型半導体
レーザー装置の構成を示す模式的断面図である。 ■・・・ｎ−クラッド層 ２・・・ｐ−活性層 ３・・
・ｐ−クラッド層 ４・・・ｐ−ブロック層 ５・・・
ｎ−ブロック層６・・・電流注入層 ８・・・電極 ９
・・・反射鏡 ７１・・・キャンプ層 特 許 出願人 新技術開発事業団 外２名代理人
弁理士 河 野 登 人 相 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、活性層が電流狭窄層に埋め込まれ、該活性層の外部
へ拡散する光を活性層へ反射する反射鏡が設けられ、ま
た、オーミックコンタクト層が電極に対接して設けられ
てなる面発光型半導体レーザー装置において、 オーミックコンタクト層及び活性層に対接し、電極とオ
ーミックコンタクト層とのオーミック接触によって注入
されるキャリアを活性層へ注入する注入層と、 反射鏡に対応する部分以外の注入層に対接して設けられ
たオーミックコンタクト層とを備えたことを特徴とする
面発光型半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19828488A JP2717212B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 面発光型半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19828488A JP2717212B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 面発光型半導体レーザー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246788A true JPH0246788A (ja) | 1990-02-16 |
| JP2717212B2 JP2717212B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=16388563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19828488A Expired - Fee Related JP2717212B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 面発光型半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2717212B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0491502A2 (en) * | 1990-12-19 | 1992-06-24 | AT&T Corp. | Vertical-cavity surface-emitting laser with non-epitaxial multilayered dielectric reflectors located on both surfaces |
| KR100898483B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2009-05-19 | 오티스 엘리베이터 컴파니 | 엘리베이터 장치 및 낮은 오버헤드 엘리베이터 장치에서 엘리베이터 카의 상부에 있는 사람이 상해 입는 것을 방지하는 방법 |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP19828488A patent/JP2717212B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0491502A2 (en) * | 1990-12-19 | 1992-06-24 | AT&T Corp. | Vertical-cavity surface-emitting laser with non-epitaxial multilayered dielectric reflectors located on both surfaces |
| EP0491502A3 (en) * | 1990-12-19 | 1992-07-08 | AT&T Corp. | Vertical-cavity surface-emitting laser with non-epitaxial multilayered dielectric reflectors located on both surfaces |
| KR100898483B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2009-05-19 | 오티스 엘리베이터 컴파니 | 엘리베이터 장치 및 낮은 오버헤드 엘리베이터 장치에서 엘리베이터 카의 상부에 있는 사람이 상해 입는 것을 방지하는 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2717212B2 (ja) | 1998-02-18 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
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| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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