JPH0246744A - フイルムキヤリヤー - Google Patents
フイルムキヤリヤーInfo
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- JPH0246744A JPH0246744A JP63197619A JP19761988A JPH0246744A JP H0246744 A JPH0246744 A JP H0246744A JP 63197619 A JP63197619 A JP 63197619A JP 19761988 A JP19761988 A JP 19761988A JP H0246744 A JPH0246744 A JP H0246744A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体の組立てに用いられるフィルムキャリヤ
ーに関するものである。 〔従来の技術〕 従来のフィルムキャリヤーは図2A及び2Bに示したよ
うにベースのポリイミドフィルム1aに接着剤2を塗布
し食後デバイスホール5及びスプロケットホール6をパ
ンチングで打ち抜いたあと鋼箔3を加熱圧着し次いでフ
ォトリングラフイー技術を使ってリード4が形成されて
いた。 (発明が解決しようとする課題〕 しかしながら上記図2人及び2Bに示したような構造で
はICチップとリードを加熱圧着するインナーリードボ
ンディングの際に加熱によるリードの膨腰が起とシリー
ドやポリイミドフィルムの変形が起こり不良の発生が起
こシ易い。 特にICチップの高集積化が進むに従ってリードも多ビ
ン化の方向に進んでおりピン数が多くなるに従って従来
のワイヤーを使ういわゆるワイヤーボンディング方式で
はボンディングが出来なくなつ九り、ボンディングの時
間が長くかかシ経済性が悪くなることからフィルムキャ
リヤーを採用し九−括ボンデイ/グ方式CTAB方式〕
へ移シつつある。しかし、ICチップの多ピン化が進む
に従ってフィルムキャリヤーのリードピッチ巾も細かく
なりボンディング時の寸法精度の安定性が極めて重要と
なって来る。 このような状況下で、図2A及び2Bに示したような従
来のフィルムキャリヤーでは、搬送時や検査時の際にリ
ードの変形が起こシ易く、又、インナーリードボンディ
ングの際に加熱によるリードの膨張がリードの変形を誘
発しボンディング不良が起こシ易い。 加えてフィルムと鋼箔の間に介在する接着剤層(図2A
の2)の耐熱性はポリイミドフィルムに比べて悪く、フ
ィルムキャリヤー全体の耐熱性を低下させている。又、
この接着剤に含まれる不純物がICの誤動作1!−誘発
したυスプロケットホールに接着剤の一部が付着してリ
ードとICチップの位置合せが狂ったシすることがある
。 本発明は、上記の問題点に鑑み耐熱性に秀れボンディン
グ時の熱膨張によるリードの変形や搬送、検査時のリー
ドの変形等が起こりにくく、且つ不純物によるICの誤
動作が起こりにくいフィルムキャリヤーを提供すること
を目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、ポリイミドフィルムと銅箔の2層構造からな
り、デバイスホール近傍のポリイミドフィルムの厚さと
その他の部分のフィルムの厚さを異にするフィルムキャ
リヤーである。 本発明の効果を発揮するに必要なデバイスホール近傍の
ポリイミドフィルムの厚さのコントロールハ、従来のフ
ィルムキャリヤーテープの製造方法とは異なり銅箔上に
ポリイミド前駆体のフェノを印刷し加熱することKよっ
て達成することが出来る。その製法の一例を示すと所定
の巾に切断された銅箔上にデバイスホールを除く部分に
フェノを印刷する。ここで使用されるポリイミド前厘体
フェノは鋼箔との接着性に秀れたフェノで4IP開昭6
1−287926号公報に記載されたフェノが好ましい
。このフェノは、下記の式(1)で表わされるテトラカ
ルボン酸二無水物Aモル、式(2)で表わされるジアミ
ン8モル、式(3)で表わされるアミンシリコン化合物
Cモルを式(4)及び式(5)の関係を存在せしめ反応
を行なうことによ#)製造される溶媒中温度30±0.
01℃、濃度0.5重量%で測定された固有粘度が0.
05〜5dl/fであるシリコン含有ポリアミド酸の溶
液である。 NHt−R”−NH,・・・・・(2)NHt−R”−
S iR’5−kXk ” ” ・” ・(3)−
<cH,>IIQf、−(CH,入−〇(りまたはイン
であり(ただしSは1〜4の整数を示す。)、R6ハ独
立に炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基または炭素
数7〜12個のアルキル置換フェニル基を表わし、tは
1≦t≦100の値をとる。) または式 (式(1)〜(3)に於いてR1は4価の炭素環式芳香
族基を表わし、R2は炭素数2〜12個の脂肪族基、炭
素数4〜30個の脂環式基、炭素数6〜30個の芳香脂
肪族基、炭素数6〜30個の炭素環式芳香族基、次式(
6)で表わされるポリシロキサン基 (ζこKR’は独立に−(CHり − で表わされる基であυ、Rjは−(CH2)、−一(C
H* )s伺、−(ca、)、−o−(ンま念は(改で
あり(念だし、ここKsは1〜4の整数を表わす。)、
R4は独立に炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基ま
たは炭素数7〜12個のアルキル置換フェニル基を表わ
し、Xは独立にアルコキシ基、アセトキシ基またはハロ
ゲンを表わし、kは1≦に≦3の値をとる。〕 前記溶液の溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン、N
、N−ジメチルアセトアミド、N。 N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テ
トラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサ
メチルホスホルアミド、メチルホルムアミド、N−アセ
チル−2−ピロリドン、トルエン、キシレン、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレンクリ
コールジメチルエーテル、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン等の1種または2種以上を使用することができ
る。 印刷し加熱してその表面にポリイミド膜を形成した銅箔
にスプロケットホール’を形成すべくパンチングを行な
う。次に該鋼箔の他の表面にレジストを塗布し露光後エ
ツチングして回路及びリードを形成する。この時同時に
スプロケットホール帯の鋼もエツチングにより除く。 デバイスホール近傍のフィルムの厚みとその他の部分の
フィルムの厚みとを変える為にはデバイスホール近傍と
他部分とを2回以上に分離して印刷することKよって達
成することが出来る。
ーに関するものである。 〔従来の技術〕 従来のフィルムキャリヤーは図2A及び2Bに示したよ
うにベースのポリイミドフィルム1aに接着剤2を塗布
し食後デバイスホール5及びスプロケットホール6をパ
ンチングで打ち抜いたあと鋼箔3を加熱圧着し次いでフ
ォトリングラフイー技術を使ってリード4が形成されて
いた。 (発明が解決しようとする課題〕 しかしながら上記図2人及び2Bに示したような構造で
はICチップとリードを加熱圧着するインナーリードボ
ンディングの際に加熱によるリードの膨腰が起とシリー
ドやポリイミドフィルムの変形が起こり不良の発生が起
こシ易い。 特にICチップの高集積化が進むに従ってリードも多ビ
ン化の方向に進んでおりピン数が多くなるに従って従来
のワイヤーを使ういわゆるワイヤーボンディング方式で
はボンディングが出来なくなつ九り、ボンディングの時
間が長くかかシ経済性が悪くなることからフィルムキャ
リヤーを採用し九−括ボンデイ/グ方式CTAB方式〕
へ移シつつある。しかし、ICチップの多ピン化が進む
に従ってフィルムキャリヤーのリードピッチ巾も細かく
なりボンディング時の寸法精度の安定性が極めて重要と
なって来る。 このような状況下で、図2A及び2Bに示したような従
来のフィルムキャリヤーでは、搬送時や検査時の際にリ
ードの変形が起こシ易く、又、インナーリードボンディ
ングの際に加熱によるリードの膨張がリードの変形を誘
発しボンディング不良が起こシ易い。 加えてフィルムと鋼箔の間に介在する接着剤層(図2A
の2)の耐熱性はポリイミドフィルムに比べて悪く、フ
ィルムキャリヤー全体の耐熱性を低下させている。又、
この接着剤に含まれる不純物がICの誤動作1!−誘発
したυスプロケットホールに接着剤の一部が付着してリ
ードとICチップの位置合せが狂ったシすることがある
。 本発明は、上記の問題点に鑑み耐熱性に秀れボンディン
グ時の熱膨張によるリードの変形や搬送、検査時のリー
ドの変形等が起こりにくく、且つ不純物によるICの誤
動作が起こりにくいフィルムキャリヤーを提供すること
を目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、ポリイミドフィルムと銅箔の2層構造からな
り、デバイスホール近傍のポリイミドフィルムの厚さと
その他の部分のフィルムの厚さを異にするフィルムキャ
リヤーである。 本発明の効果を発揮するに必要なデバイスホール近傍の
ポリイミドフィルムの厚さのコントロールハ、従来のフ
ィルムキャリヤーテープの製造方法とは異なり銅箔上に
ポリイミド前駆体のフェノを印刷し加熱することKよっ
て達成することが出来る。その製法の一例を示すと所定
の巾に切断された銅箔上にデバイスホールを除く部分に
フェノを印刷する。ここで使用されるポリイミド前厘体
フェノは鋼箔との接着性に秀れたフェノで4IP開昭6
1−287926号公報に記載されたフェノが好ましい
。このフェノは、下記の式(1)で表わされるテトラカ
ルボン酸二無水物Aモル、式(2)で表わされるジアミ
ン8モル、式(3)で表わされるアミンシリコン化合物
Cモルを式(4)及び式(5)の関係を存在せしめ反応
を行なうことによ#)製造される溶媒中温度30±0.
01℃、濃度0.5重量%で測定された固有粘度が0.
05〜5dl/fであるシリコン含有ポリアミド酸の溶
液である。 NHt−R”−NH,・・・・・(2)NHt−R”−
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<cH,>IIQf、−(CH,入−〇(りまたはイン
であり(ただしSは1〜4の整数を示す。)、R6ハ独
立に炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基または炭素
数7〜12個のアルキル置換フェニル基を表わし、tは
1≦t≦100の値をとる。) または式 (式(1)〜(3)に於いてR1は4価の炭素環式芳香
族基を表わし、R2は炭素数2〜12個の脂肪族基、炭
素数4〜30個の脂環式基、炭素数6〜30個の芳香脂
肪族基、炭素数6〜30個の炭素環式芳香族基、次式(
6)で表わされるポリシロキサン基 (ζこKR’は独立に−(CHり − で表わされる基であυ、Rjは−(CH2)、−一(C
H* )s伺、−(ca、)、−o−(ンま念は(改で
あり(念だし、ここKsは1〜4の整数を表わす。)、
R4は独立に炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基ま
たは炭素数7〜12個のアルキル置換フェニル基を表わ
し、Xは独立にアルコキシ基、アセトキシ基またはハロ
ゲンを表わし、kは1≦に≦3の値をとる。〕 前記溶液の溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン、N
、N−ジメチルアセトアミド、N。 N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テ
トラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサ
メチルホスホルアミド、メチルホルムアミド、N−アセ
チル−2−ピロリドン、トルエン、キシレン、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレンクリ
コールジメチルエーテル、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン等の1種または2種以上を使用することができ
る。 印刷し加熱してその表面にポリイミド膜を形成した銅箔
にスプロケットホール’を形成すべくパンチングを行な
う。次に該鋼箔の他の表面にレジストを塗布し露光後エ
ツチングして回路及びリードを形成する。この時同時に
スプロケットホール帯の鋼もエツチングにより除く。 デバイスホール近傍のフィルムの厚みとその他の部分の
フィルムの厚みとを変える為にはデバイスホール近傍と
他部分とを2回以上に分離して印刷することKよって達
成することが出来る。
本発明は上記の構成により耐熱性に秀れ且つ外力による
リードの変形やボンディング時の熱膨張によって生ずる
応力を局所的にフィルムの厚みを変えることによって吸
収し、リードの変形を防止しボンディング時の不良率を
減少せしめることが出来る。 (実施例〕 本発明の実施例を図IA〜IEに示す。図IAは本発明
の1例のフィルムキャリヤーの平面図、図IBは図IA
のIB−IB切断部端面図、図IC1ID、IEは他の
例の切断部端面図である。これら図において、1aはポ
リイミドフィルム、1bはサポートリング、3は銅箔、
4はリード、5はデバイスホール、6はスプロケットホ
ールである。これら図に示したようにポリイミドフィル
ム1aはデバイスホール近傍で他の部分と厚さ金具にす
るようにしである。 上記図IA〜IEに示したものは図IAに明らかなよう
にサポートリングib6有するものであるが、本発明は
これを有しないものも包含する。即ち、図2AK示した
ようなサポートリングを有しないもので、デバイスホー
ル近傍のポリイミドフィルムの厚さとその他の部分の厚
さ金異にするものも包含する。 〔発明の効果〕 以上のように本発明は接着剤を使わないので耐熱性に優
れ且つデバイスホール近傍のフィルムの厚みと他部分の
フィルムの厚みを変えることによってボンディング時の
リードの熱膨張による変形を防止し、併せて搬送、検査
時の外力によるリードの変形を防止することが出来る。
リードの変形やボンディング時の熱膨張によって生ずる
応力を局所的にフィルムの厚みを変えることによって吸
収し、リードの変形を防止しボンディング時の不良率を
減少せしめることが出来る。 (実施例〕 本発明の実施例を図IA〜IEに示す。図IAは本発明
の1例のフィルムキャリヤーの平面図、図IBは図IA
のIB−IB切断部端面図、図IC1ID、IEは他の
例の切断部端面図である。これら図において、1aはポ
リイミドフィルム、1bはサポートリング、3は銅箔、
4はリード、5はデバイスホール、6はスプロケットホ
ールである。これら図に示したようにポリイミドフィル
ム1aはデバイスホール近傍で他の部分と厚さ金具にす
るようにしである。 上記図IA〜IEに示したものは図IAに明らかなよう
にサポートリングib6有するものであるが、本発明は
これを有しないものも包含する。即ち、図2AK示した
ようなサポートリングを有しないもので、デバイスホー
ル近傍のポリイミドフィルムの厚さとその他の部分の厚
さ金異にするものも包含する。 〔発明の効果〕 以上のように本発明は接着剤を使わないので耐熱性に優
れ且つデバイスホール近傍のフィルムの厚みと他部分の
フィルムの厚みを変えることによってボンディング時の
リードの熱膨張による変形を防止し、併せて搬送、検査
時の外力によるリードの変形を防止することが出来る。
図IAは本発明のフィルムキャリヤーの1例の平面図、
図IBは図IAにおけるIB−IBの切断部端面図、図
IC〜IEは本発明の他の例の図IBと同様な切断部端
面図、図2Aは従来のフィルムキャリヤーの平面図、図
2Bは図2Aにおける2B−2B切断部端面図である。 これら図において、1aはポリイミドフィルム、1bは
サポートリング、2は接着剤層、3は銅箔、4はリード
、5はデバイスホール、6はスプロケットホールを表わ
す。 以上
図IBは図IAにおけるIB−IBの切断部端面図、図
IC〜IEは本発明の他の例の図IBと同様な切断部端
面図、図2Aは従来のフィルムキャリヤーの平面図、図
2Bは図2Aにおける2B−2B切断部端面図である。 これら図において、1aはポリイミドフィルム、1bは
サポートリング、2は接着剤層、3は銅箔、4はリード
、5はデバイスホール、6はスプロケットホールを表わ
す。 以上
Claims (1)
- ポリイミドフィルムと銅箔の2層構造からなり、デバイ
スホール近傍のポリイミドフィルムの厚さとその他の部
分のフィルムの厚さを異にするフィルムキャリヤー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63197619A JPH0246744A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | フイルムキヤリヤー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63197619A JPH0246744A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | フイルムキヤリヤー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0246744A true JPH0246744A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16377491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63197619A Pending JPH0246744A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | フイルムキヤリヤー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0246744A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0260136A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子実装用基板の形成法 |
JPH02162746A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-06-22 | Bull Sa | 高密度集積回路の支持体とその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP63197619A patent/JPH0246744A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02162746A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-06-22 | Bull Sa | 高密度集積回路の支持体とその製造方法 |
JPH0260136A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子実装用基板の形成法 |
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